Karakteristik Transistor sambungan N-P-N

Fazliana Samaun*)

Jurusan Fisika, Fakultas MIPA, Universitas Negeri Gorontalo

Jl. Jendral Sudirman No.6 Kota Gorontalo, 96128
*)
fazlianasamaun@yahoo.co.id

Abstrak
Telah dilakukan praktikum karakteristik transistor sambungan n-p-n. Adapun tujuan dilaksanakan
praktikum ini untuk mengetahui pengaruh tegangan input terhadap kuat arus output dari perangkat
ketiga terminal yaitu emitor, basis, dan kolektor. Alat dan bahan yang digunakan 2 multimeter analog,
mikrometer, power supply (catu daya), 3 resistor 100 , transistor BC33725-E3R tipe NPN, dan
transistor variable (potensiometer). Saat tegangan 0 volt yang diberikan pada kuat arus emitor, kuat arus
kolektor dan kuat arus basis nilainya adalah 0 A. Tetapi pada tegangan dinaikan 0,1 volt kuat arus
yang mengalir pada emitor,kolektor dan basis juga meningkat masing-masing yaitu 2 A, 4 A dan 6
A.
Kata Kunci: Transistor

Abstract
A practicum has bee connection transistor characteristics n-p-n. The purpose of this practicum
conducted to determine the effect of input voltage to output current strength of the three terminal device
that is the emitter, base and collector. Tools and materials used 2 analog multimeters, micrometers,
power supply (power supply), 3 100 resistor, transistor-E3R BC33725 NPN type, and transistor
variable (potentiometer). When voltage is 0 volts given the strong emitter current, strong currents and
strong collector base current value is 0 uA. But at a voltage of 0.1 volts raised strong current flowing in
the emitter, collector and base also increased each uA ie 2, 4 and 6 uA uA.
Keywords: Transistor
1. Pendahuluan
Suatu transistor adalah seserpih kristal yang
terdiri dari tiga daerah dengan isi tak murnian
yang berbeda.
Basis
Emiter Kolektor
(a)
Basis
Emiter Kolektor
(b)
Gambar 1. (a) Transistor hunbungan npn (b)
Transistor hubungan pnp
Bagian yang disebut emiter mengandung tak
murnian berkadar tinggi ; tugasnya adalah
menyalurkan elektron ke dalam basisnya.
Bagian yang disebut basis mengandung tak
murnian berkadar rendah dan merupakan bagian
yang sangat tipis. Tuganya adalah meneruskan
sebagian terbesar dari elektron suntikan emitter
tersebut kepada kolektor. Tingkat kadar tak
murnian dalam kolektor terletak diantara kadar-
kadar tak murnian dari emitter dan basis.
Kolektor merupakan daerah ang terbesar dari
tiga daerah transistor tersebut, karena harus
menangani disipasi energy yang lebih besar dari
dua daerah lainnya. Untuk transistor npn,
elektron bebas merupakan pembawa-pembawa
mayotitas dalam emiter dan kolektor. [1]
Transistor hubungan merupakan versi benda
padat dari triode tabung hampa. Transistor ini
terdiri dari semikonduktor kristal tunggal (yaitu
germanium atau silicon) dimana lapisan tipis
jenis p diselipkan diantara dua lapisan jenis n,
struktur yang terbentuk disebut transistor n-p-n.
transistor dapat pula terdiri dari lapisan jenis n
yang diselipkan diantara dua lapisan jenis p dan
susunan yang terbentuk dinamakan transistor
jenis p-n-p. [2]
Arus masuk ke transistor lewat terminal
emitter dalam transistor p-n-p, sedangkan
dalam transistor n-p-n, arus keluar transistor
lewat terminal emiter. [3]
Untuk operasi normal transistor, dioda emiter
diberi prategangan maju dan dioda kolektor
diberi prategangan balik. Pada saat dioda emiter
diberi prategangan maju , elektron-elektron
bebas dalam emiter belum tentu akan memasuki
daerah basis. Namun jika tegangan yang
diberikan diberi tegangan melebihi 0,7 Volt,
maka sejumlah elektron-elektron bebas tersebut
akan memasuki daerah basis. Mengingat bahwa
daerah basis sangat tipis dan mengandung tak
murnian yang berkadar rendah, sebagian
terbesar dari elektron-elektron bebas dalam
basis akan berdifusi ke dalam kolektor. Segera
setelah memasuki kolektor , elektron-elektron
bebas tersebut akan mengalir ke dalam penyalur
keluar dari kelektor dan meneruskan
perjalanannya ke terminal positif dari baterai.
[4]
Transistor adalah alat semikonduktor yang
dipakai sebagai penguat, pemotong (switching),
stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau fungsi
lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam
kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya
(BJT) atau tegangan inputnya (FET),
memungkinkan pengaliran listrik yang sangat
akurat dari sirkuit sumber listriknya. [5]
Tujuan dilaksanakan praktikum ini adalah
untuk mengetahui pengaruh tegangan input
terhadap kuat arus output dari perangkat ketiga
terminal yaitu emitor, basis, dan kolektor
2. Metode Penelitian
2.1 Alat dan Bahan
Alat yang digunakan adalah 2 multimeter
analog, mikrometer, dan power supply.
Adapaun bahan yang digunakan adalah 3
resistor 100 , transistor BC33725-E3R tipe
NPN, transistor variable (potensiometer), papan
PCB dan kabel penghubung.
2.2 Rancangan Penelitian Dari serangkaian percobaan yang dilakukan,
didapatkan data hasil percobaan sebagai berikut:
Tabel 1. Hasil pengamatan karakteristik
transistor
Vin(Volt) IB(A) IC(A) IE(A)

0 0 0 0

0,1 2 4 6

0,2 3 6 9
Gambar 2. Skema Rangkaian Karakteristik
Transistor
0,3 5 9 14
Rangkaian tersebut diberi tegangan input 0
0.7 Volt. Dan di hasilkan arus emiter, basis dan 0,4 6 12 18
kolektor.

0.5 8 19 27
3. Hasil dan Pembahasan
Dari praktikum yang telah dilakukan, disusun
rangkaian atas transistor, 3 buah resistor 0.6 9 31 40
(hambatan) R1, R2, dan R3, dan potensio. Pada
potensio terdapat tiga kaki. Kaki pertama
potensio disambungkan dengan hambatan R1, 0,7 10 38 48
kaki kedua disambungkan dengan hambatan R2,
dan kaki ketiga disambungkan dengan emitor. Dari analisa data yang didapat dari
Setelah itu untuk mengukur arusnya digunakan pengambilan data pada praktikum transistor ini,
mikrometer dan multimeter analog dua buah. maka dapat dibuat tiga buah grafik diantaranya
Untuk mikrometer mengukur arus basis, grafik hubungan antara Vinput dan IB, grafik
multimeter untuk kolektor dan multimeter hubungan antara Vinput dan IC, grafik hubungan
lainnya untuk emitor. Untuk basis dihubungkan antara Vinput dan IE .
ke mikrometer positif, lalu hambatan untuk 12
basis yaitu R2 dihubungkan ke mikrometer
negative, dimana mikrometer positif 10
dihubungkan ke catu daya positif. Untuk
Kolektor disambungkan ke multimeter analog 8
IB (A)

negative, hambatan kolektor R3 dihubungkan ke

multimeter analog negative, dimana multimeter 6
positif dihubungkan ke catu daya positif
menggunakan tegangan bias maju. Dan untuk 4

emitor yang tersambung dengan kaki potensia

2
ketiga dihubungkan ke multimeter analog
positif. begitu juga dengan hambatan R3 0
dihubungkan ke multimeter analog positif, 0 0.2 0.4 0.6 0.8
multimeter negative dihubungkan ke catu daya
Vinput (Volt)
negative. Kemudian kaki bebas dari R1
dihubungkan ke catu daya negative. Gambar 3. Grafik hubungan antara Vinput dan IB
 45 keluaran dan tegangan keluaran. Artinya setiap
tegangan input diperbesarn maka arus keluaran
40
dan tegangan keluaran semakin besar pula.
35
30 Pada penggunaan transistor tipe NPN,
IC (A)

25 dimana arus masukannya adalah arus basis (IB)

20
dan arus kolektor (IC), sedangkan arus
keluarannya ialah arus emitor (IE) yang
15
disebabkan oleh daerah emitor memiliki
10 konsentrasi doping yang tinggi untuk
5 menghasilkan sumber yang cukup yaitu
0
elektron. Ini mengacu pada persamaan Hukum
0 0.2 0.4 0.6 0.8 Kirchoff bahwa arus masukan sama dengan arus
Vinput (Volt) keluaran. Secara matematis dapat dirumuskan:
IE = IB + IC
Gambar 4. Grafik hubungan antara Vinput dan IC
4. Kesimpulan
60

50
Pada transiston n-p-n arus keluar transistor
lewat emiter. Arus input dapat mempengaruhi
40 arus keluaran pada terminal transistor bipolar
NPN Tipe BC33725-E3R (arus basis, arus
IE (A)

30 kolektor, dan arus emitor) dan tegangan

20
10
0
0 0.2 0.4 0.6
Vinput (Volt)
Gambar 5. Grafik hubungan antara Vinput dan IE
Pada grafik hubungan antara Vinput
IE, grafik hubungan antara Vinput dan IB,
grafik hubungan antara Vinput dan IC
Vinput dinaikkan 0.1, maka nilai IC, IE dan IB
ngalami kenaikan yang besar.
Berdasarkan data dan grafik hasil percobaan,
saat tegangan input yang terbaca pada catu daya
power supply dirubah menghasilkan arus
keluaran (basis, emitor, dan kolektor) dan
tegangan keluaran juga akan
berubah pula. Maka membuktikan bahwa tegan
gan akan mempengaruhi arus keluaran (IB, IC
dan IE) dan tegangan keluaran basis kolektor.
Hal ini pun terlihat pada grafik diatas bahwa
tegangan input berbanding lurus dengan arus
keluaran basis-kolektor pada transistor bipolar
NPN. Dimana, jika arus input diperbesar maka
arus keluaran dan tegangan keluaran semakin
besar pula.
0.8 DAFTAR PUSTAKA
[1]. Malvino, Albert Paul. 1985. Aproksimasi
Rangkaian Semikonduktor: Pengantar
Transistor dan Rangkaian Terpadu.
dan Jakarta: Erlangga. (Hal 122-123).
dan
[2] Chattopadhyay D. 1989. Dasar Elektronika.
saat
Jakarta: UI-Press. (Hal 134-135).
me
[3] Boylestad, Robert L. 2006. Electronic
Devices and Circuit Theory. USA:
Pearson Education, Inc. (Hal 131).
[4] Robertson, Christopher D. 2008.
Fundamental Electrical and Electronic
Principles. USA: Elsevier (Hal 275)
[5] Oklilas, Ahmad Fali. 2007. Elektronika
Dasar. Palembang: Universitas Sriwijaya