RESUME MATERI

FISIKA ZAT PADAT

KAPASITAS PANAS MOLAR DAN

KONDUKTIVITAS TERMAL

NAMA : ISMATHUL DINNY

NIM : 17034108

PRODI : FISIKA C

DOSEN : Drs. HUFRI, M.Si

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI PADANG

2019
1. Kapasitas Panas Molar
Kapasitas panas adalah sejumlah panas (∆Q) yang diperlukan per mol zat untuk
menaikkan suhunya 1 K, disebut kapasitas kalor. Untuk membedakan dengan kapasitas
panas yang ditulis dengan huruf besar (Cv dan Cp), maka panas spesifik dituliskan
dengan huruf kecil (cv dan cp). Bila kenaikan suhu zat ∆T, maka kapasitas panas adalah :
Q
C (1)
T
Jika proses penyerapan panas berlangsung pada volume tetap, maka panas yang diserap
sama dengan peningkatan energi dalam zat ∆Q = ∆U. Kapasitas kalor pada volume tetap
(Cv) dapat dinyatakan :
 U   U 
CV      (2)
 T V  T V
Dengan U adalah energi internal padatan yaitu total energi yang ada dalam padatan baik
dalam bentuk vibrasi atom maupun energi kinetik elektron bebas.
Kapasitas panas pada tekanan konstan, (Cp) denga relasi
 H 
CP    (3)
 T  P
dengan H adalah enthalpi. Pengertian enthalpi dimunculkan dalam
thermodinamika karena sesungguhnya adalah amat sulit menambahkan energi pada
padatan (meningkatkan kandungan energi internal) saja dengan mempertahankan tekanan
konstan. Jika kita masukkan energi panas ke sepotong logam, sesungguhnya energiyang
kita masukkan tidak hanya meningkatkan energi internal melainkan juga untuk
melakukan kerja pada waktu pemuaian terjadi. Pemuaian adalah perubahan volume, dan
padawaktu volume berubah dibutuhkan energi sebesar perubahan volume kali tekanan
udara luar dan energi yang diperlukan ini diambil dari energi yang kita masukkan. Oleh
karena itu didefinisikan enthalpi guna mempermudah analisis, yaitu
H = U + PV (4)
dengan P adalah tekanan dan V adalah volume.

Kapasitas panas zat pada suhu tinggi mendekati nilai3R ;R menyatakan tetapan
gas umum. Karena R ≅ 2 kalori/K-mol, maka pada suhu tinggi kapasitas panas zat padat
:
 6 kalori
CV   mol (5)
K

Gambar 1. Kebergantungan kapasitas panas zat padat pada suhu

a) Teori Klasik
Menurut hukum Dulong-Petit (1920), panas spesifik padatan unsur adalah hampir
sama untuk semua unsur, yaitu sekitar 6 cal/mole 0K.Boltzmann, setengah abad kemudian,
menunjukkan bahwa angka yang dihasilkan oleh Dulong-Petit dapat ditelusuri melalui
pandangan bahwa energi dalam padatantersimpan dalam atom-atomnya yang bervibrasi.
Getaran atom-atom zat padat dapat dipandang sebagai osilator harmonik. Osilator harmonik
merupakan suatu konsep/model yang secara makroskopik dapat dibayangkan sebagai sebuah
massa m yang terkait pada sebuah pegas dengan tetapan pegas C.
Untuk osilator harmonik satu-dimensi, energinya dapat dirumuskan :
  energi kinetik  energi potensial
1 1
 m v2  c x2
2 2

m 2
2

v  w2 x 2 
dengan v laju getaran osilator, x simpangan osilator dan w frekuensi sudut getaran
osilator.
Molekul gas ideal memiliki tiga derajat kebebasan dengan energi kinetik rata-rata
1
per derajat kebebasan adalah k b T sehingga energi kinetik rata-rata dalam tiga dimensi
2
3
adalah k b T . Energi per mole adalah:
2
3 3
U  N k b T  R T (N Bilangan Avogadro) (6)
k / mole 2 2
yang merupakan energi internal gas ideal.Dalam padatan, atom-atom saling terikat
sehingga selain energi kinetik terdapat pulaenergi potensial sehingga energi rata-rata per
1
derajat kebebasan bukan k b T melainkan kbT. Energi per mole padatan menjadi:
2
Uk / mole padat = 3RT cal/mole (7)
Panas spesifik pada volume konstan:
dU
CV   3 R  5,96 cal / mole 0 K (8)
dT V
Angka inilah yang diperoleh oleh Dulong-Petit. Pada umumnya hukum Dulong-
Petit cukup teliti untuk temperatur di atas temperatur kamar. Namun beberapa unsur
memiliki panas spesifik pada temperatur kamar yang lebih rendah dari angka Dulong-
Petit, misalnya B, Be, C, Si. Pada temperatur yang sangat rendah panas spesifik semua
unsur menuju nol.

b) Teori Einstein
Dalam model ini atom-atom kristal dianggap bergetar satu sama lain di sekitar titik
setimbangnya secara bebas. Getaran atomnya dianggap harmonik sederhana yang atom
dianggap sebagai osilator bebas dan energinya ditentukan lewat mekanika kuantum.
Energi sebuah osilator terisolasi secara kuantum bernilai   n   dengan n =
0,1,2,3,... dan ω adalah frekuensi osilator. Pada bahan, osilator tidak terisolasi, namun
bertukar energi dengan reservoir panas dari bahan sehingga selalu berubah. Energi rerata
dari osilator pada bahan adalah :
 n / k T
 n  0  n e B
   n / k T
(9)

 n0 e B

Persamaan tersebut menghasilkan :


    / k BT
(10)
e 1

yang menunjukkan pada suhu tinggi   k B T sesuai kajian klasik, namun saat T
berkurang, nilai  berkurang hingga lenyap saat T = 0 K.
Dalam bahan, setiap atom mewakili 3 osilator, sehingga total terdapat 3 N A
osilator, jadi energi totalnya :
  E
  3NA  E / kBT
(11)
e 1

dengan ωE adalah frekuensi Einstein.

Maka kalor jenisnya adalah :
2  E / k BT
E  E  e
cv     3 R   (12)
 T   e  E / k BT  1
2
 kB T 
 
Persamaan tersebut dapat disederhanakan melalui subsitusi suhu Einstein θE dengan kB
θE = ħ ωE :
2 E / T
  e
cv  3 R  E  (13)
 T   e E / T 2
 1
 
suhu Einstein θE merupakan parameter yang dipilih untuk menghasilkan kurva yang
mendekati hasil pengukuran pada interval suhu yang luas.

Gambar 2. Grafik suhu Einstein

Pada suhu rendah,

2 E / T
  e
cv  3 R  E 
 T   e E / T 2
 1
 
2
   / T
 3 R  E  e E
 T 
 E / T
 E (T ) e
2
 
E (T )  3 R  E 
 T 
Jadi pada suhu rendah, Cv sebanding dengan hasil ini tidak cocok dengan hasil eksperimen,
dimana Cv sebanding dengan T3. Model ini pun gagal menjelaskan Cv pada suhu rendah.

c) Teori Debye
Atom pada model Einstein diasumsikan berisolasi bebas, sedangkan pada
kenyataannya atom-atom saling berinteraksi sehingga osilasi satu atom akan
mempengaruhi atom lainnya. Gerak yang ditinjau adalah gerak kekisi secara
keseluruhan, bukan gerak atom secara individu, sehingga ditinjau mode kekisi kolektif.
Contoh umum dari mode kolektof ini adalah gelombang suara pada bahan.
Debye mengasumsikan bahwa mode kekisi menyerupai sifat gelombang suara
yang memiliki relasi dispersi
ω = vs k
Nilai ω pada model Einstein adalah tunggal, yaitu ωE, sedangkan pada model Debye
nilai ω bervariasi dari 0 hingga nilai ω maksimum. Total energi getaran seluruh kekisi
adalah :
E    ( ) g ( ) d (14)

dengan g(ω) adalah rapat keadaan (density of states).

Energi rerata dinyatakan oleh :
 E
   E / kBT
e 1

Namun bentuk integral tersebut harus memiliki batas integrasi, yaitu ujung bawah
dan atas spektrum frekuensi. Batas bawah spektrum frekuensi adalah ω = 0 sedangkan
batas atas ditentukan sedemikian sehingga banyaknya mode harus sama dengan
banyaknya derajat kebebasan atom diseluruh bahan, yaitu 3 NA.
Untuk menentukan banyaknya mode, digunakan DOS medium kontinyu, karena
Debye mengasumsikan bentuk relasi dispersi yang sama dengan dengan gelombang
suara pada bahan
3V  2
g ( )  (15)
2  2 vS 3

Maka frekuensi Debye yang merupakan frekuensi batas (cutoff frequency) pada getaran
kekisi ini ditentukan melalui
D
0
g () d  3 N A (16)
Sehingga diperoleh  D  v s 6  2 n 
1/ 3 NA
dengan n  .
V
Energi total getaran kekisinya adalah :
3V D 3
E
2  2 vs
3 
0
e
 E / kBT
1
(17)

Sehingga kalor jenisnya

  / k BT
E 3V 2 D 4 e
cv  
 T 2  2 vs 3 k B T 2 0  E / k BT 2
d (18)
(e  1)

  D
Untuk menyederhanakan, subsitusikan x  dan suhu Debye  D  , sehingga
kB T kB
3
T  D / T x4 e x
cv  9 R 
D



0 x 2
dx (19)
(e  1)

Gambar 3. Grafik suhu Debye

Nilai  D dipilih sedemikian sehingga memberikann kurva cv yang mendeteksi

hasil pengukuran. Untuk suhu tinggi, T >>  D maka dengan pendekatan e x 1  x

diperoleh cv = 3R yang sama dengan hukum Dulong-Petit. Untuk suhu rendah, T <<  D
3
12 4  T 
sehinggan  D   maka diperoleh cv =  R   yang sesuai eksperimen bahwa
5 D 
cv ̴ T 3.
2. Koduktivitas Termal
Koefisien konduktivitas termal K dari suatu zat padat adalah didefinisikan dengan
respek ke keadaan tetap aliran panas menurun suatu batang panjang dengan gradient
temperatur dT/dx:
dT
jU   K (1)
dx
di mana jU adalah fluks energi termal, atau jarak lintas transmisi energi satuan luas per
satuan waktu.

Bentuk ini menyatakan proses perpindahan energi termal adalah suatu proses
acak. Energi tidak hanya memasuki satu ujung dari bahan percobaan dan arah hasil
(balistikal) dalam lintasan lurus ujung lain, tetapi bentuk ini menyiratkan bahwa proses
transfer energi termal adalah proses acak. Energi tidak cukup memasukkan salah satu
ujung spesimen dan lanjutkan langsung (ballistically) di lintasan yang lurus ke ujung
yang lain, tetapi berdifusi melalui spesimen, mengalami tumbukan sering. Jika energi
yang disebarkan langsung melalui spesimen tanpa defleksi, maka ekspresi untuk fluks
termal tidak akan tergantung pada gradien suhu, tetapi hanya pada perbedaan suhu ΔT
antara ujung spesimen, terlepas dari panjang spesimen. Sifat acak dari proses
konduktivitas membawa gradien suhu dan, seperti akan kita lihat, lintasan bebas rata-rata
ke dalam ekspresi untuk fluks termal.
Tabel 1. Jarak bebas lintasan fonon

Dari teori kinetik gas diperoleh persamaan berikut untuk konduktivitas termal:
1
K Cv l (2)
3
di mana C adalah kapasitas panas per satuan volume, v adalah rata-rata kecepatan
partikel, dan l adalah jarak bebas lintasan partikel antara tumbukan. Hasil ini pertama
diterapkan oleh Debye untuk menguraikan konduktivitas termal dalam zat padat
dielektrik, dengan C sebagai kapasitas panas dari fonon, kecepatan fonon v, dan jarak
bebas lintasan fonon l. beberapa mewakili nilai dari jarak bebas lintasan adalah diberikan
dalam Tabel 1.
Diberikan teori kinetic dasar yang mana memimpin ke arah persamaan (2). Fluks
1
dari partikel dalam arah x adalah n v x , di mana n adalah konsentrasi molekul; dalam
2
keseimbangan disini fluks sama besar dengan berlawanan arah. 〈...〉 menunjukkan nilai
rata-rata.
Jika c adalah kapasitas panas suatu partikel, ketika bergerak dari suatu daerah
pada temperatur lokal T + ΔT ke suatu daerah pada temperatur lokal suatu partikel akan
memberikan energi cΔT . Sekarang ΔT diantara akhir lintasan bebas partikel diberikan
oleh :
dT dT
T  lx  vx  (3)
dx dx
dimana  adalah rata-rata waktu antara tumbukan.
Fluks bersih dari energi (dari kedua pengertian partikel fluks) maka
dT 1 dT
jU   n v x c   v 2 c
2
(4)
dx 3 dx
Jika, untuk fonon, v adalah konstan persamaan (4) dapat ditulis sebagai
1 dT
jU   C vl (5)
3 dx
1
dengan l  v dan C  nc . Jadi K  C v l
3
a. Resistivitas Termal
Fonon ini berarti laju ( ) bebas ditentukan oleh dua proses, hamburan geometris
dan hamburan oleh fonon lainnya. Jika kekuatan antara atom adalah murni harmonik,
tidak ada mekanisme untuk tabrakan antara fonon yang berbeda, dan tidak aktif (mati)
yang berarti jalan bebas akan dibatasi hanya oleh tabrakan fonon dengan batas kristal
dengan ketidaksempurnaan kisi. Situasi di mana menyebabkan efek ini yang dominan.
 Dengan interaksi kisi tak harmonis, ada sambungan berbeda antara fonon yang
membatasi nilai dari jalan bebas rata-rata. Secara tepat dinyatakan dari sistem tak
harmonik tidak lagi seperti fonon murni.
Teori efek sambungan tak harmonis pada termal resistivitas memprediksi bahwa
sebanding dengan 1/T pada suhu tinggi, dalam perjanjian dengan banyak percobaan.
Kita dapat memahami ketergantungan ini dalam hal jumlah fonon dengan yang fonon
diberikan dapat berinteraksi: pada suhu tinggi jumlah fonon bersemangat sebanding
dengan T. Tabrakan frekuensi dari fonon yang diberikan harus proporsional dengan

jumlah fonon dengan yang dapat berbenturan, dimana:   1 .

T1

Untuk menentukan konduktivitas termal harus ada mekanisme di kristal dimana

distribusi fonon dapat diajukan secara lokal ke kesetimbangan termal. Tanpa mekanisme
kita tidak mungkin membicarakan tentang fonon di salah satu ujung kristal sebagai dalam
kesetimbangan termal pada suhu Tz dan di ujung lain pada ekuilibrium di T1.
Hal ini tidak cukup memiliki satu cara untuk membatasi jalur bebas rata-rata,
tetapi juga harus ada cara membangun kesetimbangan termal lokal distribusi fonon.
Kolisi fonon dengan ketidaksempurnaan statis atau batas kristal tidak akan dengan
sendirinya membentuk keseimbangan termal, karena tabrakan tersebut tidak mengubah
energi fonon individu: w2 frekuensi fonon tersebar sama dengan frekuensi w1 dari fonon.
Hal ini juga menunjukan bahwa proses tabrakan tiga-fonon:
K1 + K2 = K3 (6)
tidak akan membentuk keseimbangan, tetapi untuk alasan yang halus: momentum total
dari gas fonon tidak diubah oleh tabrakan tersebut. Sebuah distribusi kesetimbangan
fonon pada suhu T dapat bergerak turun kristal dengan kecepatan yang tidak terganggu
oleh tiga kolisi fonon dari bentuk (6) .Untuk tabrakan tersebut momentum fonon :
J   K n Kh
K
     (7)

adalah kekal, karena tabrakan perubahan J adalah K3 — K2 — .K1 = 0. Dengan nK

adalah jumlah foton memiliki faktor K.

Untuk distribusi dengan J ≠ 0 , tabrakan seperti diatas tidak mampu membangun

kesetimbangan termal lengkap karena J berubah.
Gambar 1. Aliran molekul gas dalam keadaan melayang keseimbangan bawah
tabung terbuka panjang dengan dinding gesekan. Proses tumbukan elastis antara
molekul gas tidak mengubah momentum atau energi fluks gas karena di setiap
tabrakan kecepatan pusat massa partikel dan energi tetap tidak berubah. Dengan
demikian energi diangkut dari kiri ke kanan tanpa didorong oleh gradien suhu. Oleh
karena itu resistivitas termal adalah nol dan konduktivitas termal yang tak terbatas

Gambar 2. Definisi biasa konduktivitas termal dalam gas mengacu pada situasi di
mana tidak ada aliran massa diijinkan. Berikut tabung ditutup di kedua ujungnya,
mencegah masuk molekul. Dengan gradien suhu pasangan bertabrakan dengan atas
rata-rata pusat massa akan cenderung diarahkan ke kanan, mereka dengan kecepatan
di bawah rata-rata akan cenderung diarahkan ke kiri. Sebuah gradien konsentrasi
sedikit, tinggi di sebelah kanan, dibentuk untuk mengaktifkan transportasi massal
bersih menjadi nol memungkinkan transportasi energi bersih dari panas ke ujung
dingin.

Gambar 3. Dalam kristal kita dapat mengatur untuk membuat fonon terutama di
salah satu ujung, seperti dengan menerangi ujung kiri dengan lampu. Dari tujuan itu
akan ada fluks bersih fonon menuju ujung kanan kristal. Proses N terjadi, fluks Fonon
tidak berubah dalam momentum tabrakan dan beberapa fluks Fonon akan bertahan di
sepanjang kristal. Pada kedatangan fonon di ujung kanan kita bisa mengatur pada
 prinsipnya untuk mengubah sebagian besar energi terhadap radiasi, sehingga sama
seperti dalam (a) resistivitas termal adalah nol.

Kita mulai distribusi fonon panas di batang dengan J ≠ 0 , distribusi akan

merambat ke batang dengan J berubah. Oleh karena itu tidak ada perlawanan termal.
Masalah seperti yang diilustrasikan pada Gambar 1 adalah seperti itu dari tabrakan
molekul gas dalam tabung lurus dengan dinding gesekan.

Gambar 4. Dalam proses U ada perubahan bersih besar dalam momentum fonon di
setiap acara tabrakan. Sebuah fluks fonon bersih awal dengan cepat akan membusuk
karena kita bergerak ke kanan. Ujung-ujung dapat bertindak sebagai sumber dan
tenggelam. Transportasi energi bersih berdasarkan gradien suhu terjadi seperti pada
(b).

Gambar 5. (a) normal K1 + K2 = K3, dan (b) dilipat K1 + K2 = K3 + G fonon

proses tabrakan di kisi persegi dua dimensi. Di setiap gambar mewakili zona Brillouin
pertama dalam ruang fonon K, zona ini berisi semua nilai independen mungkin dari
wavevector fonon. Vektor K dengan panah di pusat zona mewakili fonon diserap
dalam proses tabrakan, dengan panah dari pusat dari zona perwakilan fonon
dipancarkan dalam tabrakan. Kita melihat dalam (b) bahwa dalam proses lipatan arah
i-komponen fluks Fonon telah terbalik. Timbal balik kisi G vektor seperti yang
ditunjukkan adalah panjang, 2π / a di mana a adalah kisi konstan kisi kristal, dan
 sejajar dengan K, sumbu. Untuk al! energi proses, N atau U. harus dilestarikan,
sehingga w1 + w2 = w3.

b. Proses Umklapp
Yang penting proses tiga-fonon yang menyebabkan resistivitas termal tidak dari
bentuk K1 + K2 = K3 di mana K adalah kekal, dengan bentuk
K1 + K2 = K3 + G (8)

di mana G adalah vektor kisi resiprokal (Gambar 5). Proses-proses ini, ditemukan oleh
Peierls, yang disebut proses umklapp. Kita ingat bahwa G dapat terjadi pada semua
hukum konservasi momentum dalam kristal.
Kita telah melihat contoh-contoh dari proses interaksi gelombang dalam kristal
yang perubahan faktor keseluruhan tidak perlu nol, mungkin menjadi vektor kisi
resiprokal. Proses tersebut selalu mungkin dalam kisi periodik. Argumen ini sangat kuat
untuk fonon: kebohongan hanya bermakna fonon K di zona Brillouin pertama, sehingga
setiap K lagi diproduksi dalam tabrakan harus dibawa kembali ke zona pertama dengan
penambahan G. Sebuah tabrakan dua fonon baik dengan nilai negatif dari K, bisa oleh
proses umklapp (G ≠ 0), membuat fonon dengan K positif. Proses umklapp juga disebut
proses U.
Tabrakan di mana G = 0 disebut proses normal atau proses N. Pada suhu tinggi T>
θ semua mode fonon gembira karena kBT >hwmax. Sebagian besar semua tabrakan
fonon maka akan 17 proses, dengan petugas perubahan momentum tinggi dalam tabrakan.
Dalam rezim ini kita dapat memperkirakan resistivitas termal tanpa perbedaan tertentu
antara IV dan proses U, oleh argumen sebelumnya tentang efek nonlinear kita berharap
untuk menemukan kisi termal resistivitasx T pada suhu tinggi.
1
Energi fonon K1 K2 cocok untuk umklapp terjadi adalah urutan dari kB  ,
2
1
karena masing-masing fonon 1 dan 2 harus memiliki wavevectors dari urutan G agar
2
tabrakan ke mungkin. Jika kedua fonon memiliki K rendah, dan energi sehingga rendah,
tidak ada cara untuk mendapatkan dari coDision mereka fonon dari faktor luar zona
pertama. Proses umklapp harus melayani energi, seperti untuk proses normal. Pada suhu
1
rendah jumlah fonon sesuai dari energi tinggi k B  dibutuhkan dapat diharapkan dapat
2
bervariasi kasar sebagai eksponen menurut faktor Boltzmann   / 2T . Bentuk
eksponensial dalam perjanjian baik dengan eksperimen. Singkatnya, fonon berarti jalur
bebas yang masuk pada persamaan adalah jalan bebas rata-rata untuk umklapp tabrakan
menjadi antara fonon dan tidak untuk semua tabrakan antara fonon.

c. Imperfeksi
Efek geometris juga penting dalam membatasi jalan bebas rata-rata. Kita harus
mempertimbangkan hamburan oleh batas-batas kristal, distribusi massa isotop unsur-
unsur kimia alami, kotoran kimia, kisi imperfections, dan struktur amorf.
Ketika pada suhu rendah rata-rata laju bebas menjadi sebanding dengan lebar
benda uji, nilai l dibatasi oleh lebar, dan konduktivitas termal menjadi fungsi dari
dimensi spesimen. Efek ini ditemukan oleh de Haas dan Biermasz. Penurunan mendadak
dalam konduktivitas termal kristal murni pada suhu rendah disebabkan oleh efek ukuran.
Pada suhu rendah proses umklapp menjadi tidak efektif dalam membatasi konduktivitas
termal, dan efek ukuran menjadi dominan, seperti ditunjukkan pada gambar. Orang akan
berharap maka fonon mean free path akan konstanta dan urutan diameter D spesimen,
sehingga
K = ≈ CUD (9)

Gambar 6. Konduktivitas termal dari kristal yang sangat dimurnikan sodium flouride,
setelah II. E. Jackson, C. T. Walker, dan T. F. McNelly.
 Gambar 7. Isotop efek pada conductioii termal di germanium, sebesar faktor tiga di
konduktivitas maksimum. Spesimen diperkaya adalah 96 persen Ge74, alami
germanium adalah 20 persen Ge ™, 27 persen Gera, 8 persen , 37 persen Ge74, dan 8
persen Ge73. Dibawah 5 K spesimen diperkaya memiliki K = 0,06 T3, yang setuju
dengan baik dengan teori Casirnir untuk tahan panas yang disebabkan oleh hamburan
batas. (Setelah T. H. Gebalie dan G. W. Hull.)

Istilah suhu pada sebelah kanan adalah C, kapasitas panas, yang bervariasi sebagai
T3 pada suhu rendah. Kami berharap konduktivitas termal bervariasi sebagai T3 pada suhu
rendah. Pengaruh ukuran memasuki setiap kali fonon mean free path menjadi sebanding
dengan diameter spesimen.
Secara tidak sempurna, kristal, distribusi isotop unsur kimia sering memberikan
mekanisme penting untuk hamburan fonon. Distribusi acak massa isotop mengganggu
periodisitas kepadatan seperti yang terlihat oleh gelombang elastis. Dalam beberapa
hamburan zat fonon oleh isotop sebanding pentingnya dengan hamburan fonon oleh
lainnya. Konduktivitas termal ditingkatkan telah disajikan juga dalam silikon isotop murni
dan berlian, yang terakhir memiliki perangkat penting sebagai penyerap panas untuk
sumber laser.