NAMA : SINGGIH KURNIAWAN

NIM : L2F008149
Mengapa Suhu Meningkat Mobilitas Electron Menurun dan Daya yang
dihasikan Menurun?
Saat Temperature diatas nilai nol pergerakkan atom membuat tekanan (acoustic)
didalam kristal yang disebut phonon . Seperti elektron, phonon dapat dipertimbangkan
sebagai partikel. Phonon dapat mempengaruhi (benturan) antara elektron atau hole dan
penghamburan phonon. Ketika temperature meningkat, terdapat kelebihan phonon didalam
suatu material, sehingga terjadi peningkatan persebaran phonon yang cenderung mengurangi
mobilitas elektron.
Dengan meningkatnya temperature, maka consentrasi phonon akan meningkat dan
dikarenakan peningkatan penghamburan. Selanjutnya penghamburan molekul lebih rendah
dari mobilitas carrier dan jauh lebih rendah saat temperature meningkat. Seperti yang terlihat
pada grafik dibawah ini :

Secara teori perhitungan menyatakan mobilitas didalam semikonduktor non polar
seperti silicon dan germanium didominasi oleh interaksi acoustic phonon. Hasil dari mobilitas
phonon diharapkan untuk proporsional dengan T
3/2
. Ketika mobilitas penghaburan optical
phonon hanya proporsional dengan nilai T
1/2
. Pada kenyataanya, temperature akan
mempengaruhi mobilitas Si, Ge dan GaAs yang dijelaskan dalam tabel berikut.
NAMA : SINGGIH KURNIAWAN
NIM : L2F008149

Ketika
1

:, dimana adalah penghaburan (scattering) yang melalui bagian

electron dan hole pada pusat scattering dan :adalah rat-rata termal (bolzmann statistic).
Secara keseluruhan kecepatan electron dan hole dalam pita konduksi lebih rendah dan lebih
tinggi didalam pita valensi. Saat temperature rendah ionized impurity scattering dominan,
ketika temperature tinggi phonon scattering dominan dan pada kenyataannya peningkatan
maximum pada temperature menengah.

Konduktivitas Pada Semikonduktor
Pada semikonduktor, konduktivitas s dan tahanan r dari suatu bahan tergantung pada
bilangan n, pembawa muatan, besar muatan q dan mobilitas m sesuai persamaan :
m
r
s nq = =
1
5.1
J ika kita tinjau faktor atom dan struktur yang mempengaruhi n dan m . Hal ini akan
memungkinkan kita menelaah faktor yang mempengaruhi pilihan bahan untuk disain dan
sifat dalam pemakaiannya.

x
m
v
= 5.2
Kecepatan v, suatu muatan dapat dihitung sesuai dengan persamaan diatas. Kecepatan
gerak ini sebanding dengan besarnya medan listrik x atau volt/m. J adi tanpa gradien voltage,
tak ada kecepatan gerak. Hal ini tidak berarti bahwa pembawa muatan tidak bergerak,
sebaliknya pergerakannya adalah secara acak sehingga muatan yang bergerak dalam satu arah
diimbangi oleh pergerakan muatan dalam arah yang berlawanan.
Pada semikonduktor intrinsik mempunyai pembawa negatif dan positif. Elektron
yang melompat kepita konduksi disebut pembawa muatan jenis negatif. Konduktivitas yang
dihasilkan tergantung pada mobilitas m
n
dalam pita kondukasi semikonduktor.
NAMA : SINGGIH KURNIAWAN
NIM : L2F008149
Lubang elektron yang terjadi dalam pita valensi merupakan pembawa muatan jenis
positif. Konduktivitas yang dihasilkan tergantung pada mobilitas m
p
dalam pita valensi
semikonduktor. Konduktivitas seluruhnya merupakan gabungan dari keduanya :
s =n
n
qm
n
+n
p
qm
p
5.4
Dengan sendirinya, baik lubang maupun elektron membawa muatan dasar yang sama
yaitu 0,16 x 10
-18
Coul. Dalam semikonduktor intrinsik, dimana terdapat perbandingan
pembentukan elektron konduksi dan lubang, satu banding satu ; n
n
=n
p
, persamaan diatas
dapat disederhanakan. Untuk semikonduktor intrinsik n
n
tidak sama dengan n
p
sehingga
bentuk persamaan tadi tetap digunakan.
Konduktivitas semikonduktor intrinsik meningkat dengan meningkatnya suhu. Hal ini
dapat dijelaskan sebagai berikut : J umlah pembawa muatan n, bertambah sebanding dengan
jumlah elektron yang dapat melompati sela. Pada suhu 0
o
K, tidak ada elektron yang
mempunyai cukup energi untuk melompat, akan tetapi dengan naiknya suhu, energi elektron
bertambah, pada 20
o
C, sejumlah elektron valensi dalam silikon, germanium dan timah
memiliki energi E
g
, yaitu sela energi.Distribusi elektron yang mendapat energi termal adalah :

kT rata Erata E
i
e n
/ ) ( - - -
5.5
dimana, n
i
adalah jumlah elektron/m
3
dalam pita konduksi. Dalam sela energi E
rata-rata

terdapat ditengah-tengah sela, E
g
/2. oleh karena itu

kT Eg
i
e n
2 / ) -
5.6
Sama halnya dengan pembahasan terdahulu, T adalah suhu absolut (K) dan k adalah
konstanta Boltzmann dan dinyatakan dalam 86,1 x 10
-6
eV/K.
Konduktivitas s berbanding lurus dengan junlah muatan n, oleh karena itu.

kt Eg
e
2 /
0
-
=s s 5.7
dimana s
0
adalah konstantan pembanding yang mencakup faktor-faktor, q dan m dari
persamaan tadi. Mobilitas m memang tergantung pada suhu akan tetapi perubahan tersebut
berada dalam batas-batas daerah kerja semikonduktor umumnya dan kecil bila dibandingkan
dengan perubahan eksponensial dari jumlah pembawa muatan n, oleh karena itu :
ns = ns0

5.8
Bila konduktivitas (atau tahanan) semikonduktor diukur di laboratorium maka E
g

dapat ditentukan kemiringan kurva, ln s terhadap E
g
yaitu kemiringan =- E
g
/2k. sebaliknya
bila diketahui E
g
dan s, kita dapat menghitung s pada suhu tertentu
NAMA : SINGGIH KURNIAWAN
NIM : L2F008149

Dari grafik diatas dapat kita lihat bahwa semakin besar kenaikkan suhu
mengakibatkan peningkatan konduktivitas dari material. Hal ini dikarenakan pada kurva
fungsi suhu adalah
1

, berbanding terbalik dengan nilai konduktivitas. Konduktivitas bahan

semikonduktor juga dipengaruhu oleh resistansi dimana kurva resistansi bahan
semikonduktor dapat kita lihat pada grafik dibawah ini :

Pada suhu normal, tahanan semikonduktor tinggi. Tetapi bila suhu meningkat,
tahanan menurun dengan laju. Pada suhu nol, semikonduktor berkelakuan sebagai isolator
NAMA : SINGGIH KURNIAWAN
NIM : L2F008149
sempurna. Pada suhu lebih tinggi, elektron valensi memerlukan energi yang tinggi untuk
menjadi elektron bebas. Oleh karena itu akibat penurunan nilai resistansi dan peningkatan
nilai konduktivitas pada fotovoltaik dengan menggunakan persamaan dasar V=I.R. pada suhu
tinggi saat rangkaian diberi arus yang tetap maka nilai tegangannya akan turun akibat
terjadinya penurunan nilai resistansi. Penurunan nilai tahanan yang menyebabkan penurunan
nilai tegangan mengakibatkan turunnya nilai daya keluaran dari fotovoltaik. Faktor lain yang
menyebabkan penurunan effisiensi dari fotovoltaik adalah ada nilai koefisien termal dari
material yang berbeda-beda.

Referensi
1. Arabshahi, H.Temperature and Doping Dependencies of Electron Mobility in InAs,
AiAs dan AIGaAs at high electric field.University of Mashhad.2008
2. Skoplaki, E.On The Temperature Dependence of Photovoltaic Module Electrical
Performance: A Riview Of Efficiency/Power Correlation.National University Institute
Of Athens.2008
3. Lama, Mustari.Pengembangan Bahan Ajar UMB.
4. http://en.wikipedia.org/wiki/Electron_mobility