DIODA

• Dioda adalah suatu komponen dua kutub , yang masing masing kutub
kutubnya diberi nama anoda dan kutub yang lain dinamakan katoda .

• Kurva karakteristik untuk sebuah dioda yang “ ideal “ seperti terlihat pada
gambar. Dari karakteristik ini terlihat jika anoda mendapat tegangan lebih
positif daripada katoda maka dioda akan berfungsi sebagai sebuah switch
yang tertutup , sehingga arus dapat mengalir dari anoda ke katoda .
• Pada kondisi edial saat dioda mendapat bias maju (anoda
mendapat tegangan positif dan katoda mendapat tegangan
negatif ) tegangan jatuh pada dioda sama dengan nol untuk
setiap perubahan harga arus.

• Dioda dapat dianggap sebagai suatu “voltage sensitive

electronic switch”, di mana dia menutup atau ON jika anoda
lebih positif dari katoda dan dia terbuka atau OFF jika anoda
mendapat tegangan lebih negatif dari katoda .
• Pada kenyataannya terdapat bermacam-macam dioda, yang
paling terkenal adalah dioda hubungan p-n tunggal.

• Karakteristik dari dioda-dioda tersebut pada umumnya

mempunyai bentuk sama, hanya berbeda pada tegangan
jatuhnya dan arus bocor yang mengalir pada saat mendapat
bias mundur .
PEMBENTUKAN HUBUNGAN P-N
• Hubungan p-n akan diperoleh jika kita mengubah sebagian
dari substrat kristal menjadi tipe-n dengan menambah donor
dan bagian yang lain menjadi tipe-p dengan menambah
akseptor. Dengan perkataan lain harus mempunyai struktur
kristal yang kontiniu.
• Donor dan akseptor tidak dapat berpindah bebas pada
temperatur normal. Akseptor membentuk setikonduktor tipe-
p dan donor membentuk semikonduktor tipe-n. Kedua daerah
ini mempunyai sifat listrik netral.
• Hole dan elektron merupakan pembawa muatan yang ákan
berdiffusi ke daerah yang mempunyai konsentrasi rendah dan
berkombinasi satu sama lain.
• Misalnya karena elektron dari tipe-n lebih tinggi
konsentrasinya dari pada dalam tipe-p, maka mereka
berdiffusi kedaerah tipe-p dan berkombinasi dengan hole.
• Elektron-elektron bebas yang melalui junction ini akan
menghasilkan ion-ion negatif pada daerah p,selain itu juga
mereka menimbulkan ion-ion positif pada daerah-n.
Diffusi pembawa-pembawa muatan melalui junction
• Sebelum terjadi diffusi baik daerah-p atau daerah-n
kedua-duanya mempunyai sifat listrik netral, tetapi
setelah diffusi daerah-p yang berdekatan dengan
junction menjadi bermuatan negatif.
• Demikian juga halnya daerah-n dekat junction
sekarang bermuatan positif

Setelah terjadi diffusi

• Kejadian diatas menyebabkan timbulnya medan listrik yang
mulai dari daerah bermuatan positif menuju daerah
bermuatan negatif.
• Medan listrik ini akan menghambat diffusi pembawa-
pembawa muatan lebih lanjut “barrier-potential”.
• Medan listrik tersebut akan lebih kuat, jika lebih banyak
pembawa muatan yang berdiffusi dan berekombinasi,
sehingga nanti akan dicapai keadaan seimbang. Dalam
keadaan seimbang pada hubungan p-n akan terjadi:
daerah deplesi, yang terdiri atas ion-ion positif pada
daerah-n dan ion-ion negatif pada daerah-p.
daerah netral, dimana jumlah atom-atom ketidak
murniannya sama dengan jumlah pembawa muatan.
• Pada tamperatur kamar, besar barrier potential untuk junction
Ge adalah 0,3 V sedangkan untuk Si adalah 0,7 V.
BIAS MAJU (FORWARD BIAS)
• Jika p-n junction mendapat tegangan bias dengan
polaritas seperti pada gambar, daerah-p mendapat
tegangan positif dan daerah-n mendapat tegangan
negatif.

Karakteristik forward bias

• Hole pada daerah-p akan ditolak oleh terminal positif dan
ditarik oleh terminal negatif melalui junction. Demikian juga
halnya dengan elektron pada bagian-n, akan ditarik oleh
terminal positif dan ditolak oleh terminal negatif. Sebagai
akibatnya daerah deplesi menjadi lebih sempit dan barrier
potensial juga turun.
• Jika bias dinaikan sehingga melebihi potensial barrier, maka
pembawa muatan akan dengan mudah melintasi junction,
sehingga terjadi aliran listrik. Keadaan ini disebut “ forward
bias”.
• Terlihat dari kurva di atas, sebelum 𝑉𝐹 melampaui potensial
barrier (0,3 V untuk Ge dan 0,7 untuk Si) arus yang mengalir
sangat kecil untuk kemudian naik secara eksponensial. Setelah
melalui daerah lutut (“Knee”) arus 𝐼𝐹 akan naik hampir linier
sesuai dengan kenaikan 𝑉𝐹 .
• Tahanan pada keadaan forward bias biasanya sangat kecil,
misalnya untuk Si (titik X)
0,7 𝑉
𝑅𝐹 = = 35 Ohm
20 𝑚𝐴
untuk Ge, titik Y tahanan forwardnya adalah :
0,3 𝑉
𝑅𝐹 = 20 𝑚𝐴 = 15 Ohm
BIAS MUNDUR (REVERSE BIAS)
Jika suatu tegangan bias diberikan pada p-n junction seperti
gambar ,daerah-n mendapat tegangan positif dan daerah-p
mendapat tegangan negatif, maka elektron—elektron dari
daerah-n akan ditarik menuju terminal positif sedangkan hole
dari daerah-p ditarik menuju terminal negatif.
• Dalam keadaan ini daerah deplesi menjadi semakin lebar dan
potensial barrier juga naik, sehingga tidak ada kemungkinan
pembawa muatan mayoritas dapat melalui junction. Junction
dikatakan mendapat reverse bias.
• Meskipun tidak ada kemungkinan pembawa muatan
mayoritas dapat mengalir melalui junction, tetapi pembawa
muatan minoritas yang terdapat pada masing-masing daerah
masih dapat melalui junction ke potensial positif di-n,
sebaliknya hole dari-n menuju ke potensial negatif di-p.
• Hal ini memperlihatkan adanya arus, yang disebut arus reverse
(𝐼𝑅 ) dari kurva karakteristik ditunjukkan pada gambar
• Untuk mengeluarkan semua pembawa minoritas melalui
junction, hanya diperlukan tegangan bias yang kecil,
selanjutnya meskipun tegangan biasnya dinaikkan arus yang
mengalir akan konstan. Arus ini disebut arus reverse saturasi
(“reverse saturation current”) 𝐼𝑆 .
• 𝐼𝑆 pada umumnya sangat kecil, untuk Si arus reverse
saturation 𝐼𝑆 lebih kecil dari 1 μA , sedangkan untuk Ge sekitar
10 μA.
• Tahanan pada keadaan reverse bias ( 𝑅𝑅 ) sangat besar,
misalnya untuk tegangan 5 V dan 𝐼𝑆 10 μA, maka tahanan
reverse adalah
• Jika tegangan reverse bias dinaikan, kecepatan pembawa
muatan minoritas yang melalui junction juga naik.
• Energi yang tinggi dari pembawa muatan ini dapat
menyebabkan sejumlah besar pembawa muatan yang ada di
atom-atom pada daerah deplesi melepaskan diri.
• Jika hal ini terjadi, arus yang besar akan mengalir pada
junction. Kejadian ini disebut “reverse break down” biasanya
terjadi pada suatu harga tegangan reverse tertentu (“reverse
breakdown voltage”).
• Reverse breakdown juga dapat kita jumpai pada dioda yang
karakternya dirancang untuk tegangan breakdown tertentu
(dioda zener).
Pengaruh Temperatur
• Jika temperatur bahan semikonduktor dinaikkan, maka penambahan
energi ini akan menyebabkan lebih banyak elektron melepaskan diri dari
atom.
• Hal tersebut menimbulkan lebih banyak pasangan hole-elektron dan
pembawa muatan minoritas, sehingga 𝐼𝑆 juga akan naik kalau temperatur
junction naik.
• naik hampir dua kali lipat untuk setiap kenaikkan temperatur sebesar 10°C
KARAKTERISTIK DIODA
• Dioda sesungguhnya adalah suatu p-n junction yang
karakteristik dan parameternya telah dibahas sebelumnya.