P-N JUNCTION

KELOMPOK 5 :
ANDARI OKTAFIANI 17034062 (15)
RIFKI ALGHIFAHRI 170340 (09)
ARNI SOPIANTI 17034004 (02)
DEDI GUSRIANDI 170340

23/1/2020
KEADAAN KESETIMBANGAN TERMAL
• Elektron-hole berdifusi ke daerah
antar muka
• Donor di n-type dan akseptor di p-type
terionisasi (+ dan -) menghasilkan
medan listrik
• Elektron dan hole melakukan drift
• Arus difusi dan drift terus terjadi
sampai mencapai kesetimbangan
termal (EF konstan)
• Tidak ada tegangan eksternal

3/1/2018
 DIFUSI
Konsentrasi pembawa
muatan dapat tidak
homogen

Ketidak homogen-an konsentrasi hole ini

mengakibatkan arus difusi, yang
dinyatakan sebagai :

Difusi dan Mobilitas saling

dependen, sesuai dengan relasi
Einstein

3/1/2018
 Kesetimbangan termal

 Pada kesetimbangan termal, yaitu, kondisi tunak pada suhu tertentu

tanpasetiap rangsangan eksternal, elektron individu dan arus lubang
mengalir melintasir. Persimpangan identik nol.
Јр = rapat arus
q= muatan
µр= mobilitas hole
ε= kuat medan
Dр= difusi hole
р = jumlah hole

3/1/2018
 Relasi Einstein Konsentrasi Hole : 𝑑𝑝 𝑝 𝑑𝐸𝑖 𝑑𝐸𝑓
р = ni 𝑒 (𝐸𝑖−𝐸𝑓)/κт = [ − ]
Dр = κтµр / q 𝑑𝑥 κт 𝑑𝑥 𝑑𝑥

Jadi, untuk kondisi Rapat arus elektron

elektron nol bersih dan 𝑑𝐸𝑓
Jn = Jn(drift) + Jn(diffusion) Јp = µp =0
arus lubang, level Fermi 𝑑𝑥
𝑑𝑛
haruskonstan. Level = qµ𝑛 nε + q𝐷𝑛
Fermi konstan yang 𝑑𝑥 𝑑𝐸𝑓
𝑑𝐸𝑓 =0
diperlukan pada = µ𝑛 n =0 𝑑𝑥
𝑑𝑥 Tidak terjadi perubahan energi
kesetimbangan termal
untuk Ef tingginya sama
menghasilkan ruang yang
unik distribusi biaya di
persimpangan.

3/1/2018
 Secara umum konsentrasi
pembawa muatan sebagai 𝑝0 dan 𝑛0 : nilai p dan n saat
fungsi dari posisi dan waktu, keseimbangan termal
muatan tidak dapat diciptakan
atau dimusnahkan,berlaku

Medan listrik E berkaitan

dengan rapat muatan sesuai
dengan persamaan Poisson :

ε= permitivitas bahan semikonduktor

𝑁𝐷 = Konsentrasi Donor
𝑁𝐴 = Konsentrasi Akseptor

3/1/2018
 P-N JUNCTION
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
P - - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + + N
+ + + + - - - -
- - - - + + + +

Tipe P banyak mengandung Tipe N banyak mengandung

unsur pembawa arus unsur pembawa arus
bermuatan positif (hole) bermuatan negatif (elektron)

3/1/2018
PN junction

+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
P - - - - + + + +
+ + + + - - - - N
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +

Perbedaan kosentrasitimbul difusi pada Arus difusi adalah

persambungan suatu penghantar arus I di
dalam semikonduktor
karena tidak meratanya
Difusi Hole Arus Maju konsentrasi hole p partikel
atau terjadi gradient
konsentrasi
Difusi elektron Arus balik

3/1/2018
 PN
junction

+- +- +-
+ + +
- - - - +
+- +- +-
+ + +
N
P - - - - +
+- +- +-
+ + +
- - - - +
+- +- +-
+ + +
- - - - +
Rekombinasi Rekombinasi hole
elektron menjadi ion menjadi ion positif
negatif

Daerah kosong
/defleksi regional

3/1/2018
 Daerah Pengisian (Depletion Region)

Bergerak dari daerah netral

menuju persimpangan,
kami menemui daerah
transisi yang sempit,
muatan ruang ion pengotor
sebagian dikompensasi
oleh operator seluler. Di
luar wilayah transisi kita
memasuki wilayah yang
Untuk diberikan konsentrasi doping,
benar-benar habis di mana
potensi elektrostatik dari gallium
kepadatan operator seluler arsenide lebih tinggi karena konsentrasi
adalah nol. Ini disebut intrinsik yang lebih kecil n .
daerah penipisan (juga
disebut wilayah ruang-
biaya)

3/1/2018
 MOSFET
Tinjauan Elektrostatik
Metal

oksida
aproksimasi ND-NA
p p
n-type
p-type n-type Step (Abrupt) Junction

x
Sambungan p-n

Implantasi antarmuka
p-type
ion

ND-NA
n-type

p-type n-type
NA
Linear-graded
x Junction
aproksimasi
ND
antarmuka 3/1/2018
antarmuka
 Persimpangan Abrupt

Distribusi muatan
ruang dari
persimpangan
mendadak, Dalam
penipisan wilayah,
operator gratis benar-
benar habis sehingga
persamaan Possion,

3/1/2018
 Step (Abrupt) Junction Di daerah n-type

ND - NA Karena n0 = ND
p-type n-type
ND Di daerah p-type
-xp xn
x
NA
antarmuka

qVbi , Potensial Built-

in (tanpa medan
listrik)
EF

3/1/2018
Menentukan potensial elektrostatik
qVbi , Potensial Built-
p = NA p << NA in (tanpa medan
Rapat muatan listrik)
  q( p  n  N A  N D ) n << ND n = ND
Charge
density
p-type n-type Depletion layer/
qND
daerah pengosongan
-xp xpNA = xnND
xn x
-qNA
antarmuka p-type  n-type p-type V n-type
-xp
Poisson equation Potensial  ( x  x p )2 Vbi
x
xn x

d  dV
  x -xp xn

dx  s antarmuka
dx antarmuka 3/1/2018
Menentukan panjang daerah deplesi

Karena

Total daerah deplesi

3/1/2018
 Kondisi dengan bias eksternal, Va
+ -
Bias - p n
+
p n Mundur
Bias (teganga
Maju n
(teganga negative p-type V n-type
p-type V
n positif)
n-type )
Va < 0
Va > 0 Vbi Vbi Vbi - Va
Vbi - Va
xn x -xp -xp xn xn
-xp -xp n Lebar
deplesi
 2 s Vbi  Va   N A  N D  
1/2

W   
 q  N A N D  

3/1/2018
 Persimpangan Linearly Graded

Distribusi pengotor
untuk linear
persimpangan
bertingkat,
Persamaan Possion :

Asumsi bahwa operator

seluler dapat diabaikan di
wilayah penipisan, syarat
batas bahwa medan listrik
nol pada (+ -)W/2,
memperoleh distribusi
medan listrik

3/1/2018
 Linearly Graded Junction
Charge
ND-NA density
p-type n-type Lebar Deplesi

12 s Vbi  Va  
p-type 1/3
-xp
x x W  
Slope = a xn
(grading xn = -
 aq 
constant) antarmuka antarmuka xp

p-type V n-type
p-type  n-type
d  -xp xn
 dV
 ( x  x p )3 Vbi x
dx  s x   x
dx -xp xn
parabolic
antarmuka 3/1/2018
 Daerah Pengosongan

mempertimbangkan dua kasus penting -

persimpangan mendadak dan
persimpangan bertingkat linear. abrupt
junction, yaitu persimpangan p-n yang
dibentuk oleh difusi dangkal atau
implantasi ion berenergi rendah. Distribusi
pengotor persimpangan dapat
diperkirakan oleh transisi mendadak
konsentrasi doping antara daerah tipe n
dan persimpangan linear bertingkat untuk
difusi yang dalam atau berenergi tinggi
implantasi ion, profil pengotor dapat
diperkirakan dengan persimpangan
bertingkat linear, yaitu, distribusi pengotor
bervariasi secara linier di persimpangan.
3/1/2018
kapasitansi deplesi per satuan luas adalah
sama dengan persamaan standar untuk
kapasitor pelat paralel di mana jarak
antara kedua pelat mewakili lebar lapisan
penipisan. Persamaan ini berlaku untuk
distribusi pengotor sembarang. Asumsi
yang bagus untuk kondisi bias balik,
untuk bias maju, bagaimanapun, arus
besar dapat mengalir persimpangan yang
terkait dengan sejumlah besar operator
seluler hadir dalam netral wilayah.
Perubahan bertahap dari operator seluler
ini sehubungan dengan biasing tegangan
berkontribusi sepuluh tambahan, yang
disebut kapasitansi difusi,

3/1/2018
 Kapasitansi Lapisan Deplesi
 2 s Vbi  Va   N A  N D  
1/2

p n W   
 q  A D  
N N
h+h+ h+h+ e- e - e - e-
h+h+ h+h+ e- e- e- e-
h+h+ h+h+ e- e- e- e-
h+h+ h+h+ e- 1/2
e - e- e-
 q s N A N D 
C 
 2 Vbi  Va  N A  N D 
Daerah deplesi

1 2 Vbi  Va  N A  N D

C 2
q s N A N D
dQ  s
C  C = kapasitansi per unit 1 1
dVa W area 2
 Vbi  Va  atau 3
 Vbi  Va 
C C
3/1/2018
Linearly graded
Abrupt
1
2
 Vbi  Va  1/C atau 1/C
++
2 3

C + Dari sini, kita bisa menentukan besar Vbi

+ C 
+ secara experimen
1 W 0
3
 Vbi  Va 
C Vbi Va

3/1/2018
3/1/2018
 Kurva Karakteristik I-V
_ _ +
+ p n p n

V
Reverse bias Forward bias
Arus
Arus
3/1/2018
 Penyimpanan Muatan dan Perilaku Transient
Di bawah bias maju, elektron diinjeksikan
dari n-region ke p-region dan lubang
disuntikkan dari p-region ke n-region.
Setelah disuntikkan di persimpangan, itu
pembawa minoritas bergabung kembali
dengan pembawa mayoritas dan meluruh
secara eksponensial dengan jarak,
Distribusi pembawa minoritas ini
mengarah ke aliran saat ini dan untuk
mengisi daya penyimpanan di
persimpangan p-n. Kami
mempertimbangkan biaya yang tersimpan,
efeknya pada persimpangan kapasitansi,
dan perilaku transien dari persimpangan p-
n karena perubahan mendadak bias.
Karakteristik Ideal
Karakteristik tegangan yang sesuai dengan
pertimbangan berikut:
a. Wilayah penipisan memiliki batas mendadak
dan, di luar batas, batas semikonduktor
dianggap netral;
b. kepadatan pembawa di batas adalah terkait
dengan perbedaan potensial elektrostatik di
interaksi.
c. injeksi rendah Ketentuan, yaitu, perbandingan
pembawa minoritas disuntikkan, perbandingan
kecil dengan kepadatan pembawa kontribusi;
dengan kata lain, setuju pada batas-batas
wilayah netral oleh bias yang diterapkan; dan
d. bukan genera
3/1/2018
Kondisi Bias Maju dan Mundur

3/1/2018
3/1/2018
 Generation-Recombination dan Efek Injeksi Tinggi

persamaan ideal hanya dapat memberikan

kesepakatan kualitatif karena dari generasi atau Tingkat generasi pasangan lubang
rekombinasi operator di wilayah penipisan. elektron dengan kondisi p, <n, dan n,
Pertimbangkan kondisi bias balik terlebih <n,:
dahulu. Di bawah bias terbalik, konsentrasi
pembawa di daerah penipisan jatuh jauh di
bawah konsentrasi keseimbangan mereka, yang
dominan proses rekombinasi generasi adalah
proses elektron dan lubang emisi melalui pusat
rekombinasi generasi bandgap. Proses
penangkapan adalah tidak penting karena
tarifnya sebanding dengan konsentrasi operator
gratis, yang sangat kecil di daerah penipisan
bias-balik. Dua proses emisi beroperasi dalam
kondisi mapan dengan memancarkan elektron
secara bergantian dan lubang.
3/1/2018
Perilaku Transien

ideal

Shortage delay time

3/1/2018
 Perilaku transien

 perilaku transien dari persimpangan p-n karena perubahan mendadak bias.

a. Karakteristik Ideal
 Wilayah penipisan memiliki batas mendadak dan, di luar batas, batas
semikonduktor dianggap netral;
 kepadatan pembawa di batas adalah terkait dengan perbedaan potensial
elektrostatik di interaksi.
 injeksi rendah Ketentuan, yaitu, perbandingan pembawa minoritas
disuntikkan, perbandingan kecil dengan kepadatan pembawa kontribusi;
dengan kata lain, setuju pada batas-batas wilayah netral oleh bias yang
diterapkan; dan
 bukan genera

3/1/2018
3/1/2018
 Junction Breakdown

Ketika tegangan balik yang cukup

besar diterapkan ke persimpangan p-n,
persimpangan rusak turun dan Dua mekanisme kerusakan
melakukan arus yang sangat besar. penting adalah efek tunneling
dan multiplikasi longsoran
salju.

Kami mempertimbangkan mekanisme pertama secara singkat

dan kemudian berdiskusi multiplikasi avalanche secara detail,
karena breakdown longsor membebankan batas atas akan
'pada bias terbalik untuk sebagian besar dioda.

3/1/2018
Efek Tunneling
Ketika medan listrik
tinggi diterapkan ke
persimpangan p-n di arah
sebaliknya, sebuah valensi
elektron dapat membuat
transisi dari pita valensi
ke pita konduksi,.
Proses ini, di mana
elektron menembus
melalui celah energi,  Mekanisme kerusakan untuk silikon dan galium
disebut tunneling. persimpangan arsenide dengan tegangan tembus
Tunneling hanya terjadi kurang dari sekitar 4E lq, di mana Eg adalah celah
jika Bidang 7 tric sangat pita, adalah hasil dari efek tunneling.
tinggi.
3/1/2018
Penggandaan
avalanche
pada giliran berlanjut
prosesnya, membuat
pasangan lubang elektron
lainnya. Karena itu proses
ini disebut multiplikasi
avalanche. Untuk
mendapatkan kondisi
gangguan, adalah
kejadian di sisi kiri
daerah penipisan lebar W.

3/1/2018
 Junction Breakdown
1. Ketidakstabilan termal
• Karena disipasi panas akibat tegangan
bias mundur yang tinggi
2. Efek tunneling/ Zener breakdown
• Dominan untuk highly-doped p-n
junction
• Probabilitas tunneling diberikan oleh
dimana

• Arus diberikan oleh

3/1/2018
3. Avalanche Multiplication (impact
ionization)

• Mekanisme breakdown utama

• Disebabkan oleh impact ionization dari
pasangan elektron-hole

3/1/2018
3/1/2018