LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA ANALOG

“Karakterisasi Dioda”

DISUSUN OLEH:

Nama : Nur Ani Wiji Astutik

Nim : 19306144009

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI

PROGRAN STUDI FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
ALAM
UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA

2020
A. Tujuan
1. Mengetahui Karakteristik dioda pada keadaan terpanjar maju dan terpanjar
mundur.
2. Membuat grafik I-V dari dioda pada keadaan terpanjar maju dan terpanjar
mundur.
B. Dasar Teori
Diode dibangun dengan cara menghubungkan semikonduktor tipe p dana tipe
n. ketika tidak ada tegangan terhubung pada diode, hole-hole pada semikonduktor tipe
pada semikonduktor tipe p dan electron-elektron bebas pada semikonduktor tipe n
akan berekombinasi. Hole dan electron yang berkombinasi akan memunculkan ion
positif dan negatif dan membentuk lapisan pengosongan. Pada gambar dibawah ini
ditunjukkan sebuah pertemuan/penggabungan bahan semikonduktor. Bagian pada
bahan jenis p disebut sebagai anoda sedangkan pada bagian jenis n disebut sebagai
katoda. Tanpa memberikan tegangan masuk, electron dari bahan semikonduktor jenis
n akan mengalir (menyeberang) ke bahan jenis p dengan mengisi beberapa ruang
kosong. Hal ini akan mengakibatkan area tersebut tidak ada pembawa muatan bebas.
Area ini disebut sebagai area deplesi.

Gambar dibawah menunjukkan keadaan anoda dibuat positif terhadap katoda,

disebut sebagai kondisi bias maju, dan arus bebas melalui diode.
 Sebaliknya pada gambar dibawah ini adalah menunjukkan keadaan katoda
dibuat positif terhadap anoda, disebut sebagai kondisi reserve bias (bias mundur), dan
arus tertahan oleh diode.

Dalam kondisi bias maju, diode semikonduktor bertindak seperti sebuah saklar
tertutup dan dalam keadaan bias mundur diode diode bertindak sebagai saklar terbuka.
Seperti yang dinyatakan sebelumnya bahwa tegangan bias maju harus melebihi
ambang bias maju diode, karena tegangan bias maju harus dapat menghilangkan
lapisan deplesi dan memaksa pembawa muatan yang tinggi untuk melalui
melintasinya. Dengan diode jenis silicon, batas tegangan bias maju adalah sekitar 0,6
volt hingga 0,7 volt, sedangkan jenis germanium batas tegangan bias tegangan bias
majunya 0,2 volt hingga 0,3 volt. Gambar dibawah ini menunjukkan karakteristik
khusus diode germanium dan diode silicon. Diode dibatasi dengan jumlah tegangan
bias maju dan sebaliknya dapat menahan tegangan bias mundur. Batas ini didasarkan
pada ukuran fisik dan konstruksi diode.
 Dalam keadaan bias mundur (reserve bias), bahan jenis p adalah negatif relasi
bias terhadap bahan jenis n. dalam hal ini, tegangan positif, menarik dari area
persimpangan sehingga meninggalkan area persimpangan hingga habis. Oleh karena
itu, area persimpangan menjadi isolator dan aliran arus menjadi terhambat.
Batas tegangan bias mundur pada diode yang mengakibatkan kerusakan
biasanya sangat jauh lebih tinggi dari batas ambang tegangan bias maju. Pada diode
khusus yang ditentukan dengan nilai tegangan bias maju sebesar 0,6 volt, memiliki
ambang tegangan bias mundur hingga 200 volt. Jika tegangan bias mundur
terlampaui, maka diode akan rusak permanen.
C. Komponen yang Digunakan
1. Resistor (1 k ohm)
2. Dioda 1N4007
3. Battery (single cell)
4. Voltmeter
5. Oscilloscope/ Amperemeter
D. Langkah Kerja
1. Merangkai terpanjar maju komponen diode dan resistor secara seri seperti
berikut

2. Mengatur dan mengubah-ubah tegangan baterai

3. Mengukur tegangan dioda yang telah diberi tegangan sumber, yaitu dengan
mempararelkan voltmeter
4. Mengukur arus yang mengalir, yaitu dengan mengukur tegangan pada
hambatan sesuai yang tertera pada oscilloscope dan hasilnya dibagi dengan
hambatan.
5. Memasukkan hasil pengukuran pada table
6. Mengulangi langkah percobaan untuk terpanjar mundur
A
-0.10
Volts

D1

DIODE

R1
BAT1 1k
0.1V
E. Data

Tabel hasil percobaan untuk karakteristik diode disajikan dibawah ini:

a. Forward bias (Bias Maju)

No Vs (volt) Vd (volt) I (Ampere)

1 0,1 0,1 0

2 0,2 0,2 0

3 0,3 0,3 0

4 0,4 0,4 0

5 0,5 0,48 0

6 0,6 0,52 0

7 0,7 0,54 0

8 0,8 0,56 0

9 0,9 0,57 0

10 1,0 0,58 0

11 1,1 0,59 0

12 1,5 0,61 0,2855

13 2 0,63 0,2855

14 3 0,65 0,571

15 4 0,66 0,571

16 5 0,67 1,142

17 6 0,68 2,284

18 10 0,70 3,426
 19 15 0,71 4,568

20 20 0,73 5,71

b. Reverse Bias (Bias Mundur)

No Vs (volt) Vd (volt) I (Ampere)

1 0,1 -0,1 0
2 0,2 -0,2 0
3 0,3 -0,3 0
4 0,4 -0,4 0
5 0,5 -0,5 0
6 0,6 -0,6 0
7 0,7 -0,7 0
8 0,8 -0,8 0
9 0,9 -0,9 0
10 1,0 -1,0 0
11 1,1 -1,1 0
12 1,5 -1,5 0
13 2 -2 0
14 3 -3 0
15 4 -4 0
16 5 -5 0
17 6 -6 0
18 10 -10 0
19 15 -15 0
20 20 -20 0
F. Analisis Data

TERPANJAR MAJU (FORWARD BIAS)

6

5
Arus (Ampere)

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Tegangan Dioda (volt)

Ketika kaki katoda disambungkan dengan kutub negatif batere dan kaki anoda
disambungkan dengan kutub positif, maka dikatakan bahwa dioda sedang dibias
dengan tegangan maju. Dioda dengan bias tegangan maju dalam bias maju, kutub
negatif batere akan menolak elekton-elektron bebas yang ada dalam semikonduktor
tipe N, jika energi listrik yang digunakan adalah melebihi tegangan barier, maka
elektron yang tertolak tersebut akan melintasi daerah deplesi dan bergabung dengan
hole yang ada pada tipe P, hal ini terjadi terus menerus selama rangkaian di gambar
tersebut adalah rangkaian tertutup. Dioda yang dibias maju akan dapat menghantarkan
arus sepenuhnya setelah melewati tegangan potensial barier atau kneevoltage.

TERPANJAR MUNDUR (RESERVE BIAS)

1
0.9
0.8
Arus (Ampere)

0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
-20, 0 0
-25 -20 -15 -10 -5 0
Tegangan Dioda (volt)

Ketika sebuah dioda disambungkan pada polaritas terbalik dimana kaki katoda
disambungkan ke kutub positif dan kaki anoda disambungkan ke kutub negative
(rangkaian terbuka) maka dioda mengalami bias mundur/reverse bias. Sebuah dioda
tidakakan menghantarkan arus listrik jika diberi bias mundur. Dioda tidak
menghantarkan arus listrik,setelah melewati tegangan breakdown arus akan
dihantarkan.
G. Pembahasan
Pada praktikum elektronika analog yang pertama ini kami melakukan
praktikum yang berjudul karakterisasi dioda. Praktikum ini bertujuan untuk
mengetahui karakteristik diode pada keadaan terpanjar maju dan terpanjar mundur
serta menggambar grafik I-V dari diode pada keadaan terpanjar maju dan terpanjar
mundur. Kali ini, digunakan resistor yang memiliki hambatan 1000 ohm dengan satu
dioda. Alat dan bahan yang digunakan yaitu resistor, dioda, voltmeter, osiloskop, dan
baterai. Kami melakukan dua percobaan yaitu untuk bias maju dan bias mundur.
Untuk bias maju, positif baterai dihubungkan dengan anoda dan negatifnya
dihubungkandengan katoda. Keadaan ini biasa disebut forward bias. Aliran arus dari
anoda menuju katoda, dan aksinya sama dengan rangkaian tertutup. Dengan
pemberian tegangan maka pembawa mayoritas dari bahan tipe p (hole) akan tertarik
oleh kutub negatif baterai melewati persambungan dan berkombinasi dengan electron
(pembawa mayoritas bahan tipe n). Demikian juga elektronnya akan tertarik oleh
kutub positif baterai untuk melewati persambungan. Oleh karena itu daerah
pengosongan atau daerah deplesi terlihat semakin menyempit. Dan arus dioda yang
disebabkan oleh pembawa mayoritas akan mengalir, yaitu I diode. Pada bias maju ini
terjadi aliran arus dengan ketentuan beda tegangan yang diberikan ke dioda selalu
positif. Arus mulai muncul ketika diode diberi tegangan sebesar 0,61 volt. Terjadi
kenaikan arus yang konstan ketika diode diberi tegangan 0,67 volt.
Untuk bias mundur, pemberian tegangan negatif baterai ke anoda dan
tegangan positif ke katoda dari dioda tersebut. Dari keadaan ini biasa disebut dengan
reserve bias. Karena pada ujung anoda yang berupa bahan tipe p diberi tegangan
negatif, maka hole-hole pembawa mayoritas akan tertarik ke kutub negatif baterai
menjauhi persambungan. Demikian juga katoda pada ujung katoda yang berupa bahan
tipe n diberi tegangan positif maka electron-elektron pembawa mayoritas akan tertarik
ke kutub positif baterai menjauhi persambungan. Sehingga daerah pengosongan
semakin lebar dan arus yang disebabkan oleh pembawa mayoritas ada yang mengalir.
Sedangkan pembawa minoritas yang berupa electron pada bahan tipe p dan hole pada
bahan tipe n akan berkombinasi sehingga mengalir arus jenuh mundur (reserve
satuation current) atau Is. Arus ini dikatakan jenuh karena dengan cepat mencapai
harga maksimum tanpa dipengaruhi besarnya tegangan baterai. Besarnya arus ini
dipengaruhi oleh temperature. Makin tinggi temperature, makin besar harga Is. Pada
suhu ruang, untuk besar Is ini dalam skala microampere untuk dioda germanium dan
nanoampere untuk dioda silicon. Ketika praktikum ruangan juga dioengaruhi oleh
pendingin yang bisa jadi juga mempengaruhi temperature.
Hubungan antara besarnya arus yang mengalir melalui dioda dengan tegangan
dapat dilihat pada grafik yang ada diatas. Terdapat dua macam grafik, yaitu dioda
dengan bias maju dan bias mundur. Ketika diode diberi bias maju, yaitu bila tegangan
positif bertemu anoda maka Id akan naik dengan cepat setelah tegangan yang
diberikan mencapai cut-in. tegangan cut-in ini terjadi pada keadaan tegangan 0,67
 volt. Dengan pemberian tegangan baterai sebesar ini, maka potensial penghalang pada
persambungan akan teratasi, sehingga arus diode mulai mengalir dengan cepat.
Grafik kedua yaitu grafik untuk bias mundur, besarnya arus jenuh mundur (Is)
untuk diode germanium adalah dalam microampere dan silicon dalam nanoampere.
Namun dalam praktikum yang dilakukan, pengamat belum bisa melihat adanya arus
tersebut dikarenakan keterbatasan skala pada alat, apabila sangat kecil apalagi ber
orde nanoampere jadi yang terlihat pada voltmeter hanyalah nol. Apabila tegangan
yang berpolaritas negatif tersebut dinaikkan terus, maka suatu saat akan mencapai
tegangan patah atau biasa disebut breakdown. Dimana arus Is akan naik dengan tiba-
tiba namun dalam arus negatif. Pada saat mencapai tegangan breakdown ini pembawa
minoritas dipercepat hingga mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk
mengeluarkan electron valensi dari atom. Kemudian electron ini juga dioercepat
untuk membebaskan yang lainnya sehingga arusnya semakin besar. Pada keadaan ini
tegangan yang bisa menyebabkan breakdown ketika sudah mencapai 50 volt. Namun
pada praktikum kali ini tegangan maksimum yang dapat diberikan hanya sebatas 20
volt, jadi grafik yang terlihat hanya garis lurus.
H. Kesimpulan
1. Karakterisasi diode
Pada kondisi maju (forward), karakteristik dioda adalah menghantar
atau mengalirkan arus. Ini tampak pada kondisi yang menandakan ada arus
listrik yang mengalir saat dilakukan pengukuran menggunakan multimeter.
Pada kondisi sebaliknya ketika dioda dipasang secara mundur (reverse)
karakteristik dioda adalah menghambat. Kondisi ini ditandai dengan
pengukuran arus dan tegangan pada resistor bernilai 0 yang menandakan tidak
ada arus listrik yang mengalir.
2. a. Grafik pada terpanjar maju :

TERPANJAR MAJU (FORWARD BIAS)

6

5
Arus (Ampere)

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Tegangan Dioda (volt)
 b. Grafik pada terpanjar mundur :

TERPANJAR MUNDUR (RESERVE BIAS)

1
0.9
0.8
Arus (Ampere)

0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
-20, 0 0
-25 -20 -15 -10 -5 0
Tegangan Dioda (volt)

I. Daftar Pustaka
Royen, Abi. 2016. “Pemahaman Semikonduktor Dioda”. Diakses pada tanggal
19 September 2020.
http://abi-blog.com/dioda-semikonduktor/