DASAR ELEKTRONIKA 3 SKS

Semester Genap (4)

Oleh:
Anwar Mujadin
Struktur atom menurut Bohr. Ia melihatnya sebagai inti yang
dikelilingi oleh elektronelektron yang mengorbit. Inti atom
mempunyai muatan positif dan menarik elektron. Elektron akan jatuh
ke dalam inti bila tanpa gaya centrifugal dalam gerakannya. Jika
elektron bergerak dalam orbit yang stabil, ia mempunyai kecepatan
yang sesuai untuk gaya centrifugal untuk mengimbangi penarikan
inti. Makin dekat elektron pada inti atom, ia harus bergerak lebih
cepat untuk mengimbangi penarikan inti.
 Atom silikon (Si) mempunyai 14 proton dalam intinya, 2 elektron bergerak pada
orbit pertama, 8 elektron pada orbit kedua, dan 4 elektron pada orbit terluar
atau orbit valensi, ke 14 elektron berputar menetralkan muatan dari inti atom
sehingga dari luar atom (secara listrik) adalah netral.
Atom Germaium (Ge) mempunyai 32 proton dalam intinya, 2 elektron bergerak
pada orbit pertama, 8 elektron pada orbit kedua, 18 elektron pada orbit ketiga,
sedangkan pada orbit terluar atau orbit valensi diisi dengan 4 elektron, ke 32
elektron berputar menetralkan muatan dari inti atom sehingga dari luar atom
(secara listrik) adalah netral.
Antara Atom Silikon dan Germanium memliki sama-sama 4 elektron, oleh
karena itu antara Silikon dan Germanium disebut elemen tetravalent
(mempunyai 4 elektron valensi)
Energi diperlukan untuk memindahkan elektron dari orbit yang lebih kecil ke
orbit yang lebih besar karena kerja harus dilakukan untuk mengatasi
penarikan oleh inti. Olen sebab itu, makin besar orbit elektron, makin besar
energi potensialnya berkenaan dengan inti.
Agar rnudah menggambarkannya, kita dapat menggambarkan lengkungan
orbit sebagai garis datar. Orbit pertama menyatakan level energi pertama,
orbit kedua adalah level energi kedua dan seterusnya. Makin tinggi level
energi, makin besar energi elektron dan makin besar orbitnya.
 Energi luar seperti panas, cahaya dan radiasi lain, akan
mengangkat elektron ke level energi yang lebih tinggi (orbit yang
lebih besar). Keadaan ini disebut atom dalam keadaan eksitasi.
Keadaan ini tidak bertahan lama karena elektron segera jatuh
kembali ke level energi semula. Pada saat ia jatuh, Ia memberikan
kembali energi yang diperoleh ke dalam bentuk panas, cahaya
atau radiasi lain.
Level Energi

8
 Kristal
Jika atom-atom bergabung membentuk padatan (solid), mereka mengatur dirinya sendiri
dalam pola tataan tertentu yang disebut kristal. Gaya saling memegang dari atom
merupakan ikatan kovalen. Atom Silikon mempunyai 4 elektron dalam orbit valensinya.
Dalam bentuk kristalin membentuk ikatan kovalen, dimana 4 atom silikon bergabung
membentuk 8 elektron dalam orbit valensi. Masing-masing tetangga membagi elektron
dengan atom pusat. Keadaan ini stabil. Jika ada energi luar menarik elektron valensi ke level
energi yang lebih tinggi ( terjadi absorpsi), elektron keluar meninggalkan orbit terluar
sehingga kedudukan menjadi kosong, kekosongan ini dinamakan dengan hole. Hole sama
dengan ikatan kovalen putus. Keadaan ini tidak stabil

(a) Ikatan Kovalen

(b) Diagram Ikatan
(c) Hole
(d) Ikatan Putus

9
 Pita Energi
Ketika atom silikon membentuk kristal, orbit elektron bukan hanya dipengaruhi oleh
muatan dalam atomnya sendiri tetapi juga oleh inti dan elektron setiap atom lain dalam
kristal. Karena setiap elektron mempunyai kedudukan yang berbeda di dalam kristal,
tidak ada dua elektron terlihat benar-benar mempunyai pattern muatan sekeliling yang
sama. Oleh sebab itu, orbit tiap elektron berbeda.
Semua elektron yang bergerak dalam orbit pertama mempunyai level energi yang sedikit
berbeda karena tidak ada dua yang benar-benar terlihat mempunyai lingkungan muatan
yang sama. Karena ada bermilyar milyar elektron orbit pertama, membentuk level energi
berbentuk kelompok atau pita pertama. Sama halnya bermilyar elektron orbit kedua,
semua dengan level energi yang sedikit berbeda, membentuk pita energi kedua, begitu
juga orbit ketiga membentuk kelompok pita energi ketiga.

10
 Konduksi Dalam Kristal
Pada suhu nol mutlak, elektron tidak dapat bergerak melalui kristal. Semua elektron di-
pegang kuat oleh atom-atom silikon. Elektron orbit terdalam terikat oleh masing masing
atom. Orbit terluar merupakan bagian dari ikatan kovalen dan tidak dapat putus tanpa
menerima energi dari luar. Oleh sebab itu, pada suhu nol mutlak, kristal silikon berlaku
seperti isolator sempurna.

Tiga pita pertama terisi dan elektron tidak dapat bergerak dengan mudah dalam pita-pita ini.
Tetapi di atas pita valensi terdapat pita konduksi (conduction band).
Orbitorbit elektron dalam pita konduksi sangat labil sehingga penarikan inti diabaikan.
Elektron dalam pita konduksi dapat bergerak dari satu atom ke atom lainnya. elektron-
elektron dalam pita konduksi kerap kali disebut dengan elektron bebas (free electron).

11
 Diatas Nol Mutlak
Energi panas yang datang memutuskan beberapa ikatan kovalen, energi ini memukul
elektron valensi ke dalam pita konduksi. Dalam cara ini, kita peroleh elektron pita konduksi
dalam jumlah terbatas yang dilambangkan dengan tanda negatip. Di bawah pengaruh medan
listrik, elektron bebas ini bergerak ke kiri dan membentuk arus.

Dalam orbit pita konduksi yang lebih besar, elektron tidak terpegang secara kuat oleh atom
dan dapat dengan mudah bergerak dari satu atom ke atom berikutnya. setiap kali elektron
menembus ke dalam pita konduksi, dihasilkan hole dalam pita valensi.

Makin tinggi suhu, makin besar jumlah elektron tertendang ke dalam pita konduksi dan
makin besar arus yang keluar. Pada suhu ruang (sekitar 25C) sepotong silikon tidak
merupakan isolator maupun konduktor yang baik. Dengan alasan inilah, ia disebut
semikonduktor.

12
 Arus Hole
Hole juga dapat bergerak dan menghasilkan arus. Dengan perkataan lain, di dalam semi-
konduktor ada dua macam arus yang berbeda: arus pita konduksi dan arus hole.

Bagaimana Hole Bergerak

Hole baru pada A dapat menarik dan menangkap elektron valensi pada B. Ketika elektron
valensi bergerak dari B ke A, hole bergerak dari A ke B.

Energi thermal ( energi panas) menumbuk elektron dari pita valensi ke dalam pita konduksi.
Ini meninggalkan hole dalam pita valensi seperti ditunjukkan pada (b) Dengan perubahan
energi sedikit, etektron valensi pada A dapat bergerak ke dalam hole. Jika

Arus hole
Diagram Energi arus Hole
13
 Pasangan Elektron-Hole
setiap elektron pita konduksi berarti ada hole dalam orbit valensi dari beberapa atom. Dengan
perkataan lain, energi thermal menghasilkan pasangan elektron-hole. Hole berlaku seperti
muatan positif (tanda +) dan elektron pada pita konduksi berlaku muatan negatif (tanda -).

Doping berarti penambahan atom-atom impuritas (non tetravalent) pada kristal untuk
menambah jumlah elektron bebas maupun hole. Jika kristal sudah di-dop, disebut
semikonduktor ekstrinsik.

14
 Semikonduktor Tipe -n
Untuk mendapatkan tambahan elektron pada pita konduksi, kita tambahkan (doping) atom-
atom pentavalent (inpuritas atom) seperti arsen, antimon dan posfor; atom ini mempunyai
lima elektron dalam orbit valensi. Atom pentavalent dikenal dengan atom donor.

Atom pentavalent pada mulanya mempunyai lima elektron dalam orbit valensinya. Setelah
membentuk ikatan kovalen dengan empat tetangganya, atom pusat ini mempunyai kelebihan
elektron. Karena orbit valensi tidak dapat memegang lebih dari delapan elektron, elektron
sisa ini harus bergerak dalam orbit pita konduksi.

Dalam semikonduktor tipe-n elektron sebagai pembawa mayoritas (majority carrier) dan hole
sebagai pembawa minoritas (minority carrier). Silikon yang di-dop semacam ini dikenal
sebagai semikonduktor tipe-n di mana n berarti negatif.

15
 Semikonduktor Tipe -p
Bagaimana kita dapat men-dop kristal untuk mendapatkan tambahan hole? Dengan
menggunakan impuritas trivalent (atom dengan 3 elektron dalam orbit terluarnya). kita
sebuah hole muncul dalam setiap atom trivalent. Dengan mengontrol jumlah impuritas yang'
ditambahkan, kita dapat mengontrol jumlah hole dalam kristal yang di-dop. Atom trivalent
dikenal dengan atom akseptor contohnya alumunium,boron dan gallium.

Semikonduktor yang di-dop oleh impuritas trivalent dikenal sebagai sernikonduktor tipe-p, p
berarti positip. semikonduktor tipe-p memiliki hole mayoritas sedangkan elektron pita
konduksi adalah pembawa minoritas.

16
 Resistansi Bulk
Semikonduktor yang di dop dengan bahan atom inpurity akan menghasilkan
resistansi. Resistansi ini dinamakan resistansi bulk, semikonduktor yang
memiliki bahan dop inpurity yang sedikit akan memiliki resistansi bulk yang
sangat besar begitu juga sebaliknya, dengan bertambahnya bahan atom inpurity,
semikonduktor tersebut memiliki resistansi bulk berkurang (kecil)

17
 Junction pn (cont)
Junction (pertemuan) adalah daerah di mana tipe-p dan tipe-n bertemu, dan
dioda junction adalah nama lain untuk kristal pn. Kata dioda adalah penendekan
dari duo elektroda di mana di berarti dua.
Pada gambar terlihat sisi p mempunyai banyak hole dan sisi n banyak elektron
pita konduksi. Agar tidak membingungkan, pembawa minoritas tidak
ditunjukkan.
Elektron pada sisi n cenderung untuk berdifusi (tersebar) ke segala arah.
elektron akan jatuh ke dalam hole dan menciptakan sepasang ion.

(a) Sebelum difusi (b) setlah difusi (c) Medan lapisan

pengosongan

18
 Junction pn
Tiap pasang ion positif dan negatif" pada Gambar (b) disebut dipole. Penciptaan
dipole berarti satu elektron pita konduksi dan satu hole telah dikeluarkan dari
sirkulasi. Jika terbentuk sejumlah dipole, daerah dekat junction dikosongkan
dari rnuatan-rnuatan yang bergerak. Kita sebut daerah yang kosong muatan ini
dengan lapisan pengosongan (depletion layer).

(a) Sebelum difusi (b) setlah difusi (c) Medan lapisan

pengosongan

19
 Potensial Barier
Tiap dipole mempunyai medan listrik. oleh sebab itu jika elektron memasuki
lapisan pengosongan, medan mencoba mendorong elektron kembali ke dalam
daerah n. Kekuatan medan bertambah dengan berpindahnya tiap elektron
sampai akhirnya medan menghentikan difusi elektron yang melewati junction.

Beberapa pembawa minoritas bergeser melewati junction. Mereka akan

mengurangi medan yang menerimanya. Beberapa pembawa mayoritas berdifusi
melewati junction dan mengembalikan me dan pada harga semula.

adanya medan dan diantara ion adalah ekivalen dengan perbedaan potensial
yang disebut potensial barier. pada suhu 25C potensial barier kirakira sama
dengan 0,3 V untuk dioda germanium dan 0,7 V untuk dioda silikon.

20
 Foward Bias (cont)
Pada gambar terihat sumber dc pada dioda. Terminal negatip sumber dihubungkan
dengan bahan tipe-n, dan terminal positif dengan bahan tipe-p, Hubungan ini kita
sebut forward bias.
Arus mengalir dengan mudah dalam rangkaian , Jika elektron pita konduksi itu
bergerak menuju junction, ujung kanan kristal menjadi positip sedikit. lni terjadi
karena elektron pada ujung kanan kristal bergerak menuju junction dan
meninggalkan atom bermuatan positif di belakang. Atom bermuatan positif
kemudian menarik elektron ke dalam kristal dari terminal sumber negatif.
Jika elektron pada sisi n mendekati junction, mereka bergabung kembali dengan
hole. Kebanyakan penggabungan terjadi dekat junction. Untuk pendekatan
pertama, kita dapat membayangkan bahwa semua elektron pita konduksi
melakukan penggabungan ketika mereka mencapai junction.

21
 Reverse Bias
seperti ditunjukkan pada gambar Medan yang dihasilkan dari luar, searah dengan
arah melebar dan lapisan pengosongan. Karenanya, hole dan elektron bergerak
menuju ujung-ujung kristal (menjauhi junction). Elektron yang melarikan diri
meninggalkan ion positif dan hole yang pergi meninggalkan ion negatif; oleh sebab
itu, lapisan pengosongan bertambah lebar. Makin besar reverse bias, makin lebar
lapisan pengosongan. Lapisan pengosongan berhenti bertambah jika perbedaan
potensial sama dengan tegangan reverse yang diberikan.

Reverse bias (a) muatan (b) Pembawa minoritas

22
 Tegangan Breakdown (cont)
Bila tegangan reverse terus dinaikan dan akhirnya mencapai tegangan breakdown.
Untuk dioda penyearah, tegangan breakdown biasanya lebih besar dari 50 V. Sekali
tegangan breakdown tercapai, sejumlah besar pembawa minoritas muncul dalam
lapisan pengosongan dan dioda sangat konduksi.

Dengan bias reverse, elektron didorong lapisan pengosongan, elektron didorong ke

kanan dan hole ke kiri. Setelah bergerak, elektron memperbesar keeepatan. Makin
kuat medan lapisan pengosongan, makin eepat elektron bergerak. Untuk tegangan
reverse yang besar, elektron mencapai keeepatan tinggi. Elektron berkecepatan
tinggi ini bisa bertabrakan dengan elektron valensi dapat menggeser elektron valensi
ke dalam orbit pita konduksi.

23
 Tegangan Breakdown
Keduanya sekarang akan mempercepat dan seterusnya dapat mengeluarkan dua
elektron lagi. Dengan cara ini, jumlah pembawa minoritas menjadi sangat besar
dan dioda dapat konduksi sekali.

Dioda pada umumnya tidak diizinkan breakdown. Dengan perkataan lain,

tegangan reverse pada dioda dijaga kurang dari pada tegangan breakdown.

Kesimpulan
Dioda dibias forward mudah konduksi.
Dioda dibias reverse sukar konduksi.

Sebagai pendekatan ideal, dioda berlaku seperti saklar tertutup jika dibias
forward dan seperti saklar terbuka jika dibias reverse.

24
 Tegangan Breakdown
Keduanya sekarang akan mempercepat dan seterusnya dapat mengeluarkan dua
elektron lagi. Dengan cara ini, jumlah pembawa minoritas menjadi sangat besar
dan dioda dapat konduksi sekali.

Dioda pada umumnya tidak diizinkan breakdown. Dengan perkataan lain,

tegangan reverse pada dioda dijaga kurang dari pada tegangan breakdown.

Kesimpulan
Dioda dibias forward mudah konduksi.
Dioda dibias reverse sukar konduksi.

Sebagai pendekatan ideal, dioda berlaku seperti saklar tertutup jika dibias
forward dan seperti saklar terbuka jika dibias reverse.

25
Jenis Dioda

26