FIELD EFFECT TRANSISTOR

1
Disadur dari : Ir.Bambang Sutopo,M.Phil, Jurusan Teknik Elektro, FT-UGM
 DRIVER RELAY
(diskusi tugas lalu)

RELAY
DIODA
VCC
VCC  VBE freewheel
RB 
2  I B  JENUH
IB-JENUH = arus basis
yang membuat transistor
dalam kondisi jenuh.
RB

Relay membutuhkan arus

sekitar 50 sampai
100 mili Amper
2
 TRANSISTOR SBG BUFER OP-AMP

Input 1 relay
+
R
Input 2
_

R harus bisa membatasi arus agar arus yang dikeluarkan

op-amp tak terlalu besar.
3
R harus masih dapat membuat transistor jenuh.
 Pilihan R tergantung
kemampuan IC
relay
mengeluarkan arus
R (source)
25mA atau
dimasuki arus
(sink)
relay

100mA R

relay

200mA
4
 Tegangan VCE vs Hambatan Basis
2500

2000

Eka Ardi
Tegangan VCE (mV)

1500 Daerah
Tak stabil

1000

500

0
1 2 3 4 5
10 10 10 10 10 5
RB (Ohm)
 Arus Basis vs Hambatan Basis
90

80

70
Eka Ardi
Arus Basis (mA)

60

50

40

30 BC107

20

10

0
1 2 3 4 5
10 10 10 10 10 6
RB (Ohm)
 Arus Basis, Tegangan VCE dan Hambatan Basis
120
Arus Basis (mA)/ Tegangan VCE (mV)

100

80

60

40

20

0
2 3 4
10 10 10
7
RB (Ohm)
 Arus Basis, Tegangan VCE dan Hambatan Basis
45

40 IB
Arus Basis (mA)/ Tegangan VCE (mV)

35

30 1
25

20
2

15 3 VCE
10

0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 8
RB (Ohm)
LM 339/239

VCC

Rpull-up

Beban

OPEN
COLLECTOR
9
12V

AND
+ 1K

10
 12V

4,7K

+ 1K

8,2K
_
Lampu
Vin
12V
+
4,7K
_

1K
11
12
IC 555

13
LM 741

14
LM 358

15
 TOTEM POLE OUTPUT

16
LM 358
SOURCE CURRENT
17
SINK CURRENT
18
LM 124/234/324

19
IC 555

20
 TUGAS

relay

R
DIODA KOMPARATOR
FOTO SCHMITT

21
 Field Effect Transistor - FET
Mengapa kita masih perlu transistor jenis
lain?
BJT mempunyai sedikit masalah.
BJT selalu memerlukan arus basis IB,
walaupun arus ini kecil, tetapi tidak bisa
diabaikan, terutama sekali saat BJT
digunakan sebagai saklar, pasti dibutuhkan
arus yang cukup besar untk membuat
transistor jenuh. 22
 Field Effect Transistor - FET
Apakah ada jenis transistor lain yang bisa
digerakkan dengan tegangan tanpa
membutuhkan arus ?

Jawabannya ada di FET.

Dengan perantaraan FET, kita dapat menghubungkan
peralatan komputer atau transduser yang tidak bisa
menghasilkan arus, dengan alat yang lebih besar.
FET bisa digunakan sbg bufer, sehingga tidak
membutuhkan arus dari komputer/trasduser.
Teknologi modern pembuatan IC, ternyata dimensi transistor
FET bisa dibuat sangat kecil, sehingga pembuatan IC saat 23ini
berdasarkan transistor FET ini.
 FET vs BJT

FET BJT
Gate (G) Base (B)
Drain(D) Collector (C)
Emitter (E)
Source(S)
Base current
Gate Voltage
Collector current
Drain current
Collector-Emitter Voltage
Drain-source voltage

24
 Jenis-jenis FET
• JFET (Junction FET)
• MOSFET (Metal Oxide Silikon FET)
• PMOS ( MOS saluran P)
• NMOS (MOS saluran N)
• Masih banyak lagi

25
 ID

FET
FET VDS

Parameter FET : ID, VGS, VDS.

VGS
Dasar pemikiran FET: IS
Ada arus ID = IS yang mengalir melalui
saluran, yang besarnya saluran dikendalikan
oleh tegangan VGS.
Karena arus lewat saluran (yang berupa
hambatan) maka ada tegangan VDS.
26
Junction FETs

27
JFET saluran N
28
Daerah deplesi membesar dengan bertambahnya tegangan balik
29
30
Saluran N

31
32
33
34
Arus Drain current vs tegangan drain-ke-source
(tegangan gate-source = 0) 35
n-Channel FET for vGS = 0.
36
Typical drain characteristics of an n-channel JFET.
37
If vDG exceeds the breakdown voltage VB,
drain current increases rapidly. 38
39
 KURVA KARAKTERISTIK Junction FET

Hubungan
VGS dan ID

I D  k VGS  VP 
2

k : konstanta
VP : tegangan pinch-off atau threshold.
Arus dibatasi hanya saat tegangan VGS = 0 40
Junction FET – Sumber Arus
VDD

RLoad

RS

Kurva tak dipengaruhi tegangan VDS.

Arus hanya dipengaruhi VGS bukan VDS.
RS membuat VGS selalu negatip.
Misalnya RS = 4K,  VGS = -4 V.
41
Arus di Rload = 1 mA.
 KURVA VDS-ID Junction FET

Linear Ada dua daerah operasi

Saturation
:
saturation
linear.
I D  k VGS  VP 
2
Linear
 2
VDS 
Saturation I D  2k VGS  VP  VDS  
 2 

42
 JFET - variable resistor
VDD

For low values of VDS the

slopes, change from
RD
a resistance
(~5v/2.7mA~1.9k) to
RG a resistance
VGS
(5v/10mA~0.5k).

A resistance is
controlled by an
input voltage. VDS, DRAIN-SOURCE
VOLTAGE, (Volts)

This makes it possible to have an element in a

circuit that can be electronically adjusted.
43
 JFET - variable resistor (2)
VDD Now lets analyze the circuit. In the linear region
we had a relationship between ID and VDS.

 2
VDS 
I D  2k VGS  VT  VDS  
RD  2 
To find the effective resistance this is the voltage
RG across the channel divided by the current through
VGS
the channel.

1 ID  VDS 
  2k VGS  VT   
RDS VDS  2 
If it wasn’t for the last term, we would have a value of 1/RDS that was
proportional to VGS, the control voltage and didn’t depend on VDS
(remember VT is a constant of the FET, the pinch off voltage). This is like
a resistor, and it forms a VOLTAGE DIVIDER with RD. 44
n-Channel depletion MOSFET.
45
 n-Channel enhancement MOSFET
showing channel length L and channel width W.
46
 n-Channel depletion MOSFET
showing channel length L and channel width W.
47
enhancement-mode n-channel MOSFET
48
vGS < Vto  pn junction antara drain dan
body  reverse biased  iD=0. 49
 Terbentuk saluran N

vGS < Vto  pn junction antara drain dan

body  reverse biased  iD=0. 50
For vGS < Vto the pn junction between drain and body
is reverse biased and iD=0. 51
 vGS >Vto  terbentuk saluran n.
vGS bertambah  saluran membesar.
vDS kecil ,I D sebanding dengan vDS.
resistor tergantung nilai vGS. 52
vDS bertambah, saluran mengecil di drain dan
Laju pertambahan iD : melambat
53
Saat vDS> vGS -Vto,  iD tetap
Threshold Voltage
Vto (VP)
54
Kurva karakteristik transistor NMOS
55
Drain characteristics
56
Rangkaian penguat sederhana menggunakan NMOS .
57
Drain characteristics and load line
58
vDS versus time.
59
60
Graphical solution
61
62
The more nearly horizontal bias line results in less change in the Q-point.

63
Sinyal campuran
64
Rangkaian Ekivalen FET
65
Rangkaian ekivalen FET ( iD terpengaruh vDS)
66
Penentuan gm dan rd
67
Common-source amplifier.
68
Rangkaian Ekivalen Common-Source amplifier.
69
Common-source amplifier dengan nilai R
70
vo(t) dan vin(t) versus time 71
Gain magnitude versus frequency
72
Source follower.
73
Rangkaian Ekivalen Source Follower.
74
Common-gate amplifier.
75
n-Channel depletion MOSFET.
76
Drain current versus vGS in the saturation region
for n-channel devices.
77
p-Channel FET circuit symbols.
Sama = n-channel devices,
kecuali arah panah 78
 MOSFET-switch
VDD

RLOAD IRF510

RG
Power MOSFET dapat dialiri arus
VGS besar sampai 75 A, dan daya 150 W.
Saat ON punya hambatan sekitar 10
Ohm.
Contoh : IRF510
Mempunyai arus maksimum 5,6 A
dab hambatan saat ON 0,4 Ohm. 79
 MOSFET-switch (2)
Note the
log scale!
Kurva ID vs. VGS.
Ideal saklar:
saat OFF  Arus =0.
ON
Dari kuva terlihat :
Tegangan VGS
< 3 volt,  ID = 0
>5V  arus besar.
OFF

80
 PMOS
gate
In this device the gate controls hole
source P-MOS drain
flow from source to drain.
p p
It is made in n-type silicon. n-type Si

|VGS |>|Vt |
+ -
What if we apply a big negative
gate voltage on the gate?
drain
If |VGS |>|Vt | (both negative)
p p then we induce a + charge on
source
n-type Si the surface (holes)

81
 NMOS and PMOS Compared
NMOS PMOS
“Body” – p-type “Body” – n-type
Source – n-type Source – p-type
Drain – n-type Drain – p-type
VGS – positive VGS – negative
VT – positive VT – negative
VDS – positive VDS – negative
ID – positive (into drain) ID – negative (into drain)
G G
S D S D
ID ID
n p n p
n
B B
ID ID
VGS=3V VGS= 3V
1 mA 1 mA
(for IDS =
(for IDS =
1mA) VGS=0 VGS=0
-1mA)
VDS 82
VDS
1 2 3 4 1 2 3 4
 CIRCUIT SYMBOLS

D D

G G

S S

NMOS circuit symbol PMOS circuit symbol

A small circle is drawn at the gate

to remind us that the polarities are
reversed for PMOS.

83
 PMOS Transistor Switch Model
Operation compared to NMOS: It is complementary.
VDD VDD S
S S VG =0
G G G

VDD V=0
VG = VDD
D D
Switch OPEN Switch CLOSED D

For PMOS for the normal circuit connection is to connect

S to VDD (The function of the device is a “pull up”)

Switch is closed: Drain (D) is connected to Source (S) when VG =0

Switch is open : Drain (D) is disconnected from Source (S) when VG = VDD

84
Tugas

1. Gambarkan karakteristik JFET dan MOSFET

2. Jelaskan perbedaan antara Transistor dan
JFET/MOSFET
3. Komponen JFET & MOSFET banyak digunakan
pada peralatan apa saja.

85