Penumbuhan Lapisan Tipis Berbasis Silikon Dengan Sistem Hot Wire PECVD

Syamsu

Seminar Nasional Hasil Penelitian Multi Tahun Jakarta, 4 6 Agustus 2008

Program Studi Pendidikn Fisika Fakultas Keguruan dan Ilmu Pendidikan Universitas Tadulako 2008

Penumbuhan Lapisan Tipis Berbasis Silikon Dengan Sistem Hot Wire PECVD
Syamsu*)
*) Program Studi Fisika, FKIP, Universitas Tadulako, Palu E-mail: syamsultan@yahoo.com Abstrak Telah ditumbuhkan lapisan tipis berbasis silikon (a-Si:H, dan c-Si:H) di atas gelas Corning 7059 dengan sistem hot wire plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD). Gas silan (SiH4) 10% dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Laju deposisi lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan meningkat dan celah pita optik menurun seiring dengan peningkatan laju aliran gas silan. Lapisan tipis c-Si:H telah berhasil ditumbuhkan dengan orientasi kristal <111>, <220>, dan <311> yang merupakan karakteristik dari fasa Kristal.
Kata Kunci: a-Si:H, c-Si:H, Hot Wire PECVD

Pendahuluan Material a-Si:H merupakan material yang banyak digunakan dalam divais elektronik dan optoelektronik, seperti thin film transistor (TFT), solar cell (sel surya), thin film light emitting diode (TFLED), sensor warna, photoreceptor dan lain-lain. Dalam aplikasinya pada TFT, kualitas material aSi:H mempengaruhi ketidakstabilan TFT. Pada sel surya, kandungan hidrogen yang tinggi menyebabkan terbentuknya keadaan metastabil dalam lapisan tipis a-Si:H sehingga sifat lapisannya mengalami degradasi saat disinari dengan intensitas yang tinggi. Degradasi ini dapat dikurangi dengan memperbaiki kualitas lapisan tipis a-Si:H (mengurangi kandungan hidrogen dalam lapisan) melalui pemilihan metode penumbuhan yang tepat. Dengan metode penumbuhan yang baik dan tepat dapat diperoleh lapisan tipis a-Si:H dengan kandungan hidrogen rendah tanpa menambah ikatan lepas pada lapisan tersebut dan tanpa menurunkan sifat listriknya [1]. Lapisan tipis a-Si:H dapat dideposisi dengan berbagai sistem, seperti rf dan dc glow discharge, photoCVD, ion-cluster beam dan sputtering. Sistem Radio frequency (rf) glow discharge atau plasma

enhanced chemical vapor deposition (PECVD) dan photo-CVD merupakan sistem deposisi lapisan tipis
a-Si:H yang umum digunakan dengan kualitas lapisan yang tinggi [2]. Dengan sistem PECVD, peningkatan sifat-sifat material a-Si:H dan proses fabrikasi divaisnya lebih mudah dikontrol. Namun dengan menggunakan sistem PECVD, lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan memiliki kandungan hidrogen yang relatif tinggi, sekitar 10% sampai 20% [3]. Lapisan tipis a-Si:H dengan kandungan hidrogen di atas 10%, kurang baik diaplikasikan pada divais seperti TFT dan sel surya. Kandungan hidrogen lapisan tipis a-Si:H dapat direduksi dengan meningkatkan temperatur substrat, tetapi dengan temperatur substrat yang tinggi keadaan terlokalisasi juga meningkatkan dan berakibat pada penurunan konduktivitas lapisan tipis a-Si:H.

Sistem baru yang dikembangkan beberapa tahun terakhir ini adalah sistem hot wire chemical vapor

deposition (HW-CVD), yaitu sistem CVD yang dibantu dengan filamen panas [4,5,6,7]. Dengan sistem
baru ini, Lapisan tipis mikrokristal silikon terhidrogenasi ( c-Si:H) dan lapisan tipis polikristalin (polySi) dapat ditumbuhkan dengan laju deposisi yang masih rendah. Dalam penelitian ini sistem PECVD dikembangkan menjadi sistem hot wire plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD). Dengan sistem HW-PECVD, gas reaktan didekomposisi oleh filamen panas dan daya rf (radio frekuensi) yang secara efektif akan meningkatkan laju dekomposisi gas reaktan. Oleh karena itu, dengan menggunakan sistem HW-PECVD diharapkan diperoleh lapisan tipis a-Si:H, dan c-Si:H dengan kandungan hidrogen rendah, konduktivitas tinggi dan laju deposisi yang lebih tinggi. Tujuan dalam penelitian ini adalah perancangan dan pembuatan system hot wire plasma enhanced

chemical vapor deposition (HW-PECVD) yang layak digunakan untuk menumbuhkan lapisan tipis
berbasis silikon (a-Si:H, dan c-Si:H), penumbuhan dan karakterisasi lapisan tipis berbasis silikon (aSi:H, dan c-Si:H). Metode Penelitian Dalam penelitian ini telah berhasil dikembangkan sistem penumbuhan HW-PECVD untuk menumbuhkan lapisan tipis a-Si:H, dan c-Si:H (Gambar 1).

Gambar 1. Skema sistem HW-PECVD yang dikembangkan dalam penelitian ini untuk penumbuhan lapisan tipis a-Si:H, dan c-Si:H.

Lapisan tipis yang telah ditumbuhkan dikarakterisasi dengan spektrum Ultraviolet Visible (UV-Vis) untuk menentukan transmitansi, celah pita optik dan tebal lapisan. Tebal lapisan juga diukur dengan menggunakan DEKTAT 2A. Spektrum Fourier Transform Infrared (FTIR) digunakan untuk menghitung kandungan hidrogen secara kualitatif. X-ray Diffraction (XRD) digunakan untuk menentukan struktur lapisan. Scanning Electron Microscopy (SEM) digunakan untuk melihat morfologi permukaan dan tebal lapisan. Konduktivitas diukur dengan metode dua titik ( coplanar) dengan menggunakan katheley 617.

Hasil dan Pembahasan

Lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem HW-PECVD memiliki laju deposisi yang masih rendah (gambar 2), tetapi terjadi peningkatan laju deposisi terhadap peningkatan laju aliran gas silan. Selain itu, celah pita optic lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan hot wire PECVD menurun secara drastic dari 2,05 eV sampai 1,75 eV seiring dengan meningkatnya laju aliran silan dari 50 sccm sampai 70 sccm (gambar 3a). Pada variasi laju aliran gas silan tersebut, konduktivitas gelap lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengans istem HW-PECVD relative konstan (0,47 x 10-9 0,615 x 10-9 S/cm) (gambar 3b). Ini berarti bahwa dengan menggunakan sistem HW-PECVD kandungan hydrogen lapisan tipis a-Si:H telah berhasil direduksi dengan tidak menurunkan sifat listriknya. Dari hasil di atas menunjukkan bahwa sistem HW-PECVD layak dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis berkualitas tinggi [8].

Gambar 2.

Laju deposisi sebagai fungsi laju aliran gas silan untuk lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan HW-PECVD pada temperatur substrat 200oC dan temperature filament sekitar 500oC.

Gambar 3.

(a) Celah pita optikdan (b) konduktivitas gelap lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem HW-PECVD sebagai fungsi laju aliran gas pada temperature filamen 500oC.

Dengan mengoptimasi parameter deposisi lapisan tipis a-Si:H konduktivitas gelap tertinggi, yaitu 1,59 x 10-11 S/cm dengan celah pita optik 2,0 eV. Lapisan tipis berkualitas ini diperoleh pada temperature filamen 800 C, tekanan deposisi 400 Torr, daya rf 40 watt, temperature substrat 200 C dan laju aliran gas silan 70 sccm. Lapisan tipis c-Si:H ditumbuhkan dengan sistem HW-PECVD dengan mengoptimasi temperatur substrat. Dari hasil optimasi menunjukkan bahwa lapisan tipis c-Si:H telah berhasil ditumbuhkan pada temperatur substrat 175 0C, 200 0C, dan 225 0C dengan orientasi Kristal <111>, <220>, dan <311> pada sudut 2 theta 28,45o, 47,30o dan 56,12o yang merupakan karakteristik dari fasa kristal (gambar 4).

<111>

<220>

<311>

Intensitas (a.u)

A
5 15 25 35 45 55 65 75 85

2 Theta (o C)

Gambar 4.

Spektrum XRD lapisan tipis c-Si:H (A) Temperatur substrat 175 Temperatur substrat 200 0C, dan (C) Temperatur substrat 2250C.

C, (B)

Konduktivitas gelap lapisan tipis c-Si:H yang ditumbuhkan dengan hot wire PECVD relatif konstan (dalam orde 10-7 S/cm) pada temperatur substrat 175 0C sampai 225 0C (gambar 5). Dibadningkan dengan konduktivitas gelap lapisan tipis a-Si:H (dalam orde 10-9 S/cm), maka konduktivitas gelap yang diperoleh lebih besar [9].

Konduktivitas Gelap (S/cm)

1.01E-06 8.10E-07 6.10E-07 4.10E-07 2.10E-07 1.00E-08 150

175

200

225

250

Temperatur Substrat (oC)

Gambar 5. Konduktivitas gelap sebagai fungsi tempetaur substrat yang ditumbuhkan yang ditumbuhkan dengan sistem HW-PECVD pada temperature filament 1000oC.

Kesimpulan

Dari hasil penelitian ini dapat disimpulkan bahwa sistem HW-PECVD telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis berbasis silikon (a-Si:H, dan c-Si:H) yang berkualitas tinggi dan dapat diaplikasikan pada divais sel surya dan thin film transistor. Dengan demikian sistem HW-PECVD dapat digunakan oleh para peneliti untuk mengembangkan material-material dan divais dengan tingkat kestabilan yang tinggi. Ucapan Terima Kasih Penelitiancinicdibiayai DP2M Dikticperiodectahun 2006-2007. Ucapan terima kasih juga peneliti sampaikan kepada Dr. Toto Winata, Dr. Amiruddin Supu, M.Si., dan Dr. Ida Usmn, M.Si. atas diskusi dan kerjasamanya. Daftar Pustaka 1. Syamsu, Malago J.D., Supu, A., Fitri, Winata, T., Barmawi, M. (2000), Aplikasi Sistem Hot Wire PECVD untuk Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H, Jurnal KFI, Jurusan Fisika ITB, Vol. 11, Nomor 4 Tahun 2000. Street, R.A., (1991), Hydrogenated Amorphous Silicon, Cambridge University Press, London. Wenas, W.W., (1996), Teknologi sel surya: perkembangan saat ini dan yang akan datang, Jurnal Elektro Indonesia, No. 12, Tahun II. Malago J.D., Supu, A., Wenas, W.W., Winata, T., Barmawi, M., (1999), Karakterisasi sifat optic dan listrik lapisan tipis silicon amorf karbida untuk aplikasi sel surya, Jurna lKontribusi Fisika Indonesia, 10(3), 94-97. Broguira, P., Conde, J.P., Arekat, S., Chu V., (1995), Low filament temperature deposition of aSi:H by hot wire chemical vapor deposition, J. Appl. Phys., 78(6), 3776-3783.

2. 3. 4.

5.

6.

Broguira, P., Conde, J.P., Arekat, S., Chu, V., (1996), Amorphous and microcrystalline silicon films deposited by hot wire chemical vapor deposition at filament temperatures between 1500 and 1900 oC, J. Appl. Phys., 79(11), 8748-8760 Doyle, J., Robertson, R., Lin, G.H., He, M.Z., Gallagher, A., (1988), Production of high quality amorphous silicon films by evaporative silane surface decomposition, J. Appl. Phys., 64(6), 3215-3223 Syamsu, Kade, A., Haeruddin, Penumbuhan Lapisan Tipis Berbasis Silikon dengan Sistem Hot Wire PECVD, (2006), Laporan Hasil Penelitian, LP Universitas Tadulako, Palu. Syamsu, Kade, A., Haeruddin, Penumbuhan Lapisan Tipis Berbasis Silikon dengan Sistem Hot Wire PECVD, (2007), Laporan Hasil Penelitian, LP Universitas Tadulako, Palu.

7.

8. 9.

Hasil penelitian yang telah diperoleh berupa: a. Paten/ telah didaftarkan dengan judul: Metode Penumbuhan Lapisan Tipis Berbasis Silikon dengan Sitem Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HW-PECVD) dan Peralatannya (Hasil Drafting Paten di Hotel Millenium Jakarta Pusat, 10-11 Juni 2008) Publikasi artikel ilmiah dengan judul: 1. Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi dengan Sistem Hot Wire PECVD (Prosiding Seminar Nasional dan Open House Fisika 2006/Edisi Khusus Jurnal Gravitasi, Jurusan Fisika UniversitasTadulako, Palu, 17-18 September 2006). 2. Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Sistem Hot Wire PECVD (Jurna Gravitasi, Jurusan Fisika FMIPA UNTAD, Vol. 6. No. 1 Januari-Juni 2007, Hal. 5-10). 3. Penumbuhan Lapisan Tipis Poly Silikon dengan Sistem Hot Wire PECVD (Rencana Publikasi, Tahun 2008)

b.

Riwayat Hidup Peneliti dilahirkan pada tanggal 15 Juli 1965 di Sengkang Sulawesi Selatan. Ia lulus SMA Negeri 1 Sengkang pada tahun 1983 dan meraih gelar Sarjana Pendidikan Fisika pada tahun 1988 di Jurusan Pendidikan Fisika FMIPA IKIP Ujung Pandang. Sejak bulan Maret 1991, ia menjadi staf pengajar di Program Studi Pendidikan Fisika, Jurusan Pendidikan MIPA, FKIP UniversitasTadulako (UNTAD) Palu. Pada tahun 2000, ia memperoleh gelar Magister Sains (M.Si) bidang Fisika Material di Jurusan Fisika FMIPA ITB Bandung dengan kajian Penumbuhan Lapisan tipis a-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD. Publikasi Ilmiah: 1. Jasruddin DM, Syamsu, Fitri, WW Wenas, T Winatadan M Barmawi, Optimasi Celah Pita Optik Lapisan Tipis a-Si:H dan Paduannya Untuk Aplikas iDivais Optoelektronik, Prosiding IES, ITS, Surabaya, 27-28 Oktober 1999. Nur Rahmat, Jasruddin DM, Kade S, Syamsu, Fitri, T Winata dan M Barmawi, Preliminary Studies of Application of p-Type a-SiC:H Thin Film in p-i-n Solar Cells Devices, Prosiding IES, ITS, Surabaya, 27-28 Oktober 1999. Amiruddin S, Jasruddin DM, Syamsu, T Winata, Sukirnodan M Barmawi, Peningkatan Unjuk Kerja Sel Surya p-I-n Berbasis a-Si:H Dengan Teknik Doping Delta, Prosiding Simposium Fisika Nasional XVIII, Puspitek, Serpong Tangerang, 25-27 April 2000. Fitri, Jasruddin, Syamsu, Sukirno, T Winatadan M Barmawi, Optimasi Lapisan Tipis a-SiN:H Sebagai Insulator Gate Pada TFT a-Si:H, Prosiding Simposium Fisika Nasional XVIII, Puspitek, Serpong, Tangerang, 25-27 April 2000. Syamsu, Jasruddin DM, Amiruddin, Darsikin, Gulvarendi, T Winatadan M Barmawi, Studi Awal Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Metode Hot Wire PECVD, Prosiding Simposium Fisika Nasional, Puspitek, Serpong, Tangerang, 25-27 April 2000. Amiruddin Kade dan Syamsu, Studi Pengaruh Buffer Layer terhadap Unjuk Kerja Sel Surya Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-Si:H), Proceedengs Electric Control Communication & Information Seminar 2000 (ECCIS 2000), Universitas Brawijaya, Malang, Indonesia, 13-14 Juni 2000.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

Syamsu, Jasruddin DM, Amiruddin, Fitri, T Winatadan M Barmawi, AplikasiSistem Hot Wire PECVD untuk Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H, Jurnal KFI, Jurusan Fisika ITB, Vol. 11, Nomor 4 Tahun 2000. Syamsu, T Winatadan M Barmawi, Pengaruh Temperatur Filamen dalam Sistem Hot Wire PECVD Terhadap Sifat Optik dan Listrik Lapisan Tipis a-Si:H, Prosiding Seminar MIPA 2000, FMIPA ITB, Bandung, 13-14 Nopember 2000 Syamsu, Darsikin, Iqbal, jusman, T Winata, Sukirno dan M Barmawi, Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon Amorf Terhidrogenasi Tanpa Doping dengan Metode Hot Wire PEVCD, Prosiding Seminar MIPA 2000, FMIPA ITB, Bandung, 13-14 Nopember 2000.

8.

9.

10. Syamsu, Darsikin, Iqbal, jusman, T Winata, Sukirnodan M Barmawi, Growth of Polycrystal Silicon Thin Film by Hot Wire PECVD system for TFT Devices , Proceedings Intenational Conference on Electrical, Electronic, Communication and Information, BPPT,Jakarta, 7-8 Maret 2001. 11. Darsikin, Jasruddin DM, Kade S, Syamsu, T Winata, Sukirnodan M Barmawi, Application a-Si:H and Its Alloys for Photoreseptor Devices, Proceedings Intenational Conference on Electrical, Electronic, Communication and Information, BPPT,Jakarta, 7-8 Maret 2001. 12. Syamsu, T Winata dan M Barmawi, Pengembangan Kualitas Semi konduktor Berbasis Silikon Dengan Metode PECVD, Prosiding Seminar Nasiona lFisika LPUI-Jurusan Fisika Untad Palu, 8-10 Juli 2001. 13. Syamsu, Darsikin, Iqbal, jusman, T Winata, Sukirnodan M Barmawi, Penumbuhan Lapisan Tipis

Mikrokristal Silikon Amorf Terhidrogenasi Tipe p, i dan n dengan Sistem HW-PECVD, Jurna lFisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0589. Tipis mikrokristal silikon amorf Terhidrogenasi dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya, Jurnal Matematika dan Sains FMIPA ITB, Vol. 10 No. 3 September 2005.

14. Syamsu, Darsikin, Iqbal, Jusman, T Winata, Sukirno, dan M Barmawi, Penumbuhan Lapisan

15. Syamsu, Amiruddin Kade, dan Haeruddin, Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD, Seminar Nasional Fisika dan Lungstrum I Jurusan Fisika Untad, 17-18 September 2006 di Palu. 16. Syamsu, Amiruddin Kade, dan Haeruddin, Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Sistem Hot Wire PECVD, Jurnal Gravitasi Jurusan Fisika FMIPA UNTAD, Vol. 6 No. 1 Januari-Juni 2007, Hal. 5-10. 17. Syamsu, Amiruddin Kade, dan Haeruddin, Penumbuhan Lapisan Tipis Polysi Silikon dengan Sistem Hot Wire PECVD, (Rencana Publikasi, Tahun 2008).