TRANSISTOR

Dasar-dasar Transistor
 Ada dua jenis transistor :
 Transistor Bipolar atau BJT (bipolar junction
transistor).
 Transistor unipolar seperti misalnya FET (field-
effect transistor).
 Dibandingkan dengan FET, BJT dapat memberikan
penguatan yang jauh lebih besar dan tanggapan
frekuensi yang lebih baik.
 Pada BJT baik pembawa muatan mayoritas
maupun pembawa muatan minoritas mempunyai
peranan yang sama pentingnya.
Transistor Bipolar atau BJT
 Terdapat dua jenis kontruksi dasar BJT, yaitu jenis n-p-n dan
jenis p-n-p.
 Untuk jenis n-p-n, BJT terbuat dari lapisan tipis semikonduktor
tipe-p dengan tingkat doping yang relatif rendah, yang diapit oleh
dua lapisan semikonduktor tipe-n.
 Bagian di tengah disebut “basis” (base), salah satu bagian tipe-n
(biasanya mempunyai dimensi yang kecil) disebut “emitor”
(emitter) dan yang lainya sebagai “kolektor” (collector).
Transistor Bipolar atau BJT
Pengoperasian transistor jenis n-p-n :
 Sambungan emitor berpanjar maju, dengan efek dari
tegangan panjar V EB terjadi penurunan tegangan penghalang
pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada
elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini
miskin elektron (minoritas).
 Sambungan kolektor berpanjar mundur sebagai efek dari
pemasangan tegangan panjar V CB akan menaikkan potensial
penghalang pada sambungan kolektor. Karena daerah basis
sangat tipis, hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis
tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi
dengan lubang yang “disediakan” dengan pemasangan
baterai luar.
 Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke
rangkaian kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung
pada tegangan kolektor-basis.
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
 Dasar pengoperasian BJT, untuk kasus saat
sambungan kolektor-basis berpanjar mundur
dan sambungan emitor-basis berpanjar maju.
Arus emitor sebagai fungsi dari tegangan emitor-
basis sebagai :

 untuk transistor n-p-n, dimana V T = 25 mV pada

temperatur ruang.
 Io berasal dari pembawa muatan hasil generasi
termal, sehingga secara kuat merupakan fungsi
temperatur, dan harganya hampir berlipat dua
untuk setiap kenaikan 10oC. Harga I0 sangat
bervariasi dari satu transistor ke transistor yang
lain walaupun untuk tipe dan pabrik yang sama.
KARAKTERISTIK
TRANSISTOR
 Arus emiter berdifusi ke daerah basis dan menghasilkan arus
kolektor, dimana harganya lebih besar dari arus basis :

 Dimana β merupakan parameter transistor terpenting kedua,

dan disebut sebagai penguatan arus (current gain – sering
dinyatakan dengan simbul hfe atau hFE untuk kasus tertentu).
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
 Harga β sangat bervariasi dari satu transistor ke
transistor lain walaupun untuk tipe yang sama.
 Untuk transistor tipe 2N3055 (biasanya digunakan
untuk arus besar), hFE untuk arus 4 A dapat
berharga dari 20 – 70. Harga h FE mengalami
perubahan terhadap harga arus kolektor, naik dari
32 pada 10 mA ke maksimum 62 pada arus 3A, dan
selanjutnya jatuh ke harga 15 untuk arus 10A.
 Untuk transistor tipe LM394C (biasa digunakan
untuk arus rendah), hFE untuk arus 1 mA berubah
dari 225 ke harga lebih dari 500. Harga hFE dapat
naik dari 390 pada arus 1 mA ke harga 800 pada
arus 10 mA.
Karakteristik Keluaran
Konfigurasi Basis-Bersama
(Common-Base Configuration)
 Disebut konfigurasi basis bersama karena basis digunakan
untuk terminal masukan maupun keluaran.
 Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar
maju, maka karakteristik masukan rangkaian ini mirip
dengan karakteristik diode.
 Efek dari tegangan kolektor-basis vCB cukup kecil. Dengan
vCB berharga positif dan emitor hubung terbuka, iE = 0 volt
dan bagian basis kolektor berpanjar mundur. (vCB berharga
negatif akan membuat sambungan kolektor-basis berpanjar
maju dan akan mengalir iC berharga negatif).
 Untuk iE=0, iC  ICBO , karakteristik kolektor mirip dengan
karakteristik diode pada kuadran tiga.
 Untuk iE = - 5 mA, arus kolektor meningkat sebesar
-iE = + 5 mA dan menampakkan bentuk kurva. Karena
faktor  selalu lebih kecil dari satu ( β/(β + 1)), maka secara
praktis konfigurasi basis-bersama tidak baik sebagai penguat
arus.
Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-
Emitter Configuration)

 Konfigurasi emitor-bersama lebih sering

digunakan sebagai penguat arus.
 Sesuai dengan namanya emitor dipakai
bersama sebagai terminal masukan
maupun keluaran.
 Arus input dalam konfigurasi ini adalah iB ,
dan arus emitor iE = -(iC + iB), karenanya
besarnya arus kolektor adalah
Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-
Emitter Configuration)

Untuk menyederhanakan persamaan

tersebut kita telah mendifinisikan “nisbah
transfer arus” sebagai :

besarnya arus cutoff kolektor sebagai :

Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-
Emitter Configuration)

Dengan demikian bentuk sederhana

persamaan arus keluaran (kolektor) dalam
bentuk arus masukan (basis) dan nisbah
transfer-arus adalah
Karakteristik keluaran
konfigurasi emitor-bersama
Karakteristik konfigurasi emitor-
bersama dengan VCE tinggi.
Karakteristik konfigurasi emitor-
bersama dengan VCE rendah.
Contoh
 Sebuah transistor silikon n-p-n memiliki α = 0,99
dan I CBO = 10-11 A terangkai seperti pada gambar di
bawah. Perkirakan besarnya iC, iE dan VCE .
Perhatikan bahwa pada penggambaran rangkaian
elektronika, sumber tegangan (baterai) biasanya
dihilangkan, diasumsikan bahwa terminal +10V
(dalam kasus soal ini) dihubungkan dengan tanah.