BAB 2 SEMIKONDUKTOR

2.1 KONDUKTOR

Tembaga adalah konduktor yang baik, alasan ini menjadi adalah jelas ketika kita melihat
pada struktur atom.

ORBIT-ORBIT STABIL
yang lebih besar dari sebuah elemen akan mengalami penarikan yang lebih kecil dari
nukleus dalam sbuah orbit yang lebih besar, sebuah elektron berjalan lebih lambat menghasilkan
sedikit kekuatan centrifugal.

INTI
Dalam elektronik semua masalah ada dalam orbit luar ini disebut orbit valensi. Orbit ini
mengontrol kemampuan elektrikal atom. Untuk menekankan pentingnya orbit valensi, kita
definisikan inti dari sebuah atom seperti nukleus dan semua orbit bagian dalam.
Karna adanya tarik menarik antara inti dan valensi elektron sangat lemah, maka sebuah
dorongan keluar dapat dengan mudah mengeluarkan elektron-elektron dari atom tembaga. Inilah
sebabnya kenapa kita menyebut elektron valensi sebuah elektron bebas.

2.2 SEMIKONDUKTOR

Konduktor terbaik(perak,tembaga dan emas) mempunyai satu elektron valensi, dimana

insulator terbaik mempunyai delapan elektron valensi. Sebuah seemikonduktor adalah semua
elemen dengan kemampuan listrik di antara sebuah konduktor dan insulator.

GERMANIUM
Germanium adalah contoh dari sebuah semikonduktor. Ia mempunyai empat elektron
dalam orbit valensi. Beberapa tahun yang lalu germanium adalah satu-satunya bahan yang cocok
untuk membuat peralatan semikonduktor. Tetapi peralatan germanium mempunyai sebuah
kekurangan yang fatal yaitu arus balik yang sangat besar. Akhirnya semikonduktor lain dinamakan
silikon menjadi suatu yg di pakai dan membuat germanium usang yang sebagian besar pemakaian
elektronik.

SILIKON
Silikon adalah elemen yang banyak dalam dunia. Satu dari masalah tersebut terselesaikan,
keuntungan silikon segera membuat-membuatnya pilihan semikonduktor. Tanpa itu elektronika
modern, komunikasi dan komputer tidak dapat bekerja. Sebuah atom silikon terisolasi mempunyai
14 proton dan 14 elektron.
2.3 KRISTAL-KRISTAL SILIKON

Ketika atom-atom silikon bergabung menjadi satu kesatuan,mereka membentuk dirinya

sendiri sebuah bentuk yang dinamakan sebuah kristal. Masing-masing atom silikon membagi
elektron-elektronnya dengan 4 atom yang berdampingan dan mempunyai 8 elektron dalam orbit
valensi.

IKATAN KOVALEN
Masing-masing yang berdekatan membagi sebuah elektron dengan atom int. Dalam hal
ini inti atom mempunyai empat elektron tambahan, memberikan seluruh 8 elektron ke dalam orbit
valensi. Elektron-elektron tersebut tidak begitu lama menjadi atom tunggal. Masing-masing init
atom dan atom yang berdampingan membagi elektron-elektron, hal itu juga terjadi pada atom-
atom silikon yang lain. Dengan kata lain setiap bagian sebuah kristal silikon mempunyai 4 atom
yang berdampingan.

PENYATUAN VALENSI
Setiap atom terdiri di dalam kristal silikon mempunyai 8 elektron di dalam orbit
valensinya. 8 elektron tersebut menghasilkan sebuah stabilitas kimia yang mengakibatkan bahan
silikon menjadi padat . tidak ada seorangpun yang yakin bagaimana orbit paling luar dari seluruh
elemen mempunyai kecendrungan memliki 8 elektron. Ketika 8 elektron tidak berada dalam
sebuah elemen maka menjadi sebuah kecendrungan bagi elemen untuk mengkombinasikan dan
membagi elektron-elektron menjadi atom lainnya sehingga memiliki 5 elektron dalam orbit yang
terluar.
Terdapan persamaan dalam fisika yang secara sebagian menjelaskan mengapa delapan
elektron menghasilkan stabilitas kimia dalam materi yang berbeda, tetapi tidak seorangpun
mengetahui alasannya mengapa nomor 8 merupakan nomor spesial. Hal ini merupakan salah satu
hukum seperti hukum gravitasi. Hukum coulomb dan hukum lainnya yang kami selidiki tidak
secara penuh dapat dijelaskan.
Ketika orbit valensi mempunyai 8 elektron, maka terjadi penyatuan karena tidak ada lagi
elektron yang dapat masuk ke dalam orbit. Seperti ditunjukkan dalam teori bawah ini :

Penyatuan valensi: n = 8

Hal ini berarti, orbit valensi hanya dapat diisi oleh tidak lebih dari 8 elektron. Selanjutnya
8 elektron tersebut disebut loncatan elektron karena mereka dipegang secara kuat oleh atom. Sebab
dari beberapa loncatan elektron tersebut, sebuah kristal silikon hampir menjadi sebuah insulator
yang sempurna dalam sebuah ruangan dengan temperatur kira-kira 25℃.
LUBANG
Temperature ambient adalah temperatur yang mengelilingi udara. Ketika temperature
ambient ada di bawah suhu mutlak nol, energi atas dalam udara menyebabkan atom-atom di dalam
kristal bergelombang. Suhu ambient yang lebih tinggi menjadikan gelombang yang lebih besar.
Dalam slikon kristal gelombang-gelombang tersebut dapat secara tiba-tiba tidak mengenai sebuah
elektron dari orbit valensi.

REKOMBINASI DAN LIFETIME

Di dalam sebuah silikon kristal yang murni,energi panas membentuk sebuah angka yang
sama dari elektron bebas dan lubang. Elektron-elektron bebas bergerak melalui kristal secara
random, kadang-kadang sebuah elektron bebas akan mendekai sebuah lubang,merasakan
tarikannya dan jatuh ke dalamnya.

2.4 SEMIKONDUKTOR MURNI

Semikonduktor intrinsik adalah konduktor murni. Sebuah silikon kristal adalah sebuah
semikonduktor murni jika setiap atom di dalam kristal adalah atom silikon. Dalam suhu ruangan
sebuah silikon bertingkah seperti sebuah insulator sebab ia hanya mempunyai beberapa elektron
bebas dan lubang yang di produksi oleh energi panas.

ALIRAN ELEKTRON-ELEKTRON BEBAS

Elektron bebas berada di sebuah orbit yang besar di sebelah kanan dari kristal, sebab
piringan muatan negatif, elektron bebas di tolak ke kiri. Elektron bebas dapat bergerak dari satu
orbit yang luas ke berikutnya sampai ia sampai ke piringan positif.

2.5 DUA TIPE ALIRAN

Elektron-elektron bebas pada pusat baterai negatif akan beergerak ke kanan dari kristal.
Pada saat itu mereka memasuki kristal dan bergabung dengan lubang yang sampai pada bagian
kanan kristal. Pada saat itu sebuah gerakan tetap dari elektron bebas dan lubang yang terjadi di
dalam semi konduktor.

2.6 PENYUNTIKAN SEMIKONDUKTOR

Satu cara untuk menambah daya konduksi semikonduktor adalah dengan menyuntik
(doping). Hal ini menambahkan atom-atom yang tidak murni. Kedalam kristal intrinstik untuk
mengubah daya induksi elektrikalnya. Suatu penyuntikan semikonduktor disebut suatu
semikonduktor ekstrintik.

PENAMBAHAN ELEKTRON-ELEKTRON BEBAS

Bagaimana cara memproduksi suntikan silikon kristal? Langkahpertama yaitu
meleburkan sebuah silikon kristal yang murni. Hal ini menghancurkan ikatan kovalen dan
merubah silikon padat menjadi cair. Untuk menambah elektron bebas, atom-atom pentavalen
ditambahan ke silikon yang meleleh.`atom pentavalent mempunyai 5 elektron dalam orbit valensi.
Contoh pentavalen elektron adalah arsenic, antimony, phosphorus. Sebab bahan-bahan tersebut
memberikan sebuah elektron ekstra ke silikon kristal, mereka dijuluki sebagai donor
ketidakmurnian.
Sebuah atom pentavalent ada di tengah dikelilingi ileh 4 atom silikon. Karena
sebelumnya atom disekitarnya membagi sebuah elektron dengan inti atom. Tetapi sekarang ada
beberapa elektron ekstra di atas sebelah kanan. Ingat hanya 8 elektron yang dapat masuk dalam
orbit valensi, elektron ekstra tinggal di sebuah orbit yang lebih luas. Dengan kata lain disebut
elektron bebas.

PENAMBAHAN JUMLAH LUBANG

Dengan menggunakan trivalent ketidakmurnian, salah satu atom yang mempunyai tiga
elektron valensi. Misalnya aluminium, boron, gallium. Atom trivalent dikelilingi oleh empat atom
silikon, masing-masing terbagi dengan elektron valensinya. Karena atom trivalent asalnya
mempunyai 3 elektron valensi dan masing-masing atom di sekitarnya membagi satu elektron dan
hanya 7 elektron berada di dalam orbit valensi. Hal ini berarti sebuah lubang berada dalam valensi
orbit dari masing-masing trivalen atom. Sebuah atom trivalen disebut sebuah atom akseptor sebab
masing-masing lubangnya membantu untuk dapat menerima sebuah elektron bebas selama
rekombinasi.

HAL-HAL YANG HARUS DIINGAT

Sebelum pabrikan dapat mengisi sebuah semikonduktor, mereka harus menjadikannyya
seperti sebuah kristal yang murni. Kemudian dengan mengontrol jumlah kejenuhan, mereka dapat
mengawasi secara tepat bahan semikonduktor . secara historis, kristal germanium murni lebih
mudah untuk memproduksi daripada kristal silikon yang murni.

2.7 DUA TIPE SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK

SEMIKONDUKTOR TYPE-N
Silikon yang di isi dengan sebuah pentavalent yang tak murni di namakan sebuah
semikkonduktor type-n. Karena elektron-elektron bebas melebihi jumlah hole dalam sebuah
semikonduktor type n, elektron-elektron bebas dinamakan pembawa mayoritas dan hole
dinamakan penghantar minoritas. Karena pemasangan tegangan, elektron-elektron bebas begerak
ke kiri dan hole bergerak ke kanan. Ketika sebuah hole sampai di ujung kanan kristal, satu dari
elektron bebas dari rangkaian bagian luar memasuki semikonduktor dan bergabung dengan hole.

SEMIKONDUKTOR TYPE-P
Silikon yang telah di isi dengan trivalen yang jenuh disebut semikonduktor type-p,
dimana p berkedudukan positif. Karena hole tersebut melebihi elektron bebas. Hole tersebut
berhubungan dengan pembawa mayoritas dan elektron-elektron bebas tersebut dikenal dengan
pembawa minoritas. Karena pemasangan teganganm elektron-elektron bebas bergerka ke kiri dan
hole bergerak ke kanan.

2.8 DIODA TAKBIAS

Sebuah lempengan semikonduktor type-n kira-kira berguna seperti sebuah karbon

resistor, hal ini juga dappat di katakan pada semikonduktor-p. Tetapi ketika sebuah pabrik mengisi
sebuah kristal. Sehingga setengahnya semikonduktortype-p dan setengahnya lagi semikonduktor
type-n, maka muncullah sesuatu yang baru. Batas antara tipe-n dan tipe-p disebut sambungan pn,
sambungan pn telah memberikan petunjuk dari semua penemuan meliputi dioda, transistor-
transistor dan rangkaian terpadu.
Masing-masing lempengan bahan-bahan semikonduktor elektrikal adalah netral sebab
jumlah minus dan plus adalah sama. Sebuah pabrikan dapat menghasilkan sebuah kristal tunggal
dengan bahan tipe p pada satu sisi dan tipe n pada sisi lain. Sambungan adalah batas di mana
daerah tipe n dan tipe p bertemu. Dan sambungan dioda adalah nama lain dai pn kristal. Kata dioda
adalah singkatan dari dua elektroda bermakna dua.

LAPISAN DEPLESI
Masing-masing peassangan ion negatif dan ion positif dalam sambungan disebut dipole.
Gerakan sebuah dipole berarti bahwa satu elektron bebas dan satu lubang telah dibawa keluar dari
sirkulasi.

HAMBATAN POTENSIAL
Medan listrik di antara ion-ion sama dengan perbedaan potensial disebut hambatan
potensial.
2.9 BIAS MAJU

ALIRAN ELEKTRON-ELEKTRON BEBAS

Elektron-elektron bebas secara terus menerus memasuki ujung kanan dioda dan lubang-
lubang menciptakan lubang baru di ujung kiri maka terdapat arus yang secara terus-menerus
melalui dioda..

ALIRAN SATU ELEKTRON

Dengan kata lain elektron bebas menjadi sebuah elektron valensi. Sebagai elektron
valensi, ia terus berjalan ke kiri melalui satu lubang selanjutnya ia terrus berjalan ke kiri melalui
satu lubang selanjutnya ia sampai ke ujung kiri ke dioda.
\
2-10 REVERSE BIAS

Saat ini, pusat negatif baterai dihubungkan pada sisi p dan pusat positif baterai
dihubungkan dengan sisi n. Hubungan tersebut menghasilkan apa yang disebut reverse bias.

Gambar 3.1. Reverse Bias

PELEBARAN LAPISAN DEPLESI

Pusat negatif baterai menarik lubang-lubang dan pusat positif baterai menarik elektron-
elektron bebas. Oleh karena itu, lubang-lubang dan elektron-elektron bebas mengalir keluar
sambungan. Oleh karena itu, lapisan deplesi menjadi bertambah lebar. Ketika lubang-lubang dan
elektron-elektron bergerak keluar dari sambungan, ion-ion yang baru menambah perbedaan
potensial melalu lapisan deplesi. Lapisan deplesi yang lebih lebar merupakan perbedaan potensia
yang paling besar. Lapisan deplesi berhenti berkembang ketika perbedaan potensial sama dengan
penerapan tegangan reverse. Ketika hal ini terjadi, elektron-elektron dan lubang-lubang berhenti
bergerak keluar dari sambungan.
 Kadang-kadang lapisan deplesi ditunjukkan seperti sebuah daerah bayangan seperti yang
ada pada gambar 1. Perluasan daerah bayangan adalah proporsional dengan tegangan reverse.
Karena tegangan reverse meningkat, lapisan deplesi bertambah lebar.

ARUS PEMBAWA MINORITAS

Ada sebuah arus kecil setelah lapisan deplesi stabil berada pada reverse bias. Mengulang
kembali bahwa energi panas secara terus menerus menciptakan sepasang elektron-elektron dan
lubang-lubang. Hal ini berarti bahwa sedikit pembawa minoritas berada pada kedua sisi
sambungan. Sebagian besar bergabung dengan pembawa mayoritas. Tetapi yang berada di dalam
lapisan deplesi berada di dalam lapisan deplesi berada lebih lama untuk melintasi sambungan.
Ketika hal ini terjadi, sebuah arus yang kecil mengalir dalam rangkaian luar.
Asumsikan bahwa energi panas menciptakan sebuah elektron bebas dan lubang di dekat
sambungan. Lapisan deplesi mendorong elektron bebas ke kanan dan memaksa satu elektron
meninggalkan ujung kanan kristal. Lubang pada lapisan deplesi didorong ke kiri. Lubang ekstra
pada sisi p membiarkan satu elektron memasuki ujung kiri kristal dan jatuh ke dalam lubang.
Karena energi panas terus-menerus menghasilkan sepasang elektron lubang di dalam lapisan
deplesi, sebuah arus kecil secara terus-menerus mengalir dalam rangkaian luar.
Arus reverse yang disebabkan oleh panas yang menghasilkan minoritas disebut juga
sebagai arus jenuh. Persamaannya, arus jenuh disimbolkan dengan Is. Nama Saturation berarti kita
tidak mendapatkan arus pembawa minoritas lebih banyak daripada diproduksi oleh energi panas,
dengan kata lain, kenaikan tegangan reverse tidak akan menaikkan jumlah sifat panas yang
menciptakan pembawa minoritas.

ARUS BOCOR
Di samping sifat thermal memproduksi arus pembawa minoritas, ada arus lain yang ada
pada sebuah dioda bias balik. Arus tersebut kecil dan mengalir pada permukaan kristal. Dikenal
dengan arus permukaan bocor hal ini disebabkan karena permukaan yang tidak murni dan tidak
sempurna dalam struktur kristal.. Arus mendekati nol pada dioda silikon balik bias.

2-11 BREAKDOWN

Dioda mempunyai tingkat tegangan maksimum. Jika anda terus menaikkan tegangan
balik, pada akhirnya akan sampai pada tegangan breakdown dari dioda. Untuk beberapa dioda,
tegangan breakdown ditunjukkan pada data sheet untuk dioda.
 Gambar 3.2. Avalanche menghasilkan banyak elektron-elektron bebas dan lubang-lubang dalam
lapisan deplesi

Ketika tengan balik bertambah, ia memaksa pembawa minoritas terebut bertubrukan

dengan atom-atomnya kristal. Ketika pembawa minoritas mempunyai cukup energi, maka ia akan
memukul elektron-elektron valensi yang hilang, dan memproduksi elektro-elektron bebas.
Pembawa-pembawa minoritas baru kemudia bergabung dengan pembawa-pembawa minoritas
untuk bertubrukan dengan atom-atom lain. Proses tersebut adalah proses geometrik, sebab satu
elektron bebas membebaskan satu elektron valensi untuk mendapatkan elektron-elektron bebas.
Proses tersebut berlanjut sampai arus balik menjadi sangat besar. Tegangan breakdown dioda
bergantung pada suntikan berat dioda. Dengan dioda rectifier, tegangan dioda niasanya lebih besar
dari 50 V.

2-12 TINGKAT ENERGI

Elektron-elektron dalam orbit yang kecil berada di atas energi yang pertama; elektron-
elektron dalam orbit yang kedua berada di atas tingkat energi yang kedua dan selanjutnya.

ENERGI YANG LEBIH TINGGI DALAM ORBIT YANG LEBIH BESAR

Faktor dari luar yang dapat mengangkta sebuah elektron ke tingkat energi yang lebih
tinggi adalah panas, cahaya, tegangan. Ketika elektron ditarik oleh nukleus, energi dibutuhkan
untuk mengangkat elektron ke orbit yang lebih luas. Ketika leketron digerkkan dari orbit kesatu ke
orbit kedua, ia memperoleh potensial energi.

FALLING ELECTRON RADIATE LIGHT

Setelah elektron bergerak ke orbit yang lebih besar, ia jatuh kembali ke tingkat energi
yang lebih rendah. Ia akan membuang energinya dari panas, cahaya, dan radiasi lain. Dalam
sebuah LED, pemasangan tegangan mengangkat elektron ke tingkat energi yang lebih tinggi.
Ketika elektron kembali ke tingkat energi yang lebih rendah, ia mengeluarkan cahaya.

PITA ENERGI
 Ketika sebuah atom silikon diisolasi, orbit sebuah elektron dipengaruhi hanya oleh
muatan dari atom yang diisolasi. Ketika atom-atom silikon adalah di dalam kristal, maka orbit dari
masing-masing elektron juga dipengaruhi oleh muatan dari atom-atom silikon yang lain. Karena
masing-masing elektron mempunyai posisi yang unik dalam kristal, tidak ada dua elektron terlihat
secara tepat mempunyai pola yang sama pada muatan disekelilingnya. Energi panas menghasilkan
sedikit elektrin-elektron bebas dan lubang-lubang. Lubang-lubang tersebut tersisa di pita valensi,
tetapi elektron-elektron bebas pergi menuju pita energi yang lebih tinggi selanjutnya yang disebut
pita konduksi. Pada tipe-n, pembawa-pembawa mayoritas adalah elektron-elektron bebas dalam
pota konduksi dan pembawa-pembawa minortias adlah lubang-lubang dalam pita valensi. Pada
tipe-p, pembawa mayoritas adalah lubang-lubang dalam pita valensi, dan pembawa minoritas
adalah elektron-elektron bebas dalam pita konduksi.

2-13 BUKIT ENERGI

Ketika dioda pada bentuk awal, tidak ada lapisan deplesi. Elektron-elektron akan
menyebar melalui sambungan. Elektron-elektron yang dekat dengan konduksi puncak pita
bergerak melalui sambungan. Setelah melalui sambungan, elektron bebas akan bergabung dengan
hole atau elektron akan jatuh dari pita konduksi ke pita valensi. Oleh karen itu ia memancarkan
cahaya, panas, dan radiasi lain. Penggabungan ini juga mengganti tingkat energi pada sambungan.
Setelah lapisan deplesi diciptakanm pita p bergerak k pita n. Dasar masing-masing pita p adalah
tingkat dengan bagian atas dari hubungan pita n. Elektron-elektron pada sisi n tidak lebih panjang
memperoleh energi melalui sambungan.

FORWARD BIAS
Forward bias lebih rendah dari energi bukit. Dengan kata lain, baterai menaikkan tingkat
energi dari elektron-elektron bebas, hal ini ekuivalen untuk memaksa pita n naik. Elektron bebas
mempunyai cukup energi untuk memasuki daerah p dan menuju hole. Beberapa hole menembus
daera n. Dalam hal ini elektron pita konduksi dapat mengikuti kombinasi garis edar B. Dimanapun
penggabungan berpindah hasilnya sama. Elektron-elektron bebas bergerak menuju sambungan dan
menuju hole di dekat sambungan. Elektron-elektron yang tertangkap bergerak meninggalkan aliran
melalui hole di p. Kita mendapatkan aliran elektron secara terus menerus di dioda.

2-14 HAMBATAN POTENSIAL DAN TEMPERATUR

Temperatur dioda adalah suhu di dalam dioda, sebelah kanan dari sambungan pn. Suhu
ambien adalah suhu udara di luar dioda, udara yang mengelilingi dioda. Ketika dioda mengelilingi
dioda. Ketika dioda merupakan penghantar suhu sambungan lebih tinggi dibandingkan suhu
ambien sebab panas diciptakan oleh penggabungan. Hambatan potensial tergantung pada suhu
sambungan. Sebuah kenaikan dalam suhu sambungan menciptakan lebih banyak elektron-elektron
bebas dan hole pada daerah doping. Sebagaimana muatan menyebar ke dalam lapisan deplesi, ia
akan menjadi lebih sempit. Berarti terdapat hambatan potensial lebih sedikit dalam sebuah suhu
sambungan yang lebih tinggi. Huruf Yunani ∆ (delta) adalah perubahan dalam. Hambatan
potensial dari dioda silikon menurun 2mV pada masing-masing derajat celcius naik. Sebagai
derivasi:
∆V
= −2 𝑚𝑉/℃
∆T
Penyusunan kembali
∆V = (−2 𝑚𝑉/℃) ∆T

2-15 DIODA BIAS BALIK

Ketika tegangan naik balik, hole dan elektron bergerak keluar dari sambungan. Selama
elektron bebas dan hole bergerka keluar dari sambungan, mereka meninggalkan ion positif dan ion
negatif di belakangnya. Sehingga lapisan deplesi menjadi lebar. Bias balik lebih besar, lapisan
deplesi akan menjadi lebih luas. Saat lapisan deplesi melebar, arus mengalir. Arus transien
mengurangi sampai nol setelah lapisan deplesi berhenti berkembang.
Elektron bebas dan hole dapat membuat arus balik. Sebab bias balik tersebut, elektron
bebas akan bergerak ke kanan mendorong elektron kaluar dari ujung kanan dari dioda. Begitu juga
hole akan ke kiri. Suhu sambungan yang lebih tinggi, maka kejejnuhan arus semakin besar. Is
ganda untuk masing-masing kenaikan 10 derajat.

Persen Is = 100% untuk 10 derajat kenaikan

Dengan demikian, perubahan dalam arus jenuh adalah 100% untuk masing masing
kenaikan 10 derajat. Jiika perubahan suhu kurang dari 10 ℃, persamaanya:

Persen IS = 7% per ℃

Dengan demikian, perubahan arus jenuh adalah 7 persen untuk masing-masing tingkat
celcius.
Dalam atom silikon, jarak antara pita valensi dan pita konduksi disebut celah
energi.ketika energi panas menghasilkan elektron bebas dan hole, ia juga memberikan energi yang
cukup untuk melompat ke pita konduksi. Semakin luas celah energi, akan lebih sulit bagi energi
panas untuk memproduksi sepasang elektron bebas dan hole. Dalam atom germanium pita valensi
lebih tertutup dari pita konduksi. Germanium memiliki lebih sedikit energi dari silikon. Energi
panas menghasilkan lebih banyak pasangan elektron dan hole dalam peralatan germanium. Ini
merupakan hal fatal yang dapat membuat kerusakan. Arus balik yang berlebihan pada peralatan
germanium menghalangi penggunaan penyebaran lebar dalam komputer, penggunaan IC.
 Arus permukaan bocor merupakan proporsional langsung ke tegangan balik. Oleh kaena
itu, jika anda menggandakan tegangan balik, arus permukaan bocor ISL doubles. Persamannya:

𝑉𝑅
𝑅𝑆𝐿 =
𝐼𝑆𝐿
CONTOH SOAL

1. Rangkaian penyearah setengah gelombang yang dibuat dari diode silicon diberikan
tegangan input sebesar 48V.Diberikan tahan beban (R) sebesar 10 ohm, hitunglah nilai
tegangan DCnya (VDC) dan arus DCnya (IDC) dan daya mengalir pada beban (R)
outputnya.

Jawab:

Vmax =(V
in−0,7) x 50%=(48−0,7) x 50%=23,3 V

Vrms=Vmax X 0,7071=23,3 X 0,7071=16,475 V

Persamaan lain untuk 𝑉𝑚𝑎𝑥 jika 𝑉𝑟𝑚𝑠 diketahui:

Vmax=Vrms x 1,414=16,475 x 1,414=23,3 V

Vdc=Vrms x 0,45=16,475 x 0,45=7,4 V

Atau:

Vdc=Vmax x 0,3818=23,3 x 0,318=7,4 V

Idc=Vdc =7,4=0,74A
R 10

P = I x V = 0,74 x 7,4 = 5,476W

Atau:

P = l² x R = 0,74² X 10 = 5,476W

2. Menunjukkan sebuah rangkaian untuk mengisi sebuah baterai 12V. Jika VS adalah
sebuah gelombang sinusoidal yang mempunyai amplitude 24V, carilah bagian dari setiap
perioda dimana diode terkonduksi. Hitung juga harga puncak arus diode dan harga
maksimum tegangan balik yang muncul pada terminal dioda.

Jawab:

Dioda terkonduksi ketika VS melebihi 12 V, sudut konduksi = 2𝜃,dimana : 24 cos𝜃 = 12

 Jadi, 𝜃 = 60º dan sudut konduksi = 120º ,atau sepertiga dari perioda.

Harga puncak dari arus dioda:

Id= 24−12=0,12 A
100

Harga tegangan balik yang muncul pada terminal diode terjadi pada saat VS mencapai
harga puncak negative dan sama dengan 24+12 = 36 V

3. Diketahui tegangan sumber (VS)= 20V, tegangan diode zener (VZ) =10V, resistor seri
270 ohm dan resistor beban1 KOhm.

Jawab:

Pada rangkaian diatas resistor beban atau RL dipasang secara parallel dengan diode zener,
jadi bias diambil kesimpulan bahwa;

VL = VZ ,jadi tegangan pada resistor VL adalah 10 V.

Arus yang mengalir pada resistor beban dapat kita hitung dengan:

𝑉𝐿
IL =
𝑅𝐿

10 V
Maka IL =
1 Kohm

IL = 0.01 A

4. Sebuah dioda silikon mempunyai sebuah arus jenuh dari 5nA pada 25℃. Bagaimana arus
jenuh pada 100℃?
Jawab:
Perubahan pada suhu adalah:
∆T = 100℃ − 25℃ = 75℃

Terdapat 7 doubling antara 25℃ dan 95℃

IS = (27)(5nA) = 640 nA

Terdapat penambahan 95℃ dan 100℃

IS = (1,075)(640nA) = 898 nA
Sehingga arus jenuh adalah 898 nA
5. Anggaplah sebuah potensial barrier pada 0,7 V pada suhu ambient 25℃. Berapa
hambatan potensial dioda silikon ketika suhu sambungan 100℃ dan pada 0℃?
Jawab:
Ketika suhu sambungan 100℃, perubahan dalam hambatan adalah:
∆V = (-2 mV/℃)∆T
= (-2 mV/℃)(100℃ - 25℃)
= -150 mV

Berarti hambatan potensial menurun 150 mV dari nilai suhu ruangan. Sehingga
persamaannya:
V = 0,7 V – 0,15 V = 0,55 V

Ketika suhu sambungan adalah 0℃, perubahan hambatan dalam potensial adalah:
∆V = (-2 mV/℃)∆T
= (-2 mV/℃)(0℃ − 25℃)
= 50 mV

Berarti hambatan potensial menurun 50 mV dari nilai suhu ruangan. Sehingga

persamaannya:
V = 0,7 + 0,05 = 0,75 V