(1.2)
dengan e muatan listrik ion dan permitivitas hampa. Gaya tarik-menarik ini tidak
mengakibatkan kedua ion terus mendekat, sampai jarak yang sedekatnya, karena orbital-
tertutup yang terisi penuh elektron pada masing-masing atom juga saling berdekatan. Sebagai
akibatnya, timbul gaya tolak antar elektron pada orbital atom, sebagai konsekuensi larangan
Pauli. Besarnya energi tolak-menolak (repulsif) dapat diungkapkan sebagai berikut :
atau :
(1.3)
A, B dan ρ adalah tetapan, sedangkan n = 12. Dalam persamaan (1.3) terlihat bahwa energi
tolak-menolak menurun dengan cepat dengan bertambahnya jarak antar ion. Hal ini
menunjukkan bahwa interaksi tolak-menolak tersebut adalah berjangkauan pendek, terutama
bila dibandingkan dengan interaksi elektrostatik Coulomb. Dengan demikian, setiap ion
hanya “merasakan” interaksi tolak-menolak dengan ion tetangga terdekatnya saja.
Di pihak lain, dalam interaksi elektrostatik setiap ion akan berinteraksi baik dengan ion
tetangga terdekatnya maupun dengan ion tetangga berikutnya, karena interaksi ini
berjangkauan lebih jauh. Dengan ini kita perlu memperhitungkan pengaruh tetangga yang
lebih jauh tersebut dalam perhitungan energi interaksinya. Perhatikan kembali gambar 1.1a.
Anggap bahwa ion di pusat kisi (di pusat ruang kubus) adalah ion Na+, sebagai ion acuan
yang ditinjau. Ion-ion yang mengelilingi ion Na+ tersebut adalah seperti ditunjukan pada tabel
1.1. Dengan menggunakan data tersebut, besarnya energi elektrostatik setiap pasangan ion
dapat ditulis sebagai berikut :
(1.4)
Α disebut tetapan Madelung. Untuk selanjutnya, α merupakan karakteristik kisi terutama
untuk kristal ionik, karena nilainya bergantung pada struktur kristal yang bersangkutan.
1- 3
Tabel 1.1 Jenis dan jarak ion-ion tetangga dari ion tinjauan Na+ dalam sel satuan kristal NaCl.
Tetangga ke Jenis ion Jumlah Jarak dari ion tinjauan
1 Cl- 6 r
2 Na+ 12 r
3 Cl- 8 r
(c) (d)
Gambar 1.1 Empat tampilan kisi sel satuan garam meja (NaCl) : a. Sel satuan secara
umum, b. Konfigurasi octahedral, setiap atom dikelilingi oleh 6 atom tetangga
terdekat, c. Susunan mampat, dan d. Susunan atom pada salah satu bidang sisi
kubus.
1- 4
Gambar 1.2.
Berdasarkan persamaan (1.2) dan (1.3) di atas selanjutnya dapat dibahas lebih lanjut
perumusan energi kisi. Untuk itu diambil contoh kristal NaCl, lihat Gambat 1.1. Ion-ion Na+
dan Cl- berada pada keadaan setimbang pada jarak keseimbangan ro, yaitu jarak terdekat
antara ion Na+ dan Cl- pada gambar 1.1a dan d. besarnya energi total sebagai fungsi jarak
antar ion :
(1.5)
Energi kisi adalah energi total pada r = ro. dalam grafik pada Gambar 1.2, E(ro) adalah nilai
energi keseimbangan pada titik minimum dari kurva E(r). Hal ini berarti turunan pertama dari
E(r) terhadap r pada r = ro adalah sama dengan nol. Jadi,
menghasilkan :
(1.6)
1- 5
Masukkan nilai ini ke persamaan (1.5), diperoleh :
(1.7)
(1.8)
Terlihat pada persamaan terakhir ini bahwa nilai energi kisi bergantung pada tetapan
Madelung, sementara itu nilai tetapan ρ biasanya hanya beberapa persen dari nilai ro. Mott
dan Gurney melaporkan bahwa ρ = 0,345 Å untuk 20 macam kristal ionik alkali-halida.
Distribusi elektron di sekitar ion pada kristal NaCl ditunjukkan pada gambar 1.3. Angka-
angka yang tersaji pada kontur menunjukkan konsentrasi relatif elektron di lokasi yang
bersangkutan.
Gambar 1.3 Distribusi rapat elektron pad bidang dasar kristal NaCl. Konsentrasi relatif
elektron ditunjukkan oleh angka-angka tercantum.
1- 6
Gambar 1.4 Energi molekul hidrogen (H2) sebagai fungsi jarak antar atom
Soal. Ulangilah perumusan di atas untuk menentukan ungkapan energi kisi dengan
menggunakan bentuk energi tolak-menolak : .
11Na : 1s2-2s2-2p6-3s1
Orbital atom yang terisi penuh elektron bersam-sama inti atom membentuk teras atom
(core). Dalam kristal logam, teras-teras atom saling berikatan, dan elektron valensi menjadi
elektron bebas (satu elektron untuk setiap teras Na). Dalam gambaran ini, ikatan logam dapat
dipandang sebagai kumpulan teras atom “lautan” elektron bebas. Lahat gambar 1.6.
1- 8
dipole inilah yang menghasilkan gaya tarik-menarik yang disebut gaya Van der Waals. Gaya
ini sangat lemah, dan energi interaksinya memiliki bentuk :
(1.9)
Gambar 1.5 Distribusi konsentrasi elektron valensi di sekitar atom Ge dalam kristal
germanium.
teras atom
Elektron bebas
Gambar 1.6 Struktur ikatan logam. Ikatan antar teras atom yang dikelilingi oleh elektron-
elektron bebas.
1- 9
A tetapan dan r jarak antar atom. Untuk menjaga agar atom-atom berada dalam
kesetimbangan, pada jarak yang sangat dekat akan terjadi gaya tolak-menolak sebagai akibat
berlakunya prinsip larangan Pauli (lihat kembali ikatan ionik) yang menghasilkan energi
tolak-menolak :
(1.10)
dengan demilkian bentuk lengkap energi interaksi dalam ikatan Van der Waals adalah :
(1.11)
(1.12)
dan disebut energi potensial Lennard-Jones. Besar ε dan σ adalah parameter yang dapat
ditentukan dari eksperimen. Selain pada gas-gas inert/mulia, ikatan Van der Waals juga
ditemukan pada kristal-kristal molekul organik.
Soal. Dapatkan bentuk ungkapan energi kohesi dari kristal Van der Waals dengan
menggunakan potensial Lennard-Jones.
1 - 10
1.1.6 Ikatan Campuran
a. Ionik-Kovalen
Ikatan ionik yang sempurna dapat terbentuk pada suatu molekul bilamana atom-atom
yang terlibat dapat membentuk ion-ion yang elektropositif dan elektronegatif kuat. Syarat ini
terpenuhi oleh molekul ionik alkali-halida, oleh karena atom-atom alkali dan halida memiliki
kecenderungan yang kuat untuk melepas dan menerima elektron.
Bagi atom-atom yang kurang keelektropositifan dan keelektronegatifannya, transfer
elektron kation ke anion kurang dari 100%. Sebagai contoh, logam-logam transisi (golongan
B) memiliki energi ionisasi yang lebih besar daripada logam alkali, sehingga perak-halida
(AgX) kurang ionik dibandingkan alkali-halida. Dapat didefinisikan :
% keionikan = (1.13)
Gambar 1.7 Susunan kristal es (H2O padat), setiap atom oksigen dikelilingi oleh 4 atom H.
jarak atom O-O terdekat 2,76 angstrom dan antara atom-atom H-O 1,75
angstrom dan H-H 1,01 angstrom. Bandingkan dengan jarak antar atom H-O
dalam molekul air 0,96 angstrom
1 - 11
.
Gambar 1.8 Kristal dengan ikatan campuran kovalen-Van der Waals; a. kristal tellurium,
ikatan antar atom di sepanjang rantai kovalen dan ikatan antar rantai Van der
Waals, b. Kristal grafit (C), ikatan antar atom di setiap lapisan adalah
kovalen, sedangkan ikatan antar lapisan adalah Van der Waals.
Tabel 1.2 Persentase keionikan beberapa kristal biner (mempunyai dua jenis atom).
Kristal % Ionik Kristal % Ionik
Si 0 GaAs 31
Ge 0 GaSb 26
SiC 18
AgCl 86
ZnO 62 AgBr 85
ZnS 62 AgI 77
ZnSe 63
ZnTe 61 MgO 84
MgS 79
InP 42 MgSe 79
InAs 36
InSd 32 NaCl 94
RbF 96
1 - 12
b. Kovalen-Van der Waals
ikatan campuran antara kovalen dan Van der Waals banyak ditemukan pada kristal
molekul. Pada Gambar 1.8 ditunjukkan kristal terulium (Te) dan grafit (C), yang masing-
masing mengandung ikatan kovalen dan ikatan Van der Waals. Ikatan kovalen terjadi antar
atom-atom Te yang membentuk spiral, sedangkan ikatan Van der Waals terjadi antar spiral
(Gambar 1.8a). Sedangkan pada kristal grafit, ikatan kovalen terjadi antar atom-atom C pada
satu lapis tertentu, serta ikatan Van der Waals terjadi antar lapisan (Gambar 1.8b).
(1.15)
n1, n2, dan n3 adalah bilangan bulat, sedangkan a, b, dan c adalah vektor satuan dalam arah
tiga dimensi (sejajar dengan rusuk-rusuk persegi-empat dari sel satuan) sebagai ilustrasi, bila
pada posisi r dan r’ dapat ditemukan atom-atom yang identik, ini berarti r’ memenuhi :
(1.16)
dikatakan bahwa seperangkat vektor T mendefinisikan kisi ruang atau kisi Bravais. Kisi
Bravais sebesarnya hanyalah merupakan konsep geometri belaka. sedangkan kisi kristal yang
sesungguhnya adalah gabungan antara kisi Bravais dan basis.
1 - 13
1.2.2 Sel Satuan
Sel satuan digabung oleh vektor basis a, b, dan c. Dalam ungkapan vektor-vektor ini,
volume sel satuan dapat dituliskan sebagai perkalian vektor :
(1.17)
Gambar 1.9 Kisi dua dimensi. Dapat dibentuk sel satuan sembarang.
Gambar 1.10 Contoh operasi simetri : a. rotasi, b. rotasi dan refleksi, c. luncuran, dan d.
ulir.
1 - 14
Bentuk dan ukuran sel satuan serta distribusi atom di dalamnya menggambarkan karakteristik
kristal. Pilihan bentuk dan ukuran sel satuan dalam dua-dimensi disajikan pada Gambar 1.9.
Setiap sel satuan memiliki vektor-vektor basis a dan b yang unik.
Titik-titik sebagai tempat kedudukan atom dalam kristal disebut titik kisi. Berdasarkan
jumlah titik kisi dalam setiap sel satuan dapat dibedakan sel satuan primitif dan non-primitif.
Sel satuan disebut primitif bilaman dalam sel tersebut hanya terdapat satu titik kisi, dan bila
terdapat lebih dari satu titik kisi disebut sel satuan non-primitif. Pada Gambar 1.9 sel satuan E
adalah primitif.
1 - 15
Gambar 1.11 Dalam 2-dimensi bentuk kisi yang memenuhi syarat periodik terbatas
jumlahnya. Hanya segi 3,4 dan 6 yang dapat digunakan, untuk segi 5 dan 8
tersisa bidang yang berbeda bentuknya dengan bentuk kisi, sedangkan
pada segi 7 terjadi penumpukkan.
Dalam ruang tiga-dimensi, persyaratan simetri nampak lebih ketat, yang variasi panjang
vektor a, b dan c serta besarnya sudut (α, β, γ) yang dibentuk oleh vektor-vektor itu.
Persyaratan panjang vektor dan besarnya sudut tersebut menghasilkan 14 kisi Bravais dalam
ruang tiga-dimensi, baik primitif maupun non-primitif yang tertuang ke dalam 7 sistem
kristal, seperti pada Gambar 1.12. Parameter kisi dan sistem kristal ditunjukkan pada tabel
1.3.
1 - 16
Gambar 1.12 Tujuh sistem kristal dan 14 kisi Bravais.
1 - 17
Gambar 1.12A Sel satuan dengan kisi non-Bravais : 1. Intan, 2. Sengblende, 3. Wurtzit, 4.
CsCl, 5. Cu2O, 6. SiF4, 7. MoAl12, 8. BaTiO3, 9. K2PtCl4.
1 - 18
Tabel 1.3. Sistem kristal, parameter kisi dan kisi Bravais
Sistem Kristal Parameter Kisi Kisi Bravais
Triklinik a≠b≠c Primitif (P)
α ≠ β ≠ γ ≠ 90°
Monoklinik a≠b≠c P
α = γ = 90° , ≠ β Pusat ruang (I)
Ortorombik a≠b≠c P, I
α = β = γ = 90° Pusat dasar (C)
Pusat sisi (F)
Tetragonal a=b≠c P,I
α = β = γ = 90°
Kubus a=b=c P, I, F
α = β = γ = 90°
Trigonal a=b=c P
α = β = γ ≠ 90°
Heksagonal a=b≠c P
α = β = 90° , γ = 120°
1 - 19
Tabel 1.4. Struktur kristal unsur-unsur
1 - 20
(a) (b) (c)
Gambar 1.13 Susunan mampat sel satuan heksagonal : a. heksagonal mampat (hcp), b.
kubus mampat (ccp), c. tampak atas struktur hcp perhatikan posisi lapisan A
dan B.
Gambar 1.14 Faktor pemampatan atom untuk kubus bersusunan mampat : kubus pusat sisi
(FCC), kubus pusat ruang (BCC), kubus sederhana (SC), dan struktur intan
(diamond). Bilangan dalam % menunjukkan APF.
1 - 21
1.3.2 Susunan Mampat
Pada pembahasan yang lalu, atom-atom yang menempati titik kisi digambarkan sebagai
sebuah titik. Bila atom-atom itu digambarkan sebagai bola yang saling bersinggungan dengan
atom tetangga terdekatnya, akan didapatkan susunan mampat (packing structure). Khusus
untuk heksagonal terdapat dua jenis susunan mampat, yaitu heksagonal mampat (HCP) dan
kubus mampat (cubic close-packed = CCP), lihat Gambar 1.13.
Untuk mengetahui besarnya penggunaan ruang sel satuan oleh atom-atom didefinisikan
faktor pemampatan atom (atomic packing factor = APF), yang menyatakan perbandingan
antara volume ruang yang ditempati atom dan volume sel satuan. Sebagai contoh, perhatikan
Gambar 1.14. Akan kita hitung APF untuk struktur SC (Gambar 1.14). Dari gambar tersebut,
andaikan jejari atom R dan tetapan kisi (panjang rusuk) ao, jelas bahwa :
Dalam setiap sel satuan SC terdapat sebuah atom, sehingga volume yang ditempati atom :
Hasil ini menunjukkan bahwa atom-atom dalam kristal SC menempati 52% dari volume
kristal keseluruhan.
Soal. Dari gambar 1.14, tunjukkan bahwa APF untuk setiap kristal berikut adalah : FCC =
74%, BCC = 68% dan struktur intan = 34%.
1 - 22
Gambar 1.15. Bidang kristal dapat digambarkan pada sel satuan.
Gambar 1.16. Beberapa bidang yang dapat dilukiskan pada sel satuan kubus beserta
indeknya.
1.3.3 Bidang dan arah Kristal
Dalam setiap sel satuan dapat dibentuk bidang kristal. Bidang- bidang (khayal) tersebut
akan memiliki arti bilamana bidang-bidang itu memuat atom-atom. Pada Gambar 1.15,
sebuah bidang digambarkan memotong sumbu koordinat sel satuan di x1 pada sumbu x, di y1
pada sumbu y dan di z1 pada sumbu z. Dengan cara serupa, ada banyak bidang yang dapat
dibuat pada sel satuan tersebut. Untuk membedakan antara bidang yang satu dengan yang
lainnya, digunakan indeks bidang. Langkah-langkah penentuan indeks bidang :
Tentukan titik potong bidang dengan sumbu koordinat sel satuan, misalnya (x1, y1, z1)
Bandingkan titik potong dengan tetapan kisi pada masing-masing sumbu, yaitu : x1/a,
y1/b, z1/c,
Ambil kebalikannya : a/ x1, b/ y1, c/ z1
1 - 23
Definisikan : h = a/ x1, k = b/ y1, l = c/ z1.
Sederhanakan perbandinggan h, k, dan l
Indeks bidang tersebut ditulis : (hkl)
Bila nilai h, k atau l ada yang negatif, maka indeks tersebut ditulis dengan garis di
atasnya, misalnya : , , atau .
Indeks bidang (hkl) tersebut disebut indeks Miller. Beberapa bidang dan indeknya diberikan
pada gambar 1.16.
Khusus untuk satuan heksagonal digunakan empat buah indeks yaitu (hkil), dengan :
Hal ini berhubungan erat dengan adanya empat buah tetapan kisi untuk sel satuan heksagonal,
yaitu :
dengan
Beberapa contoh bidang untuk kisi heksagonal diberikan pada Gambar 1.17.
Gambar 1.17 Bebarapa bidang pada sel satuan heksagonal dan indeksnya.
Dalam sel satuan yang berbeda dapat dibuat bidang sejenis yang berindeks sama. Jika
digambarka, kedua bidang tersebut adalah sejajar. Dalam keadaan ini, kita dapat menentukan
1 - 24
jarak antar bidang (yang indeks hkl-nya sama), dhkl. Dapat diturunkan secara geometri
sederhana bahwa untuk sel satuan kubus, jarak antar bidang (hkl) adalah :
(1.18)
Contoh , , dan
Selain bidang, dalam kristal (sel satuan) dapat juga didefinisikan arah kristal.
Pengertian arah ini sangat berguna dalam mengungkapkan besaran fisis pada kristal yang
umumnya anisotropis (bergantung arah). Arah kristal dinyatakan dengan notasi : [uvw]. Arah
kristal [uvw] adalah arah yang tegak lurus terhadap bidang (hkl) bilaman u=h, v=k, dan w=l.
misalnya, arah [001] tegak lurus terhadap bidang (001), dan seterusnya.
1 - 25
Tabel 1.5. Jenis-jenis bahan filter sesuai dengan spektrum Kα
Logam target Spektrum Kα Bahan filter
(bahan anoda tabung) λ(angstrom)
Mo 0,711 Zr
Cu 1,542 Ni
Co 1,790 Fe
Cr 2,29 V
b. Neutron
Berkas neutron dihasilkan dari reaksi inti, yang dapat berlangsung di dalam reaktor
atom (melalui reaksi fisi) dan dalam generator neutron. Dalam reaktor atom, reaksi fisi
diawali dengan penembakan neutron termal yang diarahkan pada inti berat, misal uranium
(92U235), sehingga terjadi pembelahan inti (fisi) yang disertai dengan pemancaran neutron
(dalam jumlah yang banyak) dan pembebasan energi sampai 200 MeV; menurut reaksi :
295
n + 92U → X + Y + an + 200 MeV
neutron termal inti hasil fisi sejumlah
(tak stabil) neutron
Dalam generator neutron, berkas neutron dapat dihasilkan melalui penembakan partikel
cepat kearah inti atom dan memberikan hasil reaksi berupa neutron dan inti hasil reaksi.
Persamaannya dapat ditulis sebagai berikut :
a + A → B + n
partikel inti semula inti hasil neutron
atau dapat ditulis dengan notasi : a (A,B) n. Salah satu contoh reaksi tersebut misalnya : 2He4
(4Be9, 6C12) 0n1.
Berkas neutron yang dihasilkan oleh reaksi inti umumnya memiliki energi yang tinggi
(neutron cepat). Agar neutron tesebut memiliki panjang gelombang sekitar 1Å, maka
energinya harus diturunkan menurut hubungan :
1 - 26
dengan λ adalah panjang gelombang neutron de Broglie, h adalah tetapan Plank dan p adalah
momentum neutron serta E merupakan energi neutron dalam eV. Agar panjang gelombang
neutron sekitar 1 Å, maka menurut persamaan diatas energi neutron haruslah sekitar 0,025 eV
(termasuk neutron termal). Adapun klasifikasi neutron menurut besarnya energi adalah :
Neutron termal : berenergi 0,025 eV
Neutron lambat : berenergi 0 - 1keV
Neutron menengah : berenergi 1 - 500 keV
Neutron cepat : berenergi 0,5 - 10 MeV
Neutron ultra cepat : berenergi > 10 MeV
Untuk menurunkan energi neutron, perlu langkah termalisasi, dengan cara melewatkan
berkas neutron pada moderator (air, grafit, air berat D2O). Selanjutnya, neutron termal (λ
sekitar 1 Å) masih memerlukan upaya penyeleksian agar berkas neutron bersifat
monokromatis dan sebagai monokromator umumnya dipakai kristal grafit.
c. Elektron
Berkas elektron dihasilkan dari bedil elektron (elektron gun). Pemilihan panjang
gelombang elektron dilakukan dengan mengatur tegangan pemercepatnya (energi elektro),
menurut persamaan :
(1.20)
Salah satu kekurangan elektron sebagai sumber radiasi untuk difraksi kristal, adalah
karena elektron merupakan partikel bermuatan. Sebagai partikel bermuatan, elektron mudah
diserap oleh bahan, sehingga daya tembusnya kurang. Dengan demikian, difraksi elektron
hanya memberikan informasi tentang permukaan bahan saja.
(a)
1 - 28
(c)
Gambar 1.18. Difraksi sinar-x : a. berkas sinar-x dipantulkan oleh bidang (hkl) yang
berjarak d satu sama lain, b. berkas sinar datang dan sinar hambur
membentuk sudut 2θ, c. data I vs sudut 2θ dari difraktometer sinar-x.
(1.22)
dengan :
yaitu volume sel satuan. Sifat-sifat selanjutnya dari vektor basis yang bersangkutan :
(1.23)
vektor dalam kisi balik Ghkl (semacam vektor translasi T dalam kisi langsung) dinyatakan
sebagai berikut :
1 - 29
(1.24)
Gambar 1.19 Posisi vektor gelombang datang, vektor gelombang hambur, vektor hamburan
dan vektor normal bidang.
berhubungan dengan bidang (hkl) dalam kisi langsung dengan sifat sebagai berikut :
(i). Ghkl tegak lurus bidang (hkl)
(ii). (1.25)
kembali pada difraksi kristal, pada Gambar 1.19a dapat diperhatikan bahwa vektor
hamburan s adalah :
(1.26)
dengan k dan ko berturut-turut adalah vektor gelombang hambur dan vektor gelombang
datang. Besarnya s (Gambar 1.19b) adalah :
s= (1.27)
1 - 30
karena hamburan dianggap elakstik : k = ko. Bila dinyatakan dalam ungkapan vektor normal
(tegak lurus) bidang (hkl), hkl maka vektor hamburan memiliki bentuk :
hkl (1.28)
hkl = (1.29)
dan dengan memanfaatkan sifat (ii) pada persamaan (1.25), maka vektor hamburan s
selanjutnya dapat ditulis :
(1.30)
dengan mengingat kembali syarat Bragg : 2d sin θ = λ , akhirnya didapatkan :
(1.31)
yaitu syarat Bragg dalam ungkapan vektor hamburan dan vektor dalam kisi balik.
1 - 31
Struktur cacat yang bersangkutan diberikan pada gambar 1.20.
Kekosongan adalah hilangnya sebuah atom yang seharusnya menempati suatu titik kisi.
Sisipan adalah “salah posisi” dari sebuah atom yang menempati bukan titik kisi. Sedangkan
takmurnian adalah hadirnya atom “asing” (yang berbeda dari atom mayoritas) dan menempati
suatu titik kisi.
Gambar 1.21. Formasi cacat garis : a. dislokasi tepi dan b. dislokasi ulir
Cacat Schottky dan cacat Frenkel banyak dijumpai pada kristal ionik. Cacat Schottky
adalah berupa kekosongan pada subuah titik kisi bersama-sama dengan cacat sisipan di
1 - 32
permukaan. Sedangkan bila kekosongan berpasangan dengan sisipan di dalam kristal
membentuk Cacat Frenkel.
1 - 33
Gambar 1.22 Cacat batas butir
1 - 34