1

Elektronika I

BAB I
BAHAN SEMIKONDUKTOR

Tujuan instruksional :
• Mengerti sifat dasar sebuah bahan
• Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor
• Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk dasar komponen
dioda

Pada kehidupan sehari-hari manusia sekarang ini tidak bisa lepas dari perangkat atau
peralatan elektronika seperti komputer, televisi, handphone, lemari es, dan lain-lain.
Berbicara mengenai peralatan elektronika tidak terlepas dari pengertian elektronika itu
sendiri, dimana elektronika adalah ilmu yang mempelajari aliran elektron dalam ruang
hampa, gas, dan bahan semikonduktor berikut pemanfaatannya.
Aliran elektron berkaitan dengan arus listrik, dimana arus merupakan pergerakan
muatan dalam satuan waktu. Muatan yang dimaksud disini tentu saja muatan pada atom
yang mempunyai kemampuan untuk bergerak dengan bebas yaitu elektron. Kemampuan
sebuah bahan untuk dapat mengalikan arus listrik sebenarnya berkaiatan dengan
kemampuan muatan atom dalam hal ini elektron untuk dapat bergerak secara bebas.
Arah arus berlawanan dengan arah pergerakan elektron. Pada bab ini akan dibahas
mengenai pergerakan elektron pada bahan semikonduktor.

1.1 Semikonduktor
Sebelum berbicara bahan semikonduktor terlebih dahulu dibahas mengenai bahan
konduktor dan isolator, dimana bahan konduktor adalah bahan padat yang dapat
menghantarkan listrik dengan baik atau bahan yang mengandung banyak elektron
bebas. Sedangkan bahan isolator adalah bahan padat yang tidak dapat menghantarkan
listrik dengan baik atau bahan yang hampir tidak mengandung elektron bebas.
Dari kedua pengertian diatas maka untuk bahan semikonduktor adalah bahan yang
sifatnya terletak diantara bahan konduktor atau bahan isolator.
Definisi 1 :
Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator dengan
nilai hambat jenis diantara 10 −6 − 10 4 Ωm .

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 2
Elektronika I

Nilai hambat jenis atau resistifitas sebuah bahan berbanding terbalik dengan
konduktifitas bahan, dimana konduktifitas sebuah bahan adalah kemampuan bahan
tersebut untuk dapat menghantarkan arus listrik dengan baik.
Konduktifitas sebuah bahan berbanding terbalik dengan sifat resistifitasnya, hal ini
ditunjukkan dengan percobaan berikut :

Tabel 1.1 Karakteristik beberapa bahan

Bahan ρ (Ωm) ) Sifat

Tembaga 1,7.10 −8 Konduktor

Silikon pada 300o K Semikonduktor
2,3.10 3
Gelas Isolator
7,0.10 6

Jika ketiga bahan tersebut masing-masing mempunyai panjang 1 m, diameter 1 mm dan

kedua ujung bahan tersebut terpasang tegangan 10 Volt. Berapa besar arus pada masing-
masing bahan tersebut ?
Jawaban :
Sesuai dengan persamaan sebuah nilai resistansi, dimana nilainya sebanding dengan
hambat jenis dan panjang bahan dan berbanding terbalik dengan luas penampangnya
l
atau dengan persamaan dituliskan : R = ρ .
A
V
Maka i = , sehingga :
R
V V V
i= = =
R ρ l ρ l
A π ( D 2 )2
itembaga = 0,46.10 3 A
i silikon = 3,41.10 −9 A
i gelas = 1,12.10 −12 A

Dari hasil perhitungan arus terlihat bahwa semakin kecil nilai resistifitas bahan maka
nilai arus semakin besar demikian juga dengan sebaliknya. Hal ini membuktikan bahwa
konduktifitas atau kemampuan bahan untuk dapat menghantarkan arus listrik
berbanding terbalik dengan nilai resistifitasnya.

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 3
Elektronika I

1.2 Model Atom

Model atom disini dimaksudkan untuk menggambarkan pergerakan elektron sebagai
penghasil arus listrik. Untuk memudahkan maka yang digunakan adalah model atom
Bohr, dimana setiap atom terdiri dari proton, neutron, dan elektron. Proton dan neutron
membentuk sebuah inti atom yang disebut sebagai nukleus dan elektron mengelilingi
inti atom tersebut pada tingkat level energi tertentu yang membentuk sebuah cincin
lingkaran. Pada tabel struktur susunan periodik setiap atom memiliki nomor atom ,
dimana nomor atom ini menunjukkan sejumlah elektron yang dimilikinya.
Pada model atom Bohr sejumlah elektron akan menempati lintasan sesuai dengan
tingkatan level energinya, dimana jumlah elektron tersebut akan menempati sesuai
dengan rumus 2n 2 , dimana untuk n=1 maka jumlah elektron yang terisi sejumlah 2
elektron, n=2 jumlah elektron yang terisi sebanyak 8, n=3 jumlah elektron yang terisi
sejumlah 18 elektron, dan seterusnya. Elektron yang menempati orbit atau lintasan
paling luar merupakan elektron sisa atau disebut sebagai elektron valensi/ elektron
dengan lintasan paling luar. Elektron valensi ini akan bergerak secara bebas jika jumlah
elektron yang menempati lintasan luar sangat sedikit dna mudah sekali untuk lepas
dikarenakan gaya tarik menarik dengan inti seiring dengan bertambahnya jari-jari
lintasan akan menyebabkan gayanya semakin melemah, sehingga apabila diberikan
energi luar sedikit saja maka elektron valensi tersebut akan mudah untuk lepas.
Contoh :
Sebuah atom tembaga (Cu) yang mempunyai nomor atom 29 akan mempunyai jumlah
elektron yang menempati orbitnya sesuai dengan bilangan 2 – 8 – 18 – 1,
1s 2 2 s 2 2 p 6 3s 2 3 p 6 3d 10 4 s 1 maka pada lintasa paling luar dengan jumlah elektron
valensi sebanyak 1, maka elektron tersebut akan mudah untuk bergerak secara bebas
sehingga akan mudah untuk menghantarkan arus listrik oleh karenanya atom Cu
dikategorikan sebagai atom bahan konduktor.
Contoh lain adalah atom Silikon (Si) dengan nomor atom sejumlah 14 buah, maka
susunan taom dengan model atom Bohr adalah 2 – 8 –4 1s 2 2 s 2 2 p 6 3s 2 3 p 4 , dimana
pada lintasan yang paling luar terdapat sejumlah elektron sebanyak 4 buah. Susunan
elektron yang paling stabil adalah jika pada lintasan luarnya memepati jumlah lektron
valensi sejumlah 8 buah, oleh karena jumlah elektron valensi atom Si hanya 4 buah,
maka elektron tersebut akan sulit bergerak secara bebas. Maka atom Si dikategorikan

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 4
Elektronika I

sebagai atom dengan bahan semikonduktor. Jika elektron valensi pada lintasan terluar
terdapat buah, maka susunan atom tersebut dikategorikan sebagai atom dengan bahan
isolator.
Setiap lintasan pada atom mempunyai tingkatan energi tertentu yang disebut sebagai
level energi, antar lintasan akan muncul energi gap (celah). Dimana energi gap ini
tergantung dari material bahan penyusun atomnya. Semakin jauh dari inti atom maka
semakin besar level energinya. Energi yang dimiliki oleh sebuah elektron sesuai dengan
rumus : W = QxV , maka untuk 1 buah elektron yang mempunyai muatan sebesar

1,6 x10 −19 C dengan beda potensial sebesar 1 V akan didapatkan sejumlah energi sebesar

1,6 x10 −19 J atau setara dengan 1 eV (elektron volt).

Nukleus

Elektron valensi

Gambar 1.1 Model atom Bohr

Definisi 2 :
Bahan yang memiliki pita terlarang atau energy gap (EG) yang relatif kecil kira-kira 1
eV ( 1eV ≅ 1,602.10 −9 J ).
Untuk memperjelas definisi kedua tersebut, ada baiknya kita perjelas pengertian tentang
pita terlarang terlebih dahulu. Pita terlarang adalah daerah kosong antara pita valensi
dan pita konduksi. Dimana pita valensi adalah pita energi teratas yang terisi penuh oleh
elektron sedangkan pita konduksi adalah pita energi diatas pita valensi yang terisi
sebagian atau tidak terisi oleh elektron sehingga jumlah elektron yang sedikit ini akan
menentukan arus yang mengalir.

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 5
Elektronika I

Pita
konduksi

Konduktor
Pita
valensi

Gambar 1.2 Pita energi konduktor

Pada gambar pita energi diatas untuk bahan konduktor dapat kita peroleh kesimpulan
bahwa antara pita valensi dengan pita konduksi saling tumpang tindih sehingga
sejumlah elektron yang berada pada pita valensi menempati pita konduksi sehingga
elektron dengan mudah dapat bergerak secara bebas pada pita konduksi ini akibatnya
pada konduktor sangat mudah sekali untuk mengalirkan arus listrik.

Pita
konduksi

elektron

EG ≅ 1eV Semikonduktor

hole

Pita
valensi

Gambar 1.3 Pita energi semikonduktor

Pada gambar pita energi untuk bahan semikonduktor diatas dapat diperoleh kesimpulan
bahwa antara pita konduksi dengan pita valensi terdapat celah atau gap. Celah ini
menyebabkan hole pada pita valensi sebagai pembawa muatan tidak bisa bergabung

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 6
Elektronika I

dengan elektron pada pita konduksi, hal ini menyebabkan arus tidak bisa mengalir.
Tetapi energi celah atau energy gap yang bernilai kurang lebih sebesar 1 eV akan
memudahkan masing-masing pembawa muatan untuk berpindah dari pita energi
masing-masing dengan adanya sedikit perubahan energi dari luar atau adanya perubahan
suku kamar yang ekstrem (terjadinya pemanasan) sehingga akan menimbulkan arus
yang mengalir.

Pita
konduksi

EG = 6eV Isolator

Pita
valensi

Gambar 1.4 Pita energi isolator

Pada gambar pita energi untuk bahan isolator tersebut terlihat bahwa celah energi antara
pita valensi dan pita konduksi sangat lebar sekali hampir 6 eV sehingga sangat
menyulitkan untuk elektron dan hole untuk dapat menyebrang ke masing-masing pita,
hal ini dikarenakan energi celahnya hampir enam kali lebih besar dari energi yang
dimiliki oleh sebuah elektron sehingga arus yang mengalir sangat sulit.

1.3 Struktur Atom Semikonduktor

Struktur atom Silikon (Si) sebagai salah bahan semikonduktor seperti yang
diperlihatkan pada gambar berikut :

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 7
Elektronika I

+4 +4 +4

Ikatan kovalen Elektron valensi

+4 +4 +4

+4 +4 +4

Gambar 1.5 Struktur atom semikonduktor intrinsik

Pada gambar diatas terlihat bahwa masing-masing atom dari Si memiliki 4 elektron
valensi terluarnya, apabila sejumlah atom Si ini bergabung maka masing-masing
elektron valensinya akan menggabungkan diri menjadi gabungan 8 elektron valensi
karena 8 elektron valensi merupakan atom stabil (ikatan inti atom yang stabil adalah
jika dikelilingi oleh 8 elektron.). Masing-masing dari 4 elektron valensi ini bergabung
membentuk sebuah ikatan yang disebut sebagai ikatan kovalen.
Ikatan kovalen adalah ikatan dimana elektron tidak dapat berpindah dari satu inti ke inti
atom yang lainnya. Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena
energi panas sehingga elektron terlepas tetapi tidak banyak.
Untuk struktur atom pada gambar 1.5 tersebut dikatakan sebagai bahan semikonduktor
intrinsik. Semikonduktor intrinsik adalah semikonduktor murni yang tidak diberi doping
atau campuran atom lainnya yang memiliki jumlah elektron valensi yang berbeda
dengan elektron valensi bahan semikonduktor sedangkan semikonduktor ekstrinsik
adalah semikonduktor murni yang diberi doping.
Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam
jumlah banyak atau untuk meningkatkan konduktivitas semikonduktor.

1.4 Semikonduktor Ekstrinsik

Ada 2 semikonduktor ekstrinsik :
1. Semikonduktor tipe N

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 8
Elektronika I

2. Semikonduktor tipe P

1.4.1 Semikonduktor tipe N

Pada semikonduktor ekstrinsik tipe N dilakukan doping atau pengotoran oleh atom
pentavalent yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Hal ini
dimaksudkan untuk mendapatkan sejumlah elektron valensi yang tidak terikat dengan
ikatan kovalen sehingga elektron dapat dengan mudah untuk bergerak.
Contoh : Phosporus (P), Arsenic (As)
Atom pengotornya disebut atom donor.
Pembawa muatan disebut elektron.

+4 +4 +4

Elektron
Atom donor bebas
As

+4 +5 +4

+4 +4 +4

Gambar 1.6 Struktur atom semikonduktor ekstrinsik tipe N

Pita
konduksi

elektron

ED
EG ≅ 1eV Tingkat energi donor
0,05eV
hole

Pita
valensi

Gambar 1.7 Energi celah atom donor

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 9
Elektronika I

Pada gambar energi gap saat diberikan pengotor atau doping akan menyebabkan celah
energi pada kisaran 1 eV akan menyempit sehingga hole pada pita valensi dan elektron
pada pita konduksi mudah untuk menyebrang sehingga menimbulkan arus. Karena
jumlah elektron jauh lebih banyak daripada hole maka elektron dinamakan pembawa
muatan mayoritas dan hole sebagai pembawa muatan minoritas.

1.4.2 Semikonduktor tipe P

Pengotoran oleh atom trivalent yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 3 elektron
valensi.
Contoh : Boron (B), Galium (Ga)
Atom pengotornya disebut atom akseptor.
Pembawa muatan disebut hole.

+4 +4 +4

Hole
Atom akseptor
In

+4 +3 +4

+4 +4 +4

Gambar 1.8 Struktur atom semikonduktor ekstrinsik tipe P

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 10
Elektronika I

Pita
konduksi

elektron

EG ≅ 1eV
EA
hole Tingkat energi akseptor
0,05eV

Pita
valensi

Gambar 1.9 Energi celah atom akseptor

Pada gambar energi gap saat diberikan pengotor atau doping akan menyebabkan celah
energi pada kisaran 1 eV akan menyempit sehingga hole pada pita valensi dan elektron
pada pita konduksi mudah untuk menyebrang sehingga menimbulkan arus. Karena
jumlah hole jauh lebih banyak daripada elektron maka hole dinamakan pembawa
muatan mayoritas dan elektron sebagai pembawa muatan minoritas.

1.5 Pembawa Muatan Mayoritas dan Minoritas

Pada semikonduktor ekstrinsik tipe N dimana terjadi pengotoran oleh atom dengan
jumlah elektron valensi lebih banyak dibandingkan dengan semikonduktor intrinsik ,
maka atom donor tersebut akan menyumbangkan sebuah elektron valensi sehingga atom
donor tersebut menjadi atom positif (atom yang kehilangan/kekurangan elektron). Hal
ini menyebabkan jumlah elektron lebih banyak sedangkan hole tidak berubah secara
signifikan. Akibatnya jumlah elektron yang lebih banyak ini dikatakan sebagai
pembawa muatan mayoritas sedangkan hole sebagai pembawa muatan minoritas.

Gambar 1.10 Semikonduktor tipe N

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 11
Elektronika I

Pada semikonduktor ekstrinsik tipe P dimana terjadi pengotoran oleh atom dengan
jumlah elektron valensi lebih kecil dibandingkan dengan semikonduktor intrinsik , maka
atom akseptor tersebut akan menerima sebuah elektron valensi sehingga atom akseptor
tersebut menjadi atom negatif (atom yang kelebihan elektron). Hal ini menyebabkan
jumlah hole lebih banyak sedangkan elektron tidak berubah secara signifikan.
Akibatnya jumlah hole yang lebih banyak ini dikatakan sebagai pembawa muatan
mayoritas sedangkan elektron sebagai pembawa muatan minoritas.

Gambar 1.11 Semikonduktor tipe P

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom
 12
Elektronika I

Latihan Soal :
1. Tentukan nilai resistansi sebuah semikonduktor silikon yang mempunyai luas
sebesar 1 cm2 dan panjang sebesar 3 cm.
Jawaban :
ρ = 2,3.10 3 Ωm Æ
l 3cm 3
R=ρ = 2,3.10 3 Ωm. 2
= 2,3.10 3 Ωm. = 6,9.10 3.10 2 = 0,69MΩ
A 1cm 1cm

2. Berapa energi yang dihasilkan dalam Joule untuk memindahkan muatan sebesar 6
C dengan beda potensial sebesar 3V.
Jawaban :
W = QV = 6 x3 = 18 Joule

3. Jelaskan perbedaan antara bahan semikonduktor intrinsik dan semikonduktor

ekstrinsik.
Jawaban :
Bahan semikonduktor intrinsik adalah bahan yang belum mendapatkan pengotor atau
doping dari atom lainnya sedangkan bahan semikonduktor ekstrinsik adalah bahan yang
telah mendapatkan doping dengan atom lainnya.

4. Jelaskan perbedaan antara atom donor dan atom akseptor.

Jawaban :
Atom donor adalah atom yang memberikan elektronnya pada atom lainnya sedangkan
atom akseptor adalah atom yang menrima elektron dari atom lainnya.

5. Pada semikonduktor ekstrinsik tipe P, manakah yang menjadi pembawa muatan

mayoritas dan minoritas.
Jawaban :
Pada semikonduktor ekstrinsik tipe P yang menjadi pembawa muatan mayoritas adalah
hole sedangkan pembawa muatan minoritas adalah elektron.

Mohamad Ramdhani
Institut Teknologi Telkom