TUGAS RANGKUMAN ELEKRONIKA

DIODA SEMIKONDUKTOR

OLEH

NAMA : ISRA

STAMBUK : F1B1 16 012

KELAS : FISIKA B

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS HALU OLEO

KENDARI

2017
 Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda,
transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena
bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan-bahan logam seperti tembaga, besi, timah
disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian
rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas.

Tahun 1906, Pickard merancang suatu diode detector dari Kristal silikon yang disebut
dengan nama Cats wishker, dimana alat yang dibuatnya ini terdiri atas suatu kawat yang
disambungkan dengan Kristal silikon, alat inilah yang dikenal sebagai dioada semikonduktor
yang pertama.

Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan pakai lem , maka akan didapat
sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai dioda. Pada pembuatannya memang
material tipe P dan tipe N bukan disambung secara harpiah, melainkan dari satu bahan
(monolithic) dengan memberi doping (impurity material) yang berbeda.

Sebagian besar dioda saat ini berdasarkan pada teknologi pertemuan p-n
semikonduktor. Pada dioda p-n, arus mengalir dari sisi tipe-p (anoda) menuju sisi tipe-n
(katoda), tetapi tidak mengalir dalam arah sebaliknya. Tipe lain dari dioda semikonduktor
adalah dioda Schottky yang dibentuk dari pertemuan antara logam dan semikonduktor (sawar
Schottky) sebagai pengganti pertemuan p-n konvensional.

1. Jenis-jenis dioda semikonduktor

a) Dioda biasa
Biasanya dibuat dari silikon terkotori atau yang lebih langka dari germanium.
Sebelum pengembangan dioda penyearah silikon modern, digunakan kuprous oksida
(kuprox)dan selenium, pertemuan ini memberikan efisiensi yang rendah dan penurunan
tegangan maju yang lebih tinggi (biasanya 1.41.7 V tiap pertemuan, dengan banyak
lapisan pertemuan ditumpuk untuk mempertinggi ketahanan terhadap tegangan
terbalik), dan memerlukan benaman bahan yang besar (kadang-kadang) perpanjangan
dari substrat logam dari dioda), jauh lebih besar dari dioda silikon untuk rating arus
yang sama.
b) Dioda bandangan
Dioda yang menghantar pada arah terbalik ketika tegangan panjar mundur melebihi
tegangan dadal dari pertemuan P-N. Secara listrik mirip dan sulit dibedakan dengan
dioda Zener, dan kadang-kadang salah disebut sebagai dioda Zener, padahal dioda ini
menghantar dengan mekanisme yang berbeda yaitu efek bandangan. Efek ini terjadi
ketika medan listrik terbalik yang membentangi pertemuan p-n menyebabkan
gelombang ionisasi pada pertemuan, menyebabkan arus besar mengalir melewatinya,
mengingatkan pada terjadinya bandangan yang menjebol bendungan. Dioda bandangan
didesain untuk dadal pada tegangan terbalik tertentu tanpa menjadi rusak. Perbedaan
antara dioda bandangan (yang mempunyai tegangan dadal terbalik diatas 6.2 V) dan
dioda Zener adalah panjang kanal yang melebihi rerata jalur bebas dari elektron, jadi
ada tumbukan antara mereka. Perbedaan yang mudah dilihat adalah keduanya
mempunyai koefisien suhu yang berbeda, dioda bandangan berkoefisien positif,
sedangkan Zener berkoefisien negatif.
c) Dioda Cat's whisker
Diode ini adalah salah satu jenis dioda kontak titik. Dioda cat's whisker terdiri dari
kawat logam tipis dan tajam yang ditekankan pada kristal semikonduktor, biasanya
galena atau sepotong batu bara. Kawatnya membentuk anoda dan kristalnya
membentuk katoda. Dioda Cat's whisker juga disebut dioda kristal dan digunakan pada
penerima radio kristal.
d) Dioda arus tetap
Diode ini sebenarnya adalah sebuah JFET dengan kaki gerbangnya disambungkan
langsung ke kaki sumber, dan berfungsi seperti pembatas arus dua saluran (analog
dengan Zener yang membatasi tegangan). Peranti ini mengizinkan arus untuk mengalir
hingga harga tertentu, dan lalu menahan arus untuk tidak bertambah lebih lanjut.
e) Esaki atau dioda terobosan
Dioda ini mempunyai karakteristik resistansi negatif pada daerah operasinya yang
disebabkan oleh quantum tunneling, karenanya memungkinkan penguatan isyarat dan
sirkuit dwimantap sederhana. Dioda ini juga jenis yang paling tahan terhadap radiasi
radioaktif.
f) Dioda Gunn
Dioda ini mirip dengan dioda terowongan karena dibuat dari bahan seperti GaAs
atau InP yang mempunyai daerah resistansi negatif. Dengan panjar yang semestinya,
 domain dipol terbentuk dan bergerak melalui dioda, memungkinkan osilator gelombang
mikro frekuensi tinggi dibuat.
g) Dioda foto
Dioda foto adalah jenis dioda yang berfungsi mendeteksi cahaya. Berbeda dengan
dioda biasa, komponen elektronika ini akan mengubah cahaya menjadi arus listrik.
Cahaya yang dapat dideteksi oleh dioda foto ini mulai dari cahaya infra merah, cahaya
tampak, ultra ungu sampai dengan sinar-X. Aplikasi dioda foto mulai dari penghitung
kendaraan di jalan umum secara otomatis, pengukur cahaya pada kamera serta beberapa
peralatan di bidang medis. Alat yang mirip dengan Dioda foto adalah Transistor foto
(Phototransistor). Transistor foto ini pada dasarnya adalah jenis transistor bipolar yang
menggunakan kontak (junction) base-collector untuk menerima cahaya. Komponen ini
mempunyai sensitivitas yang lebih baik jika dibandingkan dengan Dioda Foto. Hal ini
disebabkan karena elektron yang ditimbulkan oleh foton cahaya pada junction ini di-
injeksikan di bagian Base dan diperkuat di bagian Kolektornya. Namun demikian,
waktu respons dari Transistor-foto secara umum akan lebih lambat dari pada Dioda-
Foto.
h) LED
Dioda cahaya atau lebih dikenal dengan sebutan LED (light-emitting diode) adalah
suatu semikonduktor yang memancarkan cahaya monokromatik yang tidak koheren
ketika diberi tegangan maju. Gejala ini termasuk bentuk elektroluminesensi. Warna
yang dihasilkan bergantung pada bahan semikonduktor yang dipakai, dan bisa juga
ultraviolet dekat atau inframerah dekat.

i) Dioda Varaktor
Dioda ini memiliki karakter yang cukup unik. Jika dioda ini diberikan arus maju,
maka di kedua kutup dioda terdapat kapasitansi yang besarnya beberapa pF. Dioda ini
banyak dimanfaatkan sebagai dioda tuning.
2. Karakteristik ArusTegangan Diode Semikonduktor
Karakteristik arustegangan dari dioda, atau kurva IV, berhubungan dengan
perpindahan dari pembawa melalui yang dinamakan lapisan penipisan atau daerah
pemiskinan yang terdapat pada pertemuan p-n diantara semikonduktor. Ketika pertemuan
p-n dibuat, elektron pita konduksi dari daerah N menyebar ke daerah P dimana terdapat
banyak lubang yang menyebabkan elektron bergabung dan mengisi lubang yang ada, baik
lubang dan elektron bebas yang ada lenyap, meninggalkan donor bermuatan positif pada
sisi-N dan akseptor bermuatan negatif pada sisi-P. Daerah disekitar pertemuan p-n
menjadi dimiskinkan dari pembawa muatan dan karenanya berlaku sebagai isolator.
Walaupun begitu, lebar dari daerah pemiskinan tidak dapat tumbuh tanpa batas. Untuk
setiap pasangan elektron-lubang yang bergabung, ion pengotor bermuatan positif
ditinggalkan pada daerah terkotori-n dan ion pengotor bermuatan negatif ditinggalkan
pada daerah terkotori-p. Saat penggabungan berlangsung dan lebih banyak ion
ditimbulkan, sebuah medan listrik terbentuk didalam daerah pemiskinan yang
memperlambat penggabungan dan akhirnya menghentikannya. Medan listrik ini
menghasilkan tegangan tetap dalam pertemuan.