RBL FI3131 SAINS DAN TEKNOLOGI MATERIAL ELEKTRONIK

RESUME METODE PENENTUAN OPTICAL BAND GAP

Jyesta Mahayu A, Efraim Partogi, Wilbert Irwan, Raymond Tirta K.
10217010, 10217048, 10217088, 10217109
Program Studi Fisika, Institut Teknologi Bandung, Indonesia
Email: jyesta.ma@gmail.com

Abstrak
Perkembangan teori kinetik gas memungkinkan kita untuk meninjau suatu sistem termodinamik secara mikroskopis.
Dalam eksperimen ini dilakukan percobaan dengan alat simulasi teori kinetik gas yang bertujuan untuk
menentukan distribusi kelajuan partikel, menentukan hubungan kelajuan dengan frekuensi alat dan banyak bola,
serta menentukan perbedaan antara distribusi yang didapatkan dengan distribusi Maxwell Boltzmann. Percobaan
dilakukan dengan memvariasikan frekuensi dan banyak bola yang dimasukkan ke dalam alat dan mengukur
banyaknya bola yang jatuh pada jarak tertentu. Dari hasil percobaan, didapatkan nilai kecepatan yang paling
mungkin muncul dan kurva distribusi kecepatan (secara teoritik dan secara eksperimen). Selanjutnya dibahas
mengenai hasil yang kita dapat. Dibahas hubungan dari distribusi kecepatan yang diperoleh dengan frekuensi alat
dna banyak bola serta perbedaan antara distribusi eksperimen dan teoritik. Dari eksperimen ini, didapat rapat
probabilitas secara teoritik dan eksperimen yang disajikan dalam bentuk grafik, dengan grafik yang berbeda untuk
variasi frekuensi dan banyak bola, serta didapat bahwa antara distribusi yang didapat secara eksperimen dan
distribusi teoritik Maxwell Boltzmann terdapat banyak perbedaan.
Kata kunci : distribusi Maxwell Boltzmann, gas ideal, rapat probabilitas kelajuan, teori kinetik gas

I. Pendahuluan mengabsorbsi intensitas gelombang yang

Penentuan energi bandgap sangat penting
dalam menentukan sifat dari material yang
digunakan. Energi bandgap merupakan energi
yang dibutuhkan untuk elektron berpindah dari
pita valensi dan pita konduksi adapun terdapat
2 jenisnya yaitu direct bandgap dimana akan
terjadi pada nilai momentum yang sama
sedangkan indirect bandgap terjadi ketika nilai
momentum yang berbeda. Menentukan sebuah
energi optik bandgap dari suatu material
sangat penting untuk menentukan
performansinya dalam hal devais
optoelektronik. Cara yang paling banyak
digunakan untuk menentukan energi optical
bandgap tersebut dengan menggunakan teknik
spektroskopi UV-Vis, seperti perhitungan
transmisi pada sebuah thin films[1]. Untuk
menentukan optical bandgap akan ditinjau
material InSe yang didoping dengan nitrogen,
terdapat 3 bahan yang akan ditinjau yaitu
pemanasan (Ts), doping nitrogen (Nitrogen),
dan pemanasan serta doping nitrogen (N+Ts).
Pada spektroskopi UV-Vis sebuah
panjang gelombang yang memiliki rentang
dari 180 hingga 1100 nm melewati sebuah
material yang ditinjau. Material tersebut akan
masuk sehingga dihasilkan intensitas setelah
melewati material yang ditinjau. Banyaknya
cahaya yang diabsorbsi oleh material
tergantung pada konsentrasi, jenis material
yang digunakan, dan panjanag gelombang
spektroskopi yang digunakan. Spektrum UV-
Vis menghasilkan grafik berupa variabel yang
ditetapkan seperti variabel absorbsi (sumbu-y)
terhadap panjang gelombang (sumbu-x) pada
panjang gelombang UV-Vis. Dari spektrum
UV-Vis tersebut akan digunakan metode plot
Tauc dimana pada metode Tauc sering
digunakan untuk mencari optical bandgap.
Tipikal sebuah plot Tauc menunjukkan
kuantitas hv (energi dari cahaya) pada sumbu x
sedangkan pada sumbu-y (αhv)1/r kasus
indirect bandgap dimana α merupakan
koefisien absorpsi dari sebuah material
sednagkan r adalah transisi natural alam. Plot
yang dihasilkan memiliki ektrapolasi linier
terhadap sumbunya sehingga didapatkan
energi optical bandgap dari material yang
ditinjau[2].
II. Pembahasan
Pada spektrofotometri UV-Vis, sampel
yang akan dikarakterisasi disinari oleh cahaya
pada panjang gelombang ultraviolet hingga
cahaya tampak. Dilakukan pengukuran
terhadap intensitas cahaya yang diteruskan,
dengan panjang gelombang cahaya yang
divariasikan. Dengan membandingkan
intensitas cahaya yang diteruskan dan
intensitas cahaya yang disinarkan,
didapatkanlah spektrum transmisi atau
absorbansi, yang menunjukkan besarnya
cahaya yang diserap atau diteruskan oleh
sampel sebagai fungsi dari panjang
gelombang. Absorbansi didefnisikan sebagai
logaritma dari perbandingan intensitas datang
dan intensitas yang diteruskan
𝐼0
𝐴 = log (1)
𝐼𝑡
dengan 𝐼0 intensitas cahaya yang datang dan 𝐼𝑡
intensitas cahaya yang diteruskan. Absorbansi
dari suatu sampel akan tergantung pada tebal
sampel tersebut dan pada sifat-sifat optik
sampel tersebut. Berikut adalah salah satu
contoh spektrum absorbansi, diambil dari
Sahayaraj (2017). Gambar di bawah adalah
spektrum absorbansi untuk thin film indium
selenida yang diberi tiga perlakuan berbeda:
pemanasan (Ts), doping nitrogen (Nitrogen),
dan pemanasan serta doping nitrogen (N+Ts).
Gambar 1. Contoh spektrum absorbansi
UV-Vis untuk thin film indium selenida
Dari spektrum absorbansi ini, bisa
dihitung koefisien absorbsi material. Koefisien
absorbsi merupakan sifat dari material yang
diuji, dan untuk semikonduktor akan
tergantung pada sifat-sifat elektronik dan optik
semikonduktor tersebut seperti konduktivitas
dan bandgap (tapi tidak bergantung pada tebal
sampel). Hubungan antara intensitas cahaya
yang diteruskan dan koefisien absorbsi
material dinyatakan oleh hukum Lambert-
Beer:
𝐼𝑡 = 𝐼0 exp(−𝛼𝑑) (2)
dengan 𝛼 koefisien absorbsi dan 𝑑 tebal
sampel, atau jika dinyatakan dalam absorbansi,
ln(10) 𝐴
𝛼= (3)
𝑑
Suatu material bisa menyerap
cahaya/foton yang datang apabila energi foton
tersebut cukup besar untuk mengeksitasi
elektron pada material (dari pita valensi ke pita
konduksi). Karena itu, ketika energi foton
lebih besar dari energi bandgap, koefisien
absorbsi material akan meningkat. (Bagian
saat absorbansi material meningkat biasa
disebut tepi absorbsi/absorption edge). Energi
foton bisa dicari dari panjang gelombang dari
ℎ𝑐
𝐸 = ℎ𝑓 = (3)
𝜆
dengan 𝐸 energi foton, ℎ konstanta Planck, 𝑓
frekuensi foton, 𝑐 kecepatan cahaya, dan 𝜆
panjang gelombang foton. Hubungan antara
koefisien absorbsi dengan energi foton juga
akan dipengaruhi oleh jenis/bentuk dari
struktur pita bahan. Secara umum, bentuk
struktur pita bisa dibedakan menjadi direct
bandgap dan indirect bandgap. Pada direct
bandgap, tepi pita konduksi dan tepi pita
valensi semikonduktor memiliki nilai
momentum kristal 𝑘 yang sama, sementara
untuk semikonduktor dengan indirect
bandgap, tepi pita valensi dan tepi pita
konduksi memiliki nilai momentum kristal
yang berbeda. Jenis bandgap ini akan
berpengaruh terhadap transisi yang terjadi di
dalam semikonduktor. Pada semikonduktor
dengan direct bandgap, elektron di pita valensi
dapat langsung berpindah ke pita konduksi,
selain itu, momentum elektron saat di pita
valensi akan sama dengan momengum
elektron pada pita konduksi. Sebaliknya, pada
semikonduktor dengan indirect bandgap,
karena nilai momentum kristal di tepi pita
valensi dan di tepi pita konduksi berbeda,
momentum elektron yang bertransisi akan
beruba.
Untuk menentukan besar energi bandgap,
salah satu metode yang biasa digunakan adalah
dengan menggunakan plot Tauc. Metode ini
didasarkan pada suatu hubungan yang
diturunkan oleh J. Tauc untuk kristal amorf
dengan indirect bandgap seperti germanium:
2
𝛼ℎ𝑓~(ℎ𝑓 − 𝐸𝑔 ) (4)
dengan 𝐸𝑔 energi bandgap. Untuk material
dengan direct bandgap, eksponen pada
hubungan di atas diganti dengan 1/2 sehingga
hubungan di atas menjadi
1/2
𝛼ℎ𝑓~(ℎ𝑓 − 𝐸𝑔 ) (5)
Karena itu, jika kita memplot nilai
(𝛼ℎ𝑓)2 (untuk direct bandgap) atau (𝛼ℎ𝑓)1/2
(untuk indirect bandgap) terhadap energi foton
ℎ𝑓, akan didapatakan grafik yang linear di
dekat tepi absorpsi. Jika bagian linear dari
grafik ini diekstrapolasi, akan didapatkan suatu
garis lurus yang memotong sumbu-y
(𝛼ℎ𝑓, ℎ𝑓 − 𝐸𝑔 bernilai nol_ di nilai energi
foton tertentu. Berdasarkan persamaan (4) dan
persamaan (5), energi pada titik potong ini
akan bernilai sama dengan energi bandgap
dari material.
Sebagai contoh, dari grafik pada Gambar
1, bisa dihitung nilai (𝛼ℎ𝑓)2 untuk 𝑓 yang
berbeda-beda, kemudian nilai (𝛼ℎ𝑓)2 terhadap
ℎ𝑓 diplot. Didapatkan plot Tauc (gambar di
bawah untuk sampel yang dipanaskan dan
didoping nitrogen) sebagai berikut.
Gambar 2. Contoh plot Tauc (dari grafik
N+Ts pada Gambar 1)
Bisa dilihat bahwa pada gambar di atas, dari
bagian linear pada grafik tersebut ditarik suatu
garis lurus. Perpotongan garis lurus tersebut
adalah energi bandgap dari material yang diuji
ini. Bisa dilihat juga bahwa ada dua garis yang
diekstrapolasi, pada dua bagian linear yang
berbeda di grafik di atas, dengan hasil
bandgap yang berbeda.
III. Kesimpulan
1. Dari percobaan, didapat kurva distribusi
kelajuan partikel dengan kelajuan yang
paling muncul berkisar antara 0,336-
0,497 m/s.
2. Dari kurva, dilihat bahwa peningkatan
frekuensi menyebabkan bertambahnya
bola dengan kelajuan tinggi dan
berkurangnya puncak kurva distribusi,
sementara penambahan jumlah bola
mengahasilkan kurva yang lebih halus
dengan fluktuasi yang lebih kecil.
3. Dengan membandingkan kurva hasil
eksperimen dan distribusi Maxwell-
Boltzmann, didapati meskipun kurva hasil
eksperimen memiliki bentuk yang mirip
dari kurva Maxwell Boltzmann, nilainya
berbeda jauh dari kurva teoritik. Hal ini
mungkin disebabkan oleh ketidakidealan
bola yang dipakai untuk mensimulasikan
gas ideal, pengaruh gravitasi, atau karena
bola yang melewati lubang tidak
merepresentasikan bola-bola yang lain.
IV. Daftar Pustaka
[1] Dolgonos, Alex.,Mason O.T. “Direct
optical band gap measurement in
polycrystalline semiconductors: A
critical look at the Tauc method”.
Journal of Solid State Chemistry 240
(2016) 43–48
[2] Tauc, J. (1968). "Optical properties and
electronic structure of amorphous Ge
and Si". Materials Research Bulletin. 3:
37–46.
[?] Chen, Z. dan Jaramillo, T., F. (2017).
"The Use of UV-Visible Spectroscopy to
Measure the Band Gap of a
Semiconductor". Departement of
Chemcial Engineering, Stanford
University.