Sistem Memori

Flip-flop: memori 1-bit Register: memori n-bit, satu lokasi Memori: penyimpan data n-bit, m-lokasi
MSB LSB MSB 0 Flip-flop Register m 1 0 4-bit 1 1 0 0 1 0 LSB 1 0 1 2 1 0

n Memori m x n

Memori
ROM (Read Only Memory) Merupakan chip (IC=integrated circuit) yang menyediakan fungsi penyimpanan data yang bersifat hanya dapat dibaca saja, tidak dapat ditulisi, dan sifat penyimpanannya permanen (jika catudayanya ditiadakan, isi ROM tetap ada). Tipe memori ini sering disebut sebagai memori yang tidak mudah berubah (nonvolatile memory). RAM (Random Access Memory) Merupakan chip yang menyediakan fungsi penyimpanan data yang bersifat dapat dibaca dan ditulisi, dan sifat penyimpanannya sementara (jika catudayanya ditiadakan, isi RAM hilang)

ROM (1)
PROM (Programmable ROM) Merupakan ROM yang isinya diprogram oleh pabriknya. Jenisnya: ROM Matriks Diode/Transistor BJT/FET EPROM (Erasable PROM) Adalah ROM yang dapat dihapus dan diprogram isinya oleh pengguna. UV-EPROM adalah ROM yang isinya dapat dihapus dengan sinar Ultra Violet. Untuk memrogram ROM ini digunakan EPROM Programmer

ROM (2)
Penghapusan UV-EPROM dilakukan dengan menggunakan sinar ultra violet.
EPROM

Sinar Ultra Violet beberapa menit, maka data akan terhapus Jendela Transparans Pin atau terminal IC EPROM ERASER

ROM (3)
Cara Menghapus EPROM: Lepaskan EPROM dari sistem Buka penutup jendela transparan Sinari jendela transparan dengan sinar ultra violet beberapa menit (kurang lebih 15 menit) Cara Memrogram EPROM: Hapus terlebih dahulu seluruh isinya dengan sinar ultra violet Pasang EPROM pada EPROM Programmer Isilah EPROM dengan data menggunakan EPROM Programmer

ROM (4)
EPROM Programmer Berbasis Personal Computer:
EPROM

PC

EPROM PROGRAMMER

ROM (6)
EEPROM (Electrically EPROM) flash ROM yang isinya dapat dihapus dan diprogram secara elektris. Contoh: CMOS Setup pada PC. Jika ingin mengubah konfigurasi PC, maka pada saat booting tekan tombol Del sehingga muncul informasi konfigurasi yang akan diubah. Pengubahan konfigurasi, pada dasarnya adalah memrogram CMOS/EEPROM secara elektris.

ROM (7)
Cara memrogram EEPROM: EEPROM tetap terpasang pada sistem Lakukan penghapusan dan pengisian data Kelebihan EEPROM dibandingkan dengan EPROM: Isinya dapat diprogram bagian per bagian, sedangkan pada EPROM untuk memrogram harus menghapus seluruh isinya terlebih dahulu sehingga tidak memungkinkan permograman bagian per bagian. Pengahupusan EEPROM lebih cepat dibandingkan EPROM, karena dilakukan secara elektris. Waktu penghapusan pada EEPROM dalam orde mili detik (ms) sedangkan pada EPROM pada orde menit. Pemrograman EEPROM dapat dilakukan tanpa melepaskannya dari sistem, sedangkan untuk EPROM harus dilepaskan dari sistem.

RAM (1)
SRAM (Static RAM) Merupakan RAM yang sel-selnya menggunakan flip-flop sehingga: (1) datanya relatif stabil/statis sehingga tidak diperlukan adanya rangkaian refresh, (2) lebih cepat, (3) kepadatan komponen rendah/kapasitas kecil, (4) mahal

RAM (2)
DRAM (Dynamic RAM) Merupakan RAM yang sel-selnya menggunakan kapasitor sehingga: (1) datanya tidak stabil/dinamis sehingga diperlukan rangkaian refresh, (2) lebih lambat, (3) kepadatan komponen tinggi/kapasitas besar, (4) lebih murah

ROM MATRIKS DIODE

Contoh ROM ukuran 4 x 4 bit Keadaan belum diprogram
Konduktor
0 1 2 3

D3

D2

D1

D0

ROM MATRIKS DIODE

Misal ROM oleh pabriknya akan diisi data sebagai berikut:
Alamat D3 0 1 1 1 2 0 3 0 Data D2 1 0 1 1

D1 0 1 0 0

D0 0 0 0 1

ROM yang sudah diprogram

0 1 2 3

D3

D2

D1

D0

Jika sel PROM berupa sebuah transistor, maka cara menyimpan menyimpan data 1 dan 0 seperti ditunjukkan pada gambar berikut

Pemilih

+Vcc

Pemilih

+Vcc

Diputus

Output Data

Output Data

(a) (b) Sel ROM: (a) penyimpan data 1, (b) penyimpan data 0

Organisasi ROM Dengan Sel Diode

Pin Alamat
A0 A1 0 1 0

Resistor Pulldown

1 DEKODER 2 3

Pin Kontrol
OE CE

X3

X2

X1

X0

TRI-STATE SWITCH

D3

D2

D1

D0

Pin Data

Organisasi ROM Dengan Sel Transistor

Pin Alamat
A0 A1 0 1 0 1 2 3
+Vcc +Vcc

Resistor Pulldown
+Vcc

+Vcc

DEKODER
+Vcc

+Vcc

+Vcc

Pin Kontrol
OE CE

X3

X2

X1

X0

TRI-STATE SWITCH

D3

D2

D1

D0

Pin Data

Simbol ROM 4x4-bit

Pin Alamat
A0 A1 D0 D1

Pin Data

ROM 4x4-bit
Pin Kontrol
CS1

D2 D3

CS2

Pin A0,A1 digunakan untuk memilih alamat Pin Kontrol digunakan untuk menyediakan saluran output.

Simbol ROM 4x4-bit

Pin Alamat
A0 A1 D0 D1

Pin Data

ROM 4x4 bit

Pin Kontrol
OE

D2 D3

CE

OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

Simbol ROM
A0 A1

ROM 4X8-bit
OE C E

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

A0 A1

=
OE CE

ROM 4 byte

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6

ROM 128 byte

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7
OE CE

ROM 256 byte

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

OE CE

ROM 4 byte

. . .

A0 A1 A2

. . .

A9
OE CE

ROM 1KB

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

. . .

A0 A1 A2

. . .

A11
OE CE

ROM 4KB

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

. . .

A0 A1 A2

. . .

A13
OE CE

ROM 16KB

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

. . .

A0 A1 A2

. . .

A15
OE CE

ROM 64KB

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW Kapasitas naik 2 kali, pin alamat bertambah 1 CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

Cara MP Membaca ROM

Misal di dalam ROM 8 byte berisi data sebagai berikut:

Alamat 0 1 2 3 4 5 6 7

Isi (Dalam Heksadesimal) 02 A1 B2 5C 00 45 FF E6

Cara MP Membaca ROM

Mikroprosesor membaca alamat 5 dari ROM 8 byte: 1. Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 5 yakni A2A1A0=101 lewat bus alamat ke pin alamat ROM (tahap I) 2. Mikroprosesor mengirim sinyal kontrol CE = 0, dan OE = 0 untuk mengaktifkan ROM (Tahap II) 3. Data akan ditempatkan pada bus data sehingga pada bus data terdapat data 45 (tahap 3)
1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0

Tahap I

A0 A1 A2

ROM 8 byte
0
Tahap II OE CE

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

Tahap III

Simbol RAM 4x4-bit

Pin Alamat
A0 A1 D0 D1

Pin Data

WE

RAM 4x4-bit

D2 D3

Pin Kontrol

OE CE

WE=Write Enable OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

Cara MP Membaca dan Menulisi RAM

Misal di dalam RAM 8 byte berisi data sebagai berikut:

Alamat 0 1 2 3 4 5 6 7

Isi (Dalam Heksadesimal) 13 FF C4 6D FF 57 FF FF

Cara MP Membaca RAM

Mikroprosesor membaca alamat 3 dari RAM 8 byte: 1. Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 3 yakni A2A1A0=011 lewat bus alamat ke pin alamat RAM (tahap I)
Tahap III

Tahap I

1 1 0

A0 A1 A2

RAM 8 byte
0
Tahap II OE CE WE

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

1 0 1 1 0 1 1 0

0 1

2. Mikroprosesor mengirim sinyal kontrol CE = 0, OE = 0, dan WE = 1 untuk mengaktifkan mode baca RAM (Tahap II) 3. Data akan ditempatkan pada bus data sehingga pada bus data terdapat data 6D (tahap 3)

Cara MP Menulisi RAM

Mikroprosesor menulisi alamat 4 dari RAM 8 byte dengan data A2: 1. Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 4 yakni A2A1A0=100 lewat bus alamat ke pin alamat RAM (tahap I) 2. Mikroprosesor menempatkan data A2 pada bus data (tahap II) 3. Mikroprosesor mengirim sinyal kontrol CE = 0, OE = 1, dan WE = 0 untuk mengaktifkan mode tulis RAM (Tahap III)

Tahap I

0 0 1

A0 A1 A2

RAM 8 byte
1
Tahap III OE CE WE

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

0 1 0 0 0 1 0 1

Tahap II

0 0