LAPORAN LABORATORIUM

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

Disusun Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Praktik Elektronika

DOSEN PENGAMPU:

Benny Nixon, ST, MT.

Nama Praktikum: Transistor Sebagai Saklar Elektronik

Di Susun Oleh :
1. Agnes Christi R. S. S. 1317030001
2. Christine Irene L.T 1317030081
3. Dwiki Althaf F 1317030048

Kelas/Kelompok : TT-3A/Kelompok 1

Tanggal Pelaksanaan Praktikum : 21 September 2018 dan 28 September 2018

Tanggal Penyerahan Laporan : 04 Oktober 2018

JURUSAN ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

JAKARTA

2018
 DAFTAR ISI

Daftar Isi Halaman

1. Tujuan Percobaan ....................................................................................... 1

2. Pendahuluan ............................................................................................... 1
3. Alat-alat yang digunakan ............................................................................ 2
4. Prosedur melakukan percobaan .................................................................. 2
5. Data hasil percobaan .................................................................................. 4
6. Analisa dan Pembahasan ............................................................................ 7
7. Kesimpulan ............................................................................................... 12

Daftar Pustaka .................................................................................................. 13

Lampiran .......................................................................................................... 14

i
 PERCOBAAN XIII
TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR ELEKTRONIK

1. Tujuan
 Merencanakan sebuah transistor yang dapat digunakan sebagai saklar
 Mengetahui fungsi transistor sebagai saklar elektronik yang mengemudikan
suatu beban.

2. Pendahuluan

Salah satu fungsi transistor adalah sebagai saklar yaitu bila berada pada dua
daerah kerjanya yaitu daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (cut-off). Transistor akan
mengalami perubahan kondisi dari menyumbat ke jenuh dan sebaliknya. Transistor
dalam keadaan menyumbat dapat dianalogikan sebagai saklar dalam keadaan terbuka,
sedangkan dalam keadaan jenuh seperti saklar yang menutup.

 Daerah jenuh transistor

Daerah kerja transistor saat jenuh adalah keadaan dimana transistor
mengalirkan arus secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor
tersebut seolah-olah short pada hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini
transistor dikatakan menghantar maksimum.
 Daerah aktif transistor
Pada daerah kerja ini biasanya transistor digunakan sebagai penguat sinyal.
Transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif karena transistor selalu mengalirkan
arus dari kolektor ke emitor walaupun tidak dalam proses penguatan sinyal, hal ini
ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat. Daerah aktif
terletak antara daerah jenuh (saturasi) dengan daerah mati (cut-off).
 Daerah mati transistor
Daerah cut-off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor
menyumbat pada hubungan kolektor-emitor. Daerah cut-off sering dinamakan
sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat mengalirkan
arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah cut-off transistor dapat dianalogikan
sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor-emitor.

1
3. Alat-Alat Yang Digunakan:
1. Multimeter Analog : 2 buah
2. Transistor BC107 : 1 buah
3. Resistor 500 kΩ, 1 kΩ, 2 kΩ, 500 kΩ : 1 buah
4. LED : 1 buah
5. DC Power Supply : 2 buah

4. Langkah-Langkah Percobaan
A. Saklar Transistor Tanpa Beban
1. Lihatlah nilai βric transistor BC 107 di datasheet
2. Hitunglah IB, IC, VBE, VCE (Vout), pada Vin (VBB) = 0V dan Vin = +5V pada
rangkaian gambar 1.
3. Buatlah rangkaian pada gambar 1, memberi Vin = 0V lalu mengukur IB, IC, VBE,
dan VCE.
4. Ulangi langkah 3) pada Vin = +5

Gambar 1. Rangkaian Saklar Transistor Tanpa Beban

B. Saklar Transistor Dengan Beban

1. Perhatikanlah rangkaian pada gambar 2, bila Rc = 1kΩ dan VBB = 0V,
menghitung nilai IB, IC, VBE, dan VCE

2
2. Rc= 1kΩ dan VBB = 5V, menghitung nilai IB, IC, VBE, dan VCE dan RB.

3. Ulangi langkah 1) dan 2) untuk nilai Rc yang lain dan mencantumkan hasilnya
pada tabel 2.
4. Rangkailah seperti gambar 2 dengan nilai Rc sebesar 1kΩ dan RB sesuai dengan
hasil perhitungan
5. Aturlah VBB = 0V (kondisi cut-off). Mengukur IB, IC, VBE, VCE, dan VLED.
6. Aturlah VBB = 5V (kondisi saturasi). Mengukur IB, IC, VBE, VCE, dan VLED.
7. Ulangilah langkah 4) dan 5) untuk nilai Rc dan RB yang lain.

3
 5. Data Hasil Percobaan

Tabel 1. Rangkaian Transistor sebagai saklar tanpa beban.

KONDISI Ib Ic Vbe Vce

Ukur Hitung Ukur Hitung Ukur Hitung Ukur Hitung

Vbb = 0 V 0 0 0 0 0 0 3,03 V 5V

(Cut off)

Vbb = 5 V 9,34 uA 9,15 uA 2,65 mA 2,65 mA 0,659 V 0,7 V 2,458 V 2,4 V

(Saturasi)

Tabel 2. Rangkaian Transistor Sebagai saklar tanpa beban

Rc (Ω) Vbb = 0 V Vbb = 5 V

(Cut off) (Saturasi)

Ib =0 Ib = 10,69 mA

Ic =0 Ic = 3,1 mA

1000 Vbe =0 Vbe = 0,7 V

Vce =5V Vce = 1,9 V

Rb = 402,2k Ω →
470kΩ

Ib =0 Ib = 22,72 mA

Ic =0 Ic = 6,59 mA

470 Vbe =0 Vbe = 0,71 V

4
 Vce =5V Vce = 1,91 V

Rb = 189,26k Ω →
220kΩ

Ib =0 Ib = 4,8 uA

Ic =0 Ic = 1,4 mA

2000 Vbe =0 Vbe = 0,71 V

Vce =5V Vce = 1,92 V

Rb = 895,83k Ω →
1MΩ

Tabel. 4 Rangkaian Transistor sebagai Saklar dengan Beban

R (Ω) Ib Ic Vbe Vce Vled Kondisi

Ukur Hitung Ukur Hitung Ukur Hitung Ukur Hitung Ukur Hitung

Rc = 0 0 0 0 0 0 3,27 5V 0 0 Cut off

1k V
0uA 10,69uA 2,75mA 3,1 0,638 0,7 V 0,2 V 1,9 1,7 V Saturasi
Rb = mA V 0,36 V
470k V

Rc = 0 0 0 0 0 0 3,34 5V 0 0 Cut off

470 V
19,1 22,72uA 5,81mA 6,39 0,644 0,71 V 0,2 V 1,9 1,7 V Saturasi
Rb = uA mA V 0,28 V
220k V

Rc = 0 0 0 0 0 0 3,4 V 5V 0 0 Cut off

2,2k
4,4 4,8 uA 1,31 1,54 0,51 0,71 V 0,24 0,2 V 1,87 1,7 V Saturasi
Rb = uA mA mA V V V
1M
 Tabel 5. Rangkaian Transistor ssebagai Saklar dengan Beban Led

R Ib Ic Vbe Vce Vled Kondisi

(Ω)
Ukur Hitung Ukur Hitung Ukur Hitung Ukur Hitung Ukur Hitung

Rc = 0 0 0 0 0 0 3,36 5V 0 0 Cut off

180 V
62,5 68,97 14,92mA 20 mA 0,7 0,7 V 0,2 V 2,02 1,7 V Saturasi
Rb = uA uA V 0,27 V
68k V

6
 6. Analisa dan Pembahasan

Analisa :

1. Bandingkan hasil perhitungan dan hasil pengukuran? Jelaskan bila terjadi perbedaan!
2. Bagaimana perubahan nilai Rc terhadap Rb

Jawab :

1. Berdasarkan data pada table 3, terlihat bahwa hasil perhitungan dan pengukuran
berbeda. Itu dikarenakan nilai Rc sudah ditentukan, sementara nilai Rb belum
ditentukan. Jadi, hasil perhitungan dan pengukuran bisa berbeda karena nilainya sudah
ditetapkan. Sedangkan pada table 4, nilai Rc dan Rb ditentukan sendiri sehingga hasil
perhitungan dan pengukuran bisa sama.
2. Perubahan yang terjadi pada Rc dapat merubah nilai Rb, dan nilai Rc merubah arus
commiter-emitor (Ic), sehingga Ic yang berubah tersebut juga menyebabkan nilai arus
Ib berubah. Bila Ib telah diketahui, maka nilai Rb yang harus dipasang sesuai dengan
perhitungan. Dengan demikian dapat dilihat Tabel 2. nilai Rc < Rb. Hal tersebut
dilakukan, supaya transistor tersebut dapat mencapai titik jenuh (Saturasi) Sehingga
dapat berfungsi secara optimal sebagai saklar elektronik.

Perhitungan

Hitung

Vbb = 5 V
𝑉𝐼𝑁−𝑉𝐵𝐸
Ib = B = 250
𝑅𝑏

5𝑉−0,7𝑉
Ib = = 9,15uA IC = β x IB
470Ω

= 290 x 9,15x10−6

= 2,56 mA

VBE = VIN – IB x Rb VCE = VCC - IC x RC

= 5V - (9,15uA x 470kΩ = 5V – (2,56mA x 1kΩ)

= 5V – 4,3 = 0,7 V = 5V – 2,6 = 2,4 V

7
IC =0 VBE = VIN – IB x RB

VCE = VCC = 0 – (4,3) = 0

= 5V

Tabel 2.

Rc = 1kΩ

Kondisi Saturasi

VBB = 5V VBE = VBB – (IB x RB)

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝑙𝑒𝑑−𝑉𝐶𝐸
Ic = = 5V – (10,69uA x 402,2kΩ)
𝑅𝐶

5−1,7𝑉−0,2
= = 5 – 4,3
1𝑘Ω

= 3,1mA = 0,7 V

𝑉𝐵𝐵−𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶 3,1𝑚𝐴
RB = IB = = = 10,69𝑢𝐴
𝐼𝐵 𝛽 290

5−0,7
= = 402,2𝑘Ω
10,69 𝑢𝐴

VCE = VCC – IC x RC

= 5 - (3,1mA x 1kΩ)

= 5 – 3,1 = 1,5 V

Rc = 470Ω

Kondisi Saturasi

VBB = 5V VBE = VBB – (IB x RB)

8
 𝑉𝐶𝐶−𝑉𝑙𝑒𝑑−𝑉𝐶𝐸
Ic = = 5V – (22,72uA x 189,26kΩ)
𝑅𝐶

5−1,7𝑉−0,2
= = 5 – 4,29
470Ω

= 6,59mA = 0,71 V

𝑉𝐵𝐵−𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶 6,59𝑚𝐴
RB = IB = = = 22,72𝑢𝐴
𝐼𝐵 𝛽 290

5−0,7
= = 189,26𝑘Ω
22,72 𝑢𝐴

VCE = VCC – (IC x RC)

= 5 - (6,59 𝑥 10−3 x 470Ω)

= 5 – 3,09 = 1,91 V

Rc = 2,2kΩ

Kondisi Saturasi

VBB = 5V VBE = VBB – (IB x RB)

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝑙𝑒𝑑−𝑉𝐶𝐸
Ic = = 5V – (22,72uA x 189,26kΩ)
𝑅𝐶

5−1,7𝑉−0,2
= = 5 – 4,29
2,2Ω

= 1,4mA = 0,71 V

𝑉𝐵𝐵−𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶 1,4𝑚𝐴
RB = IB = = = 4,8𝑢𝐴
𝐼𝐵 𝛽 290

9
 5−0,7
= = 895,83𝑘Ω
4,8 𝑢𝐴

VCE = VCC – (IC x RC)

= 5 - (1,4 𝑥 10−3 x 2,2Ω)

= 5 – 4,29 = 0,71 V

Tabel 4

VCC = IC x RC + VLED + VCE

5 = 20𝑥 10−3 𝑥 𝑅𝐶 + 1,7 + 0,2

 RC = 155Ω → 160Ω

𝐼𝐶
 IB = 𝛽

20 𝑥 10−3
= = 68,97𝑢𝐴
290

 VBB = IB x RB + VBE
5 = 68,97uA x RB + 0,7
RB = 62,34kΩ → 62kΩ

Tabel 5

VCC = Vrelay + VCE VCC = IR + LED

5 = Vrelay + 0,2

Vrelay = 4,8V

𝑃 0,36
IC = 𝑉𝐶𝐶 = = 0,072𝐴 VBB = IB x RB + VBE
5

10
 𝐼𝐶 0,072
IB = = = 288𝑢𝐴 5 = 288uA x RB + 0,7
𝛽 290

RB = 14,93kΩ

VCC = IC x RL + VLED

5 = 20mA x RL + 1 RB = 165Ω

11
 7. Kesimpulan

Salah satu fungsi transistor adalah sebagai saklar yaitu bila berada pada dua daerah
kerjanya yaitu daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (cut-off). Transistor akan mengalami
perubahan kondisi dari menyumbat ke jenuh dan sebaliknya. Transistor dalam keadaan
menyumbat dapat dianalogikan sebagai saklar dalam keadaan terbuka, sedangkan dalam
keadaan jenuh seperti saklar yang menutup.

Daerah kerja transistor saat jenuh adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus
secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada
hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar maksimum
(sambungan CE terhubung maksimum)

Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor
menyumbat pada hubungan kolektor – emitor. Daerah cut off sering dinamakan sebagai daerah
mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke
emitor. Pada daerah cut off transistor dapat di analogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan
kolektor – emitor.

12
 DAFTAR PUSTAKA

1. Nixon, Benny. Diktat Laboratorium Elektronika

2. Teori Elektronika, 2012, Transisitor Sebagai Saklar, http://elektronika-
dasar.web.id/transistor-sebagai-saklar/
3. Teknisi, 2017, Penggunaan Transistor Sebagai Saklar,
https://panduanteknisi.com/penggunaan-transistor-sebagai-saklar.html

13
LAMPIRAN

14
15