Karakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
KARAKTERISTIK
TRANSISTOR
(10.1)
(10.2)
dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita tentang diode dan
pengoperasian transistor.
Karena sambungan
emitor-basis
seperti
maka
karakteristik masukan rangkaian ini (gambar 10.2-b) mirip dengan karakteristik diode
(gambar 10.2-a). Terlihat bahwa efek dari tegangan kolektor-basis vCB cukup kecil.
Dengan vCB berharga positif dan emitor hubung terbuka, iE = 0 volt dan bagian basiskolektor pada dasarnya berpanjar mundur.
karakteristik diode gambar 10.2-a pada kuadran tiga. Untuk iE = 5 mA, arus kolektor
meningkat sebesar i E +5 mA (lihat persamaan 3.2) dan menampakkan bentuk
kurva. Karena faktor selalu lebih kecil dari satu ( = / + 1 ), maka secara praktis
konfigurasi basis-bersama tidak baik sebagai penguat arus.
^
W
c
c
M
<
<
P
L
<
V
?
H
>
<
<
T
E
B
"
&
'
&
'
h
'
sebagai terminal masukan maupun keluaran. Arus input dalam konfigurasi ini adalah
iB , dan arus emitor iE = (iC + i B ) , karenanya besarnya arus kolektor adalah
iC = i E + I CBO = + (iC + iB ) + I CBO
atau
iC =
I
iB + CBO
1
1
(10.3)
Untuk menyederhanakan persamaan 10.3 kita telah mendifinisikan nisbah transferarus sebagai
(10.4)
I CBO
= (1 + ) I CBO = I CEO
1
(10.5)
Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam bentuk
arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah
iC = iB + I CEO
(10.6)
Untuk BJT
silikon misalnya, untuk tegangan panjar maju sekitar 0,7 V akan memberikan iB yang
cukup besar.
Pada gambar 10.4-b nampak bahwa sesuai dengan persamaan 10.6, untuk
iB = 0 , arus iC berharga relatif kecil dan hampir konstan pada harga I CEO . Setiap ada
kenaikan arus
iC
sebesar
iB .
Untuk
akan
menghasilkan perubahan yang lebih besar pada , dan efek dari vCE pada konfigurasi
ini akan lebih nampak dibandingkan pada konfigurasi basis-bersama (lihat juga gambar
10.2-c).
Dengan uraian di atas dapat dibuat catatan penting untuk konfigurasi emitorbersama.
menggambarkan
karakteristik
hubungan
ketiganya
dapat
dilakukan
dengan
karakteristik keluaran dari transistor daya rendah dengan ciri dasar sebagai berikut:
i)
ii)
iii)
Untuk vCE < 1 V, arus kolektor untuk suatu harga arus basis jatuh ke harga
nol pada vCE = 0 .
Arus kolektor hampir sama dengan arus emitor (untuk vCE > 1 volt), sehingga
(10.7)
(10.8)
Dengan demikian kita memberikan indikasi masukan tegangan v BE (dari pada arus
masukan iB ) yang diperlukan oleh setiap kurva karakteristik jika kita mengetahui v BE .
Untuk suatu transistor dapat berharga sebagai berikut:
iB
10
v BE
650
644,4
673,3
627,1
609,8
mV
+
0,99
0,99
=
=
= 99
1 1 0,99 0,01
Jawab
v BE = V BE + v be
ini berarti
v BE
V BE
v be