Transistor

(Bipolar Junction Transistor)

Pendahuluan
Dioda, terbuat dari dua bagian material semikonduktor
(baik itu jenis silikon atau germanium), yang
membentuk sambungan PN.
Bila dua buah dioda dihubungkan back-to-back, maka
diperoleh dua sambungan PN yang terhubung seri
dengan berbagi terminal P atau N bersama.
Gabungan dua dioda menghasilkan tiga layer, dua
sambungan, tiga terminal yang disebut dengan bipolar
junction transistor (BJT).

Struktur Transistor

Simbol transistor

Typical BJT

Dasar kerja transistor

Transistor memiliki dua fungsi, yaitu: sebagai saklar
(switching) dan sebagai penguat (amplifier).
Oleh karena itu BJT dapat bekerja dalam tiga bentuk:
1. active, transistor bekerja sebagai amplifier ( Ic=.IB)
2. Saturasi, transistor on sebagai saklar (Ic = Isat)
3. Cut-off, transistor off sebagai saklar (Ic = 0)

Dasar kerja transistor

Contoh bias transistor sebagai amplifier

Dasar Operasi
Bias maju membuat lapisan
deplesi BE mengecil
Bias mundur membuat lapisan
deplesi BC membesar
Tingkat doping E>C>B
Krn B didoping sangat kecil
(sedikit hole) maka hanya
sedikit elektron bebas yg
bergabung dng hole.
Akibatnya, hanya ada sedikit
arus basis

Dasar Operasi
Kebanyakan elektron yg tdk
berekombinasi akan menuju
kolektor, membentuk arus
kolektor
Mengapa???
Krn lapisan deplesi B sangat
tipis dan elektron bebas
memiliki masa hidup yg lama
di B
Elektron yg ada dikolektor
akan ditarik oleh (+)
terminal.

Arus transistor

Karakteristik dan parameter transistor

dc (beta dc) dan dc (alpha dc)

dc (beta dc) adalah rasio arus collector dc (IC) terhadap arus base
(IB).

dc biasanya ditulis dengan parameter equivalent hybrid (hfe) di

data sheet transistor (hfe = dc ) .

dc (alpha dc) adalah rasio arus collector dc (IC) terhadap arus

emiter (IE).

contoh

Tentukan dc dan IE sebuah transistor bila IB = 50 A dan IC = 3,65

mA.
Jawab:

Analisis arus dan tegangan

Tegangan dan arus transistor

VBE 0.7
VRB VBB VBE
V R B R B .I B

IB

VBB VBE

RB

VCE VCC VRC

VRC RC .I C
VCE VCC I C RC
VCB VCE VBE

contoh

Tentukanlah nilai IB, IC, IE, VCE dan VCB dari gambar. Diketahui dc =
150.

Jawab:

latihan

Tentukanlah nilai IB, IC, IE, VCE dan VCB dari gambar. Diketahui dc =
90.

220

22 k
6V

9V

Kurva karakteristik collector

Kurva karakteristik collector memperlihatkan bagaimana IC

berubah-ubah dengan tegangan VCE untuk nilai arus IB tertentu.

contoh

Gambarkan kurva karakteristik collector untuk rangkaian di bawah

untuk IB = 5 A, 10 A, 15 A, 20 A, dan 25 A. Diketahui dc =
100. (abaikan tegangan breakdown VCE)

jawab

Cut off

Bila IB = 0, transistor berada dalam wilayah kerja cut off. Dalam

kondisi ini, hanua terdapat arus bocor collector (ICEO) yang sangat
kecil mengalir.

Saturasi

Saat junction base-emitter menjadi bias maju dan arus base naik,
arus collector juga naik (IC = dc.IB) dan VCE turun (VCE = VCC ICRC).
Saat VCE mencapai nilai saturasi VCE(sat) , junction base-collector
menjadi bias maju dan IC dapat naik tanpa dipengaruhi kenaikan IB
lagi.

Garis Beban DC

Titik saturasi dan cutoff pd

kurva kolektor dpt dihub dng
garis beban DC.

Titik terbawah adlh titik ideal

cutoff bila IC=0 dan VCE=VCC.

Titik teratas adlh titik saturasi

bila VCE=VCE (Sat)

contoh

Tentukan apakah transistor pada gambar di bawah dalam kondisi

saturasi atau tidak. Diketahui tegangan VCE(sat) = 0,2 V.

Jawab:

IC lebih besar dari IC(sat), transistor kondisi saturasi.

Arus collector tidak akan pernah mencapai 11,5 mA. Bila IB
dinaikkan, arus collector tetap pada nilai saturasi-nya.

TUGAS (kumpul 2 april 2014)

1. Dari gambar diketahui arus base sebesar 50 A diberikan pada
transistor. Tegangan drop pada resistor RC sebesar 5 V. Tentukanlah
dc.

2. Hitunglah VCE, VBE dan VCB dari rangkaian di bawah ini: