Kuliah 7- 1

Tahap Ouput dan Penguat Daya

Isu penting untuk penguat daya selain penguatan (daya), resistansi
input dan resistansi output
distorsi amplituda (harmonik dan intermodulasi)
efisiensi
resistansi termal
distorsi fasa
Analisis: sinyal besar dan nonlinear
Klasifikasi tahap output (berdasarkan arus bias kol
2 4 6 8 10 12
I
C
i
C
t
2 4 6 8 10 12
I
C
i
C
t
2 4 6 8 10 12
I
C
i
C
t
2 4 6 8 10 12
t
i
C
Kelas A Kelas B
Kelas AB Kelas C
Kuliah 7- 2
Tahap Ouput Kelas A
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
3
R
Q
2
Q
1
R
L
+
-
v
BE1
i
E1
I I
L
V
BE1
0
-IR
L
-V
CC
+V
CEsat
V
CC
-V
CEsat
v
I
v
O
I
E1
= I + I
L
v
O
= v
I
v
BE1
I > I
Lmax
kondisi yang harus digunakan
v
Omax
= V
CC
V
CE1sat
v
Omin
= IR
L
v
Omin
= V
CC
+ V
CE2sat
tegangan output maksimum
tegangan output minimum bergantung nilai I dan R
L
atau
Kuliah 7- 3
Bentuk Sinyal Tahap output Kelas A
p
D1
v
CE1
i
C1
0
v
O
t
V
CC
-V
CC
0
t
2V
CC
v
CE1
V
CC
2I
0
t
I
I
C1
0
t
V
CC
I
p
D1
tegangan output arus kolektor
tegangan kolektor-emitor
tegangan kolektor-emitor
daya disipasi sinusoid dengan frekuensi 2 kali frekuensi sinyal input
akibat perkalian dua sinyal (tegangan dan arus) sinusoidal
Kuliah 7- 4
Efisiensi Tahap Output Kelas A

dayabeban P
L
( )
dayacatu P
S
( )
P
L
=
1
2
V
O
2
R
L
P
S
= 2V
CC
I
=
1
2
V
O
2
R
L
2V
CC
I
=
1
4
V
O
IR
L






V
O
V
CC






V
O
= V
CC
= IR
L
sehingga
Dari rangkaian terlihat
V
O
V
CC
dan
V
O
IR
L
sehingga efisiensi maksimum diperoleh sebesar 25% pada keadaan
Tahap Output Kelas B
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
N
I
L
R
L
Q
P
Tahap output kelas B umumnya digunakan
sebagai penguat pushpull sbb.:
secara bergantian
arus positif diberikan oleh Q
N
(NPN)
arus negatif ditarik oleh Q
P
(PNP)
Daya pada beban
Daya catu
Kuliah 7- 5
Karakteristik Transfer Tahap Output Kelas B
0
-IR
L
-V
CC
+V
CEsat
V
CC
-V
CEsat
v
I
v
O
-0.5
+0.5
V
CC
-V
CEsat
+V
BEN
-V
CC
+V
CEsat
-V
BEP
slope=1
slope=1
Bentuk sinyal mengalami distorsi cross over akibat tegangan cutin
v
O
v
I
v
O
t
v
I
t
distorsi cross over
Kuliah 7- 6
Efisiensi Tahap Output Kelas B
P
L
=
1
2
V
O
2
R
L
P
S+
= P
S
=
1
V
O
R
L
V
CC
=
4
V
O
V
CC






Daya pada beban
Daya catu
Efisiensi
Dari rangkaian terlihat juga
V
O
V
CC
sehingga efisiensi maksimum diperoleh /4 atau 78.5%
V
Omax
= V
CC
V
CEsat
batas reall:
Pada tahap output kelas B saat tegangan input nol daya disipasi juga nol.
Daya disipasi rata-rata pada tahap output kelas B
P
D
=
2
V
O
R
L
V
CC

1
2
V
O
2
R
L
P
D
= P
S
P
L
Daya disipasi maksimum diperoleh pada saat tegangan output:
V
O
P
Dmax
=
2
V
CC
Daya disipasi maksimum diperoleh sebesar
P
Dmax
=
2
2
V
CC
2
R
L
Kuliah 7- 7
P
DN max
= P
DPmax
=
1
2
V
CC
2
R
L
Daya disipasi maksimum untuk masing-masing transistor
Efisiensi terendah (diperoleh pada disipasi maksimum) sebesar 50%
V
CC
P
Dmax
P
D
v
O
2V
CC
/
=50%
=50%
P
Dmax
=
2V
CC
2
2
R
L
Kurva di atas menunjukkan daya disipasi sebagai fungsi dari tegangan
output..
Catatan kurva seperti ini jarang umum pada data sheet, kurva yang lebih
sering ditampilkan adalah fungsi dari daya beban
P
L
=
1
2
V
O
2
R
L
Kuliah 7- 8
Pengurangan distorsi cross over dapat dilakukan dengan rangkaian umpan
balik, secara umum dapat digambarkan:
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
N
I
L
R
L
Q
P
-
+
Untuk kemudahan perancangan catu daya dapat pula digunakan rangkaian
dengan catu daya tegangan tunggal sebagai berikut:
v
O
v
I
+2V
CC
Q
N
R
L
Q
P
C
Kuliah 7- 9
Tahap Output Kelas AB
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
N
I
L
R
L
Q
P
I
N
I
P
V
BE
/2
V
BE
/2
Distorsi tahap output kelas B dapat dikurangi dengan pemberian arus
bias kecil (DC) seperti digambarkan pada rangkaian berikut:
i
N
= i
P
= I
Q
= I
S
e
V
BB
/2 V
T
Bila kedua transistor match
v
O
= v
I
+
V
BB
2
v
BEN
i
N
= i
P
+i
L
v
BEN
+v
EBP
= V
BB
V
T
ln
i
N
I
S






+V
T
ln
i
P
I
S






= 2V
T
ln
I
Q
I
S






i
N
i
P
= I
Q
2
i
N
2
i
L
i
n
I
Q
2
= 0
untuk v
I
positif
sehingga
perubahan arus i
N
menyebabkan v
BEN
naik dan penurunan v
EBP
dari rangkaian
sehingga
dan bias dapat dicari sebagai solusi dari
Kuliah 7- 10
Kurva transfer karakteristik tahap output kelas AB:
0
-V
CC
+V
ECPsat
V
CC
-V
CENsat
v
I
v
O
slope=1
Resistansi output tahap output kelas AB
R
out
= r
eN
// r
eP
r
eN
=
V
T
i
N
r
eP
=
V
T
i
P
R
out
=
V
T
i
N
//
V
T
i
P
=
V
T
i
N
+i
P
Q
N
Q
P
R
out
Resistansi output turun dengan kenaikan arus output
Kuliah 7- 11
Bias pada rangkaian tahap output kelas AB
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
N
R
L
Q
P
I
bias
D
1
D
2
+
-
V
BB
Tegangan bias dibentuk dengan dioda
Arus bias diberikan sebagai rasio area
I
Q
= nI
bias
Bias dengan dioda
Arus bias harus cukup untuk transistor
Q
N
saat i
L
positif (area luas)
Rangkaian dapat mencegah thermal runaway
Bias dengan pengali V
BE
I
R
=
V
BE1
R
1
V
BB
= I
R
R
1
+ R
2
( )
V
BB
= V
BE1
1+
R
2
R
1






v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
N
R
L
Q
P
I
bias
+
-
R
2
R
1
V
BB
I
R
I
C
Q
1
I
C1
= I
bias
I
R
V
BE1
= V
T
ln
I
C1
I
S1






Area tidak perlu luas, karena perubahan tegangan
pada Q
N
akan diikuti perubahan arus I
R
dan I
C
Kuliah 7- 12
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
N
R
L
Q
P
I
bias
R
2
R
1
P
1
Q
1
Rangkaian bias untuk komponen diskrit dapat menggunakan potentiometer
untuk memungkinkan trimming.
Transistor Daya Bipolar
Efisiensi maksimum 78.5% berarti disipasi daya cukup besar.Temperatur
pada junction meningkat sesuai dengan daya disipasinyadan dapat menyebabkan
kerusakan.Untuk menghindari perlu analisis thermal
P
D

JA
T
J
T
A
Model skematik thermal
P
D
daya disipasi
T
J
temperatur junction
T
A
temperatur ambient
J
A
resistansi thermal
junction ke ambient
Kuliah 7- 13
Disipasi daya dan temperatur
Transistor mempunyai batas maksimum temperatur junction, namun untuk
operasi di atas temperatur ambient batas daya disipasi harus juga diturunkan
(derating power, umumnya dengan hubungan linier terhadap temperatur)
P
D0
slope = -1/
JA
T
A
T
Jmax
T
A0
0
P
Dmax
Resistansi thermal junction dapat dihitung:
JA
=
T
J max
T
A0
P
D0
sehingga pada temperatur ambient tertentu T
A
daya disipasi maksimum:
P
Dmax
=
T
J max
T
A
JA
Untuk transistor power resistansi termal: junction-case (
JC
), case-heatsink (
CS
),
heatsink-ambient (
SA
)
JA
=
JC
+
CS
+
SA
Untuk transistor power resistansi termal: junction-case (
JC
), case-heatsink (
CS
),
heatsink-ambient (
SA
) sehingga temperatur junction dapat dihitung sbb
T
J
T
A
= P
D JC
+
CS
+
SA
( )
Kuliah 7- 14
P
D

JC
T
J
T
C
T
S
T
A

CS

SA
Model skematik thermal transistor daya dengan heatsink
Derating rule untuk transistor daya
P
Dmax
(T
C0
)
slope = -1/
JC
T
C
T
Jmax
T
C0
0
P
Dmax
Daya disispasi maksimum untuk operasi aman
P
Dmax
=
T
J max
T
C
JC
Kuliah 7- 15
Daerah Operasi Aman BJT
Batas-batas operasi aman
1. I
Cmax
(batasan bonding wire)
2. P
Dmax
(diberikan pada T
C0
)
3. Second-breakdown
4. BV
CE0
SOA
safe operating area
i
C
v
CE
0
I
Cmax
v
CE0
1
2
3
4
Nilai parameter transistor daya
1. Faktor idealitas n=2
2. sekitar 30 - 50, bahkan = 50, b naik menurut temperatur
3. r

kecil, pengaruh resistansi akses r

x
naik
4. f
T
rendah akibat kapasitansi junction yang besar
5. I
CBO
tinggi
6. BV
CE0
sekitar 50-100V
7. I
Cmax
tinggi (hingga 100A)
i
C
= I
S
e
v
BE
/ 2 V
T
Kuliah 7- 16
Variasi Konfigurasi Kelas AB
Menggunakan Input Emitter Follower
Emitter follower bertindak sebagai rangkaian bias dan penyangga (buffer) untuk
memberi resistansi input tinggi
Resistor R
3
dan R
4
kompensasi mismatch transistor Q
3
dan Q
4
dan proteksi
thermal runaway
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
3
I
L
R
L
Q
4
-V
CC
+V
CC
Q
1
Q
2
R
1
R
2
R
3
R
4
Analisis rangkaian dilakukan dengan langkah-langkah iterasi:
1. Asumsikan tegangan V
BE
(misalnya pada Q
1
) dan hitung arus pada resistor R
1
2. Hitung kembali tegangan V
BE
dengan persamaan arus sinyal besar BJT
3. Gunakan tegangan V
BE
yang diperoleh untuk menghitung ulang arus pada R
1
4. Bandingkan hasil yang diperoleh dan kembali ke 2 bila diperlukan
Kuliah 7- 17
Menggunakan Devais Majemuk (Compound)
B
C
E
Q
1
Q
2
B
C
E

1

2

Konfigurasi Darlington untuk npn

Q
1
Q
2
B
E
C
i
B
i
E
i
C
B
E
C
i
C
i
E
i
B

1

2
Konfigurasi Darlington untuk pnp
Konfigurasi Darlington meningkatkan , tetapi f
T
dan stabilitas turun (memburuk)
Kuliah 7- 18
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
2
R
L
I
bias
R
2
R
1
Q
5
Q
1
Q
4
Q
3
Contoh aplikasi pada penguat
Penggunaan konfigurasi Darlington meningkatkan menyelsaikan masalah keterse-
diaan transistor daya pnp.
Terdapat perbedaan tegangan basis-emitor antara tansistor npn dan pnp.
Kuliah 7- 19
Proteksi Hubung Singkat
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
1
R
L
Q
2
I
bias
Q
3
Q
4
I
L
Q
5
R
E1
R
E2
Pada saat hubung singkat arus
i
RE1
akan meningkat dan transistor
Q
5
akan menarik arus ke base Q
1
Thermal Shutdown
+V
CC
R
1
Q
2
Q
1
-V
CC
R
2
Z
1
Transistor Q
2
dalam keadaan normal
OFF, saat terjadi kenaikan temperatur
zener dan Q
1
akan meningkatkan
arus emitter Q
1
sehingga Q
2
ON.
Transistor Q
2
ON dimanfaatkan untuk
mengurangi arus bias transistor daya.
Kuliah 7- 20
Rangkaian Terintegrasi Penguat Daya
v
O
IN-
+V
S
D
1
D
2
Q
10
Q
1
Q
3
Q
5
Q
2
Q
4
Q
6
Q
7
Q
8
Q
9
Q
11
Q
12
IN+
Out
R
L
R
1
R
2
R
3
R
4
R
5
R
6
R
7
bypass
eksternal
150K 150K
1K
25K
25K
25K
0.5
0.5
C
10pF
I
3

V
S
V
EB10
V
EB3
V
EB1
R
1
I
3

V
S
3V
EB10
R
1
I
4
=
V
S
V
EB4
V
EB2
R
2
I
4

V
S
2V
EB
R
2
V
O
=
1
2
V
S
+
1
2
V
EB
Kuliah 7- 21
Q
1
Q
3
Q
2
Q
4
Q
6
0V
R
1
/2
R
2
R
3
R
4
R
5
1K
25K
25K
v
O -A
Q
5
v
I
v
I
v
I
v
I
/R
3
v
I
/R
3
v
I
/R
3
v
O
/R
2
0V
v
I
/R
3
+
v
O
/R
2
v
I
/R
3
v
I
/R
3
0
2v
I
/R
1
0
0V
Analisis Sinyal Kecil
v
i
R
3
+
v
o
R
2
+
v
i
R
3
= 0
v
o
v
i
=
2R
3
R
3
50 V / V
Kuliah 7- 22
Disipasi vs Daya Output
Kuliah 7- 23
+V
CC
-V
CC
Q
3
R
L
Q
4
-V
CC
+V
CC
Q
1
Q
2
+
-
+V
CC
-V
CC
Q
5
Q
6
R
1
R
2
R
3
R
4
R
5
R
6
Kuliah 7- 24
0
v
O
1

t
K
V
i
-
K
V
i

t
v
O
2
K
V
i
-
K
V
i
0
0

t
2
K
V
i
-
2
K
V
i
v
O
V
i
0
v
I

t
-
V
i
+- +-
R
1
R
2
R
3
R
4
R
L
A
1
A
2
v
0
1
v
0
2
v
I
+
-
v
0
Penguat Jembatan
Kuliah 7- 25
Transistor Daya MOS
Struktur:
V-groove
Double-diffused vertical MOS
Lateral Diffusion MOS
Karakteristik
Efek Temperatur
V
t
v
GS
i
D
T tinggii T rendah
Koefisien temperatur arus drain negatif
sehingga bebas thermal runaway
V
t
v
GS
i
D
eksponensial
dekat ke linear
Buku teks: model Statz (Raytheon)
kuadratis + linear
Model terbaru: Parker-Skellern
soft pinchoff
pangkat q, 1.5<q<2.5
n+(source)
p+
body
substrat
metal (drain)
n+
drain
source
gate
Kuliah 7- 26
Tahap Output Kelas AB Memanfaatkan MOSFETs
v
O
v
I
+V
CC
-V
CC
Q
2
R
L
I
bias
R
1
R
2
Q
5
Q
1
Q
4
Q
3
R
3
R
4
Q
6
+V
DD
-V
DD
R
R
G
R
G
kopling
termal
V
GG
= 1+
R
3
R
4






V
BE6
+ 1+
R
1
R
2






V
BE5
4V
BE
V
GG
T
= 1+
R
3
R
4






V
BE6
T