Anda di halaman 1dari 11

PERCOBAAN VI

RANGKAIAN TRANSISTOR

A. TUJUAN

Tujuan dari percobaan rangkaian transistor adalah sebagai berikut :

1. Untuk memaham cara kerja rangkaian bias transistor bipolar common


emitter.
2. Untuk membuat grafik ciri keluaran transistor bipolar.
B. LANDASAN TEORI

1. Bias Transistor Bipolar


Sebelum membahas model-model rangkaian sekutu pada
transistor terlebih dahulu kita harus menentukan keadaan operasi
transistor. Pengukuran beberapa parameter tegangan dalam rangkaian
sangat membantu dalam menentukan keadaan operasi. Perhatikan Gambar
6.3 berikut.

Gambar 6.3 Penentuan keadaan operasi transistor

Transistor dapat bekerja apabila diberi tegangan, tujuan pemberian


tegangan pada transistor adalah agar transistor tersebut dapat mencapai suatu
kondisi menghantar atau mengahambat. Baik transistor NPN maupun PNP
tegangan antara emitor dan basis forward bias sedangkan tegangan antara
basis dengan kolektor adalah reverse bias ( Ahmad, 2007 ).
Transistor adalah suatu komponen aktif dibuat dari bahan
semikonduktor. Terdapat dua macan transistor, yaitu transistor dwikutub (
bipolar ) dan transistor efek medan ( Field Effect Transistor - FET ).
Transistor digunakan dalam rangkaian dalam rangkaian untuk memperkuar
sinyal artinya isyarat lemah pada masukan diubah menjadi isyarat yang kuat
pada keluaran. Pada transistor dwikutub sambungan P – N antara emitor dan
basis diberikan panjar maju sehingga arus harus lebih dahulu dipasang agar
rangkaian transistor ( Burhan, 2009 ).
Pendekatan bahwa transistor sebagai penguat arus dengan IC = HEE
IB, cukup baik untuk banyak aplikasinya, namun yang memadai untuk
mencelaskan penguat differensial, converter logaritmik, kompensasi suhu dan
banyak aplikasi lainnya. Sebagai gantinya Ebers-Moll manganggap bahwa
transistor sebagai devais konduktansi. Arus kolektor pada transistor
bergantung pada basis-emiter ( Wijaya, 2016 )

C. ALAT DAN BAHAN


Alat dan bahan yang digunakan pada percobaan rangkaian
transistor adalah sebagai berikut:
Tabel 1.1 Alat dan bahan pada percobaan rangkaian dioda beserta fungsinya
No Alat dan bahan Fungsi NST JU
1 Papan rangkaian Sebagai tempat merangkai
- -
komponen elektronika
2 Transistor Sebagai penguat tegangan - -
3 Catu daya Sebagai sumber tegangan - -
4 Kabel jumper Untuk menghubungkan kabel
penghubung dengan - -
rangkaian
5 Kit rangkaian Sebagai media rangkaian
- -
transistor NPN dan PNP
6 Kabel penghubung Untuk menghubungkan catu
- -
daya dengan kabel jumper
7 Resistor Untuk menghambat arus
listrik yang mengalir pada - -
rangkaian
8 Kertas multimeter Sebagai media untuk
- -
block menggambar grafik
9 Multimeter
0,5 mV 250 V
 Analog - Mengukur tegangan listrik
0,5 mA 1000 A
 Digital - Mengukur arus listrik
0,5 mV 1000 V
- mengukur tegangan

D. PROSEDUR KERJA
Prosedur kerja dari percobaan rangkaian transistor adalah sebagai
berikut :
1. Penguat Emitor Ditanahkan
a. Untuk Rangkian NPN
1. Menyiapkan rangkaian seperti pada gambar 6.4
2. Menghubungkan kit rangkaian ke sumber listrik kemudian
menyalakan kit rangkaian dengan menekan tombol power kit.
3. Menghubungkan terminal masukan dan keluaran dengan
multimeter.
4. Mengukur tegangan keluaran transistor dengan memvariasikan
tegangan masukan dan mencatat hasil tegangan keluaran.
b. Untuk rangkaian PNP
1. Menyiapkan kit rangkaian seperti pada gambar 6.5
2. Mengulangi langka 2- 4 seperti pada rangkaian NPN.
2. Bias Transistor Bipolar
1. Menyusun rangkaian seperti pada gambar 6.6
2. Menghubungkan dengan catu daya.
3. Menyalakan (on-kan) catu daya dan mengatur tegangan masukan
sebesar 12 Volt.
4. Mengukur arus pada kolektor (IC) dengan menggunakan multimeter.
5. Mengukur tegangan pada basis-emitor (VCE) menggunakan
multimeter.
6. Mengukur tegangan VBE dengan menghubungkan probe positif dan
probe negatif multimeter ke ujung kaki resistor RB.
7. Mengukur tegangan VEE dengan menghubungkan probe positif dan
probe negatif multimeter ke ujung kaki resistor RE.
8. Mencatat hasil VCE, VBE, VCC, dan IC yang diperoleh pada data
pengamatan.

E. DATA PENGAMATAN
1. Penguat Emiter Ditanahkan
a. Untuk Rangkaian NPN
Tabel 6.2 Data pengamatan rangkaian NPN
No Vin (Volt) Vout (Volt)

0.4 0.142
1
0.8 0.181
2
1.2 0.207
3
1.6 0.228
4
2.0 0.246
5
2.4 0.261
6
2.8 0.278
7
3.2 0.294
8
3.6 0.309
9

b. Untuk Rangkaian PNP


Tabel 6.3 Data pengamatan rangkaian PNP
No Vin (Volt) Vout (Volt)

0.4 4.72
1
0.8 5.47
2

1.2 5.96
3

1.6 6.41
4

2.0 6.73
5

2.4 7.08
6

2.8 7.40
7

3.2 7.67
8

3.6 7.96
9

2. Bias Transistor Bipolar


Keterangan :
a. IC = 0.0083 A
b. VBE = 8.96 Volt
c. VCE = 9.24 Volt
d. VEE = 30.1 Volt
e. Vin = 12 Volt

F. ANALISIS DATA

a. Penguat Emiter Ditanahkan


a. Untuk Rangkaian NPN
Vin = 0.4 Volt
Vout = 0.142 Volt
Vin
KV =
Vout
0.142
=
0.4
= 0.355
Dengan cara yng sama untuk data selanjutnya dapat dilihat pada
tabel 6.4 berikut
Tabel 6.4 Analisis data pada rangkaian PNP
No Vin (Volt) Vout (Volt) KV

0.4 0.142 0.355


1
0.8 0.181 0.226
2
1.2 0.207 0.173
3
1.6 0.228 0.142
4
2.0 0.246 0.123
5
2.4 0.261 0.109
6
2.8 0.278 0.990
7
3.2 0.294 0.091
8
3.6 0.309 0.086
9

b. Untuk Rangkaian PNP


Vin = 0.4 Volt
Vout = 4.72 Volt
Vin
KV =
Vout
4.72
=
0.4
= 11.8
Dengan cara yng sama untuk data selanjutnya dapat dilihat pada
tabel 6.5 berikut
Tabel 6.5 Analisis data pada rangkaian PNP
No Vin (Volt) Vout (Volt) KV

0.4 4.72 11.80


1

0.8 5.47 6.27


2

1.2 5.96 4.97


3

1.6 6.41 4.01


4

2.0 6.73 3.36


5

2.4 7.08 2.95


6

2.8 7.40 2.64


7

3.2 7.67 2.40


8

3.6 7.96 2.21


9

b. Bias Transistor Bipolar


a. Menentukan tegangan VCE
Secara teori
1
VCE = VCE
2
1
VCE = 12 Volt
2
= 6 Volt
- Secara praktek
VCE = 9.24 Volt
b. Menentukan arus IE
- Secara teori
IC = IE
IC = IE = 0.0083
- Secara praktek
VCE
IC =
RC+RE
9.24 V
=
27000 Ω+560 Ω

= 0.000336 A
c. Menentukan tegangan VBB
RB1
VBB = VCC
RB1+RB2
200000 Ω
=
200000 Ω +100000 Ω
200000 Ω
=
300000 Ω

=8V
d. Menentukan arus IB
VBB−VBE−(IE RE)
IB =
RB
Dimana :
RB1 x RB2
RB =
RB1+RB2
200000 Ω x 100000 Ω
=
200000 Ω x 100000 Ω
20000000000 Ω
=
300000 Ω

= 66666.67 Ω
Sehingga :
8 −8.69 − (0.0083 x 560)
IB =
66666.67
−5.338 Volt
=
66666.67 Ω

= 0.00008007 A
e. Menentukan VBB secara Thevenin

VBB = (IB x RB) + VBE + (IE x RE)

= (-0.00008007 x 66666.67) + 8.69 + (0.0083 x 560)

= -5.338 + 8.69 + 4.648


= 8 Volt

G. PEMBAHASAN

Transistor merupakan komponen aktif dalam elektronika yang bersifat


semikonduktor dimana dalam komponene terdapat dua pertemuan antara P-N
sehingga dapat dibuat dua bentuk rangkaian yaitu PNP dam NPN. Transistor
berfungsi sebagai penguat arus pada suatu rangkaian seperti yang kita tau
bahwa transistor merupakan komponen yang dapat memperbesar sinyal
keluaran sampai beberapa kali sinyal masukan. Transistor tidak hanya
menguatkan sinyal, tapi transistor juga digunakan sebagai penguat arus,
penguat tegangan dan penguat daya. Agar suatu transistor sebegai penguat
dapat bekerja secara maksimal maka harus dibutuhkan titik penguat transistor
dan juga harus sama dengan yang ditentukan oleh garis beban AC/DC.
Transistor bipolar adalah jenis transistor yang digunakan dalam
rangkaian elektronika. Jenis transistor ini hterbagi atas 3 bagian lapisan
material semikonduktor yang terdiri dari 2 formasi lapisan yaitu lapisan PNP
dan NPN. Masing-masing dari ketiga kaki transistor yaitu basis, kolektor, dan
emitor. Fungsi dari transistor bipolar adalah seba gai penguat arus listrik,
dengan kata lain transistor dapat membatasi arus yang mengalir dari kolektor
ke emitor bila basis diberikan arus atau tegangan dan sebaliknya (tergantung
jenis transistornya PNP atau NPN). Dengan kata lain ada dua jenis polaritas
pembawa muatan arus listrik, yaitu pembawa muatan electron dan pembawa
muatan positif atau lubang (hole).
Emitor yang ditanahkan adalah adalah penguat yang kaki emitor pada
transistor digroundkan atau ditanahkan, input masukan ke basis dan ouput
diambil pada kolektor. Pada emitor ditanahkan isyarat masukan melalui basis
dan emitor dihubungkan dengan tanah, sedangkan keluaran diambil dari
kolektor titik emitor yang ditanahkan mempunyai impedansi masukan kali
besar dari basis yang ditanahkan, dan impedansi keluaran transistor lebih kecil
dari pada basis di tanahkan.
Berdasarkan percobaan pada rangkaian transistor dilakukan dua
pengamatan yaitu bias transistor bipolar dan penguat emitor yang ditanahkan.
Pada pengamatan bias transistor bipolar dapat dilihat pada data pengamatan
dan analisis data yang menunjukkan bahwa arus IC yang diperoleh secara
praktek yaitu 0.0083 A sedangkan arus IE yang diperoleh secara teori adalah
sama, hal ini dapat disimpulkan baedasarkan pernyataan pada hokum kirchoff
1 yaitu arus yang masuk pada titik percabangan sama dengan jumlah arus yang
keluar pada titik percabangan. Besar suatu hambatan yang dipakai pada
rangkaian merupakan syarat maksimal dari besarnya suatu hambatan yang
biasa digunkan pada rangkaian kerja bias transistor, dengan nilai VCE secara
praktek yaitu 9.24 Volt berbeda dengan nilai VCE secara teori yaitu 6 Volt, atau
setengah dari VCC ialah 12 Volt hal ini disebabkan oleh pengosongan pada
kolektor yang melebar, dan menangkap electron bebas pada basis sebelum
jatuh kedalam hole. Oleh karena itu daerah P dan N di dopping ringan karena
adanya banyaknya hole dari daerah P tidak dapat berkombinasi dengan electron
bebas pada daerah N hole-hole tersebut akan menjadi pembawa muatan positif
pada daerah basis dan akan menyebabkan tahanan pada daerah basis turun
hingga mencapai suatu nilai atau harga yang sangat kecil hingga dapat
dikatakan antara kolektor dan basis terjadi hubung singkat. Untuk
menunjukkan terminal tegangan yang berada pada bias aktif maka emitor harus
bernilai positif dan basis bernilai positif dari hasil yang diperoleh arus IB ialah
-1.06369 A nilai bertanda negative tersebut menunjukkan arus yang mengalir
dari emitor ke basis itu kecil, karean muatan pada basis kecil menjadikan arus
yang mengalir terbagi-bagi dan menjadikan konduktivitas basis sangat rendah
atau jumlah pembawa muatan mayoritas (electron) sangat sedikit dibandingkan
pembawa minoritas (emitor) hole. Hingga jumlah hole yang terdifusi kecil,
sebagian tertarik ke kolektor. Berdasarkan hasil pengamatan menunjukan arus
yang mengalir pada transistor berasal dari emitor kebasis dan menuju ke
kolektor maka jenis dari transistor yang digunakian ialah tipe transistor PNP.
Berdasarkan percobaan kedua yaitu pada emitor yang ditanahkan dua
perlakuan yaitu dengan menggunakan rangkaian NPN dan PNP. Dari hasil
pengamatan dapat dikatakan semakin besar tegangan masukan maka tegangan
keluaran yang dihasilkan semakin besar. Dan untuk besar penguatan
penguatnya pada rangkaian semakin besar tegangan masukan, maka tegangan
keluarannya juga besar. Dapat disimpulkan bahwa penguat pada transistor yang
digunakan ialah penguat titik 8. Kemuadian grafik hubungan antaraVin dan
Vout, disimpulkan bahwa pada rangkaian NPN menghasilkan nilai gradient
linear yang lebih besar dibandingkan pada rangkaian PNP.
H. KESIMPULAN

Kesimpulan dari percobaan rangkaian transistor yang telah dilakukan


adalah sebagai berikut :
1. Cara kerja dari transistor bipolar common emitter yaitu arus yang
mengalir dari kolektor ke emitter, dengan basis merupakan simpangan
antara keduanya. Jika basis diberikan tegangan maka akan membuka jalan
sehingga arus dapat mengalir dari kolektor ke emitor. Semakin besar arus
yang diberikan pada basis maka semakin besar terbuka jalur arus yang
mengalir dari kolektor ke emitor bgitu pula sebaliknya, semakin kecil arus
yang diberikan kepada basis maka jalur arus dari kolektor ke emitor
semakin sempit.
2. Grafik ciri keluaran transistor adalah grafik eksponensial dimana besar
tegangan input berbanding lurus dengan tegangan output atau keluaranya.
Semakin besar tegangan masukannya maka semakin besar pula tegangan
keluarannya.

Anda mungkin juga menyukai