LAPORAN PRAKTIKUM

KARAKTERISTIK DIODA
MATA KULIAH PENGUKURAN
DAFTAR ISI LISTRIK DASAR

SEMESTER GENAP 2018/2019

DAFTAR ISI.............................................................................................................i
Kode Mata Kuliah/SKS : EL 306223/3
DAFTAR GAMBAR..............................................................................................iii
Kelas 1B – D4 Teknik Listrik
DAFTAR TABEL...................................................................................................iv

I. TUJUAN..........................................................................................................1

II. TEORI DASAR...............................................................................................2

A. Forward bias..............................................................................................3

B. Reverse bias...............................................................................................4

III. RANGKAIAN PERCOBAAN.....................................................................5

IV. ALAT DAN BAHAN...................................................................................6

V. LANGKAH KERJA........................................................................................7

VI. HASIL PERCOBAAN..................................................................................8

AN NISAA‘ NOOR RAMADHONI
A. Dioda Germanium (AA118)......................................................................8

B. 42118030
Dioda Silikon (1N4007)............................................................................9

C. Dioda sebagai Penyearah.........................................................................11

Dosen Pembimbing : ANDARINI ASRI, S.T., M.T.
VII. ANALISA...................................................................................................12

A. Analisis Perhitungan Berdasarkan Teori.................................................12

B. PROGRAM STUDI D-4 TEKNIK LISTRIK

Analisa.....................................................................................................14

VIII. JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

KESIMPULAN.......................................................................................15

DAFTAR POLITEKNIK NEGERI UJUNG PANDANG

PUSTAKA............................................................................................16

LAMPIRAN...........................................................................................................17
MAKASSAR

2019
 DAFTAR GAMBAR

Gambar 1. Simbol dioda..........................................................................................2

Gambar 2. Kurva karakteristik dioda.......................................................................3

Gambar 3. Gambaran bias maju (forward bias).......................................................3

Gambar 4. Garmbaran bias mundur (reverse bias)..................................................4

Gambar 5 Rangkaian Karakteristik Bias Maju........................................................5

Gambar 6 Rangkaian Karakteristik Bias Mundur....................................................5

Gambar 7 Rangkaian Dioda Sebagai Penyearah......................................................5

Gambar 8 Rangkaian Bias Maju Dioda Germanium (AA118)................................9

Gambar 9 Rangkaian Bias Mundur Didoa Germanium (AA118)...........................9

Gambar 10 Rangkaian Bias Maju Dioda Silikon (1N4007)..................................10

Gambar 11 Rangkaian Bias Mundur Dioda Silikon (1N4007)..............................10

Gambar 12 Rangkaian Dioda Sebagai Penyearah..................................................11

Gambar 13 Grafik Keluaran Osiloskop.................................................................11

 DAFTAR TABEL

Tabel 1 Alat dan Bahan............................................................................................6

Tabel 2 Hasil Pengukuran Dioda Germanium (AA118)..........................................8

Tabel 3 Hasil Pengukuran Dioda Silikon (1N4007)................................................9

I.
 II. TUJUAN

Setelah menyelesaikan praktikum, maka diharapkan dapat :

1. Mengukur karakteristik V-I diode germanium dan diode silicon
2. Menentukan tagangan hidup (threshold voltage) Vt
3. Menghitung resistansi statis, RS
4. Menghitung resistansi dinamis, Rd
5. Menggunakan osiloskop untuk menampilkan karakteristik V-I dioda secara
langsung
6. Membandingkan parameter diode germaniuim dengan dioda
silicon[ CITATION Job182 \l 1033 ]
 III. TEORI DASAR

Dioda merupakan komponen semikonduktor yang paling sederhana. Kata

dioda berasal dari pendekatan kata yaitu dua elektroda yang mana (di berarti dua)
mempunyai dua buah elektroda yaitu anoda dan katoda. Dioda termasuk kedalam
ketegori komponen elektronika aktif. Dioda terbentuk dari bahan semikonduktor
tipe P dan N yang digabungkan. Dengan demikian dioda sering disebut PN
junction. Dioda memiliki sifat dapat menghantarkan arus pada tegangan maju,
serta menghambat arus pada tegangan balik (penyearah). Dioda memiliki dua
kaki, yakni kaki anoda dan kaki katoda.

Dioda merupakan bahan semikonduktor yang sering digunakan sebagai

komponen dalam dunia elektro sebagai penyearah dari arus AC. Dioda terdiri dari
sambungan semikonduktor yang bersifat positif dan negatif (biasa disebut
junction PN). Pada junction PN terdapat daerah deplesi yang memiliki energi
sebesar 0,7 volt untuk dioda berbahan silikon dan 0,3 volt untuk dioda berbahan
germanium). Daerah deplesi (depletion layer) merupakan daerah dengan
kesetimbangan hole dan elektron. Dalam penerapannya dua pengkodisian yang
sering di gambarkan dalam kurva karakteristik dioda.

Dioda semikonduktor hanya dapat melewatkan arus pada satu arah saja, yaitu
pada saat dioda memperoleh catu arah/bias maju (forward bias). Karena di dalam
dioda terdapat junction (pertemuan) dimana daerah semikonduktor type-p dan
semi konduktor type-n bertemu. Pada kondisi ini dioda dikatakan bahwa dioda
dalam keadaan konduksi atau menghantar dan mempunyai tahanan dalam dioda
relative kecil. Sedangkan bila dioda diberi catu arah/bias mundur (Reverse bias)
maka dioda tidak bekerja dan pada kondisi ini dioda mempunyai tahanan dalam
yang tinggi sehingga arus sulit mengalir. [ CITATION Aca193 \l 1033 ]

Gambar 1. Simbol dioda

 Gambar 2. Kurva karakteristik dioda

A. Forward bias
Arus listrik pada dioda hanya mengalir jika dioda diberi tegangan positif
pada lapisan positifnya dan diberi tegangan negatif pada lapisan negatifnya
(biasa disebut forward bias).  

Gambar 3. Gambaran bias maju (forward bias)

Pada gambar tersebut terlihat bahwa lapisan positif dioda diberi tegangan
positif dan lapisan negatifnya diberi tegangan negatif. Pada kondisi forward
bias, depletion layer semakin menyempit sehingga arus dapat mengalir pada
dioda. Pada kondisi ini dioda berfungsi sebagai penghantar.
B. Reverse bias
Reverse bias adalah kondisi dimana lapisan negatif dioda diberi tegangan
positif dan lapisan positifnya diberi tegangan negatif.
Berikut adalah gambar reverse bias :

Gambar 4. Garmbaran bias mundur (reverse bias)

Pada kondisi reverse bias, depletion layer melebar sehingga idealnya arus
listrik tidak dapat melewati dioda.[ CITATION Aca194 \l 1033 ]
IV. RANGKAIAN PERCOBAAN

Gambar 5 Rangkaian Karakteristik Bias Maju

Gambar 6 Rangkaian Karakteristik Bias Mundur

Gambar 7 Rangkaian Dioda Sebagai Penyearah

 V. ALAT DAN BAHAN

Tabel 1 Alat dan Bahan

No Nama Alat dan Bahan Jumlah

1 Dioda Germanium AA118 1 buah
Multimeter
-Voltmeter
2
-Amperemeter 3 buah
-Ohmmeter
3 Papan Percobaan 1 buah
4 Dioda Silikon IN 4007 1 buah
5 Resistor 100 Ω (2 watt) 1 buah
6 Jumper 20 buah
7 Resistor 10 Ω (1 watt) 1 buah
8 Osiloskop 2 chanel 1 buah
9 Sumber tegangan DC variabel 0-30 volt 1 buah
10 Sumber tegangan AC variabel 0-12 Volt 1 buah
 VI. LANGKAH KERJA

1. Menyiapkan alat dan bahan;

2. Membuat rangkaian seperti pada Gambar 5 dengan menggunakan dioda
germanium dan R = 100 Ω;
3. Mengukur Vf dan If-nya;
4. Mencatat hasil pengukuran pada tabel;
5. Memutar posisi diode germanium 180⁰ hingga rangkaian terlihat seperti
Gambar 6, tetap menggunakan R = 100 Ω;
6. Mengukur Vf dan If-nya, sama seperti percobaan sebelumnya;
7. Mencatat hasil pengukuran pada tabel;
8. Mengulangi langkah diatas dengan menggunakan dioda silicon;
9. Mencata hasilnya pada tabel;
10. Membuat rangkaian sepertiGambar 7, dengan menggunakan dioda
germanium.
11. Menghidupkan osiloskop pada operasi X-Y/DC.
12. Menaikkan sumber secara perlahan-lahan sampai maksimum.
13. Menggambar karakteristik v – i dioda yang muncul pada layar osiloskop
disertai dengan mencatat skala arus dan tegangannya.

A.
 VII. HASIL PERCOBAAN

A. Dioda Germanium (AA118)

Tabel 2 Hasil Pengukuran Dioda Germanium (AA118)

Bias Maju Bias Balik

Vf (V) If(mA) VR (V) IR (mA)
0 0 1 0
0,1 0 2 0
0,2 0 3 0
0,3 0 4 0
0,4 0,12 5 0
0,5 0,88 6 0
0,6 6,11 7 0
0,7 6,22 8 0
0,8 32,15 9 0
10 0

Gambar 8 Rangkaian Bias Maju Dioda Germanium (AA118)

 Gambar 9 Rangkaian Bias Mundur Didoa Germanium (AA118)

B. Dioda Silikon (1N4007)

Tabel 3 Hasil Pengukuran Dioda Silikon (1N4007)

Bias Maju Bias Balik

Vf (V) If(mA) VR (V) IR (mA)
0 0 1 0
0,1 0 2 0
0,2 0 3 0
0,3 0 4 0
0,4 0,03 5 0
0,5 0,38 6 0
0,6 2,77 7 0
0,7 18,62 8 0
0,8 - 9 0
10 0
 Gambar 10 Rangkaian Bias Maju Dioda Silikon (1N4007)

Gambar 11 Rangkaian Bias Mundur Dioda Silikon (1N4007)

C. Dioda sebagai Penyearah

 Gambar 12 Rangkaian Dioda Sebagai Penyearah

Gambar 13 Grafik Keluaran Osiloskop

Analisis Data :
 Vertikal
V/Div = 5 V/Div
Dengan, 2,6 Div
 Horizontal
Time/Div = 1 mS/Div
Dengan, 3, Div
 VIII. ANALISA

A. Analisis Perhitungan Berdasarkan Teori

a. Dioda Germanium (AA118)
 Bias Maju
 Resistansi Dioda, dengan Vf = 0 V
V 0
R= I = 0 =∞
 Resistansi Dioda, dengan Vf = 0,4 V
V 400
R = I = 0,01 = 40 kΩ
 Resistansi Dioda, dengan Vf = 0,7 V
V 700
R = I = 7 ,85 = 89,2 mΩ
 Tegangan sumber
Vs = Vr + Vf
V s =( I ¿¿ f xR)+V f ¿
V s =( 0,00013 x 100 ) +0,5
V s =0,513 V
 Selisih = nilai teori – nilai percobaan
= 0,513 – 0,38
= 0,133
selisih
error= ×100 %
teori
0 ,133
error= ×100 %=25 , 92 %
0 ,513
 Bias Balik
 Resistansi Dioda, dengan Vr = 0 V
V 0
R= I = 0 =∞
  Resistansi Dioda, dengan Vr = 5 V
V 5
R= I = 0 =∞
 Resistansi Dioda, dengan Vr = 10 V
V 10
R= I = 0 =∞
b. Dioda Silikon (1N4007)

Analisis Data :

 Bias Maju
 Resistansi Dioda, dengan Vf = 0 V
V 0
R= I = 0 =∞
 Resistansi Dioda, dengan Vf = 0,4 V
V 400
R = I = 0,03 = 1,3 kΩ
 Resistansi Dioda, dengan Vf = 0,7 V
V 700
R = I = 15,55 = 45,01 mΩ
 Tegangan sumber
Vs = Vr + Vf
V s =( I ¿¿ f xR)+V f ¿
V s =( 0,01555 x 100 ) +0,6
V s =2,155 V
 Selisih = nilai teori – nilai percobaan
= 2,155 – 2,77
= 0,565
selisih
error= ×100 %
teori
0,565
error= ×100%=26 , 021 %
2, 155
  Bias Balik
 Resistansi Dioda, dengan Vr = 0 V
V 0
R= I = 0 =∞
 Resistansi Dioda, dengan Vr = 5 V
V 5
R= I = 0 =∞
 Resistansi Dioda, dengan Vr = 10 V
V 10
R= I = 0 =∞

C. Analisa

Pada percobaan arus maju, dioda germanium dan diode silicon ini ketika
tegangan sumber dinaikkan maka arus pada diode juga melonjak tinggi, ini
disebabkan karena ketika sebuah dioda diberi bias maju maka arus akan naik
dengan cepat setelah mencapai tegangan cut-in. Dengan pemberian tegangan
yang besar maka potensial penghalang dan persambungan akan teratasi,
sehingga arus dioda mulai mengalir dengan cepat.

Pada percobaan bias arus balik, dioda germanium dan dioda silicon ini
ketika dioda diberi bias balik maka dioda tidak dapat menghantarkan arus
listrik, ini dikarenakan hambatan dalam pada dioda sangat tinggi sehingga arus
sulit mengalir.

Dalam percobaan dioda sebagai penyearah didapatkan osilasi keluaran

yang berbentuk pada gambar 10. Dengan div vertical sebesar 2,8 div dan div
horizontal sebesar 2,6 div. penggunaan skala volt/div sebesar 5 volt/div dan
time/div sebesar 5 ms/div.
 IX. KESIMPULAN

Setelah melakukan praktik, perhitungan teori dan menganalisis percobaan dapat

disimpulkan :
1. Praktikan dapat mengukur karakteristik tegangan dan arus masing-masing
dioda, V-I dioda germanium dan diode silicon.
2. Praktikan dapat menentukan tegangan hidup (threshold voltage) Vt
3. Praktikan dapat menghitung resistansi statis, RS dan resistansi dinamis, RD
4. Praktikan dapat menggunakan osiloskop untuk menampilkan karakteristik V-I
dioda secara langsung, baik dioda germanium maupun dioda silicon sehingga
dapat diketahui Vt, Rs, Rd dan lainnya.
5. Praktikan dapat membandingkan parameter dioda germaniuim dengan dioda
silicon.
 DAFTAR PUSTAKA

Jobsheet Laboratorium Pengukuran Dasar. (2018).

Academia Edu. (n.d.). Retrieved May 10, 2019, from

https://www.academia.edu/34825773/PRAKTIKUM_ELEKTRONIKA_T
ENTANG_KARAKTERISTIK_DIODA

Academia Edu. (n.d.). Retrieved May 11, 2019, from

https://www.academia.edu/7953074/Karakteristik_Dioda
LAMPIRAN