1

ELS2202 ELEKTRONIKA I

Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect

Transistor (MOSFET)
Week 9

Prepared and Adopted by I Gde Eka Dirgayussa

 2

Referensi
• Malvino, Albert Paul. 2016. Electronic
principles/Albert Malvino, David J. Bates.—
Eighth edition.
• Sedra and Smith. 2011. Microelectronic Circuit.
Sixth edition.
 3

Pendahuluan
• MOSFET telah banyak digunakan pada alat
elektronik, khususnya dalam desain integrated
circuits (ICs), dimana semua rangkaian di
fabrikasi dalam satu chip silicon.
• Satu IC bisa terdapat 2 juta MOSFETs
 4

Apa yang akan kita pelajari?

1. Struktur Fisik
2. Jenis dan Tipe MOSFET
3. Cara kerja
4. Karakteristik terminal
5. Model rangkaiannya
6. Aplikasi dasar dari MOSFET
 5

Jenis MOSFET
Berdasarkan mode operasinya MOSFET dapat
dibedakan menjadi 2 yaitu :
• E-MOSFET yang hanya dapat bekerja pada
mode operasi enhancement.
• D-MOSFET yang dapat bekerja pada mode
operasi depletion-enhancement.

Keterangan
Enhancement : peningkatan
Depletion : penipisan
 6

Struktur Fisik

Struktrur fisik transistor NMOS jenis enhancement

 7

Cara kerja tanpa tegangan ‘gate’

Keterangan: Transistor NMOS dengan vGS > Vt dengan tegangan vDS

terpasang. Konduktansi kanal sebanding dengan vGS – vt. Arus iD sebanding
dengan vGS – vt.
 8

Pemasangan tegangan vDS yang kecil

Keterangan: Transistor NMOS dengan vGS > Vt dengan tegangan vDS terpasang.
Konduktansi kanal sebanding dengan vGS – vt. Arus iD sebanding dengan vGS – vt.
 9

Karakteristik iD – vDS dari MOSFET

• MOSFET bekerja seperti resistansi linier
yang dikendalikan oleh vGS.
• Untuk vGS ≤ Vt, resistansinya tidak
terhingga, dan harganya menurun jika
vGS melebihi Vt.
• Jadi, agar MOSFET terkonduksi harus
ada kanal induksi. Dengan
bertambahnya vGS melebihi Vt
meningkatkan kemampuan kanal, oleh
karena itu MOSFET jenis ini disebut
MOSFET ‘enchancement-type’.
• Arus yang meninggalkan source (is)
sama dengan arus yang memasuki drain
(iD), jadi arus gate iG = 0
 10

Cara kerja transistor NMOS jenis

enhancement dengan meningkatnya 𝑣𝐷𝑆
 11

Lanjutan,

let the MOSFET be operated at a constant overdrive voltage (Vov)

 12

Grafik arus drain (𝐼𝐷 ) terhadap (𝑉𝐷𝑆 ) pada transistor tipe

enhancement-type NMOS yang bekerja dengan 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑡 + 𝑉𝑂𝑉
 13

Tugas
Petunjuk:
1. Tugas dikerjakan perkelompok ( 1 kel = 3 orang), deadline 9 April 2019
2. Kerjakan tugas dalam kertas A4 dan buat juga ppt-nya.
3. Kelompok akan dipilih secara acak untuk mempresentasikan hasil
pekerjaannya.
• Buatlah rangkuman tentang cara kerja transistor tipe
Depletion MOSFET
• Pahami karakteristik perbandingan antara D-MOSFET
dan E-MOSFET yang ditunjukkan pada gambar dibawah
ini.
 14

Daerah Ohmic • Ketika E-MOSFET bekerja pada kondisi

bias didaerah Ohmic, resistansi
equivalentnya adalah 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) .
• Nilai ini dapat dihitung menggunakan:
 15

Simbol skematika EMOS:

(a) N-channel device; (b) p-channel device
 16

Kondisi Bias pada Daerah Ohmic

 17

Contoh
Switching between cutoff and saturation.

Berapakah tegangan
outputnya?
18
 19

Grafik antara 𝐼𝐷 terhadap 𝑉𝐷𝑆

Karena nilai 20mA 𝐼𝐷(𝑠𝑎𝑡) < 75mA, maka 2N7000 dalam

kondisi bias didaerah Ohmic ketika tegangannya sedang HIGH.
 20

Rangkaian equivalen