IV. Mulsitim Akhir A.

Penguatan pada Transistor

XSC1
G

R1 15k V1 12 V 5%

R2 2k 5% C2
A B

Q1 R3 3k

10nF R5 3k 5%

XFG1

5% 2N3702

R4 680 5%

C3 100F

B. Mengukur Vb, Vc, Ve dengan CE.

XSC1
G

R1 15k V1 12 V 5%

R2 2k 5% C2
A B

Q1 R3 3k

10nF

XFG1

5% 2N3702 C1 10nF R4 680 5% R5 10k 5%

Analisis Multisim Akhir: Terdapat beberapa perbedaan dengan teori, penguatan pada transistor seharusnya input lebih kecil dari output, karena itu pengaruh transistor pada pengumpulan muatan (kolektor). Tampilan tersebut tidak sesuai teori karena kobinasi resistor dan kapasitor yang kurang sesuai dengan perhitungan sehingga outputnya berbeda. Sedangkan pada saat mengukur Vb, Vc, dan Ve terdapat beberapa perbedaan karena karakteristik transistor yang menyebabkan basis, emitor, dan kolektor berbeda tegangan.