LAPORAN R-LAB

Nama/NPM : Akwila Eka Meliani/1306413725

Fakultas/Program Studi : Teknik/Teknik Kimia
Grup : A11
No. & Nama Percobaan : LR03 Karakteristik V I Semikonduktor
Minggu Percobaan : Pekan 2
Tanggal Percobaan : 22 September 2014
Koordinator Asisten : Andini Dian Pertiwi


LABORATORIUM FISIKA DASAR
UPP IPD
UNIVERSITAS INDONESIA
LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

I. Tujuan Percobaan
Mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu
semikonduktor.

II. Alat
Bahan semikonduktor
Amperemeter
Voltmeter
Variable power supply
Camcorder
Unit PC
DAQ dan perangkat pengendali otomatis

III. Teori
Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda,
transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena
bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan-bahan logam seperti tembaga, besi,
timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang
sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas.
Sebuah bahan material bila dilewati oleh arus listrik akan menimbulkan disipasi panas.
Besarnya disipasi panas adalah I
2
R. Panas yang dihasilkan oleh material ini akan
mengakibatkan perubahan hambatan material tersebut. Jika pada material semi konduktor ,
pertambahan kalor / panas akan mengurangi nilai hambatan material tersebut. Peristiwa
dispasi panas dan perubahan resistansi bahan semi konduktor ini saling berkaitan.









Gambar 1. Rangkaian Tertutup Semikoduktor
Susunan Atom Semikonduktor
Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si), Germanium
(Ge) dan Gallium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang
dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun belakangan, silikon menjadi
popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan bahan
terbanyak ke dua yang ada di bumi setelah oksigen (O
2
). Pasir, kaca dan batu-batuan lain
adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur silikon.
Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4
elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron,
sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion
atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah (0

K), struktur atom silikon
divisualisasikan seperti pada gambar berikut.





Gambar 2. Struktur Dua Dimensi Kristal Silikon
Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti
atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak
ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Pada suhu kamar, ada
beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron
terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga
tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik.

Tipe N
Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen
yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan doping, Silikon
yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron.
Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. Semikonduktor tipe-n disebut juga
donor yang siap melepaskan elektron.





Gambar 3. Doping Atom Pentavalen
Tipe P
Kalau silikon diberi doping Boron, Gallium atau Indium, maka akan didapat
semikonduktor tipe-p. Untuk mendapatkan silikon tipe-p, bahan dopingnya adalah bahan
trivalent yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi. Karena ion
silikon memiliki 4 elektron, dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole). Hole
ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron. Dengan demikian,
kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p.








Gambar 4. Doping Atom Trivalent
Resistansi
Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah sebuah resistor.
Sama seperti resistor karbon, semikonduktor memiliki resistansi. Cara ini dipakai untuk
membuat resistor di dalam sebuah komponen semikonduktor. Namun besar resistansi yang
bisa didapat kecil karena terbatas pada volume semikonduktor itu sendiri.
Pada semikonduktor elektron terikat lebih kuat. Ketika suhu dinaikkan: elektron
menjadi lebih tidak terikat dan dapat bergerak lebih mudah, konduktivitas naik, resistivitas
turun.
Nilai hambatan dari suatu bahan semikonduktor berkaitan dengan temperature di
sekelilingnya. Temperatur tersebut mempengaruhi energi yang dimiliki elektron. Semakin
tinggi temperatur maka akan semakin banyak electron yang memiliki energi pada level
konduksi. Jumlah electron pada level konduksi akan mempengaruhi konduktivitas
semikonduktor tersebut, semakin banyak maka semakin mudah menghantarkan arus listrik.
Suatu material yang memiliki hambatan listrik akan menghasilkan panas atau kalor bila
dialiri arus listrik. Jumlah kalor yang dihasilkan sebanding dengan beda potenisal antara
kedua ujung material tersebut, besar arus yang mengalir, dan lamanya waktu arus tersebut
mengalir. Arus listrik terjadi karena adanya aliran elektron dimana setiap elektron
mempunyai muatan yang besarnya sama. Jika kita mempunyai benda bermuatan negatif
berarti benda tersebut mempunyai kelebihan elektron. Derajat termuatinya benda tersebut
diukur dengan jumlah kelebihan elektron yang ada. Muatan sebuah elektron, sering
dinyatakan dengan simbul q atau e, dinyatakan dengan satuan coulomb, yaitu sebesar: q =
1,6 x 10
-19
coulomb.
Pada dasarnya dalam kawat penghantar terdapat aliran elektron dalam jumlah yang
sangat besar, jika jumlah elektron yang bergerak ke kanan dan ke kiri sama besar maka
seolah-olah tidak terjadi apa-apa. Namun jika ujung sebelah kanan kawat menarik elektron
sedangkan ujung sebelah kiri melepaskannya maka akan terjadi aliran electron ke kanan
(dalam hal ini disepakati bahwa arah arus ke kiri). Aliran elektron inilah yang selanjutnya
disebut arus listrik.
Yang menentukan seberapa besar arus yang mengalir adalah besarnya beda potensial
(dinyatakan dengan satuan volt). Jadi untuk sebuah konduktor semakin besar beda
potensial akan semakin besar pula arus yang mengalir. Beda potensial diukur antara ujung-
ujung konduktor. Namun kadang-kadang kita berbicara tentang potensial pada suatu titik
tertentu. Dalam hal ini kita sebenarnya mengukur beda potensial pada titik tersebut
terhadap suatu titik acuan tertentu. Sebagai standar titik acuan biasanya dipilih titik tanah
(ground).
Pada sebagian besar konduktor logam, hubungan arus yang mengalir dengan potensial
diatur oleh Hukum Ohm. Dia menggunakan rangkaian sumber potensial secara seri,
mengukur besarnya arus yang mengalir dan menemukan hubungan linier sederhana,
dituliskan sebagai:
V = IR
dimana R = V/I disebut hambatan dari beban. Nama ini sangat cocok karena R menjadi
ukuran seberapa besar konduktor tersebut menahan laju aliran elektron. Berlakunya hukum
Ohm sangat terbatas pada kondisi-kondisi tertentu, bahkan hukum ini tidak berlaku jika
suhu konduktor tersebut berubah. Untuk material-material atau piranti elektronika tertentu
seperti diode dan transistor, hubungan I dan V tidak linier.

IV. Cara Kerja
1. Masuk ke http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory, kemudian masuk ke jadwal.
2. Mengklik LR03 karakteristik VI Semikonduktor.
3. Memerhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor.
4. Memberikan beda potensial dengan member tegangan V1.


5. Mengaktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di sebelahnya.

6. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan.

7. Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8.











V. Pengolahan Data dan Evaluasi
1. Memerhatikan data yang diperoleh, apakah terjadi perubahan tegangan dan arus untuk
V1 , V2 , V3 , V4 dan V5. Bila terjadi perubahan, menjelaskan secara singkat mengapa
hal tersebut terjadi (analisis dan bila tidak terjadi menjelaskan pula mengapa demikian).
2. Mendapatkan nilai rata-rata beda potensial yang terukur dan arus yang terukur untuk
V1 , V2 , V3 hingga V8.
3. Membuat grafik yang memperlihatkan hubungan V vs I untuk rata rata V dan I yang
terukur (lihat tugas 2).
4. Bagaimana bentuk kurva hubungan V vs I, menjelaskan mengapa bentuknya seperti itu.
5. Berdasarkan berbagai kurva grafik V vs I bolehkah menggunakan hukum Ohm dalam
peristiwa ini.
6. Memberikan kesimpulan terhadap percobaan ini.
Gambar 5. Percobaan Karakteristik VI Semikonduktor di WebsiteR-Lab
VI. Data Pengamatan dan Pengolahan Data
Nomor
Tegangan
[Volt]
Arus
[mA]
Tegangan Rata-
rata [Volt]
Arus Rata-rata
[mA]
V1
0.42 3.58
0.42 3.58
0.42 3.58
0.42 3.58
0.42 3.58
0.42 3.58
V2
0.93 8.15
0.93 8.15
0.93 8.15
0.93 8.15
0.93 8.15
0.93 8.15
V3
1.37 12.06
1.372 11.994
1.38 11.73
1.37 12.06
1.37 12.06
1.37 12.06
V4
0.43 3.91
0.428 3.778
0.43 3.58
0.43 3.91
0.43 3.58
0.42 3.91
V5
2.27 20.53
2.27 20.984
2.27 20.85
2.27 21.18
2.27 21.18
2.27 21.18
V6
2.84 26.72
2.832 27.502
2.83 27.37
2.83 27.7
2.83 27.7
2.83 28.02
V7
3.15 30.63
3.138 31.736
3.15 31.61
3.14 31.93
3.13 31.93
3.12 32.58
Tabel 1. Data Pengamatan Percobaan LR03

Hubungan Antara V
rat
dan I
rat

i x [V
rat
] y [I
rat
] x
2
y
2
xy
1 0.42 3.58 0.18 12.82 1.50
2 0.93 8.15 0.87 66.42 7.58
3 1.37 11.99 1.88 143.86 16.46
4 0.43 3.78 0.18 14.27 1.62
5 2.27 20.98 5.15 440.33 47.63
6 2.83 27.50 8.02 756.36 77.89
7 3.14 31.74 9.85 1007.17 99.59
8 3.57 37.73 12.76 1423.70 134.78
14.96 145.46 38.89 3864.93 387.04
y = bx a
=

=
8387.0414.96145.46
838.8914.96
2
= . =
38.89145.4614.96387.04
838.8914.96
2
= .
sehingga y = 10.54x 1.544
=

+()

=
1
6
3864.93
38.89145.46
2
214.96145.46387.04+8387.04
2
838.8914.96
2
= .


V8
3.59 36.49
3.572 37.732
3.58 37.15
3.57 37.8
3.56 38.45
3.56 38.77
Tabel 2. Least SquareHubungan V
rat
terhadap I
rat

=

= 1.103
8
838.8914.96
2
= .
Kesalahan relatif =

%
=
0.334
10.55
100% = . %


Grafik di atas menunjukkan grafik yang linear yang membuktikan bahwa terjadi
hubungan yang berbanding lurus. Hubungan ini menyebabkan apabila beda potensial
yang diberikan pada semikonduktor semakin besar maka arus listrik yang dihasilkan
akan semakin besar juga. Apabila ditulis dalam sebuah rumus akan berbentuk V = x I.
Hal ini dapat terjadi karena suhu pada percobaan ini tidak berubah sehingga dapat
dituliskan seperti persamaan pada hukum Ohm. Apabila suhu pada percobaan ini
berubah maka persamaan hukum Ohm tidak dapat digunakan dan pada transistor
ataupun dioda persamaan hukum Ohm juga tidak dapat digunakan. Persamaan garis
dari grafik V-I adalah persamaan garis linear.
y = 10.54x - 1.544
R = 0.994
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 1 2 3 4
I
r
a
t
a
-
r
a
t
a

[
m
A
]
V
rata-rata
[Volt]
Hubungan V
rat
dan I
rat
I rata-rata
Linear (Hubungan V dan I
Grafik 1. Hubungan V
rat
terhadap I
rat

Untuk menjelaskan apakah hukum Ohm boleh digunakan pada percobaan ini,
digunakan tabel berikut.


V
rat
[Volt] I
rat
[mA] R [] P [Watt]
0.42 3.58 0.1173 0.0015
0.43 3.78 0.1133 0.0016
0.93 8.15 0.1141 0.0076
1.37 11.99 0.1144 0.0164
2.27 20.98 0.1082 0.0476
2.83 27.50 0.1030 0.0779
3.14 31.74 0.0989 0.0996
3.57 37.73 0.0947 0.1346

Berdasarkan tabel di atas, hukum Ohm tidak dapat digunakan karena suhu
semikonduktor pada saat percobaan cenderung naik (dapat dilihat dari kenaikan
disipasi panasnya) sehingga mempengaruhi nilai hambatannya sesuai teori dimana
pertambahan kalor akan mengurangi nilai hambatan pada semikonduktor tersebut.

VII. Analisis
Analisis Percobaan
Pada pekan kedua ini, praktikan melakukan percobaan modul LR03 dengan judul
Karakteristik VI Semikonduktor yang bertujuan untuk mempelajari hubungan antara beda
potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu semikonduktor. Percobaan ini dilakukan
melalui website R-Lab sehingga tidak memberikan informasi yang cukup untuk
menggambarkan proses percobaan. Praktikan tidak dapat melihat alat uji dan proses
percobaan secara langsung. Video yang disediakan pada halaman rlab juga tidak bisa
dijalankan, sehingga praktikan tidak bisa memberikan penjelasan lengkap mengenai
jalannya percobaan.

Analisis Hasil
Pada percobaan ini, praktikan diminta mengambil data sebanyak delapan kali, yaitu dari
V1 sampai V8. Dari setiap tegangan, didapatkan 5 data V dan I yang berbeda sehingga total
Tabel 3. Data V
rat
, I
rat
, Hambatan, dan Disipasi Panas Percobaan
data percobaan berjumlah 40 data tegangan dan 40 data arus. Kemudian, dari setiap data
dari V1 sampai V8 dicari nilai rata-rata V dan I sehingga data yang diolah menjadi hanya 8
data. Kemudian menentukan nilai hambatan dan disipasi panas dari nilai rerata tersebut.
Hasil dari praktikum ini berupa grafik hubungan antara tegangan (V) dan arus (I) serta
pengaruhnya dengan hambatan () dan disipasi panas (Watt). Diketahui saat nilai V
meningkat, nilai I juga bergerak naik, sementara nilai hambatan semakin kecil dan nilai
disipasi panas naik jauh lebih cepat lagi.

Analisis Grafik
Pada Grafik 1 yang menunjukkan hubungan antara beda potensial rata-rata
dengan arus listrik rata-rata, terlihat bahwa beda potensial (sebagai x) berbanding
lurus dengan arus listrik (sebagai y) sehingga grafik membentuk persamaan linear.
Hal ini menjelaskan bahwa semakin besar beda potensial yang diberikan maka arus
listrik yang diukur juga akan semakin membesar dengan persamaan y = 10,54x
1,544. Persamaan ini didapatkan praktikan dengan menggunakan metode least
square. Namun, grafik tidak benar-benar menunjukkan hasil yang linear. Hal ini
dibuktikan dengan besar R
2
-nya = 0,994 karena untuk hasil yang benar-benar
linear, R
2
= 1. Selain itu, didapatkan pula besar kesalahan relatif dari grafik, yaitu
3,166%.

VIII. Kesimpulan
Hasil pengukuran tidak dapat diperiksa kevalidannya karena alat praktikum tidak dapat
dilihat secara langsung oleh praktikan.
Beda potensial berbanding lurus dengan arus listrik. Semakin besar beda potensial yang
digunakan, maka akan semakin besar pula arus listrik yang diperoleh.
Nilai hambatan pada semikonduktor dipengaruhi oleh disipasi panas yang terjadi
pada semikonduktor. Semakin besar kalor yang dikeluarkan atau semakin besar
disipasi panasnya, semakin rendah nilai hambatan semikonduktornya. Oleh
karena itu hukum ohm tidak berlaku dalam percobaan ini.
Beda potensial berbanding terbalik dengan hambatan. Begitu pula dengan arus
listrik.
Grafik hubungan antara beda potensial dengan arus listrik pada semikonduktor
berbentuk linear dengan persamaan y = 10,54x 1,544.

IX. Daftar Pustaka
Halliday, David., dan Resnick, Robert. Fisika Jilid 2. Ed. Ke-3. Jakarta: Penerbit Erlangga,
1984.
Giancoli, D.C. Physics for Scientists & Engeeners, Third Edition, Prentice Hall, NJ. 2000.
Tipler, Paul A., Mosca, Gene. Physics for Scientists and Engineers, fifth edition.
W.H Freeman, California, 2003.
http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory/kuliah/view_experiment.php?id=10378&exp=53
[diakses pada 18 September 2014]