KARAKTERISTIK ARUS TEGANGAN TRANSISTOR BIPOLAR

OLEH:

KELOMPOK III

LUSY MARDIAH

MEGA FURI HANDAYANI

MONICA PRATIWI

KELAS : FISIKA DIK-C 2016

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

 BAB I

PENDAHULUAN

KATA PENGANTAR

Puji dan syukur saya panjatkan kehadirat Allah SWT atas segala limpahan rahmat dan
hidayah-Nya sehingga kami dapat menyelesaikan penyusunan makalah ini.

Kami telah menyusun makalah ini dengan sebaik-baiknya dan semaksimal mungkin.
Namun tentunya sebagai manusia biasa tidak akan luput dari kesalahan dan kekurangan. Harapan
kami, semoga bisa menjadi koreksi di masa mendatang agar lebih baik dari sebelumnya.Tak lupa
kami ucapkan terimakasih kepada teman-teman sehingga dapat menyusun dan menyelesaikan
makalah ini tepat pada waktunya dan insyaAllah sesuai dengan yang diharapkan. Pada dasarnya
makalah ini saya sajikan untuk membahas tentang “USAHA DANPROSES DALAM
TERMODINAMIKA”. Untuk lebih jelas simak pembahasan dalam makalah ini.Mudah-mudahan
makalah ini bisa memberikan pengetahuan yang mendalam tentang termodinamika kepada kita
semua.

Makalah ini masih banyak memiliki kekurangan.Tak ada gading yang tak retak.Oleh
karena itu, saya mengharapkan kritik dan saran dari teman-teman untuk memperbaiki makalah
saya selanjutnya.Sebelum dan sesudahnya saya ucapkan terimakasih.

Medan,17september 2016

Penyusun

KELOMPOK III
 DAFTAR ISI

HALAMAN JUDUL

KATA PENGANTAR …………………………………………………… i

DAFTAR ISI …………………………………………………… ii

BAB I PENDAHULUAN …………………………………………………... iii

BAB II PEMBAHASAN

2.1 GAS IDEAL …………………………………………………... 1

2.2 HUKUM GAS IDEAL …………………………………………………... 3

2.3 PENERAPAN GAS IDEAL DALAM KEHIDUPAN ……………………….. 12

BAB III PENUTUP

Kesimpulan ………………………………………………….. 16

DAFTAR PUSTAKA ………………………………………………...... 17

PENDAHULUAN

Latar Belakang

Thermodinamika memainkan peran penting dalam analisis sistem dan piranti yang ada
didalamnya terjadi perpindahan formasi energi. Implikasi thermodinamika bercakupan jauh, dan
penerapannya membentang ke seluruh kegiatan manusia. Bersamaan dengan sejarah teknologi
kita, perkembangan sains telah memperkaya kemampuan kita untuk memanfaatkan energi dan
menggunakan energi tersebut untuk kebutuhan masyarakat. Kebanyakan kegiatan kita
melibatkan usaha. Dalam melakukan pengamatan mengenai aliran energi antara panas dan usaha
ini dikenal dua istilah, yaitu sistem dan lingkungan. Apakah yang dimaksud sistem dan
lingkungan dalam termodinamika? Untuk memahami penggunaan kedua istilah tersebut dalam
termodinamika,

1.2 Rumusan Masalah

Adapun masalah yang akan dibahas pada makalah ini yaitu:

· Apa pengertian dari usaha pada Termodinamika?

1.3 Tujuan

Adapun tujuan penulisan Makalah ini yaitu:

· Dapat memahami bentuk-bentuk energi thermodinamika

· Dapat mengetahui hukum-hukum dari Thermodinamika

1.4 Manfaat

Makalah ini dapat memberikan beberapa manfaat, diantarnya dapat menambah wawasan
dan pengetahuan bagi pembaca.
Teori Transistor

Termasuk dalam komponen semikonduktor aktif adalah transistor, Transistor sebenarnya

kepanjangan dari Transfer dan Varistor. Mengenal karakteristiknya transistor terbagi dua
kategori ialah Bipolar Junction Transistor (BJT) dan Unipolar Transistor. Kerja transistor pada
dasarnya difungsikan sebagai saklar elektronik (Switching) dan penguat sinyal (Amplifier).

Sekitar tahun 1947an, Tiga orang ilmuwan fisika asal Amerika yaitu William Shockley beserta
rekannya John Barden, dan W. H Brattain yang tergabung sebagai peneliti pada sebuah
laboratorium milik perusahaan AT&T Bell, merekalah yang berhasil pertama kali menemukan
Transistor.

Transistor adalah nama yang diberikan oleh ilmuwan John Robinson karena sifat kerjanya
komponen ini yang dapat menghantarkan energi dengan kekuatan daya hantar dapat ditentukan
dengan cara mengatur nilai tahanan pada bias pengontrolnya. Pernyataan ini sesuai dengan
kepanjangan kata dari transistor yaitu Transfer (Pemindahan) dan Varistor (Variable Resistor).

Dan sekitar tahun 1958an, komponen transistor mulai digunakan pada rangkaian elektronik
dalam projek-projek penelitian para ilmuwan tersebut.

Jenis dan Simbol Transistor

1. Bipolar Junction Transistor (BJT)

Bi artinya dua dan Polar asal kata dari polarity yang artinya polaritas, dengan kata lain bipolar
junction transistor (BJT) adalah jenis Transistor yang memiliki dua polaritas yaitu hole (lubang)
atau elektron sebagai carier (pembawa) untuk menghantarkan arus listrik. Prinsip dasar
konstruksinya disusun seperti dari dua buah dioda yang disambungkan pada kutub yang sama
yaitu Anoda dengan anoda sehingga menghasilkan transistor jenis NPN atau Katoda dengan
katoda yang menjadi transistor jenis PNP. kaki pada transistor BJT ada 3 yaitu
kaki Basis sebagai titik pertemuan dua dioda dan dua kaki lainnya adalah kolektor dan emiter.
Perhatikan gambar berikut:

Simbol Transistor Bipolar

Konstruksi sambungan pada transistor BJT terdiri dari 2 lapisan penyangga atau sering disebut
depletion layer, lapisan penyangga pertama yaitu antara kaki basis dan kolektor dan yang kedua
lapisan penyangga antara basis dan emiter. Untuk membuat sambungan antara basis dengan
emiter maka lapisan penyangga dibuat lebih tebal dibanding dengan lapisan penyangga untuk
sambungan kolektor dan basis, tetapi ketebalan masing-masing lapisan ini dapat berubah sesuai
besar arus pada yang diberikan pada kaki basis.

Seperti kita ketahui bahwa komponen dioda memiliki tegangan drop, itu juga terjadi untuk
transistor, dimana tegangan drop ini tergantung dari bahan semikonduktor yang digunakan.
umumnya untuk transistor berbahan silicon memiliki tegangan drop 0,7V. Tegangan drop ini
adalah minimal tegangan yang bisa menembus lapisan penyangga pada transistor. Transistor BJT
bekerja berdasarkan besar arus pada kaki basis sebagai biasnya, semakin besar arus bias pada
kaki basis maka semakin besar juga arus yang dapat dihantarkan antara emiter ke kolektor..

Jika dijadikan sebagai rangkaian penguat atau amplifier, ada 3 konfigurasi rangkaian dasar
penguatan transistor antara lain:

1. Rangkaian penguat basis bersama (Common base), pada konfigurasi ini tegangan yang
akan diperkuat.

2. Rangkaian penguat kolektor bersama (Common Colector), Arus yang akan diperkuat
pada konfigurasi ini.
 3. Rangkaian emiter bersama (Common eiter), Konfigurasi ini akan menghasilkan
penguatan arus dan tegangan.

Artikel lainnya akan membahas lebih detail dari masing-masing konfigurasi rangkaianb diatas.

2. Unipolar Junction Transistor (UJT)

Uni artinya satu Polar artinya polaritas. Pada transistor UJT hanya satu polaritas saja yang
dijadikan carier/pembawa muatan arus listrik, yaitu elektron saja atau hole/lubangnya saja,
tergantung dari jenis transistor UJT tersebut. Karena prinsip kerjanya transistor ini berdasarkan
dari efek medan listrik, maka transistor UJT lebih dikenal dengan nama FET (Field Efect
Transistor) atau Transistor Efek Medan. Sama seperti transistor Bipolar FET juga memiliki 3
kaki tetapi dengan nama yang berbeda yaitu Gate (G) seperti basis pada transistor BJT, Drain
(D) seperti koleltor dan Source (S) seperti emiter . .

Simbol Field Efect Transistor (FET)

Berbeda dengan BJT, Arus Output pada kaki Drain ini dikontrol oleh besar tegangan pada kaki
gate, Perubahan besar tegangan pada gate akan merubah besar arus pada kaki drain, efek
membesar atau mengecilnya arus pada kaki drain ini ditentukan oleh konstruksi FETnya. FET
dibagi dua jenis yaitu kanal P seperti BJT jenis NPN dan FET kanal N seperti BJT jenis PNP,
dan keluarga FET yang sering digunakan yaitu JFET kepanjangan dari Junction-Field Efect
Transistor dan MOSFET kepanjangan dari Metal Oxide Semiconductor-Field Efect Transistor
. Cara kerja mosfet ada dua model dan ini ditentukan oleh konstruksinya yaitu Enhancement
mode (mode penebalan) dan Depletion mode (mode penipisan), sedangkan cara kerja JFET
hanya pada mode Depletion saja.

Untuk penjelasan masing-masing jenis FET dibahas pada artikel lain secara detail..

Karakteristik Transistor
Transistor bipolar dan Unipolar memiliki perbedaan karakteristik dari cara kerjanya, Ada
kekurangan dan kelebihan dari keduanya.. Perbedaan tersebut dapat dilihat dari tabel
karakteristik transistor dibawah ini:

Karakteristik Transistor

Cara kerja J-FET dan cara kerja MOSFET juga berbeda, dilihat dari tabel dibawah ini.

Cara Kerja FET

Dari tabel diatas dapat dijelaskan sebagai berikut:

 Pada FET dengan mode penebalan atau enhancement modes, Jika tegangan pada Gate
bukan (0V) maka kondisi FET sama dengan "OFF" atau seperti switch yang terbuka,
danFET akan "ON" seperti switch tertutup jika tegangan pada Gate
diberi (+V) untuk kanal-N. Dan proses sebaliknya terjadi untuk FET dengan jenis kanal-
P

 Sebaliknya pada FET deplestion mode (mode penipisan), jika gate tegangannya
bukan (0V) maka FET pada kondisi "ON" (close switch). Dan akan "OFF" (close
switch) jika tegangan untuk Gate diberi polaritas negatif (-V) prose ini berlaku untuk
jenis FET kanal-N dan proses sebaliknya untuk FET jenis kanal-P
 KESIMPULAN

Sistem adalah sebuah benda atau sekumpulan benda yang hendak diteliti… Benda-benda
lainnya di alam semesta dinamakan lingkungan

Usaha yang dilakukan sistem pada lingkungannya merupakan ukuran energi yang
dipindahkan dari sistem ke lingkungan

Nilai W dapat berharga positif atau negatif bergantung pada ketentuan berikut.

a. Jika gas memuai sehingga perubahan volumenya berharga positif, gas (sistem) tersebut
dikatakan melakukan usaha yang menyebabkan volumenya bertambah. Dengan demikian, usaha
W sistem berharga positif.

b. Jika gas dimampatkan atau ditekan sehingga perubahan volumenya berharga negatif,
pada gas (sistem) diberikan usaha yang menyebabkan volume sistem berkurang. Dengan
demikian, usaha W pada tersebut sistem ini bernilai negatif.

Proses Termodinamika : Proses Isokhorik, Proses Isobarok,Proses isotermal, Proses

Adiabatik
 DAFTAR PUSTAKA

Blocher, Richard. 2004. Dasar Elektronika. Yogyakarta : ANDI Yogyakarta.

Milman dan Halkias, 1986. Elektronika Terpadu (Integrated Electronics) Jilid 1. Jakarta :
Erlangga.

Sutrisno, 1986. Elektronika : Teori dan Penerapannya, Jilid I. Bandung : Penerbit ITB.