Rangkuman Video 1:

Pada umumnya, transistor BJT (Bipolar Junction Transistors) digunakan untuk beban
dengan arus yang kecil (kurang dari satu ampere), sedangkan transistor Mosfet (Metal-Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) digunakan untuk beban dengan arus yang besar.

Poin-poin rangkuman:

 Mosfet merupakan bagian dari Transistor tipe FET.

 Mosfet memiliki dua tipe yaitu tipe deplation dan tipe enhancement.
 Mosfet tipe deplation bekerja seperti saklar tertutup, dimana arus dapat mengalir
ketika tidak ada tegangan yang diterapkan, meskipun sebenarnya tegangan negative
menyebabkan arus berhenti mengalir.
 Mosfet tipe enhancement, bekerja seperti variable resistor yang terbagi atas tipe
kanal P dan tipe kanal N. Memiliki pin yang terdiri dari Gate, Drain, Source yang
bekerja akibat adanya tegangan. Hal ini berbeda dengan transistor BJT yang
bekerja akibat adanya arus.
 Pada transistor mosfet, ketika diberikan tegangan antara Gate dan Source, arus
akan mengalir diantara Drain dan Source, dimana ada variable resistor yang
dikendalikan oleh tegangan tersebut. Dengan tegangan yang rendah pada Gate,
resistansi dari Drain ke Source akan sangat rendah, konsepnya seperti Saklar
terbuka.
 Namun, jika kita meningkatkan tegangan pada Gate hingga melewati batas
tegangan ambang, lalu resistansi dari Drain ke Source diturunkan dengan sangat
cepat maka akan terlihat perbedaan yang sangat jelas antara Mosfet dan BJT, yaitu
arus output bukan kelipatan dari input karena Mosfet hanya berfokus pada
tegangan.
 Sejak kita akan menggunakan Mosfet dengan arus yang tinggi, penting untuk
mengecek berapa panas yang akan terjadi, hal tersebut dilakukan agar kita bisa
mengetahui dengan menghitung apakah kita butuh heat sink atau tidak, sehingga
perlu dilakukan beberapa langkah berikut:
- Mampu membedakan pin dari Gate, Drain, dan Source.
- Melihat lembar data untuk menentukan tegangan ambang, yang selanjutkan
akan dituliskan sebagai VGS atau Vth
- Menentukan resistansi drain ke source atau RDS-on dengan nilai arus sesuai
dengan bebannya.
- Mencari nilai Rtheta JA dan nilai maksimum temperature junction untuk
menghitung seberapa panas Mosfet akan terjadi.

Rumus yang diperlukan:

Untuk mencari daya:

Untuk menentukan berapa banyak daya yang disipasi Mosfet (P=R*I^2).

PD = (Max(TJ)-TA) / Rtheta JA
Video 2:

Sejarah

Sekitar 50 tahun, software bertumbuh pada kompleksitas kode mesin yang di buat oleh
tangan diatas pita kertas, untuk objek dengan orientasi Bahasa pemprograman disusun di lingkungan
pengembangan terintegrasi. Tapi, pada perkembangan yang mendalam tidak akan mungkin tanpa
perbaikan pada perangkat keras.

Dari tahun 1940 hingga pertengahan tahun 1960, setiap computer di bangun dari bagian
individual yang dinamakan kompenen diskrit, yang dimana semua saling terhubung. Sebagai contoh,
ENIAC, berisi dari 1700 tabung ruang hampa, 70.000 resistor, 10.000 kapasitor, dan 7000 dioda,
semuanya memerlukan 5 juta titik solder untuk terkoneksi. Menambah lebih banyak komponen
untuk meningkatkan performa berarti lebih banyak sambungan juga, lebih banyak kabel dan hanya
semakin rumit, itulah apa yang digelari sebagai The Tyranny of Numbers.

Pada pertengahan tahun 1950, transistor tersedia secara komersial dan mulai disatukan
kedalam computer. Yang dimana, transistor ini jauh lebih kecil, cepat dan lebih dapat diandalkan
daripada tabung ruang hampa.

Pada 1959, IMB meng-upgrade komputer vacuum-tube-based “709” menjadi transistor,

dengan mengganti semua vacuum tubes menjadi transistor. Mesin baru, IBM 7090, menjadi enam
kali lebih cepat dengan harga yang setengah harga dari harga sebelumnya. Komputer transistor ini di
tandai sebagai generasi kedua dari komputasi elektronik. Walaupun lebih cepat dan lebih kecil,
transistor bukan solusi dari Tyranny of Number.

Pada 1960, masa ini mencapai titik puncak. Bagian computer sering kali hanya berisikan
kabel besar yang kusut. Namun, didalam PDP-8 dari tahun 1965 terdapat jawaban dari
permasalahan tersebut yaitu menaikkan level abstransi baru dan mengemas komplesitas yang
mendasarinya. Terobosan datang pada tahun 1958, Ketika Jack Kilby, bekerja di Texas instruments,
mendemonstrasikan bagian elektronik, dimana semua komponen dari sirkuit elektronik sepenuhnya
terintegrasi. Secara sederhana, alih-alih membangun komponen computer dari banyak komponen
dan kabel diskrit, kita bisa menempatkan banyak komponen secara besamaan, didalam satu
komponen baru. Inilah yang dinamakan lintasan terintegrasi, atau IC. Beberapa bulan selanjutnya
pada 1959, Fairchild Semiconductor, yang dipimpin oleh Robert Noyce, membuat IC menjadi praktis.
Kibly membangun IC nya dari bahan germanium, yang merupakan bahan yang langka dan tidak
stabil. Tapi, Fairchild menggunakan silicon yang berlimpah yang menyusun sekitar seperempat dari
kerak bumi, itu juga lebih stabil dan lebih mudah didapatkan. Untuk alasan in, Noyce dianggap
sebagai bapak dari IC modern, mengantarkan pada era elektronik dan juga Silicon Valley, dimana
Fairchild berada dan dimana banyak perusahaan semikonduktor akan segera muncul.

Dimasa-masa awal, IC mungkin hanya berisi rangkaian sederhana dengan hanya beberapa
transistor, seperti Westinghouse. Tapi hal ini masih memungkinkan sirkuit sederhana, seperti
gerbang logika, untuk dikemas menjadi satu komponen. IC adalah semacam lego bagi para insinyur
computer “blok bangunan” yang bisa diatur kedalam deretan dengan kemungkinan desain yang
tidak terbatas, meskipun masih harus dihubungkan pada beberapa titik untuk menciptakan sirkuit
kompleks yang lebih besar dan lebih banyak, selayaknya pada computer. Untuk itu, insinyur memiliki
inovasi lain: Printed Circuit Boards atau PCB. Alih-alih menyolder dan membundel bazillions kabel,
PCB dapat diproduksi secara massal semua kabel logam terukir tepat didalamnya untuk
menghubungkan komponen. Dengan menggunakan PCB dan IC bersamaan, seseorang dapat
mencapai sirkuit fungsional yang persis sama yang terbuat dari komponen diskrit. Ditambah, itu
lebih kecil, murah, dan mudah didapatkan.

Banyak IC terdahulu yang diproduksi menggunakan komponen diskrit yang mungil yang
dikemas sebagai unit tunggal, seperti IBM dari tahun 1964. Untuk mencapai desain yang lebih
kompleks, dibutuhkan proses radikal fabrikasi yang berbeda yang mengubah semuanya:
Photolithography (menggunakan cahaya untuk memindahkan pola kompleks ke material, seperti
sebuah semi konduktor). Itu hanya beberapa operasi dasar, tetapi ini dapat digunakan untuk
membuat sirkuit yang sangat kompleks.

Proses pembuatan Transistor

Irisan silikon, seperti kue yang tipis, ini dinamakan wafer. Silikon adalah semikonduktor yang
berupa material yang kadang dapat menghantar listrik dan kadang tidak. Kita dapat menggunakan
sebuat wafer sebagai bahan dasar untuk sirkuit metal yang kompleks, jadi semuanya dapat
terintegrasi.

Step selanjutnya, menambahkan sebuah layer oxide tipis diatas silicon, yang berperan
sebagai pelindung lapisan.

Lalu, kita mengaplikasikan bahan kimia special bernama photoresist. Saat terkena cahaya,
bahan kimianya berubah dan menjadi larut, sehingga bisa terlarut dengan sebuah bahan kimia
spesial yang berbeda. Photoresist tidak sangat berguna untuk dirinya sendiri, tapi sangat berguna
apabila digunakan pada conjunction dengan sebuah photomask. Photomask ini hanya seperti bagian
dari film photographic, yang berisi pola untuk dipindahkan ke dalam wafer. Kita melakukan ini
dengan meletakkan sebuah photomask diatas wafer dan menyalakan cahaya yang kuat, dimana
mask ini akan mem-block cahaya, sehingga photoresist tidak berubah. Tapi, cahaya yang tidak
mengenai photoresist berubah secara kimiawi yang memungkinkan kita membasuhnya, hanya
photoresist yang terkena cahaya, sehingga secara selektif memperlihatkan area lapisan oxide.

Sekarang, dengan menggunakan bahan kimia special lainnya, biasanya menggunakan sebuah
asam, kita dapat menghilangkan oxide yang terpapar dan lubang kecil sepanjang jalan ke bawah
menuju silikon. Catat, bahwa layer oxide dibawah photoresist terlindungi. Untuk membersihkannya,
kita menggunakan bahan kimia khusus lainnya yang menghapus photoresist yang tersisa. Terdapat
banyak bahan kimia special pada photolithography, masing-masing dengan fungsi yang sangat
spesifik.

Jadi sekarang kita dapat melihat pada silikon kembali, kita ingin memodifikasi hanya pada
area yang terekspos untuk dapat menghantas listrik lebih baik. Untu itu, kita perlu untuk mengubah
bahan kimia dengan sebuah proses yang dinamakan: doping. Paling sering dilakukan dengan gas
bersuhu tinggi, seperti Phospor, yang menembus ke dalam area terbuka pada silikon. Ini mengubah
sifat listriknya. Tapi, kita masih perlu mengulang lagi tahap pada photolithograpy untuk membuat
sebuah transistor.

Pada dasarnya, proses dimulai lagi, pertama dengan membangun lapisan okside yang baru,
yang melapisi photoresist, sekarang kita menggunakan photomask dengan pola yang baru dan
berbeda, yang memungkinkan kita untuk membuka jendela kecil, diatas area doped. Sekali lagi, kita
membasuh sisa photoresist.

Sekarang kita dope dengan gas yang berbeda yang mengubah bagian dari silikon menjadi
bagian yang berbeda. Pengaturan waktu sangat penting dalam photolithography untuk mengontrol
hal-hal seperti difusi doping dan kedalaman lainnya. Pada kasus ini, kata hanya ingin men-dope
sedikit wilayah yang berada didalam wilayah yang lain. Sekarang kita memiliki semua potongan
yang kita perlukan untuk membuat transistor.

Pada tahap akhir untuk membuat kanal dalam layer oxide, jadi kita dapat memberikan
sedikit kabel metal pada bagian berbeda dari transistor. Sekali lagi, kita mengaplikasikan sebuah
photoresist dan menggunakan sebuah photomask baru untuk sedikit kanal lainnya. Sekarang kita
menggunakan proses baru, yang dinamakan metalization, yang memungkinkan kita untuk
menyimpan layer tipis metal, seperti aluminium atau copper. Tapi, kita tidak menutupi semua
dengan metal. Kita ingin sebuah desain spesifik sirkuit lainnya. Jadi, sama seperti sebelumnya, kita
mengaplikasikan sebuah photoresist, menggunakan sebuah photomask, melarutkan resist yang
terbuka, dan menggunakan bahan kimia untuk menghilangkan logam yang terbuka. Transistor pun
jadi.

Transistor tersebut memiliki tiga kabel kecil yang tersambung dengan tiga bagian yang
berbeda dari silikon, tiap doped diolah dengan cara tertentu untuk membuatnya, dalam hal ini,
misalnya, transistor bipolar junction. Dengan menggunakan langkah serupa, fotolitografi bisa
membuat elemen elektronik berguna lainnya, seperti resistor dan kapasitor, semua pada bagian
tunggal dari silikon. Pada contoh, kita membuat satu transistor tapi didunia nyata, photomask
menghasilkan jutaan dari detail kecil sekaligus. Meskipun kita ingin membuat sebuah photomask
untuk seluruh wafer, kita bisa memanfaatkan cahaya sebab cahaya bisa fokus dan diarahkan ke
ukuran apapun yang kita mau, bisa fokus pada sebuah photomask dalam sebuah patch silikon yang
sangat kecil, membuat detail yang luar biasa. Sebuah wafer silikon tunggal pada umumnya
digunakan untuk menciptakan puluhan IC, lalu saat kita memiliki seluruh wafer, kita memotongnya
dan mengemasnya dalam bentuk microchips, terdapat persegi panjang hitam yang kita lihat di
elektronik sepanjang waktu. Di jantung masing-masing chips terdapat satu dari potongan kecil yang
ada di silikon. Seiring dengan peningkatan teknik photolithography, file ukuran transistor menyusut,
dan memungkinkan untuk kepadatan yang lebih besar.

Keuntungan Transistor:

Pada tahun 1965, Gordon Moore, memiliki tren: Kira-kira tiap dua tahun, berkat kemajuan
material dan manufaktur. Kita bisa memuat dua kali dari jumlah transistor kedalam ruang yang
sama. Sekarang kita bisa mendapatkan IC dengan harga yang lebih murah. Transistor yang paling
kecil dan memiliki kepadatan yang lebih tinggi memiliki manfaat yang lain juga. Semakin kecil
transistor, semakin sedikit muatan yang harus bergerak, hal ini berarti data dapat mengalir lebih
cepat dan mengkonsumsi lebih sedikit daya. Plus, sirkuit yang lebih kompak berarti lebih sedikit
penundaan sinyal yang muncul dan kembali dalam clock dengan kecepatan yang lebih cepat. Untuk
mencapai kepadatan ini, resolusi terbaik mungkin dengan photolithography yang telah ditingkatkan.
Adapun komponen lainnya yang memanfaatkan transistor ialah: RAM, Kartu graifs, hard drive dan
solid state. Mulai tahun 1990-an, VSLI software (very large scale integration) telah otomatis
menghasilkan desain chip.

Last, Quantum Tunneling.