Optoelektronika

Ari Handono Ramelan

Jurusan Fisika FMIPA-UNS Mei 2012

Mengapa kuliah ini penting ?

Mikroelektronik untuk berbagai macam aplikasi hand-phone, komputer dll.

Solar Cells in Darling Harbour Sydney

Referensi :

Saleh and Teich, Fundamentals of Photonics, 1991 Jasprit Singh, Semiconductor Optoelectronics, 1995

Aturan Kuliah
Kehadiran :
Sesuai dengan aturan rektor UNS

Tugas-tugas:
Dimasukan dalam penilaian akhir

Penilaian: keaktifan dan nilai KD

Optoelektronika:
Mempelajari p j piranti p elektronik yang y g berinteraksi dengan cahaya Interaksi = memancarkan, absorbsi (deteksi), modulasi, switch Cahaya = radiasi Elektro Elektro-magnetik magnetik (EM) Elektronik = piranti dari bahan semikonduktor

Piranti optoelektronik : Laser semikonduktor dan detektor

Prinsip dasar piranti optoelektronik Keunggulan piranti optoelektronik Tantangan T t masa depan d

Apa material semiconductors itu ?

Material dengan konduktivitas listrik antara konduktor dan insulator
Semikonduktor Metal Insulator

Hukum Ohm: Konduktivitas:

R = L (panjang)/A (area) = 1/ L A

Konduktor Insulator Semikonduktor S ik d kt

Metal (perak, emas, dll.) Keramik (quartz, PZT) Silik Silikon, germanium, i

10-6-1 ohm-cm > 107 ohm-cm 2 - 106 ohm-cm 10-2 h

Teori Klasik Konduksi

Makroskopik
dq Current: i = (Amps) dt

Mikroskopik v di Current Density: J = v (A/m 2 ) dA

v u r E v J = = E where = resistivity = conductivity r r J = n e v d where n = carrier density
vd = drift velocity

q = idt

v v i = J dA

V i= R R=

L
A

ne Kecepatan alir (drift velocity) vd = (0,1 s/d 10-7 m/sekon). Waktu hambur (scattering time) : waktu tumbukan antara elektron dan kisi kristal.
2

where = scattering time

Teori Klasik Konduksi: Pergerakan elektron

Elektron bergerak dengan kecepatan tinggi untuk waktu dan bertumbukan dengan kisi kristal. Sebagai S b i hasilnya h il pergerakan k berlawanan b l arah h dengan d medan d listrik li ik E dengan kecepatan alir (drift velocity)vd. Waktu hambur menurun dengan kenaikan temperatur T, yaitu semakin ki banyak b k terjadinya t j di hamburan h b pada d temperatur t t tinggi ti i dan d menyebabkan resistivitas lebih tinggi).

Resistivitas versus Temperatur

FE ma

E m 1 e e = = = = 2 J ne vd ne (a ) n ne
Metal: Resistansi meningkat dengan temperatur.

Mengapa ? Temp , jumlah elektron konduksi sama (conduction electrons)

Semikonduktor: Resistansi menurun dengan temperatur.

Mengapa ? Temp , n (jumlah elektron konduksi semakin banyak)

Tabel Periodik

Jenis Material Semikonduktor

Semikonduktor Elemen : Group IV (Si dan Ge) Semikonduktor Paduan : IV-IV (SiC), III-V (GaN, GaAs), II-VI (ZnS, CdS)
Pengelompokan bahan semikonduktor elemen dan semikonduktor paduan

Jenis Semikonduktor

Kristal : atom-atom t t posisinya teratur ii

Polikristal : atom teratur pada suatu butiran

Amorf : posisi atom tidak t t teratur

Kristal (Semikonduktor kualitas baik). Polikristal (semikonduktor deposisi pada substrat dengan konstanta kisi yang berbeda. berbeda Amorf ( Si Amorpous Si). Si)

2 2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thoms son Learning is a trademark use ed herein under license.

Hubungan antara serapan/absorpsi dan celah energi g :( (a) ) Metal, (b) Dielektrik dan semikonduktor intrinsik, and (c) Semikonduktor ekstrinsik. ekstrinsik

2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learn ning, Inc. Thomson Learning i is a trademark used herein under license.

Fotokonduksi semikonduktor karena eksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi dan menyebabkan terjadi arus listrik pada rangkaian (b) Efek tersebut digunakan untuk sel surya membangkitkan arus listrik.

2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.

Bagian dari sistem fotonik untuk mentransmisikan informasi dengan menggunakan laser atau LED untuk membangkitkan foton dari sinyal listrik, fiber/serat optik akan mentransmisikan berkas foton dan penerima (receiver) akan mengubah foton menjadi sinyal lsitrik lagi.

2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.

Diagram light-emitting diode (LED). Tegangan bias maju (forward-bias) dihubungkan pada hubungan p-n untuk menghasilkan foton (cahaya). (caha a)

Celah energi dan absorpsi optik

Bila energi foton E=h lebih kecil Eg, elektron dari pita valensi tidak dapat mencapai ke pita konduksi dan cahaya akan diteruskan. Bila energi foton E=h mencapai Eg, serapan optik akan terjadi.
Pita konduksi

E = h =

hc

1239.8 E(eV) = (nm)

h>E g

Eg

Pita valensi

Warna yang dihasilkan dan celah energi semikonduktor

ZnS Eg=3,5eV CdS Eg=2,6eV GaP HgS Eg=2,2eV g , Eg=2eV G A GaAs E 15 V Eg=1,5eV Daerah transparan

300n m

800n m

4eV 3,5eV

3eV

2,5eV

2eV

1,5eV

Hubungan p-n pada Semikonduktor

Energi

Tipe P

Tipe N

Difusi muatan terjadi bila semikonduktor p dan n dihubungankan + + + + +

Potensial muatan ruang

Potential muatan ruang

Prinsip LED
Bias maju pada diode pn Elektron diinjeksikan ke tipe p Hole diinjeksikan ke tipe n Rekombinasi elektron dan hole pada daerah batas Perbedaan energi akan diubah menjadi foton (cahaya)
E = h = hc
hole
rekombinasi

p -

+ + + n +

elektron

elektron Lapisan muatan ruang + -

E(eV) =

1239.8 (nm)
Celah energi
rekombinasi

Aliran elektron

Emisi cahaya Aliran hole

2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.

Skema laser GaAs. Karena lapisan n-GaAlAs dan p-GaAlAs mempunyai celah energi (energy gap) lebih tinggi dan mempunyai indek refraksi yang lebih rendah dari lapisan GaAs, foton f / cahaya yang dihasilkan terjebak di lapisan aktif GaAs.

Sistem Komunikasi dengan Serat Optik

Pembangkitan Sinyal IUntuk mentrasmisikan dan memproses informasi, sinar harus koheren dan monokromatik (untuk meminimalkan dispersi) Transmisi T i iB Berkas k Sinar Si Serat S t Optik O tik merambatkan informasi. Penerimaan Sinyal Fungsi dari penerima sinyal (receiver) sistem serat optik adalah mengubah sinyal optik menjadi sinyal elektronik. Proses P Si Sinyal l Sinyal Si l yang di diterima i akan k diubah seketika menjadi sinyal elektrik dan kemudian diproses p piranti ( p (devices) ) berbasis Silikon

2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.

Skema sistem komunikasi dengan serat optik

Jenis serap optik : (a) Serat optik dengan indek refraksi undak (index glass fiber). (b) Serat optik indek refraksi f k i gradasi d i( (graded d d refractive f ti index). (c) Lintasan cahaya dengan berbagai sudut

LASER = Light Amplification by S Stimulated Emission of f Radiation

Laser adalah piranti yang mengubah energi dari suatu bentuk Menjadi gelombang EM yg koheren dan sangat direksional.

1917 A. Einstein postulates photons and stimulated emission 1954 First microwave laser (MASER), Townes, Shawlow, Prokhorov 1960 First optical laser (Maiman) 1962 First semiconductor laser: Basov, Hall, dll 1964 Nobel Prize in Physics: Townes, Prokhorov, Basov 2000 - Nobel Prize in Physics: y Alferov, , Kroemer, , Kilby y

Radiasi Laser
Monokromatik Monokromatik Direksionalitas Koheren Koheren

Monokromatik

Direktionalitas (directionality)

Radiasi cahaya yang dihasilkan dari laser mempunyai arah tertentu, dan sebaran sinarnya dinamakan sudut divergensi () Sudut S d t sebaran b berkas b k sinar i laser l sangat t kecil k il dibandingkan dib di k dengan d sumber b Gelombang EM lainnya, dan dinyatakan dengan Sudut divergensi yang sangat kecil (milli-radians)

Lampu pijar : W = 100 W,

W I ~ 2 = 0,1mW/cm 2 R

pada R = 2 m

Laser He-Ne : W = 1 mW, r = 2 mm, R = r + R /2 = 2,1 mm, I = 8 mW/cm2

Koheren E = A cos( t + )
i i i

Radiasi sinar Laser terdiri dari sejumlah j gelombang g g dengan g panjang p j g gelombang, g g yang sama dan merambat pada waktu yang sama dan fase yang sama.

Interferensi
Percobaan Interferensi Young

Michelson Interferometer

Hadiah Nobel Fisika 1907

Gelombang g Koheren Koherensi Temporal dikaitkan dengan tingkat monokromatik. Koherensi K h i Spatial S ti l dikaitkan dik itk dengan d di k i direksionalitas lit dan d muka-gelombang k l b dengan fase yang sama

Waktu koheren (Coherence time tc ) ~ 1/, dimana adalah lebar garis radiasi sinar laser Panjang koherensi (Coherence Length Lc) iadalah perbedaan lintasan maksimum dimana masih memperlihatkan terjadi interferensi : Lc = ctc = c/ Lebar sinar laser : dari MHz sampai GHz

Terima Kasih