banyak digunakan pada penguat frekuansi radio dalam alat penerima radio dan

televisi.

Sifat FET yang dapat berlaku sebagai hambatan (untuk VDS < VP),
memungkinkan dibuatnya rangkaian digital melulu menggunakan MOSFET
dalam bentuk rangkaian terpadu atau IC(Integrated Circuit) dengan kepadatan
yang amat tinggi. Rangkaian terpadu IC semacam ini dibuat LSI (Large Scale
Integration) terbuat dari MOSFET, yaitu yang dikenal sebagai MOS-LSI.

Akhir-akhir ini orang telah membuat sesuatu bentuk MOSFET untuk daya yang
besar, yang disebut VMOS, yang dapat bekerja pada VDS = 400 V dan ID = 40A
yang berarti dapat menyaklarkan daya 1.6 kwatt.

Ada dua macam MOSFET, yaitu MOSFET pertambahan (Enchancement) dan

MOSFET Perkurangan (Depletion) yang masing-masing dapat bersaluran n atau p

8.5.1 MOSFET Pertambahan

gambar 8.17a. menunjukkan JFET berstruktur bidang, dan gambar 8.17b.

menunjukkan MOSFET Pertambahan.

Pada MOSFET pertambahan jika pintu tak diberi tegangan panjat (VGS = 0) maka
tak ada saluran. Brarti tak ada konduksi, yaitu ID = 0 berapapun juga nilai V DS.

Jika pintu diberi tegangan positif terhadap sumber, maka lubang pada bahan p