4.

klasifikasi dan proses rekayasa permukaan menggunakan teknik PVD dan CVD
CVD merupakan proses rekayasa lapisan (coating) dengan bantuan bahan kimia atau dengan
reaksi kimia pada permukaaan material yang dipanaskan. Dalam proses ini, komponen gas
bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis.
Terdiri dari 3 sistem
sistem suplai reaktan (reactant supply system),
ruang deposisi (deposition chamber),
sistem daur ulang (recycle/disposal system)
kekurangan
diperlukan ruang yang tertutup rapat dan pompa khusus agar dampak korosi dan/atau
racun dapat dihindarkan,
beberapa reaksi memerlukan biaya yang mahal, dan
efisiensi pemanfaatan material rendah.
kelebihan
dimungkinkan untuk mendeposisi material tahan api,
dimungkinkan untuk mengontrol besar butir,
tidak memerlukan ruang hampa, dan
memiliki ikatan yang kuat antara pelapis dengan permukaan material yang dilapisi
sehingga memiliki kekerasan yang tinggi
Gaya adhesi baik
Kerataan hasil lapisan baik
Aplikasi :
Pelapisan pada titanium nitride
Physical vapor deposition (PVD) dilakukan dalam ruang hampa dimana material pelapis dirubah
ke fase uap dan dideposisikan pada permukaan material dasar sehingga terjadi lapisan yang
sangat tipis (thin film). Sebagai pelapis dapat digunakan berbagai macam material seperti paduan
(alloy), keramik, dan senyawa unorganik lainnya, dan juga dapat digunakan plastik. Sedang
material dasar yang dilapisi, dapat berupa logam, gelas, dan plastik.
Contoh aplikasi PVD
proses pelapisan anti refleksi pada lensa optik
rangkaian penghubung dalam integrated circuit (IC)
proses pelapisan perkakas potong dengan TiN
proses pelapisan pada cetakan plastic
3 mekanisme PVD
penguapan dalam ruang hampa (vacuum evaporation)
pemercikan/pancaran partikel atom (sputtering)
pelapisan ion (ion plating)