BAB

7
SEMIKONDUKTOR

Semikonduktor merupakan material yang menarik dibandingkan material padatan

lainnya. Dalam bab ini dibahas sifat-sifat fisis semikonduktor, dilajutkan dengan
penjelasan kegunaan sifat tersebut dalam operasioanl devais praktis. Pembahasan diawali
dengan struktur kristal semikonduktor dilanjutkan dengan struktur pita energi. Kemudian
dibahas prosedur untuk menghitung jumlah elektron dan hole, merupakan partikel yang
bertanggung jawab sebagai pembawa arus listrik. Semikonduktor yang digunakan jarang
dalam keadaan murni, tetapi biasanya didoping dengan ketakmurnian dari luar, sehingga
dibahas pula pengaruh ketakmurnian pada penyediaan elektron dan hole.
Sfat penting semikonduktor lainnya yang dibahas adalah konduktivitas listrik,
pengaruh medan magnet (efek Hall) dan sifat optik. Terakhir dibahas contoh devais
semikonduktor seperti persambungan p-n, transistor p-n dan laser.
7.1

Sruktur Kristal
Material semikonduktor diklasifikasikan berdasarkan pada posisinya dalam tabel

periodik unsur kimia. Semikonduktor elemental group IV yaitu C (intan), Si, Ge dan -Sn
semuanya terletak pada golongan keempat dalam tabel periodik. Semikonduktor elemental
(Si, Ge, C) mempunyai struktur kristal intan (diamond). Struktur intan mempunyai kekisi
fcc dengan komposisi dua atom identik, masing-masing atom dikelilingi oleh empat atom
tetangga dekatnya, membentuk tetrahedron teratur. Gambar 7.1 menunjukkan ikatan
tetrahedral dalam Si.
Si

Si

Gambar 7.1

Ikatan tetrahedral dalam Si. Bulatan kecil padat merepresentasikan

elektron yang membentuk ikatan kovalen

84
Semikonduktor lainnya adalah semikonduktor kompon group III-V yang terdiri dari
unsur golongan III dan V dari tabel periodik. Contohnya adalah GaAs, InSb, GaP, InAs,
GaSb, dan lainnya. Struktur kristal semikonduktor ini adalah zincblende, serupa dengan
struktur intan tetapi dua atom yang membentuk basis kekisinya berbeda. GaAs mempunyai
basis kekisi fcc dengan dua atom Ga dan As. Masing-masing atom dikelilingi oleh empat
atom lainnya dari jenis berlawanan, dan atom-atom tersebut membentuk tetrahedron teratur
seperti dalam struktur intan. Gambar 7.2 menunjukkan ikatan tetrahedral dalam GaAs.
Kompon III-V mempunyai karakter polar. Karena muatan ion-ionnya berlawanan,
memungkinkan kekisinya terpolarisasi ketika diberikan medan listrik. Perpindahan ion-ion
tersebut dapat menambah konstanta dielektrik material tersebut.

As

Ga

Gambar 7.2

Ikatan tetrahedral dalam GaAs.

Kelas lain dari semikonduktor yang juga menarik adalah group II-VI seperti CdS
dan ZnS. Kompon ini juga mempunyai struktur zincblende dengan ikatan kovalen dan
mempunyai karakter polar yang lebih kuat dari III-V. Selain itu terdapat pula kelas
semikonduktor kompon IV-VI, contohnya PbTe.
7.2

Struktur Pita Energi

Semikonduktor seperti yang dibahas pada subbab sebelumnya mempunyai pita

energi tertinggi dihuni elektron, dinamakan pita valensi, terisi penuh pada T = 0oK, tetapi
celah (jurang) di atas pita tersebut sempit, sehingga elektron mungkin tereksitasi secara
termal pada temperatur ruang dari pita valensi menuju pita berikutnya yang lebih tinggi
yang dinamakan pita konduksi. Pada umumnya celah pita energi Eg bahan semikonduktor
kurang dari 2 eV. Ketika elektron tereksitasi menyeberangi celah pita energi, dasar pita
konduksi (CB) dihuni elektron, dan ujung pita valensi (VB) terdapat hole. Kedua pita
sekarang hanya terisi sebagian dan akan membawa arus listrik jika diberikan medan listrik.
Konduktivitas semikonduktor lebih rendah dibandingkan konduktivitas logam.

85
Struktur pita dari semikonduktor secara sederhana ditunjukkan dalam gambar 7.3.
Energi pita konduksi (CB) mempunyai bentuk

Ec (k ) E g

2k 2
2me*

(7.1)

dengan k adalah vektor gelombang dan me* massa efektif elektron. Eg adalah celah pita
energi. Tingkat energi-nol dipilih terletak pada puncak pita valensi (VB). Sedangkan
energi pita valensi (VB) pada gambar 7.3 boleh dituliskan sebagai berikut

Ev (k )

2k 2
2mh*

(7.2)

dengan mh* adalah massa efektif hole. (Karena VB mempunyai bentuk terbalik, maka
massa elektron pada puncak VB negatippsama dengan mh* , tetapi massa hole positip).
Parameter struktur pita adalah massa elektron dan hole, me dan mh, dan celah pita energi Eg.
Besarnya celah pita energi semikonduktor berubah karena temperatur, tetapi perubahannya
kecil. Kenaikan temperatur menyebabkan volume kristal bertambah sehingga konstanta
kekisinya berubah dan selanjutnya akan mempengaruhi struktur pita energinya. Besarnya
celah pita energi juga dapat berubah karena adanya pengaruh tekanan yang akan
menginduksi perubahan konstanta kekisi.
E

Pita konduksi

Eg
E=0

k
Pita valensi

Gambar 7.3

7.3

Struktur pita enegi dalam semikonduktor

Konsentrasi Pembawa muatan : Semikonduktor Intrinsik

Dalam semikonduktor, elektron dan hole bertindak sebagai pembawa muatan

(carrier), partikel ini yang bertanggung jawab untuk membawa arus listrik. Untuk

86
menentukan jumlah pembawa muatan, diperlukan pengetahuan tentang mekanika statistik,
seperti fungsi distribusi Fermi-Dirac (FD)

f ( E)

1
e

( E EF ) / k BT

(7.3)

Fungsi tersebut memberikan probabilitas tingkat energi E yang dihuni oleh elektron pada
temperatur T. Fungsi tersebut diplot sebagai fungsi E dalam gambar 7.4.
f(E)
T 2 > T1
1
T2

T = 0oK
T1
Tail region
E

0
EF

Gambar 7.4

Fungsi distribusi Fermi-Dirac

Di sini dapat dilihat bahwa ketika temperatur bertambah, daerah di bawah tingkat
Fermi EF yang tidak dihuni elektron menjadi lebih panjang, yang menandakan bahwa
energy state bertambah tinggi ketika temperatur dinaikkan, karena penambahan temperatur
meningkatkan energi sistem. Catatan, pada temperatur berapapun harga f(E) = pada
tingkat Fermi (E = EF), yang artinya probabilitas dimana tingkat Fermi dihuni elektron
selalu sama dengan setengah.
Dalam semikonduktor, daerah ekor (tail) dari distribusi FD menarik diperlajari.
Pada daerah (E EF) >> kBT tetap memenuhi dan oleh karena itu suku satu dalam
penyebut persamaan (7.3) dapat diabaikan. Distribusi FD kemudian dapat dituliskan dalam
bentuk

f (E) e EF / kBT e E / kBT

(7.4)

Konsentrasi elektron dalam CB dapat dihitung sebagai berikut. Jumlah keadaan

(state) dalam rentang energi (E, E + dE) sama dengan ge(E)dE, dimana ge(E) adalah rapat
keadaam elektron. Jika masing-masing keadaan mempunyai probabilitas untuk dihuni
elektron f(E), maka jumlah elektron yang ditemukan dalam rentang energi tersebut sama
dengan f(E) ge(E)dE. Konsentrasi elektron dalam CB dihitung dengan integral pada pita
energi

87

Ec 2

f E g e ( E)dE

(7.5)

Ec1

dengan Ec1 dan Ec2 adalah pita atas dan bawah seperti ditunjukkan dalam gambar 7.5.
Besarnya rapat keadaan adalah

1 2me
g e ( E)

2 2 2

3/ 2

( E Eg )1 / 2

(7.6)

dengan tingkat energi-nol dipilih terletak pada bagian atas VB. Sehingga ge(E) dapat
dihilangkan untuk E < Eg, dan terbatas hanya untuk Eg > E seperti ditunjukkan pada
gambar 7.5(c).
E

Ec2

Pita
konduksi

Ec1

ge(E)

Elektron
Ec1

Ec1

EF
Ev1

Ev1

Ev1
Hole

Pita valensi

Ev2

(a)
Gambar 7.5

Substitusi

gh(E)

f(E)

(b)

g(E)

(c)

(a) Pita konduksi dan valensi. (b) Fungsi distribusi. (c) Rapat
keadaan elektron dan hole

f(E) dan ge(E) dalam persamaan (7.5) dilanjutkan penyelesaian integral,

diperoleh

m k T
n 2 e B 2
2

3/ 2

e EF / kBT e

Eg / k BT

(7.7)

dengan cara yang sama dapat ditentukan besarnya konsentrasi hole

m k T
p 2 h B 2
2

3/ 2

e EF / kBT e

Eg / k BT

(7.8)

Konsentrasi elektron dan hole pada kenyataannya adalah sama, karena elektron dalam CB
melakukan eksitasi menyeberangi celah pita energi, dan masing-masing elektron tereksitasi
menciptakan hole pada VB. Karena itu
n=p

(7.9)

88
Jika harga n dan p dari persamaan (7.7) dan (7.8) dalam (7.9) diperoleh persamaan yang
hanya mengandung EF dan solusinya adalah

EF

m
1
3
Eg k BT log h
2
4
me

(7.10)

Substitusi (7.8) dalam (7.7) diperoleh

k T
n 2 B 2
2

3/ 2

(me mh ) 3 / 4 e

Eg / k BT

(7.11)

Konsentrasi elektron n bertambah sangat cepat secara eksponensial dengan bertambahnya

temperatur. Pada saat temperatur dinaikkan, jumlah elektron tereksitasi yang menyeberangi
celah pita energi bertambah dengan cepat. (Kondisi ini dapat divisualisasi dengan
mengingat kembali bahwa saat temperatur dinaikkan, ekor dari distribusi FD dalam CB
menjadi lebih panjang, dan lebih banyak keadaan ditempati elektron dalam pita ini).
Gambar 7.6 adalah plot dari log n sebagai fungsi 1/T. Kurva merupakan sebuah
garis lurus dengan kemiringan (slope) sama dengan ( Eg/2kB). (Kebergantungan T

3/2

dalam (7.9) sangat lemah dibandingkan dengan kebergantungan eksponensial). Dari

besarnya slope tersebut dapat diperkirakan besarnya celah pita energi Eg bahan Ge.

1017

n, cm-3

1016
1015
1014
1013
1012
2,0

Gambar 7.6

2,5
1/T

3,0

3,5

Konsentrasi elektron n sebagai fungsi 1/T dari Ge.

Misal Eg = 1 eV, me = mh = mo dan T = 300oK, maka besarnya n 1015

elektron/cm3, merupakan nilai yang umum dijumpai berkaitan dengan konsentrasi
pembawa muatan dari semikonduktor.

89
Persamaan (7.9) juga berlaku untuk konsentrasi hole, karena n = p. Konsentrasi
pembawa yang dibahas di atas didasarkan pada semikonduktor murni. Penambahan
elektron atau hole (sebagai impurities atau ketakmurnian) menjebabkan bahan menjadi
tidak murni. Material murni mempunyai konsentrasi elektron dan hole yang sama,
dikatakan sebagai semikonduktor intrinsik. Artinya, konsentrasi ditentukan oleh sifat
intrinsik semikonsuktor itu sendiri. Sedangkan ketika material mengandung sejumlah besar
ketidak-murnian baik berupa elektron maupun hole dinamakan semikonduktor ekstrinsik.
Misal Si didoping dengan As. Atom-atom As (sebagai ketakmurnian) menempati
beberapa titik tempat kekisi yang ditempati oleh atom-atom Si. Atom As mempunyai lima
elektron, empat elektron menempati ikatan tetrahedron Si dan elektron kelima tidak dapat
masuk dalam ikatan tersebut sehingga menjadi bebas bermigrasi dalam kristal sebagai
elektron konduksi, elektron masuk dalam CB. Ketakmurnian sekarang jelas merupakan ion
positip As+ (karena kehilangan satu elektron). Hasil total menunjukkan bahwa
ketakmurnian As menyumbang elektron ke CB semikonduktor, dengan alasan ini
ketakmurnian bervalensi lima tersebut dinamakan donor. Elektron diciptakan tanpa
melalaui generasi hole. Sebaliknya ketika Si didoping dengan Ga yang mempunyai tiga
elektron, dalam ikatan tetrahedron Si akan kekurangan satu elektron membentuk suatu
kekosongan atau hole. Ketakmurnian bervalensi tiga tersebut dinamakan akseptor.
7.4

Statistik Semikonduktor
Semikonduktor biasanya mengandung keduanya donor dan akseptor. Elektron

dalam CB dapat diciptakan dengan eksitasi termal interband atau dengan ionisasi termal
donor. Hole dalam VB mungkin dibangkitkan oleh eksitasi interband atau dengan eksitasi
termal elektron dari VB kedalam tingkat akseptor. Elektron mungkin turun dari tingkat
donor ke tingkat akseptor. Gambar 7.7 menunjukkan berbagai proses di atas.
Pita konduksi (CB)
Donor

Akseptor
Pita valensi (VB)

Gambar 7.7

Berbagai kemungkinan proses elektronik dalam semikonduktor

90
Daerah Intrinsik
Konsentrasi pembawa dalam daerah instrinsik terutama ditentukan oleh transisi interband
karena induksi termal. Konsekuensinya, pendekatan yang baik adalah
n=p

(7.12)

Pada kasus tersebut, konsentrasi pembawa muatan seperti telah ditentukan sebelumnya

k T
n p ni 2 B 2
2

3/ 2

(me mh ) 3 / 4 e

E g / 2 k BT

(7.13)

Persamaan ini dikenal sebagai konsentrasi intrinsik, dilambangkan dengan ni.

Daerah intrinsik diperoleh ketika doping ketakmurnian dalam jumlah kecil. Jika Nd
adalah konsentrasi donor dan Na adalah konsentrasi akseptor, persyaratan untuk kondisi
intrinsik adalah
ni (Nd Na)

(7.14)

Karena ni bertambah cepat dengan kenaikan temperatur, kondisi intrinsik menjadi lebih
baik pada temperatur tinggi. Semua semikonduktor, dalam kenyataannya menjadi intrinsik
pada temperatur cukup tinggi.

Derah Ekstrinsik
Ketika konsentrasi doping ~ 1015 cm-3, jumlah pembawa yang diberikan oleh ketakmurnian
cukup besar untuk merubah konsentrasi intrinsik pada temperatur ruang. Pada
kenyataannya sumbangan ketakmurnian seringnya melebihi pembawa yang diberikan oleh
eksitasi interband. Ketika ini terjadi, sampel berada dalam daerah ekstrinsik. Terdapat dua
tipe daerah ekstrinsik yang berbeda. Pertama terjadi ketika konsentrasi donor sangat besar
melebihi konsentrasi akseptor, yaitu ketika Nd Na. Karena energi ionisasi donor cukup
kecil, semua donor pada dasarnya terionisasi dan elektron menuju ke pita konduksi (CB).
Oleh kartena itu pendekatan yang baik adalah
n = Nd

(7.15)

Konsentrasi hole pada kondisi di atas adalah kecil. Untuk menghitung konsentrasi
ini dapat dilakukan sebagai berikut. Jika persmaan (7.7) dan (7.8) dikalikan
3

k T
E / k T
np 4 B 2 (me mh ) 3 / 2 e g B
2

(7.16)

np tidak bergantung pada EF, hanya bergantung pada temepratur. Berdasarkan (7.13) dan
dengan asumsi bahwa (7.16) juga berlaku pada daerah intrinsik, maka dapat dituliskan

np ni2

(7.17)

91
persamaan tersebut mempunyai arti, jika tidak terjadi perubahan temperatur, hasil kali np
adalah konstan, tidak bergantung jumlah doping. Jika konsentrasi elektron ditambah,
dengan memvariasikan jumlah doping, konsentrasi hole berkurang dan sebaliknya.
Ketika dopingnya tipe donor, n Nd, menurut (7.17), konsentrasi hole adalah

ni2
p
Nd

(7.18)

Untuk daerah ekstrinsik dimana ni Nd, dan oleh karenanya p Nd = n. Jadi konsentrasi
elektron jauh lebih besar dari hole. Semikonduktor yang mana

n p disebut

semikonduktor tipe-n. Pembawa muatan mayoritasnya adalah elektron (donor).

Tipe daerah ekstrinsik lainnya adalah ketika Na Nd , dopingnya berupa akseptor.
Analogi dengan pembahasan sebelumnya
p Na

(7.19)

yaitu, semua akseptor terionisasi. Konsentrasi elektron yang jumlahnya kecil diberikan

ni2
Na

(7.20)

Semikonduktor yang mana pn disebut semikonduktor tipe-p. Pembawa muatan

mayoritasnya adalah hole (akseptor).
n

Ekstrinsik

Intrinsik

Nd
Freeze-out
0

Gambar 7.8 Variasi konsentrasi elektron n terhadap temperatur dalam

semikonduktor tipe-n

Pada saat temperatur tinggi, donor (dan akseptror) semuanya diasumsikan

terionisasi dan ini juga berlaku untuk temperatur ruang. Tetapi ketika temperatur rendah,
elektron jatuh dari CB menuju tingkat donor dan konduktivitas bahan berkurang. Kondisi
ini dinamakan freeze-out, sedangkan elektron mengalami frozen pada titik tempat

92
ketakmurnian. Temperatur pada kondisi freeze-out dapat diperkirakan dengan Ed ~ kBT
yaitu sekitar 100oK. Variasi konsentrasi elektron dengan temepratur dalam semikonduktor
tipe-n ditunjukkan pada gambar 7.8.

7.5

Konduktivitas Listrik; Mobilitas

Elektron dan hole keduanya berkontribusi pada arus listrik. Untuk memudahkan

pembahasan akan ditinjau satu jenis tipe pembawa muatan yaitu elektron atau tipe-n.
Ketika medan listrik diberikan, elektron hanyut berlawanan dengan medan dan membawa
arus listrik. Konduktivitas listriknya dapat dituliskan

ne2 e
e
me

(7.21)

dengan e adalah waktu-hidup (lifetime) elektron. Dalam fisika semikonduktor sering

digunakan koefesien transport lainnya yaitu mobilitas, yang didefiniskan sebagai berikut:
Kecepatan hanyut (drift) elektron dalam medan listrik boleh dituliskan seperti

ve

e e

me

(7.22)

(Tanda negatip karena muatan negatip pada elektron). Mobilitas elektron didefiniskan
sebagai rasio ve / , yaitu kecepatan persatuan kuat medan listrik

e e
me

(7.23)

Waktu-hidup elektron yang panjang dan massanya yang kecil menyebabkam mobilitas
elektron lebih tinggi dibandingkan mobilitas hole.
Sekarang dapat ditentukan konduktivitas listrik dalam suku mobilitas. Berdasarkan
(7.21) dan (7.23) dapat dituliskan

e nee

(7.24)

menunjukkan bahwa e sebanding dengan e . Sedangkan konduktivitas hole dapat

dituliskan

pe2 h
h
pe h
mh
dengan h adalah mobilitas hole.

(7.25)

93

Hole
Elektron

Gambar 7.9

Aliran elektron dan hole saat diberikan medan listrik

Ketika diberikan medan listrik, elektron mengalir berlawanan dengan medan dan
hole mengalir searah medan seperti ditunjukkan gambar 7.9. Arus dari dua pembawa
muatan (elektron dan hole) dijumlahkan, dan konsekuensinya konduktivitas juga demikian

e h
elektron dan hole keduanya menyumbangkan arus. Dalam suku mobilitas dapat dituliskan

nee pe h

(7.26)

Konsentrasi pembawa n dan p tidak sama jika sampel didoping. Kemungkinan salah satu
pembawa lebih dominan bergantung pada semikonduktor tipe-n atau tipe-p. Untuk
semikonduktor dalam daerah intrinsik dimana n = p , persamaan (7.26) menjadi

ne(e h )

(7.27)

dengan n = ni adalah konsentrasi intrinsik

Konduktivitas bergantung pada temepratur. Kita pandang semikonduktor dalam
daerah intrinsik. Konduktivitasnya dinyatakan dalam persamaan (7.27). Dalam situasi ini
konsentrasi n bertambah secara eksponensial dengan temperatur seperti dinyatakan dalam
persamaan (7.9), sehingga konduktivitas dapat ditulis

f (T )e E

/ k BT

(7.28)

dengan f(T) adalah fungsi yang bergantung lemah pada temperatur, yaitu polinomial.
(Fungsi bergantung pada mobilitas dan massa efektif partikel). Jadi konduktivitas
bertambah secara eksponensial dengan temperatur karena faktor eksponensial dalam
(7.11). Perilaku seperti ditunjukkan kurva pada gambar 7.10.
Persamaan (7.28) digunakan untuk menentukan celah pita energi dalam
semikonduktor, jika dilakukan logaritma pada kedua sisi persamaan, dapat dituliskan

log log f (T )

Eg 1
2k B T

94
Plot log sebagai fungsi 1/T menghasilkan garis lurus (slope), Eg/2kB, menentukan
besarnya celah pita energi. (Kebergantungan temperatur yang lemah f(T) diabaikan).
Dahulu ini digunakan sebagai prosedur baku untuk menentukan celah pita energi
semikonduktor. Akan tetapi akhir-akhir ini celah pita energi sering diukur dengan metode
optik karena dipandang lebih praktis.

Gambar 7.10

Konduktivitas Si sebagai fungsi 1/T dalam daerah intrinsik

Ketika material bukan dalam daerah intrinsik, konduktivitas diberikan dalam

persamaan (7.26). Dalam kasus ini kebergantungan pada temperatur biasanya tidak
sekuat seperti di atas. Konduktivitas material ekstrinsik tipe-n adalah:

e nee
Mobilitas elektron juga bergantung pada temperatur. Hal ini dikarenakan waktuhidup elektron atau waktu tumbukan elektron bervariasi dengan kenaikan temperatur.
Hubungan anatara konduktivitas dan mobilitas dinyatakan dalam

ele
me vr

dengan le adalah jalan bebas rata-rata (mean free part) elektron dan vr adalah kecepatan
randomnya. Dari teori kinetik gas terdapat hubungan yang terkait dengan laju rata-rata
elektron

95

1
3
me vr kbT
2
2
jadi

ele
m (ek BT )1 / 2
1/ 2
e

(7.29)

Tampak bahwa penggunaan statistika distribusi elektron menunjukkan bahwa mobilitas

bergantung dengan faktor T 1 / 2 . Jalan bebas rata-rata le juga bergantung temperatur seperti
halnya dalam logam. le ditentukan oleh mekanisme tumbukan yang dilakukan elektron..
(Mekanisme ini merupakan tumbukan elektron dengan fonon, secara termal menyebabkan
vibrasi kekisi, dan tumbukan dengan ketakmurnian). Pada temperatur tinggi, tumbukan
dengan fonon lebih dominan, le berbanding terbalik dengan temperatur yaitu le ~ T 1 .
Dalam kasus ini mobilitas bervariasi sebagai c T 3 / 2 . Gambar 7.11 menunjukkan
kasus ini untuk Ge.

Gambar 7.11 Mobilitas e sebagai fungsi T. Kurva putus-putus merepresentasikan

hamburan fonon murni; angka dalam kurung menyatakan
konsentrasi donor.

7.6

Efek Hall
Pada sub-bab 5.9.2 telah dibahas efek Hall untuk pembawa muatan tunggal, dimana

telah diperoleh konstanta Hall untuk elektron adalah

Re

1
ne

Konstanta Hall untuk hole dapat dituliskan

(7.30)

96

Rh

1
pe

(7.31)

tanda posistip berkaitan muatan positip dari hole.

Gambar 7.12 Efek Hall dalam semikonduktor yang mempunyai dua pembawa
muatan. Simbol e adalah elektron dan h adalah hole

Sebuah medan listrik

x diberikan pada arah-x dan bersamaan diberikan medan

magnet Bz dalam arah-z (tegak lurus kertas). Karena adanya x, elektron hanyut ke sisi kiri
dan hole ke sisi kanan. Karena gerakan elektron, medan magnet menghasilkan gaya
Lorenzt sehingga membelokan pembawa muatan. Pembelokan elektron dan hole arahnya
berlawanan karena muatannya berlawanan seperti ditunjukkan pada gambar 7.12 ,
sehingga terjadi penumpukan total muatan di permukaan bagian bawah. Sebaliknya,
muatan yang besarnya sama dan berlawanan terkumpul di bagian atas permukaan. Sebagai
akibatnya dihasilkan medan listrik pada arah-y, disebut medan Hall,

H. Besarnya medan

Hall dapat dihitung sebagai berikut. Misal gaya Lorents bekerja pada elektron.

FLe e(v e x B) eve Bz

dimana ve adalah kecepatan hanyut (drift) elektron. Gaya FLe dalam arah-y. (Karena ve
negatip, gaya FLe menuju ke bawah, yaitu ke arah-y negatip.) Gaya ini ekivalen dengan
medan Lorentz

Le ve Bz

(7.32)

bekerja pada elektron. (Tanda minis karena persamaan sebelumnya dibagi dengan e,
muatan elektron). Karena Je = - neve, persamaan di atas boleh juda dituliskan

Le

J e Bz
ne

dengan Je adalah bagian arus yang dibawa oleh elektron.

(7.33)

97
Dengan cara yang sama dapat dituliskan

Lh

J h Bz
pe

(7.34)

Total rapat arus dalah arah-y adalah

J y nee

Le

pe h

Lh

(nee pe h )

(7.35)

Tetapi arus ini lenyap, karena partikel tidak dibolehkan mengalir dalam arah-y pada
permukaan sampel. Oleh karenanya Jy = 0, dan menghasilkan persamaan selanjutnya untuk
menentukan medan Hall H. Ingat bahwa konstanta Hall R didefinisikan sebaga R = H/JxB.
Substitusi (7.33), (7.34) ke dalam (7.35) dan dengan Je = [ne/( ne + ph)] Jx dan Jh = Jx Je, mengahsilkan

p h2 n e2
R
e(n e p h ) 2

(7.36)

Menurut persamaan (7.36), konstanta Hall boleh berharga negatip, positip atau nol,
bergantung pada konsentrasi dan mobilitas pembawa muatannya. Konstanta Hall selain
digunakan untuk menentukan konsentrasi pembawa muatan dapat juga digunakan untuk
menentukan mobilitas

e e Re

(7.37)

untuk material semikonduktor tipe-n. Dengan cara yang sama dapat pula untuk hole dalam
material tipe-p. Jadi mobilitas hole dan elektron dapat ditentukan dari pengukuran
konduktivitas listrik dan konstanta Hall. Hasil kali R dinamakan mobilitas Hall, H .
7.7

Sifat Optik: Proses Absorpsi

Proses absorpsi yang terpenting adalah transisi elektron dari pita valensi ke pita

konduksi (gambar 7.13), proses ini dinamakan absorpsi fundamental. Dalam absorpsi
fundamental, sebuah elektron mengabsorpsi foton kemudian loncat dari pita valensi
menuju pita konduksi. Energi foton harus lebih besar atau sama dengan besar celah pita
enegi Eg

(Eg / h)

(7.38)

Seringnya o (Eg / h) dinamakan sebagai absorption edge.

Perhitungan koefesien

absorpsi

untuk

absorpsi

fundamental

memerlukan

manipulasi kuantum. Pada dasarnya, radiasi yang datang sebagai perturbasi pada elektron

98
state dalam pita valensi dan pita konduksi. Selanjutnya koefesien absorpsi dituliskan
(Blatt, 1968)

d A(h Eg )1/ 2

(7.39)
E

Pita konduksi

Eg
k
Pita valensi

Gambar 7.13

Proses absorpsi fundamental dalam semikonduktor

dengan A adalah konstanta yang terkait dengan sifat pita energi, dan Eg adalah celah pita
energi. Koefesien absorpsi bertambah secara parabolik dengan frekuensi di atas
fundamental edge (gambar 7.14a) . ( d 0 untuk o ). Koefesien absorpsi GaAs
dalam gambar 7.14b konsisten dengan analisis ini. Persamaan (7.39) telah digunakan
untuk mengukur celah pita energi dalam semikonduktor. Eg secara langsung dihubungkan
dengan frequency edge, Eg = ho. Metode ini sekarang merupakan prosedur baku untuk
menentukan besarnya celah pita energi menggantikan metode terdahulu yang didasarkan
metode konduktivitas karena metode optik ini lebih akurat. Metode optik ini juga
mengungkapkan lebih rinci tentang struktur pita energi dari pada metode konduktivitas.
Perlu dicatat bahwa koefesien absorpsi yang diasosiasikan dengan absorpsi fundamental
mempunyai nilai yang besar, sekitar 104 cm-1. Jadi absorpsi dapat terukur apabila
sampelnya tipis (agar transmisinya terukur).
Proses absorpsi yang terjadi pada kajian di atas disebut direct-gap semiconductor.
Disini dasar pita konduksi terletak pada k = 0, langsung di atas puncak pita pita valensi
(lihat gambar 7.13). Elektron dekat puncak pita valensi dapat langsung transisi vertikal ke
keadaan dekat dasar pita pita konduksi, sesuai dengan kaidah seleksi. Contoh
semikonduktor tersebut adalah GaAs, InSb, GaN dan kompon III-V dan II-VI lainnya.

99

Gambar 7.14 Koefesien absorpsi d sebagai fungsi h dalam semikonduktor.

(b) Koefesien absorpsi sebagai fungsi h dalam GaAs.

Selain itu tedapat pula indirect-gap semiconductor, yang mana dasar pita
konduksi tidak terletak pada titik pusat 0 (origin) (gambar 7.15). Contohnya pada Si dan
Ge. Si mempunyai dasar pita konduksi dalam arah [100] dan Ge [111]. Pada kasus ini,
elektron tidak dapat melakukan transisi langsung dari puncak pita valensi ke dasar pita
konduksi karena akan melanggar kaidah seleksi momentum (kf = ki). Transisi masih
mungkin berlangsung, tetapi dengan proses dua-tahap. Elektron mengabsorpsi foton dan
fonon secara bersamaan. Foton memberikan energi yang diperlukan, sedangkan fonon
memberikan memberikan momentum yang diberikan. (Energi fonon hanya sekitar 0,05 eV,
terlalu kecil bila dibandingkan energi foton yaitu sekitar 1 eV. Tetapi momentum fonon
cukup besar).
Perhitungan koefesien indirect-gap absorption lebih rumit dibandingkan direct
absortion. Blatt (1968) memberikan bentuk

i A' (T )(h Eg ) 2

(7.40)

dengan A(T) adalah konstanta yang terkait dengan parameter pita energi dan temeperatur.
(Parameter temperatur karena kontribusi fonon untuk proses transisi). Perlu dicatat bahwa

i bertambah sebagai pangkat dua dari (h - Eg), lebih cepat dari pada pangkat setengah
pada d. Dengan demikian metode optik dapat digunakan untuk membedakan
semikonduktor direct-gap dan indirect-gap. (bandingkan dengan metode konduktivitas!).
Gambar 7.15(b) menunjukkan spektrum absorpsi untuk Ge.

100

Gambar 7.15 (a) Semikonduktor indirect-gap (b) Koefesien absorpsi sebagai

fungsi h dalam Ge.

7.8

Devais Semikonduktor
Prinsip-prinsip fisika dan perilaku semikonduktor telah dibahas pada subbab

sebelumnya. Kini akan dibahas aplikasi dari prinsip-prinsip tersebut untuk devais
elektronik. Keberhasilan pengembangan devais elektronik tersebut, khususnya transistor,
telah menjadikan material semikonduktor menjadi menarik untuk dikembangkan. Dalam
subbab ini diberikan beberapa contoh aplikasi semikonduktor yang dibahas secara ringkas;
antara lain persambungan p-n, transistor dan laser. Pembahasan lebih rinci termasuk
transistor efek medan (FET) diberikan pada mata kuliah Fisika dan Teknologi
Semikonduktor.

7.8.1 Persambungan p-n

Persambungan p-n dibuat dari kristal tunggal semikonduktor yang mana ada dua
daerah berbatasan, yaitu tipe-n dan tipe-p. Daerah n didoping dengan ketakmurnian donor
dan daerah p dengan ketakmurnian akseptor. Konsentrasi donor dan akseptor adalah Nd
dan Na. Ketika persambungan p-n terbentuk, pembawa muatan bebas (keduanya elektron
dan hole) melakukan difusi menyeberangi persambungan. Elektron mengalir dari sisi
persambungan n menuju p, sedangkan hole mengalir sebaliknya. Oleh karena aliran
muatan, sisi p memperoleh potensial kontak negatip o relatif terhadap sisi n.
Persambungan p-n diperlihatkan pada gambar 7.16. Nilai otensial kontak o adalah

101

N N
k BT
log d 2 a
e
ni

Gambar 7.16

(7.41)

(a) Daerah deplesi pada persambungan p-n. (b) Diagram pita

energi persambungan p-n

Persambungan p-n dapat betindak sebagai penyearah (rectifier). Hubungan arustegangan mempunyai bentuk

I I o eeVo / kBT 1

dengan Vo adalah tegangan bias. Ketika tegangan ini arahnya maju (bias maju),

Vo0,

maka e eVo / kBT 1, dan oleh karena itu

I I o e eVo / kBT

(7.41)

Arus bertambah cepat dengan bertambahnya tegangan. Karakteristik arus-tegangan pada

persambungan p-n ditunjukkan pada gambar 7.17. Tetapi untuk bias mundur, Vo 0 ,

eVo / k BT

1, dan

I Io
Sekarang arusnya kecil, dan tidak bergantung pada tegangan.

(7.42)

102

Gambar 7.17

Karakteristik arus-tegangan pada persambungan p-n

7.8.2 Transistor Persambungan

Dari semua devais semikonduktor, yang paling banyak digunakan adalah transistor,
yaitu untuk industri telekomonikasi dan teknologi komputer. Salah satu transistor yang
sering digunakan adalah jenis transistor persambungan atau dinamakan pula transistor
bipolar. Gambar 7.18 mengilustrasikan konsep dasar operasi trasnistor persambungan,
transistor p-n-p.

Gambar 7.18

Konstruksi dasar transistor persambungan p-n-p

Transistor persambungan merupakan struktur dari dua persambungan yang

dihubungkan secara back-to-back. Emiter adalah bagian yang diberikan biasmaju dan
kolektor diberikan bias mundur. Emiter memasukkan pembawa muatan minoritas ke dalam
basis. Pembawa muatan berdifusi melalui basis dan diterima eleh kolektor. Ketika sinyal
listrik diberikan pada emiter, bersamaan dengan pembawa muatan melalui basis dan
kolektor, dan penguatan sinyal diperoleh pada resistor beban yang dimasukkan ke dalam
rangkaian kolektor. Tegangan gain adalah

103

dVl Rl I e

dVe k BT / e

(7.43)

Gain dapat ditingkatkan dengan menambah nilai parameter ( efesiensi injeksi pembawa
muatan) dan mengurangi ketebalan lapisan basis.

7.8.3 Laser Semikonduktor

Pada dasarnya laser semikonduktor bekerja seperti laser gas. Ketika cahaya
( Eg ) melewati semikonduktor, mengalami absorpsi yang kuat dekat band egde.
Absorpsi menyebabkan transisi interband antara pita valensi dan pita konduksi. Penguatan
terjadi jika populasi pita valensi dan pita konduksi dekat band edge dibalik (inversi).
Gambar 7.19 mengilustrasikan ide tersebut. Andaikan bahwa material didoping konsentrasi
tinggi dengan ketakmurnian tipe-p dan tipe-n sehingga pembawa muatan bebas
mempunyai distribusi degenerasi, dengan energi Fermi EFc dan EFv dalam dua pita energi.
(Distribusi ini bukan merupakan satu kesetimbangan, karena ia meluruh dengan cepat, dan
karena itu memungkinkan terjadi perbedaan antara dua tingkat quasi-Fermi tersebut).
Distribusi seperti ini cenderung menghasilkan penguatan karena elektron yang distimulasi
oleh sinyal, membuat transisi dari pita konduksi menuju ke keadaan kosong (hole) pada
puncak pita valensi dan memancarkan foton (emisi koheren) dengan frekuensi Eg/h
selama proses berlangsung. Laser lebih efektif terjadi dalam semikonduktor direct band
gap karena persyaratan kekekalan momentum. Kondisi yang diperlukan untuk penguatan
pada laser adalah

EFc EFv

(7.45)

Gambar 7.19 (a) Susunan populasi inversi dalam semikonduktor . (b) Peningkatan
populasi inversi dalam persambungan doping tinggi.