KARAKTERISTIK DIODA

Sebuah dioda daya adalah sebuah komponen sambungan PN dua

terminal dan sebuah sambungan PN dibentuk dari penumbuhan
pencampuran , difusi dan epiktasial.
Teknik kendali modern dalam proses difusi dan epiktasial
mengijinkan karakteristik komponen yang diinginkan.
Gambar berikut menunjukkan sebagian dari sebuah sambungan Pn
dan smbul dioda:

Ketika Potensial Anoda Positif terhadap katoda, Dioda bertindak
bias maju dan dioda terkonduksi.
Dioda yang terbias maju, memiliki drop tegangan maju yang sangat
kecil. (besarnya tergantung pada proses manufakturnya dan
temperatur sambungan).
Ketika potensial Katode positif terhadap anoda, dioda dikatakan
sebagai bias mundur.
Pada saat bias mundur, mengalir arus mundur yang kecil (disebut
juga arus bocor) dalam rentang mikro sampai mili ampere, dan arus
bocor ini akan berambah secara perlahan sesuai dengan peningkatan
tegangan sampaitegangan zener atau avalence tercapai.


Gambar :
Karakteristik
v-I diode
Gambar diatas menunjukkan Karakteristik tunak untuk v-i diode yang
dapat dinyatakan dengan sebuah persamaan yang dikenal dengan
persamaan diode Schokley :

,
dimana :

I
D
= Arus yang melalui Diode, dalam Ampere
V
D
= Tegangan diode dengan anode positif terhadap katode, dalam
Volt.
I
S
= Arus bocor atau saturasi balik , umumnya 10-
6
- 10-
5

Ampere.
N = Konstanta empiris yang dikenal sebagai faktor identitas atau
koefisien emisi yang nilainya antara 1 sampai 2.
Kosefisien emisi n tergantung pada material dan susunan fisik diode.
Diode germanium , n= 1, diode silikon, prediksi n adalah 2. (dalam
praktek diode silikon nilai n antara 1,1 sampai 1,8.

) 1 (e I I
VD/nVT
s D

Dalam persamaan diatas, VT disebut konstanta tegangan termal
yang diberikan dalam persamaan :



Dimana :
q = muatan elektron 1,6022 x 10
-19
colomb (C)
T = Temperatur Absolud dalam kelvin ( K=273 +
0
C )
k = Konstanta Boltzman = 1,2806 x 10
-23
J/K

Contoh ; pada temperatur sambungan 25
0
C memberikan


q
kT
V
T

mV 8 , 25
10 x 6022 , 1
25) x(273 10 x 308 , 1
q
kT
V
19 -
-23
T

Pada temperatur khusus, arus bocor Is konstan utnuk suatu diode
tertentu. Karakteristik diode pada gambar diatas dapat dibagi menjadi
tiga wilayah yaitu :

Wilayah bias maju, dengan Vd >0
Wilayah bias mundur dengan Vd<0
Wilayah Breakdown, dengan Vd <-V
ZK

Pada wilayah bias maju, Vd >0, arus diode I
D
sangat kecil jika tegangan
diode V
D
kurang dari nilai spesifik V
TD
(umumnya 0,7 V).
Dioda terkonduksi penuh jika V
D
< V
TD
yang direferensikan pada
tegangan batas (threshold Voltage) atau tegangan Cut-in atau
tegangan turnon . Sehingga tegangan batas adalah tegangan ketika
diode konduksi penuh.





Tegangan diode kecil V
D
= 0,1 V, n = 1, V
T
= 25,8 mV. , maka dapat
kita cari arus diode
ID
dengan persamaan :



Didapat :

= I
s
=(48,23-I)
= 48,23 Is, dengan kesalahan 2,1 %


Sehingga untuk V
D
>0,1 V, yang merupakan kasus umumnya , I
D
>> I
s

, dan persamaan

dapat dididekati dalam
kesalahan 2,1 %.dengan :

=

) 1 (e I I
VD/nVT
s D

) 1 (e I I
528) 0,1/(1x0,0
s D

) (e I I
1 - VD/nVT
s D

) (e I I
1 - VD/nVT
s D

) (e I
VD/nVT
s

KARAKTERISTIK
Thyristor & Silicon Control Rectifier (SCR)

Thyristor merupakan salah satu tipe devais
semikonduktor daya yang paling penting dan telah banyak
digunakan secara ekstensif pada rangkaian daya .

Thyristor biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil,
beroperasi antara keadaan non konduksi ke konduksi.

Pada banyak aplikasi, thyristor dapat diasumsikan
sebagai saklar ideal akan tetapi dalam prakteknya
thyristor memiliki batasan karakteristik tertentu.

Karaktristik Tyristor

Thyristor merupakan suatu bahan semikonduktor yang
tersusun dari 4 lapisan (layer) yang berupa susunan P-N-P-N
junction, dan thyristor ini disebut juga sebagai PNPN diode.

ANODE
PINTU
KATODE
P
P
N
P
P
N
P
N
P
N
IA
IB1 IGn
IC2
IK
IB2 IGp
IC1
A
K
J1
J2
J3
Gambar : Struktur fisik dari thyristor dan simbolnya

Sebagaimana gambar diatas, ketika tegangan anode dibuat lebih
positif dibandingkan dengan tegangan katode, maka sambungan J
1

dan J
3
berada pada kondisi forward bias, dan sambungan J
2
berada
pada kondisi reverse bias sehingga akan mengalir arus bocor yang
kecil antara anode dan katode.

Pada kondisi ini thyristor dikatakan forward blocking atau kondisi
off-state, dan arus bocor dikenal sebagai arus off-state I
D
. Jika
tegangan anode ke katode V
AK
ditingkatkan hingga suatu tegangan
tertentu , sambungan J
2
akan bocor.

Pada kondisi ini dikenal dengan avalance breakdown dan tegangan
V
AK
tersebut dikenal sebagai forward breakdown voltage, V
BO
. Dan
karena J
1
dan J
3
sudah berada pada kondisi forward bias, maka
akan terdapat lintasan pembawa muatan bebas melewati ketiga
sambungan , yang akan menghasilkan arus anode yang besar.
Thyristor pada kondisi tersebut berada pada kondisi konduksi atau
keadaan hidup. Tegangan jatuh yang terjadi dikarenakan oleh
tegangan ohmic antara empat layer dan biasanya cukup kecil yaitu
sekitar 1 Volt.

Pada keadaan on, arus dari suatu nilai yang disebut dengan latching
current I
L
, agar diperoleh cukup banyak aliran pembawa muatan
bebas yang melewati sambungan-sambungan , jika tidak maka akan
kembali ke kondisi blocking ketika tegangan anode ke katode
berkurang.

Latching current ( I
L
) adalah arus anode minimum yang diperlukan
agar membuat thyristor tetap kondisi hidup, begitu thyristor
dihidupkan dan sinyal gerbang dihilangkan. Ketika berada pada
kondisi on, thyristor bertindak sebagai diode yang tidak terkontrol.
Devais ini terus berada pada kondisi on karena tidak adanya lapisan
deplesi pada sambungan J
2
karena pembawa pembawa muatan yang
bergerak bebas
jika arus maju anode berada dibawah suatu tingkatan yang disebut
holding current I
H
, daerah deplesi akan terbentuk disekitar J
2
karena
adanya pengurangan banyak pembawa muatan bebas dan thyristor akan
berada pada keadaan blocking.

Holding current terjadi pada orde miliampere dan lebih kecil dari
latching current I
L
, I
H
<
I
L
. Holding current I
H
adalah arus anode
minimum untuk mempertahankan thyristor pada kondisi on. Ketika
tegangan katode lebih positif dibanding dengan anode, sambungan J
2

terforward bias, akan tetapi sambungan J
1
dan J
3
akan ter-reverse
bias. Hal ini seperti diode diode yang terhubung secara seri dengan
tegangan balik bagi keduanya

Thyrstor akan berada pada kondisi reverse blocking dan arus bocor
reverse dikenal sebagai reverse current I
R.
Thyristor akan dapat
dihidupkan dengan meningkatkan tegangan maju V
AK
diatas V
BO
, tetapi
kondisi ini bersifat merusak. dalam prakteknya, tegangan maju harus
dipertahankan dibawah V
BO
dan thyristor dihidupkan dengan
memberikan tegangan positf antara gerbang katode.
Jika thyristor dihidupkan dengan sinyal penggerbangan itu dan arus
anodenya lebih besar dari arus holding, thyristor akan berada pada
kondisi tersambung secara positif balikan, bahkan bila sinyal
penggerbangan dihilangkan
Thyristor dapat dikategorikan sebagai latching devais.

Thyristor dapat bertingkah seperti dua transistor dengan
penurunan rumus sebagai berikut :
I
B1
= I
C2
+ I
Gn

I
B2
= I
C1
+ I
Gp


karaktristik tegangan versus arus dapat dilihat pada gambar
berikut :
VD
Vbo
iD
VR
II
III
I
I
IH
Gambar . Karakteristik Thyristor

Karaktristik tegangan versus arus ini diperlihatkan bahwa thyristor
mempunyai 3 keadaan atau daerah, yaitu :
Keadaan pada saat tegangan balik (daerah I)
Keadaan pada saat tegangan maju (daerah II)
Keadaan pada saat thyristor konduksi (daerah III)
Pada daerah I, thyristor sama seperti diode, dimana pada keadaan
ini tidak ada arus yang mengalir sampai dicapainya batas tegangan
tembus (Vr).

Pada daerah II terlihat bahwa arus tetap tidak akan mengalir
sampai dicapainya batas tegangan penyalaan (Vbo). Apabila tegangan
mencapai tegangan penyalaan, maka tiba tiba tegangan akan jatuh
menjadi kecil dan ada arus mengalir. Pada saat ini thyristor mulai
konduksi dan ini adalah merupakan daerah III. Arus yang terjadi
pada saat thyristor konduksi, dapat disebut sebagai arus genggam
(Ih = Holding Current). Arus Ih ini cukup kecil yaitu dalam orde
miliampere.

Untuk membuat thyristor kembali off, dapat dilakukan dengan
menurunkan arus thyristor tersebut dibawah arus genggamnya (Ih)
dan selanjutnya diberikan tegangan penyalaan.

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Komponen lain yang mempunyai karakteristik mirip dengan thyristor
adalah Silicon Controlled Rectifier (SCR), hanya disini tegangan
penyalaan dapat diubah ubah sesuai dengan besarnya arus yang
diberikan pada gerbang (gate) dari SCR tersebut. Makin besar arus
yang diberikan , makin besar pula tegangan penyalaanya. Hal ini dapat
dilihat pada karaktristik tegangan versus arus untuk SCR pada
Gambar berikut .

VD
iD
VR
IH
VBO3 VBO2 VBO0 VBO1
ig3 ig1 ig2
_
ig1 < ig2 < ig3
Anoda
iD
+
_
VD
ig
Gate
Katoda
Gambar Symbol SCR dan Karakteristik SCR