Power MOSFETs

BJT current controlled device requires base current for current flow in the collector Since the collector current is dependent on the input (base) current, the current gain is highly dependent on the junction temperature
2

A Power MOSFET a voltage-controlled device requires only a small input current. Switching speed is very high Switching time is of the oreder of nanoseconds

There are two types of MOSFET - Depletion MOSFETs - Enhancement MOSFET

Pada mosfet deplesi tipe-n, VGS dapat bernilai positif atau negatif.
Jika VGS negatif menghasilkan resistansi yang tinggi antara drain ke source, RDS. Jika VGS dibuat negatif cukup tinggi, IDS=0. VGS pada kondisi ini disebut pinch off voltage, VP. Jika VGS positif, IDS naik berkaitan dengan penurunan nilai RDS.
6

Pada tipe enhancement, jika VGS positif atau lebih tinggi dari threshold voltage, VT, arus akan mengalir dari drain ke source.

Karakteristik Keadaan Tunak

MOSFET merupakan piranti terkendali tegangan dan memiliki impedansi masukan sangat tinggi.

Kaki gerbang (G) menarik arus yang sangat kecil (order nano ampere) Penguatan arus ID terhadap IG umumnya pada order 109, namun arus gerbang bukan merupakan parameter penting.

Transconductance, yang merupakan perbandingan arus drain terhadap tegangan gerbang merupakan karakteristik alih dan merupakan parameter sangat penting.

I D gm VGS V VDS RDS I D

DS

cons tan t

output resis tan ce, ro RDS

10

Terdapat tiga daerah operasi (1) Cutoff region, VGS VT (2) Pinch-off atau saturation, saat VDS VGS - VT (3) Linear region, saaat VDS VGS - VT
Pada daerah linear, ID berubah sebadnding dengan tegangan darin-source VDS. Karena arus drain tinggi dan tegangan drain rendah, power mosfet dioperasikan pada daerah linear untuk aksi pensaklaran. Pada daerah saturasi, arus drain tetap konstant dan mosfet digunakan pada daerah ini untuk penguatan.
11

Gate Drive Waktu turn-on MOSFET tergantung pada pewaktu pengisian masukan atau gate capacitance. Turn-on time dapat dikurangi dengan menambahkan rangkaian RC

12

IGBT,
Merubakan kombinasi dari keunggulan BJT dan MOSFET. IGBT mempiliki impedansi masukan seperti MOSDFET dan ko=kerugaian kondussi saat on rendah serupa dengan BJT.
13

14