z

TRANSISTOR
BIPOLAR
Bipolar Junction perangkat semikonduktor yang dapat
Transistor (BJT) digunakan untuk switching atau
amplifikasi.

Dioda  pn-junction sederhana

Dioda seri Dioda

tiga lapisan, dua persimpangan (junction),

tiga perangkat terminal yang membentuk
basis dari Bipolar Junction Transistor,
 "switching"
Transistor adalah perangkat aktif
(elektronik digital)
tiga terminal yang terbuat dari
bahan semikonduktor berbeda
yang dapat bertindak sebagai
isolator atau konduktor dengan
"amplifikasi"
penerapan tegangan sinyal kecil.
(elektronik analog)

Wilayah operasi BJT

• Wilayah Aktif - transistor beroperasi sebagai penguat dan Ic = β*Ib

• Saturasi - transistor (Fully-ON) berjalan sebagai sakelar dan Ic = I

(saturation)

• Cut-off - transistor (Fully-OFF) berjalan sebagai sakelar dan Ic = 0

 transistor NPN
pengaturan fisik bahan semikonduktor
BJT tipe-P dan tipe-N dalam pembuatannya.

transistor PNP

• dua PN-junction

• tiga terminal yang menghubungkan dengan

masing-masing terminal yang diberi nama
untuk mengidentifikasi dari dua lainnya

• Emitter ( E ), Base ( B ) dan Collector ( C ).

 mengontrol jumlah arus yang mengalir
dari Emitter ke terminal Collector secara
proporsional dengan jumlah tegangan
biasing yang diterapkan ke terminal
Transistor mereka, sehingga bertindak seperti
Bipolar sakelar yang dikendalikan arus.

arus kecil yang mengalir ke terminal Base

mengontrol arus Collector yang jauh lebih
besar membentuk dasar aksi transistor.
Terdiri dari 3 lapisan bahan semikonduktor yang masing-masing
disebut :
-Emiter
-Basis
-Kolektor
transistor PNP , Basis terbuat dari bahan yang bersifat negatip
(kelebihan elektron), sementara Emiter dan Kolektor terbuat dari
bahan yang bersifat positip (kekurangan elektron).
transistor NPN, Basis terbuat dari bahan yang bersifat positip
(kekurangan elektron) sementara Emiter dan Kolektor terbuat dari
bahan yang bersifat negatip (kelebihan elektron).
Jika ditinjau dari hubungan Emiter, Basis dan Kolektor, maka
hubungan Basis dengan Emiter dan Basis dengan Kolektor masing-
masing membentuk sebuah Dioda.
Agar dapat menghantar, maka transistor harus dibias maju (diberi
arus panjar).
Aliran arus adalah berlawanan dengan arah aliran elektron.
Konstruksi Transistor Bipolar (BJT)

transistor bipolar PNP dan

NPN diberikan di atas dengan
panah di simbol rangkaian
selalu menunjukkan arah
"aliran arus konvensional"
antara terminal Base dan
terminal Emitternya

Arah panah selalu menunjuk

dari daerah tipe-P positif ke
daerah tipe-N negatif untuk
kedua jenis transistor, persis
sama dengan simbol dioda
standar.
Konfigurasi Transistor Bipolar (BJT)

tiga cara yang mungkin untuk menghubungkannya dalam

rangkaian elektronik dengan satu terminal menjadi umum
untuk input dan output

Setiap metode koneksi merespons secara berbeda terhadap

sinyal inputnya dalam suatu rangkaian karena karakteristik
statis dari transistor bervariasi dengan setiap susunan
rangkaian.

• Konfigurasi Common Base - memiliki Gain Tegangan tetapi tanpa Gain Arus.
• Konfigurasi Common Emitter - memiliki Gain Arus dan Gain Tegangan.
• Konfigurasi Common Collector - memiliki Gain Arus tetapi tanpa Gain Tegangan.
Karakteristik masing-masing rangkaian meliputi impedansi input,
impedansi output dan gain apakah ini gain tegangan, gain arus
atau gain daya
 z Konfigurasi Common Base (CB)

• Common Base (konfigurasi

grounded)
• Sinyal input diterapkan
antara Base transistor dan
terminal Emitter
• Sinyal output yang sesuai
diambil dari antara Base
dan terminal Collector
• Terminal base grounded atau dapat dihubungkan ke beberapa
titik tegangan referensi tetap.
Arus input yang mengalir ke arus output Collector kurang dari
Emitter cukup besar karena input arus Emitter yang menghasilkan
jumlahnya masing-masing dari kenaikan arus untuk jenis rangkaian
arus Base dan arus Collector  “1” (unity) atau kurang

konfigurasi Common Base "

melemahkan/Atenuasi" sinyal input.
• rangkaian penguat tegangan non-inverting, di mana tegangan sinyal Vin
dan Vout adalah "dalam-fasa".

• Jenis pengaturan transistor ini tidak terlalu umum karena karakteristik

gain tegangannya yang luar biasa tinggi.

• Karakteristik inputnya merepresentasikan dioda forward bias, sedangkan

karakteristik output mewakili karakteristik Photodioda yang menyala.
memiliki rasio output yang tinggi
memberikan nilai "Resistansi
terhadap resistansi input atau
Gain". Maka gain tegangan (Av)
yang lebih penting resistansi
untuk konfigurasi Base
"load" ( RL ) hingga resistansi
Common
"input" ( Rin )

Gain Tegangan Common Base

  𝑉 𝑂𝑈𝑇 𝐼 𝐶 × 𝑅𝐿
𝐴𝑉 = =
𝑉 𝐼𝑁 𝐼 𝐸 × 𝑅 𝐼𝑁
Di mana: Ic/Ie adalah gain arus, alpha ( α ) dan RL/Rin adalah gain
resistansi.
Rangkaian Common Base umumnya hanya digunakan dalam rangkaian
penguat satu tahap seperti mikrofon pra-penguat atau penguat frekuensi
radio ( Rƒ ) karena respons frekuensi tinggi yang sangat baik.
 Konfigurasi Common Emittor
z (grounded emitter)
.

• sinyal input diterapkan antara Base dan Emitter

• output diambil dari antara Collector dan Emitter 

• konfigurasi ini adalah rangkaian yang paling umum digunakan

untuk penguat berbasis transistor dan yang mewakili metode
"normal" koneksi transistor bipolar.

•  menghasilkan penguatan arus dan daya tertinggi dari ketiga

konfigurasi transistor bipolar karena impedansi input RENDAH
karena terhubung ke PN-junction forward bias, sedangkan
impedansi output adalah TINGGI karena diambil dari sambungan
PN-junction reverse bias.
 • arus yang mengalir keluar dari
transistor harus sama dengan arus
yang mengalir ke transistor karena
arus Emitter (Ie = Ic + Ib)

• Resistansi beban ( RL) dihubungkan secara seri dengan Collector,

• gain arus cukup besar karena rasio Ic/Ib.
• Transistor gain arus ( β ).
• rasio Ic/Ie disebut α. (nilai Alpha akan selalu kurang dari satu)
• hubungan listrik antara ketiga arus ini, Ib, Ic dan Ie ditentukan oleh
konstruksi fisik dari transistor itu sendiri, setiap perubahan kecil pada
arus Base ( Ib ), akan menghasilkan perubahan yang jauh lebih besar
pada arus Collector ( Ic ).
• Hubungan listrik antara ketiga arus ini, Ib, Ic dan Ie ditentukan oleh
konstruksi fisik dari transistor, dimana setiap perubahan kecil pada
arus Base ( Ib ), akan menghasilkan perubahan yang jauh lebih besar
pada arus Collector ( Ic ).

• Perubahan kecil dalam arus yang mengalir di Base akan mengontrol

arus di rangkaian Emitter-Collector.

• Biasanya, Beta memiliki nilai antara 20 dan 200 untuk sebagian

besar transistor umumnya. Nilai Beta 100, maka satu elektron akan
mengalir dari terminal Base untuk setiap 100 elektron yang mengalir
di antara terminal Emitter-Collector.
Gabungan ekspresi untuk α dan β hubungan matematis antara
parameter ini dapat dituliskan
  𝐼𝐶   𝐼𝐶
𝛼= 𝛽=
𝐼𝐸 𝐼𝐵

∴ 𝐼 𝐶 =𝛼 ∙ 𝐼 𝐸 = β ∙ 𝐼 𝐵
 

  𝛽  
𝛽=
𝛼
𝐼 𝐸 =𝐼 𝐶 + 𝐼 𝐵
 
𝛼= 1− 𝛼
1+ 𝛽
Konfigurasi transistor bipolar jenis ini
• memiliki impedansi input, arus, dan gain daya yang lebih besar
daripada konfigurasi Common Base, tetapi gain tegangannya jauh
lebih rendah.
• Konfigurasi Common Emitter yang adalah rangkaian penguat invering
dimana sinyal output yang dihasilkan memiliki Pergeseran Fasa 180°
berkaitan dengan sinyal tegangan input.
 z Konfigurasi Common Collector
(grounded collector)
.

• Sinyal input terhubung langsung ke Base

• output diambil dari beban Emitter 

• konfigurasi ini umumnya dikenal sebagai rangkaian Voltage

Follower atau Emitter Follower

• sangat bermanfaat untuk aplikasi pencocokan impedansi

karena impedansi input yang sangat tinggi, di daerah ratusan
ribu Ohm sementara mempunyai impedansi output yang relatif
rendah.
 gain arus kira-kira sama dengan nilai
β dari transistor itu sendiri

resistansi beban terletak secara seri

dengan Emitter sehingga arusnya
sama dengan arus Emitter.

resistansi beban dalam konfigurasi

arus Emitter adalah
transistor jenis ini juga memiliki
kombinasi dari Collector
arus Collector dan arus input dari
dan arus Base digabungkan
Base yang mengalir melaluinya.
Arus Gain Common Collector

𝐼 𝐸 =𝐼 𝐶 + 𝐼 𝐵
 

  𝐼𝐸 𝐼𝐶+𝐼𝐵 𝐼𝐶
𝐴 𝐼= = = +1= β+ 1
𝐼𝐵 𝐼𝐵 𝐼𝐵

• rangkaian non-inverting di mana tegangan sinyal Vin dan Vout

adalah "dalam fasa".
• gain tegangan yang selalu kurang dari "1" (kesatuan).
• Resistansi beban dari transistor Common Collector menerima baik
arus Base dan arus Collector yang menghasilkan gain arus besar
(seperti konfigurasi Common Emitter), sehingga memberikan
penguatan arus yang baik dengan gain tegangan yang sangat
kecil.
 Hubungan antara Arus DC dan Gain

𝐼 𝐸 =𝐼 𝐶 + 𝐼 𝐵
 
  𝐼𝐶 𝛽
𝛼= =
𝐼 𝐶 =𝐼 𝐸 − 𝐼 𝐵
  𝐼𝐸 1+ 𝛽

  𝐼𝐶 𝛼
𝐼 𝐵=𝐼 𝐸 − 𝐼 𝐶
  𝛽= =
𝐼𝐵 1−𝛼
  𝐼𝐶 𝐼𝐸
𝐼 𝐵= = =𝐼 𝐸 ( 1− 𝛼 )
𝛽 1+ 𝛽
  𝐼𝐶
𝐼 𝐶 =𝛽 ∙ 𝐼 𝐵 =𝛼 ∙ 𝐼 𝐸
  𝐼 𝐸= = 𝐼 𝐵 ( 1+ 𝛽 )
𝛼
 Masing-masing konfigurasi rangkaian sangat berbeda dan
menghasilkan karakteristik rangkaian yang berbeda berkaitan
dengan impedansi input, impedansi output dan gain apakah ini
gain tegangan, gain arus atau gain daya dirangkum dalam tabel di
bawah ini.

Karakteristik Common Base Common Emitter Common Collector

Impedansi Input Rendah Medium Tinggi
Impedansi Output Sangat tinggi Tinggi Rendah
Sudut Fase 0° 180° 0°
Gain Tegangan Tinggi Medium Rendah
Gain Arus Rendah Medium Tinggi
Gain Daya Rendah Sangat tinggi Medium