I.

TUJUAN

 Menggambarkan karakteristik transistor

 Menampilkan karakteristik input dan output dengan osiloskop
 Memanfaatkan rangkaian–rangkaian transistor dan prinsip dasarnya dalam dunia
elektronik.

II. DASAR TEORI

Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran elektron sebagai
prinsip kerjanya. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP, konstruksi transistor dapat
dilihat pada Gambar 5.1.

Gambar 5.1 Konstruksi transistor tipe NPN dan PNP

Karakteristik sebuah transistor biasanya dilihat dari karakteristik

rangkaian dengan konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan
ground), seperti ditunjukkan pada Gambar 5.2.

Gambar 5.2 Rangkaian pengukuran karakteristik transistor

Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian Gambar 5.2, yaitu :

1. Karakteristik input transistor, arus basis IB sebagai fungsi VBE.

Gambar 5.3 Grafik IB fungsi VBE pada transistor NPN

Grafik diatas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan dioda emitter-
basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter menurut tegangan emitter ke basis akan
serupa dengan karakteristik maju dari dioda hubungan p-n.

Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barrier-nya, maka arus
basis (IB) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barrier-nya, arus basis (IB)
akan naik secara cepat.

2. Karakteristik output transistor, arus IC sebagai fungsi VCE

Gambar 5.4 Grafik IC fungsi VCE pada transistor NPN

Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja transistor.
Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan seterusnya
daerah breakdown.
Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC
konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya
tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear
region).

Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor
(rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan :

VCE = VCC - ICRC

Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :

PD = VCE.IC

Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor.
Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax.
Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor
masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PD max, maka
transistor dapat rusak atau terbakar.

Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor
silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base karena tegangan VCE belum mencukupi
untuk dapat menyebabkan aliran elektron.

Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE
tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor
berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON).
Perubahan ini dipakai pada sistem digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang
tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.
Aplikasi transistor tidak dibatasi sebagai rangkaian penguat signal saja, transistor juga dapat
dimanfaatkan sebagai saklar elektronik untuk komputer dan aplikasi kontrol.

III. DAFTAR PERALATAN

 Power supply DC
 Power supply AC
 Multimeter
 Dioda Silikon
 Potensiometer 10k ; 1k ; 470k
 Resistor 33k ; 100 ; 3k3; 10
 Transistor BC109; 2N3055
 Osiloskop
 IV. DIAGRAM RANGKAIAN

Gambar 5.5 Rangkaian transistor NPN BC109

Gambar 5.6 Rangkaian transistor PNP 2N3055

Gambar 5.7 Skema Rangkaian transistor NPN BC109 untuk melihat karakteristik IC sebagai
fungsi VCE (karakteristik output

Gambar 5.8 Skema Rangkaian transistor PNP 2N3055 untuk melihat karakteristik IC sebagai
fungsi VCE (karakteristik output)
V. PROSEDUR PERCOBAAN
1. Kami merangkaila Gambar 5.5, lalu membuat agar VCE tetap 5 volt. Dengan
mengubah nilai IB IB mulai dari 10A sampai 100A. lalu mengukur IC dan
VBE.
IC
Hitunglah HFE .
IB
Dan mencatat hasil pengukuran dan perhitungan pada Tabel 1.
2. Kami memerhatikan cara mengukur parameter dengan menggunakan
satu multimeter sebagai berikut:
Titik-titik pengukuran arus harus di hubung singkat pada saat
multimeter digunakan untuk mengukur titik yang lain.
Titik-titik pengukuran tegangan harus dibiarkan terbuka pada saat
multimeter digunakan untuk mengukur titik yang lain.
3. Masih dengan gambar yang sama Gambar 5.5, Kami mengubah VCE
mulai dari 0,1V sampai 5V dan mengubah nilai IB dari 25A sampai 100A
(sesuai Tabel 2). Lalu mengukur nilai IC. Dan mencatat hasil
pengukuran pada Tabel 2.
4. Kami mengulangi langkah 1,2,3 untuk rangkaian Gambar 5.6. Dan
mencatat hasil pengukuran pada Tabel 3 dan 4.
Perhatikan : polaritas pada multimeter harus disesuaikan.
5. Kami merangkai Gambar 5.7, dengan mengubah VCE mulai dari 0,1V sampai
5V dan
mengubah nilai IB dari 25A sampai 100A (sesuai tabel 5). Lalu
mengukur nilai IC. Dan mencatat hasil pengukuran pada Tabel 5
6. Untuk menampilkan karakteristik, Kami mengubah format YT menjadi
XY. Dan menggambarkan grafik yang tampak pada layar osiloskop di
kertas milimeter blok.
7. Lalu Kami mengulangi langkah 5 dan 6 untuk rangkaian Gambar 5.8
VI. TABEL PERCOBAAN
Tabel 1
VCE = 5 Volt Tetap

Tabel 2
 Tabel 3
VCE = 5 Volt Tetap

Tabel 4
Tabel 5

Tabel 6