Transistor Bipolar

a) Bentuk fisik

Bentuk-bentuk Fisik Transistor Bipolar

Transistor PNP Bipolar

Susunan fisik transistor NPN dan PNP

Simbol transistor NPN dan PNP

b) Cara Kerja
Transistor bipolar

tersusun atas tiga material semikonduktor yang dipisahkan oleh dua

sambungan pn. Ketiga material semikonduktor tersebut dikenal dalam BJT sebagai emitter, base
dan kolektor. Daerah base merupakan semikonduktor dengan sedikit doping dan sangat tipis bila
dibandingkan dengan emitter (doping paling banyak) maupun kolektor (semikonduktor
berdoping sedang).
Karena strukturnya fisiknya tersebut, terdapat dua jenis transistor bipolar . Tipe pertama terdiri
dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya terdiri dari dua daerah p
yang dipisahkan oleh daerah n (pnp). Sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan
emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan
pn yang menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan base-kolektor
(base-collector junction).

Forward-Reverse Bias pada BJT

Gambar di atas menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn dan pnp dalam mode operasi
aktif transistor sebagai amplifier. Pada kedua rangkaian, sambungan base-emiter (BE) dibias
maju (forward-biased) sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur (reversebiased).

Prinsi[p kerja NPN

Gambar di atas adlah ilustrasi kerja transistor bipolar pada transistor npn. Ketika base
dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter dicatu dengan tegangan negatif maka
daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini akan mengurangi tegangan barrier internal
sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk melewati daerah sambungan pn yang ada.
Beberapa hole dan elektron akan mengalami rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus
mengalir melalui device dibawa oleh hole pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada emiter
(daerah tipe-n ). Karena derajat doping pada emiter (daerah tipe n) lebih besar daripada base
(daerah tipe p), arus maju akan dibawa lebih banyak oleh elektron. Aliran dari muatan minoritas
akan mampu melewati sambungan pn sebagai kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil
sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan dapat diabaikan.
Elektron banyak mengalir dari emiter ke daerah base yang tipis. Karena daerah base berdoping
sedikit, elektron pada hole tidak dapat berekombinasi seluruhnya tetapi berdifusi ke dalam daerah
depletion BC. Karena base dicatu negatif dan kolektor dicatu positif (reverse bias), maka
depletion BC akan melebar. Pada daerah depletion BC, elektron yang mengalir dari emiter ke
base akan terpampat pada daerah depletion BC. Karena pada daerah kolektor terdapat muatan
minoritas (ion positif) maka pada daerah sambungan BC akan terbentuk medan listrik oleh gaya
tarik menarik antara ion positif dan ion negatif sehingga elektron tertarik kedaerah kolektor. Arus
listrik kemudian akan mengalir melalui device.

c) Contoh penggunaan
- Pengubah logaritmik, karena tegangan basis-emitor sebagai fungsi logaritmik dari arus basisemitor dan kolektor-emitor.
- Sensor suhu, mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus
panjar dengan perbandingan yang diketahui.
- Fungsi utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier). Karena sifatnya,
transistor bipolar dalam keperluan lain, misalnya sebagai suatu saklar elektronis.

Transistor Efek Medan

a) Bentuk Fisik

Gambar Fisik dan Simbol Transistor Efek Medan

Gambar Fisik dan Simbol Transistor Tipe MOSFET

b) Cara Kerja
Cara kerja FET hampir mirip dengan transistor bipolar, jika transistor bipolar membutuhkan
tegangan yang dapat menyediakan arus drive yang cukup untuk Basis agar dapat mengontrol
arus Kolektor Emitor, maka FET mengendalikan aliran elektron dari terminal Source ke Drain
melalui tegangan yang di berikan pada terminal Gate. Equivalen FET dengan Transistor bipolar:
Gate (G) = Basis (B)
Source (S) = Kolektor (C)
Drain (D) = Emitor (E)

Ada juga saluran keempat, yang dinamakan badan, dasar, atau substrat untuk fungsi teknis dalam
pemanjaran transistor kedalam titik oprasi. Badan merupakan semikonduktor dasar dimana
gerbang, cacat, dan sumber diletakkan.
FET mengendalikan aliran elektron dari terminal Source ke Drain dengan mengubah besar dan
bentuk dari sebuah kanal konduktif yang dibentuk oleh adanya tegangan yang dikenakan
menyeberangi saluran source dan drain. Kanal konduktif ini adalah jalur dimana elektron
mengalir dari Source ke Drain. Sebuah tegangan negatif drain-ke-source menyebabkan daerah
pemiskinan untuk bertambah lebar dan menghalangi kanal dari kedua sisi, mempersempit kanal
konduktif. Jika daerah pemiskinan menutup kanal sepenuhnya, resistansi kanal dari sumber ke
cerat menjadi besar, dan FET dimatikan seperti sakelar yang terbuka. Sebaliknya, sebuah
tegangan positif drain-ke-source menambah lebar kanal dan memungkinkan elektron mengalir
dengan mudah.
c) Contoh Penggunaan
JFET sangat sesuai untuk aplikasi yang membutuhkan resistansi masukan yang tinggi. FET yang
sering digunakan adalah MOSFET.

Perbedaan antara Transistor Bipolar dan Transistor FET

a) Konversi: Transistor BJT mengkonversi arus menjadi arus, FET mengkonversi tegangan menjadi
arus
b) Arus input: BJT membutuhkan arus input, FET tidak membutuhkan arus input
c) Input/output: Hubungan input/output BJT adalah linear direpresentasikan oleh sebuah garis
lurus, namun hubungan input/output sebuah FET tidak linear untuk sinyal-sinyal besar
(bertegangan tinggi). Hal ini dapat mengakibatkan terjadinya distorsi pada sinyal-sinyal besar
yang diumpankan ke sebuah FET
d) Kecepatan: FET dapat melaksanakan proses pensaklaran secara lebih cepat dibandingkan BJT,
namun demikian kedua jenis transistor ini dirasa cukup cepat untuk memenuhi kebutuhan
sebagian besar aplikasi elektronik
e) Tegangan input: sebuah FET menjadi aktif ketika tegangan gate-sourcenya melampaui suatu
tegangan ambang. Tegangan gate dapat memiliki nilai yang berada dalam kisaran antara
tegangan ambang dan tegangan sumber, ketika FET dalam keadaan aktif. Tegangan basisemitor BJT akan selalu mendekati nilai 0,7 V, ketika BJT dalam keadaan aktif, terlepas dari
berapa besar arus inputnya
f)

Resistor input: sebuah FET tidak membutuhkan sebuah resistor di depan terminal gatenya. Hal
ini dapat menjadikan rangkaian yang bersangkutan jauh lebih sederhana

g) Tahanan output: kebanyakan FET memiliki tahanan yang sangat rendah ketika berada dalam
keadaan aktif, biasanya kurang dari 1 Ohm. Hal ini membuat komponen-komponen ini sangat
cocok untuk digunakan dalam rangkaian saklar transistor.

Perbedaan mendasar antara transistor bipolar dan transistor FET adalah jika transistor bipolar
mengatur besar kecil-nya arus listrik yang melalui kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya melalui
seberapa besar arus yang diberikan pada kaki Basis, sedangkan pada FET besar kecil-nya arus listrik
yang mengalir pada Drain ke Source atau sebaliknya adalah dengan seberapa besar tegangan yang
diberikan pada kaki Gate.

Operational Amplifier
a) Bentuk Fisik

Gambar Fisik dan SimbolOperational Amplifier

b) Cara Kerja
Prinsip kerja sebuah operasional Amplifier (Op-Amp) adalah membandingkan nilai kedua input
(input inverting dan input non-inverting), apabila kedua input bernilai sama maka output Op-amp
tidak ada (nol) dan apabila terdapat perbedaan nilai input keduanya maka output Op-amp akan
memberikan tegangan output. Operasional amplifier (Op-Amp) dibuat dari penguat diferensial
dengan 2 input.
SISTEM KERJA RANGKAIAN OP-AMP SEBAGAI KOMPARATOR
Op-amp sebagai komparator membandingkan antara tegangan masukan dengan tegangan
referensinya. Dalam prakteknya tegangan yang satu dicatu oleh suatu acuan (reference) yang
besarnya tetap, sedangkan yang lainnya oleh suatu masukan tegangan yang variable, bilamana
tersambung (on). Apabila masukan non inverting lebih positif dari masukan inverting-nya, maka
akan diperoleh keluaran maksismum positif. Dan bilamana masukan inverting lebih positif
dibandingkan masukan non invertingnya, maka akan diperoleh keluaran maksimum negatif.

Cara kerja sebuah komparator dapat diumpamakan sebagai sebuah penguat operasianal tanpa
resistor umpan balik, sehingga memiliki penguatan yang sangat tinggi. Penguat operasional
dengan modus seperti ini menyebabkan keluaran berayun secara penuh bila mendapat sinyal
masukan relatif kecil. Bila masukan membalik dihubungkan dengan tanah tegangan masuk yang
amat kecil (dalam pecahan millivolt) sudah cukup untuk membuat op-amp menjadi jenuh.