ELEKTRONIKA FISIS DASAR I

TRANSISTOR-2 DAN PRAKTIKUM

PERTEMUAN 14

ARIFIN

LABORATORIUM INSTRUMENTASI & ELEKTRONIKA

PROGRAM STUDI FISIKA JURUSAN FISIKA FMIPA
UNIVERSITAS HASANUDDIN
 PENGUAT EMITER DITANAHKAN

Penguat emiter ditanahkan adalah penguat yang

menggunakan transistor dengan kaki emiter
digroundkan, sinyal masukan dan keluaran
dihubungkan dengan basis kolektor.
Penguat emiter ditanahkan mempunyai karakter
sebagai penguat tegangan.
Karakteristik Penguat Emiter Ditanahkan

Sinyak keluaran berbalik fasa 180 derajat dengan

sinyal masukan
Memungkinkan terjadinya osilasi karena adanya
umpan balik positif, sehingga sering dipasang
umpan balik negatif untuk mencegahnya.
Sering dipakai pada penguat frekuensi rendah
Mempunyai stabilitas penguatan yang rendah
karena bergantung pada kestabilan suhu dan
bias transistor.
Analisis Rangkaian Penguat Emiter Ditanahkan

Dari gambar dapat ditentukan impedansi masukan (Zi)

dan impedansi keluaran (Zo), dengan menggunakan
suatu model yang dapat menggantikan transistor
menjadi sumber-sumber dan hambatan-hambatan.
Model yang umum digunakan adalah model hybrid-,
dengan mengacu pada arus kolektor (IC) sebagai dasar
untuk menentukan transkonduktansi (gm) dari transistor.
Analisis Rangkaian Penguat Emiter Ditanahkan

Dengan menerapkan analisis

DC di mana semua kapasitor
dianggap sebagai suatu hubung
terbuka, dapat ditentukan arus
basis IB, arus emitor IE dan arus
kolektor IC sbb:
Setelah arus basis IB, arus emitor IE dan arus
kolektor IC ditentukan, maka selanjutnya dapat
digambarkan rangkaian pengganti untuk
transistor dalam mode arus AC sbb:
 Rangkaian ekivalen

Model di atas menggambarkan hubungan basis dengan emitor

sebagai sebuah hambatan r, dan hubungan antara kolektor
dengan emitor digambarkan sebagai sebuah sumber arus
terkendali tegangan (voltage controlled current source, VCCS)
yang besarnya diatur oleh perkalian nilai transkonduktansi (gm)
dengan nilai tegangan dari hambatan basis-emitor (v).
 Transkonduktansi dan Hambatan

Besarnya transkonduktansi
(gm) dapat dihitung sbb:

Dimana k adalah konstanta bahan transistor,

T adalah suhu ruangan (dalam satuan kelvin, K)
q adalah massa satu elektron (1,62.1023 C). Pada
keadaan ideal (suhu ruangan), nilai kT/q adalah 25 mV.
Nilai hambatan basis-emitor, r, dapat dihitung sbb:
 Field Effect Transistor (FET)
Mengapa kita masih perlu transistor jenis lain?
BJT mempunyai sedikit masalah.
BJT selalu memerlukan arus basis IB, walaupun arus ini kecil, tetapi tidak
bisa diabaikan, terutama sekali saat BJT digunakan sebagai saklar, pasti
dibutuhkan arus yang cukup besar untk membuat transistor jenuh.
Dengan perantaraan FET, kita dapat menghubungkan peralatan komputer
atau transduser yang tidak bisa menghasilkan arus, dengan alat yang lebih
besar.
FET bisa digunakan sbg bufer, sehingga tidak membutuhkan arus dari
komputer/trasduser.
Dengan perantaraan FET, dapat menghubungkan peralatan komputer atau
transduser yang tidak bisa menghasilkan arus, dengan alat yang lebih besar.
FET bisa digunakan sbg bufer, sehingga tidak membutuhkan arus dari
komputer/trasduser. 8
 Jenis-Jenis FET

JFET (Junction FET)

MOSFET (Metal Oxide Silikon FET)
PMOS ( MOS saluran P)
NMOS (MOS saluran N)
Masih banyak lagi

9
Junction FETs

10
JFET Saluran N

11
JFET Saluran N

12
JFET

13
 JFET

Typical drain characteristics of an n-channel JFET.

14
 JFET

If vDG exceeds the breakdown voltage VB,

drain current increases rapidly.
15
 Kurva Karakteristik Junction FET

Hubungan
VGS dan ID
2
I D k VGS VP

k : konstanta
VP : tegangan pinch-off atau threshold.
Arus dibatasi hanya saat tegangan VGS = 0 16
 KURVA VDS-ID Junction FET

Linear
Saturation
Ada dua daerah operasi:
Saturation & linear.

Linear
2
I D k VGS VP

Saturation
2
VDS
I D 2k VGS VP VDS
2

17
 JFET- Variable resistor

VDD

For low values of VDS the

slopes, change from
RD a resistance
(~5v/2.7mA~1.9k) to
RG a resistance
VGS (5v/10mA~0.5k).
A resistance is
controlled by an input
voltage.
VDS, DRAIN-SOURCE
This makes it possible to have an element in a circuit VOLTAGE, (Volts)
that can be electronically adjusted.
18
N-Channel Depletion MOSFET

19
Drain Characteristics

20
Rangkaian Penguat Sederhana Menggunakan NMOS

21
Drain Characteristics and Load Line

22
Common-Source Amplifier

23
Rangkaian Ekivalen Common-Source Amplifier

24
Common-Source Amplifier dengan Nilai R

25
vo(t) dan vin(t) versus time

26
Gain Magnitude Versus Frequency

27
Source Follower

28
Rangkaian Ekivalen Source Follower

29
Common-Gate Amplifier

30
 MOSFET-switch

VDD

IRF510
RLOAD
VGS

RG Power MOSFET dapat dialiri arus besar sampai 75

A, dan daya 150 W.
Saat ON punya hambatan sekitar 10 Ohm.
Contoh : IRF510
Mempunyai arus maksimum 5,6 A dab hambatan
saat ON 0,4 Ohm.
31
 MOSFET-Switch (2)

Note the
log scale! Kurva ID vs. VGS.
Ideal saklar:

ON saat OFF Arus =0.

Dari kuva terlihat :
Tegangan VGS
< 3 volt, ID = 0
>5V arus besar.

OFF

32
 NMOS & PMOS Compared
PMOS
NMOS
Body p-type Body n-type
Source n-type Source p-type
Drain n-type Drain p-type
VGS positive VGS negative
VT positive VT negative
VDS positive VDS negative
ID positive (into drain) ID negative (into drain)
G G
S D S D
ID ID
n p n p
n
B B
ID ID
VGS=3V VGS= 3V
1 mA 1 mA
(for IDS =
(for IDS =
1mA) VGS=0 -1mA) VGS=0
VDS VDS 33
1 2 3 4 1 2 3 4
 Circuit Symbols

D D

G G

S S
NMOS circuit symbol PMOS circuit symbol

A small circle is drawn at the gate

to remind us that the polarities are
reversed for PMOS.

34
 PMOS Transistor Switch Model
Operation compared to NMOS: It is complementary.
S
VDD S VDD S

G G
G VG =0
VDD VG = VDD
V=0
D D
Switch OPEN Switch CLOSED D

For PMOS for the normal circuit connection is to connect

S to VDD (The function of the device is a pull up)

Switch is closed: Drain (D) is connected to Source (S) when VG =0

Switch is open : Drain (D) is disconnected from Source (S) when VG = VDD
35