BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (2)

Muhammad Yusro, MT

ALPHA dc
Pada transistor, lebih dari 95% elektron yg diinjeksikan emiter mengalir ke kolektor, kurang dari 5% jatuh ke basis. Arus kolektor (IC) hampir sama dgn Arus Emiter (IE). Alpha dc perbandingan nilai IC dgn IE

dc

IC ! IE

Transistor memiliki Edc > 0,95

TEGANGAN BREAKDOWN
Tegangan reverse pd kedua dioda transistor menghasilkan tegangan breakdown. Jika VCB terlalu besar, dioda kolektor breakdown krn longsor (reach-through effect/RTE) RTE lap. pengosongan kolektor sangat lebar shg sama dgn lap. pengosongan emiter. Akibatnya elektron emiter diinjeksikan langsung ke lap.pengosongan kolektor. IC menjadi besar merusak transistor. RTE tdk boleh terjadi menjaga tegangan kolektor < tegangan breakdown

BETA dc
Beta dc (Fdc) Hubungan antara IC dgn IB :

IC F dc ! I B < 5% elektron yg Pd semua transistor

diinjeksikan emiter berekombinasi dgn hole basis untuk menghasilkan IB. Fdc biasanya > 20. Fdc disebut penguatan arus, dinyatakan dgn hFE

HUBUNGAN ALPHA dc DGN BETA dc

Hukum arus Kirchhoff :
IE = IC + IB

Dengan dibagi IC maka :

IE IB 1 1 ! 1  " ! 1 IC IC E dc F dc

Beta dc dan Pengaruh Suhu

Fdc
T=150rC

T=-50rC

Sehingga :
F dc E dc ! 1  E dc
F dc F dc 1

E dc !

KURVA TRANSISTOR
Kurva Kolektor
Membuat rangkaian di bawah ini memperoleh data kurva kolektor CE. Memberi nilai tetap untuk IB. Mengubah-ubah VCC Mengukur IC dan VCE

IC

RC

RB

IB

VCE VCC

VBB

VBE

Grafik IC vs VCE
Jika VCE = 0, dioda kolektor tdk terbias reverse, IC sangat kecil. Jika VCE antara 0 dan 1, IC bertambah cepat, kemudian konstan.

IC
IB=30QA 3mA IB=20QA 2mA IB=10QA 1mA

VCE
1V

KURVA KOLEKTOR

 Pd kurva kolektor, kurva paling bawah adalah untuk IB=0. Kondisi IB=0 membuka hub kawat basis. Arus kolektor dgn kawat basis terbuka disingkat ICEO. CEO Collector to Emitter Open (kolektor ke emiter dgn basis terbuka) ICEO dihasilkan scr termal dan arus bocor permukaan

IC

IB = 0

ICEO

VCE