18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

Page1

KelasE/FKeluarga
ZVSSwitchingAmplifiers
ScottKee,IchiroAoki,Anggota,IEEE,AliHajimiri,Anggota,IEEE,danDavidRutledge,Fellow,IEEE
KelasFdanbarubaruinidipopulerkanganda,kelasinversF
AbstrakAkeluargabaruberalihamplifier,masingmasinganggota
(KelasF1)[9,10,11],telahdikembangkanterutamasebagai
memilikibeberapafiturdarikeduakelasEdanFterbalik,adalah
berartimeningkatkankinerjajenuhkelasABdan
diperkenalkan.InikelasE/FamplifiermemilikifiturkelasEdesainkelasB.Akibatnya,frekuensioperasi
sepertipenggabungantransistorkapasitansiparasit
dicapaibiasanyasedikitlebihtinggi[misalnya5,12]
kesirkuit,benarbenarswitchingsolusiwaktudomainyangtepat,
dibandingkandengansirkuitkelasE,tapikinerja
danpenyisihanNolVoltageSwitching(ZVS)operasi.
Selainitu,beberapajumlahharmonikdapatdiseteldalam keterbatasankarenapersyaratantala[13,14]dan
kurangnyaimplementasirangkaiansederhana[misalnya15]cocok
modekelasterbalikFdalamrangkamencapailebihdiinginkan
TeksasliInggris
gelombangtegangandanarusuntukmeningkatkankinerja. untukkondisiberalihhampiridealmembuatdesainini
Alternatifyangburukpadafrekuensidimanaelemenlumped
Bentukgelombangoperasionalselamabeberapaimplementasiyang
achievableinprinciplebyclassFand/orF
disajikan,danperkiraanefisiensidibandingkandengankelasE.
kelasEdapatdiimplementasikan.
Sarankanterjemahanyanglebihbaik
IstilahindeksclassE,KelasF,KelasE/F,ZVS,beralih
Namundemikian,adaalasanuntukpercayabahwabentukgelombang
poweramplifier,efisiensidaya.
1harusmemungkinkan
dicapaipadaprinsipnyaolehkelasFdan/atauF
manfaatkinerjadarikelasE.MeskipunRaabmemiliki
I.Saya
PENDAHULUAN
barubaruinimenunjukkanbahwaefisiensibenartunedkelasE
dankelasFadalahidentikjikaefisiensiterbatas
Untukpoweramplifierdanaplikasipowerinverter,
terutamaolehkandunganharmonikdarigelombangmenguras
harmoniktunedamplifierberalihsepertikelasE[1,2]
[16],pertunjukanoptimalketikatransistor
dankelasF[3]menawarkanefisiensitinggipadadayatinggi
beralihhampiridealnyadanefisiensiterbatas
kepadatan.Denganmengoperasikanperangkataktifsebagaisaklarlebih
terutamaolehperangkatonresistensitampaknyaakanmendukung
darisumberarusterkendali,tegangandanarus
kelasFdanF1denganmengurangiteganganpuncakmerekadan,dalam
bentukgelombangdapatpadaprinsipnyadibuatuntuktidaktumpangtindih,
KasuskelasF 1,RMSsaatini.Selainitu,kelasE
mengurangidisipasiperangkatteoritisdicapaiuntuk
nol.Padasaatyangsama,tidaksepertiefisiensitinggikelasC Pendekatanmemilikitoleransiyangterbatasuntukoutputtransistorbesar
kapasitansi[17],memberikanbatasdiidentifikasidenganini
operasi,dayaoutputswitchingmodeadalah
kinerjafrekuensitinggikelasdunia.
sebandingdenganataulebihbesardarikelasAataukelasBuntuk
teganganpuncakperangkatyangsamadansaatini.Untukaplikasi
Makalahinimenyajikansebuahkeluargabarudarilarasharmonisdengan
dimanaAM/AMdanAM/PMnonlinierdapat
janjiuntukmencapaimanfaatkinerjakelasF
ditoleransi[4],ataukompensasiuntuk[5],amplifiertersebutdapat
denganmengurangiteganganpuncakdanRMSsaatkelasE
digunakanuntukmeningkatkanefisiensidayadanmengurangiheatsink
desain.Selainitu,metodeinimemungkinkantuningyangmeningkat
persyaratan.Kecepatantinggisirkuitkontroldaya,seperti
toleransiterhadapbesartransistorkapasitansikeluaran,meningkatkan
konverterdcdc,samamanfaatdariperbaikanrf
kinerjafrekuensitinggidanmemperluas
efisiensipoweramplifier[6].
rentangfrekuensituningbaruinidiluaritukelasE.
1
IniE/FkeluargabarudarilarasmenyatukankelasEdankelasF
Sayangnya,hanyaduajenislarasamplifier
kedalamkerangkatunggal,danmenunjukkanberbagaiderajat
sesuaiuntukoperasifrekuensitinggi,kelasEdan
KelasF,telahdieksplorasi.KelasEamplifiertelahmenemukan daritradeoffantarakesederhanaankelasEdantinggi
1.SemuaanggotaE/Fkeluarga
kinerjakelasF
kebanyakanaplikasisebagaialternatifkinerjayanglebihtinggiuntuk
kelasDamplifier,karenakompensasimerekauntuktransistor telahsolusiwaktudomainyangtepat,dapatdilakukanuntukmencapai
KelasE beralih
kondisi,
dan memiliki
sirkit
Outputkapasitansidanpenghapusanturnonberalih
implementasidimanakapasitansioutputdari
kerugian. Selainitu,desainkelasEmungkin
beralihsecaraeksplisitdiperhitungkan.
diimplementasikandengansirkuityangrelatifsederhana.
Ini
manfaattelahmemungkinkandesainkelasEuntukmendorongjauhmelampaui
Teknikinitelahdigunakanuntukmelaksanakanbeberapa
frekuensidicapaiolehkelasDdesain,denganbarubaruini
amplifierdiHFdanmicrowavefrekuensi.E/F
pelaporanhasil55%pada1.8GHzmenggunakanperangkatCMOS[7]
2,aneh
dan74%pada800MHzmenggunakanperangkatGaAsHBT[8].talatelahdigunakandalampembangunankompak,
efisiensitinggipoweramplifiermenghasilkanlebihdari
1

Halaman2

1kWdi7MHz[18].Menggunakandesainyangmiripdimodifikasiuntuk
kapasitansiC S.ResonatoryangterdiridariL 1 danC1 adalah
mencapaiE/Faneh
tuningyang7MHzdan10MHzband,
digunakanuntukmemblokirfrekuensiharmonikdandc,memaksa
mencapailebihdari200Wdayaoutputpadamasingmasingbandtersebut
saatinisaya
1 menjadisinusoidadenganfrekuensif
0.Chokeadalah
https://translate.googleusercontent.com/translate_f

1/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

denganmengurasefisiensiyanglebihtinggidari90%[19].Lain diasumsikanideal,sehinggahanyadapatmelakukandc
terintegrasipenguatCMOSmenggunakanE/F3 modeuntuk
saatinisaya
.
Aruskeswitch/kapasitor
DC
menghasilkan2.2Wdayaoutputpada2.4GHz[20].Hasilini
KombinasiI Xmakaharusdcoffsetsinusoid.
menggunakanonchippencocokandidistribusikantransformatoraktif
dankekuasaanmenggabungkanstruktur[21,22],yangtidak
Saatiniakancommutatedantarakapasitordan
kompatibeldenganbaikkelasEataukelasFlaras.Di
switch,tergantungpadakeadaanswitch.Ketika
halini,E/Fteknikmemungkinkanpenggunaanjenuh
saklarditutup,tegangandipaksauntuknol,memperbaiki
ModusamplifierdalammenggabungkanstrukturkekuasaanDAT.
kapasitormuatan,sehinggamemaksaarusmelalui
switch.Ketikasaklarterbukakapasitorharus
II.C GadisE DANCGadisF
melakukanarus.
Dengantepatmenyesuaikan
amplitudodanfasedarikomponensinusoidaldari
BagianinimengulaskeduakelasEdankelasFoperasi
saatini,solusiditemukandimanamuatankapasitor
mode,membandingkankeuntunganrelatifdan
nolsesaatsebelumberalihturnon.Halinimembuattambahan
kelemahan.
Akhirnya,sebuah"daftarkeinginan"disajikandari
derajatkebebasanyangbiasanyadigunakanuntukjugamengatur
sifatyangdiinginkandalamtuningbaruhipotetis.
kapasitorarusnolsebelumturnon.Hasilini
dalambentukgelombangswitchingdengantegangannol(tidakadakapasitor
A.KelasE
biaya)dantegangannolkemiringan(tidakadakapasitorarus)di
KelasETuningpendekatan,digambarkandalamGambar.1,telah
turnon,kondisisekarangdikenalsebagaikelasEberalih
dikembangkan[1,2,23]terutamasebagaitekniktimedomain, kondisi.
Hasilsaklartegangandanarus
denganperangkataktifdiperlakukansebagaisaklarhampirideal.bentukgelombangyangdigambarkandalamGambar.2.
Secarakhusus,switchdianggapefektifterbuka
sirkuitselama"off"durasidanpendeksirkuityangsempurna
selama"on"durasi,danwaktuyangdibutuhkanuntuk
beralihdiantaranegaranegarasecaraefektifnol.Kondisiini
akandinyatakansebagaiberalihkuat.
Saya
DC
Saya
X
CS

f
C1 0
L1
Saya
1

L
RL

Gambar.2.
KelasEpenguatdcgelombangnormal.

B.KelasFdanKelasF1
PendekatankelasFtelahdikembangkan[3,13]di
Dibawahberalihkuat,masalahyangumumadalahefisiensi
frekuensidomainsebagaisaranameningkatkanefisiensi
degradasiakibatpembuanganswitchingperangkat
kelasA/BdanamplifierkelasB.Alihalihmenggunakan
Outputkapasitansi.Jikategangansaklarsebelum
asumsiyangkuatswitching,diasumsikanbahwa
transisidari"off"negarauntuk"pada"negaraadalah
amplifiertelahmencapaitingkatyangterbatashanyakompresi
nol,energiyangtersimpandalamkapasitansiinihilang
sehinggajumlahyangrelatifkecildariharmoniktelah
oleharusdebitmelaluisaklar.Karenaini
dihasilkandisaluranpembuangan.Meskipuntransistorbertindaksebagai
terjadisekalipersiklus,kerugianinimeningkatsecaralineardengan
saklaruntukbeberapabagiandarisiklus,ituadalahbelanja
frekuensioperasidandapatcukupbesarbahkanpada
cukupwaktutransisiantaraswitchingnegara,
frekuensiyangrelatifrendah.Akibatnya,banyakusaha
dimanasaatinidibatasiolehkomposisiharmonik
telahdikhususkanuntukmenemukancaramenghilangkankerugianini
bentukgelombangtiriskan.PendekatankelasFberusahauntuk
Mekanisme[misalnya2,6,24].PendekatankelasEadalahsalahsatu
menentukancaraterbaikuntukmemanfaatkaninibeberapaharmonikke
metodetersebut,dimanategangansaklardidorongkenol
meningkatkanefisiensi.
sebelumturnondenganrangkaianresonansitepatdisetel.
ImplementasipenguatkelasFdigambarkanpadaGambar.3.
Teknikinidikenalsebagaitegangannolswitching(ZVS).
DimulaidengankelasBpenguatstandardimana
Filterresonansiparaleldigunakanuntukmemaksateganganbebanuntuk
MenggunakanrangkaianGambar.1,saklardibuatuntukmelakukan
akansinusoidal,resonatortambahanditambahkandalamseri
dengan50%dutycyclepadafrekuensif
0,Danparasityang
dengankombinasibeban/resonatoruntuk
Outputkapasitansidiserapkesaklarparalel
opencircuitdraintransistorpadaurutanrendahaneh
Gambar.1.
KelasEtopologipenguat.

Halaman3

harmonikdisetel.Denganmelakukanini,terkompresi
setengahsinusoiddangelombangarussemakin
gelombangteganganakanmulaisemakinmenyerupai
menyerupaigelombangpersegi.Beberapapenelitianterbarumenunjukkan
1 lebihbaikdibandingkandengankelasF[10,11],
gelombangpersegisebagaiharmonikganjilyangdihasilkanakancenderung
kelasF
meratakanbagianatasdanbawahdarigelombangsecarabersamaan,
meskipunbatasefisiensiyangdikenakanolehgelombang
1
sepertidapatdilihatpadaGambar.4.meratainimenurunkan
adalahsama[16].ContohbentukgelombanguntukkelasF
tegangantransistorpadamasayang
penguatditunjukkanpadaGambar.5.
adaarusyangmelaluiitu,meningkatkanefisiensi.Itu
lebihharmonikterbukahubung,semakinbesarperataanyang
dantinggiefisiensiyangdihasilkantersebutakan.Itu
gelombangpadaakhirnyaakanmenjadisamasepertikelasD
gelombangpersegiketikasemuaharmoniktelahdisetel.

Gambar.5.
KelasF1dcmaksimaldatarbentukgelombangnormaluntuk
tuningupke3 rdharmonis.Bentukgelombanggarisputusputusmewakili
kasusmembatasidimanajumlahharmonikdiseteladalah
https://translate.googleusercontent.com/translate_f

2/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

Gambar.3.
ContohkelasFtopologipenguat.
takterbatas.
EfisiensiPeningkatanmelampauibatasteoritiskelasB
C.PerbandingandanMotivasiuntukE/F
dari78%substansialuntukurutanharmonikrendahtetapi
MembandingkankelasEuntukdualaraskelasF,beberapa
berkurangdengancepatdenganmeningkatnyajumlahharmonik.Untuk
kelebihandankekuranganyangjelas.KelasE
Misalnya,jikaharmonikmunculdengancarasehingga
kasusmemilikikeuntunganyangmampukuat
membuatgelombangteganganmaksimaldatarditegangan
beralihoperasibahkandengansirkuityangsangatsederhana,
titikminimum[13],efisiensimaksimumyangdihasilkan
sedangkankelasFmemungkinkaninihanyasebagaikasusmembatasimenggunakan
untuktuninghingga3rd5th dan7th harmonikakan88%
92%dan94%masingmasing.Dalamkasusmembatasi,dimana sirkuityangsangatrumit.DariGambar.4itumudahdilihat
th harmonik,tegangan
bahwabahkandenganpenyetelanhingga9
jumlahharmonikdisetelmendekatitakterhingga,yang
dangelombangarusmenunjukkantumpangtindihyangsignifikan.
gelombangtegangangelombangpersegidanbatasefisiensi
SedangkankelasEpenguathanyadibatasioleh
adalah100%,sepertidalamkasuskelasE.Maximainiditetapkanoleh
kecepatanswitchingintrinsikdariperangkataktif,kelasF
strategituningdanselanjutnyaakanterdegradasiolehseperti
larasamplifiermungkinmenemukankecepatanswitchingmereka
faktorsebagaitransistoronresistensi,kecepatanswitching,
didominasiolehterbatasnyajumlahharmonisayangmemiliki
kerugianpasif,dll
telahdigunakandalambentukgelombang.
Selainitu,kelasEmemilikikeuntunganmenggabungkan
kapasitansioutputtransistorkesirkuit
topologi.ImplementasikelasFsederhanasepertiyangditunjukkanpada
Gambar.3tidakakanbekerjadenganadanyaoutputyangbesar
kapasitansi,karenaharmonisayangdimaksudkanuntuk
akansirkitterbukaditransistorsebagaigantinyaakan
kapasitif.
Meskipunjaringantaladapat
diimplementasikanuntukberesonansidengankapasitansioutput
Untukmenghasilkanterbukasirkuitpadasetiapfrekuensiyangdiperlukan,
teknikinimenambahkompleksitasdesainyangsignifikandan
Gambar.4.
KelasFdcmaksimaldatarbentukgelombangnormaluntuk
menyetelkesulitan.KelasETuningtidakhanyamemungkinkan
berbagainomorharmonikdiseteldankondisikelasBdrive.
kapasitansiyangakandiserapkedalamjaringandasar,tetapijuga
memungkinkanuntukoperasiZVS,menghilangkankerugiandebit
KelasF1 adalahtuninggandakelasF.DimanakelasF
darikapasitorini.TuningkelasEsirkuitjuga
sirkuitpendekbahkanharmonikdanterbukasirkuitaneh
sangatsederhana,hanyamembutuhkansatuparameteryangdisesuaikandengan
harmonik,kelasF 1 terbukasirkuitdisetelbahkan
mencapaiefisiensiyangtinggioperasiZVS.
harmonikdanpendeksirkuitharmonikganjildisetel.
Inimemilikiefekmempertukarkantegangandanarus
KelasFdanKelasF1 jugamemilikikeunggulan.Pertama,mereka
gelombang,sehinggasebagaijumlahharmonikdisetel
meningkatkan,bentukgelombangtegangansemakinmenyerupaimenyajikanbentukgelombangyanglebihdiinginkandalammembatasi,kuat
3

Page4

beralihkasus.Sepertiyangakandijelaskanberikutini
konduktansiyangsangattinggi(yaitutombol"on")dansangatrendah
Bagian,itudiinginkanuntukmemilikibentukgelombangdenganpuncakrendah
konduktansi(yaitutombol"off").Inimemilikiefek
tegangandanarusRMS.Menelitibentukgelombangdari
memaksateganganhampirnoluntuk"on"durasi
Gambar.2,Gambar.4,danGambar.5,jelasbahwakelasFamplifier
siklusdanarusuntukhampirnoluntuk"off"
dapatmelakukanlebihbaikdalamhalini.
durasi,
tapi Daun itu
bentukgelombang
sebaliknya
tidakdibatasi.
Selainitu,outputkapasitansidiijinkandalam
KasuskelasEterbatas.SaklarparalelkapasitansiC S.
Tegangangelombangselama"off"bagiandarisiklus
yangharussetidaknyasamabesardenganoutputtransistor
dangelombangarusselama"on"porsi
kapasitansi,ditentukanolehdayakeluaran,tegangandc,
ditentukanolehjaringanbeban.Karenajaringanbebanini
danfrekuensioperasi.Pembatasaninipadaukuran
lineardanwaktuinvariant(LTI),sifatsifatnyamungkin
transistordapatmembatasikinerjakelasEamplifier
ditentukanolehmasukanimpedansisebagaifungsidarifrekuensi.
[17].KelasFlaras,bagaimanapun,dapatpadaprinsipnyamemanfaatkan
Jikabentukgelombangyangperiodik,impedansiinirelevan
transistordengankapasitansikeluaranasalkanituadalah
hanyauntukfrekuensifundamentaldanharmonis.
benarbergaungkeluarpadafrekuensiyangtepat.
Olehkarenaitu,sifatjaringanmenentukan
Meskipunpendekataninidapatdigunakanuntukberesonansibagiandari
beralihbentukgelombangamplifierbenarbenarditentukanoleh
kapasitansioutputtransistorkelasEdisetelpadasetiap
impedansidisajikankeswitchdiinteger
harmonik,kompleksitassirkuityangdihasilkanakansetidaknya kelipatandarifrekuensifundamental.
bahwakelasF.SejakkelasFlarashadirlebihbaik
bentukgelombang,tampaknyamenjadipendekatanyangburuk.Iniakan
lebihbaik,jikamungkin,untukmenemukanstrategituningyangmeningkat
toleransikapasitansitanpamenambahkompleksitastersebut.
Isuisuinimemotivasipencarianuntuklebihdiinginkan
kuatswitchingamplifierlarasyangakan,idealnya,
memilikibeberapafiturterbaikdarikeduakelasEdan
kelasFlaras.Jikastrategituningyangharmonistersebutmenjadi
ditemukan,ituidealnyaakanmemilikifitursebagaiberikut:
Pendiriankapasitansitransistoroutput
kesirkuitdisetel,dimanakapasitansiinimungkin
menjadisebesarmungkin.
Tegangannolswitching(ZVS)untukmenghilangkan
debitkerugiandarikapasitorini.
Gambar.6.
Umumharmoniktunedcircuitswitchingamplifier
Pelaksanaanrangkaiansederhana.
termasukberalihkeluarankapasitansi.
Penggunaantuningharmonikuntukmencapaiditingkatkan
Sebuahjaringanumumcocokuntukpelaksanaansebagian
bentukgelombanguntukmeningkatkankinerja.
beralihamplifierditunjukkanpadaGambar.6.Topologiini
https://translate.googleusercontent.com/translate_f

3/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

III.W AVEFORM
EPENILAIAN
merupakankasusdimanasaklardisajikan
kapasitansi,terdirisebagianoutputsendiri
Titikakhirtersebutdiatas"daftarkeinginan"kebutuhanlebihlanjut
kapasitansi,dansejumlahfilterharmonik.Masingmasing
klarifikasi.Untukmembandingkan"kinerja"darilaras,ituadalah
filterharmonikmenyajikanimpedansiyangdiinginkandi
diperlukanuntukmemilikisosokjasauntuklarasharmonis.
harmonikitulagulagu,sementarameninggalkanharmoniklain
Dengandemikian,bagianinimemperkenalkanmetode
terpengaruh. Dengandemikiansirkuitmenjelaskansemuaberalih
mendekatikuatswitchingkinerjaamplifier
amplifieryangimpedansidisajikankeswitch
darisifatbentukgelombangswitching.
Pertama,
adalahkapasitifsamasekaliharmonikkecualiuntukjumlahterbatas
Namun,perluuntukmengunjungibeberapasifat
tunedharmonik.
beralihamplifier,untukmemahamiapayang"tala"adalahdan
bagaimanaseseorangperubahandibawahskalategangandanimpedansi.
A.ScalingProperti
Selainitu,modelperangkataktifsederhanaakan
Halinidimungkinkanuntukmenentukananalitisswitching
diperlukan.
bentukgelombangdarisetiaprangkaiandarijenisyangditunjukkanpadaGambar.
Seandainyabentukgelombanguntuksatusirkuittersebutdiketahui,
Dalampengertianyangpalingumum,penguatberalihterdiridari6[27].
bergunauntukmengetahuibagaimanabentukgelombanginiberubahdibawah
saklardidorongsecaraberkalaterhubungkebebanpasif
Kondisiskalasederhana.Kemudian,jikabentukgelombangdapat
jaringan,yangdiasumsikanlineardanwaktuinvariant
(LTI).Jaringanbebansatuportinitermasukpencocokansetiap ditemukansatukasus,solusiskalamungkindenganmudah
ditentukan.
jaringan,pakandc,danbebanyangakandidorong.Switch
menyajikankonduktansiwaktubervariasi,bergantianantara
4

Halaman5

Teknikskalapertamayangdibutuhkanuntukhasilini
kertasbiasscaling.
Pertimbangkansebuahpenguatyang
SolusiinidikenaluntukjaringanbebanyangdiberikandandcBias
teganganV
.Misalkandiinginkanuntukmenemukanbentukgelombang
DD
amplifierinidibawahbias V
DD.Karenasirkuit
linear,meskipunwaktuyangberbedabedakarenakonduktansiberubah
switch,solusiskalahanyaasli
Gambar.7.
SederhanaFETberalihModel.
tegangandanarusgelombangsetiapskaladenganfaktor
.
Misalnya,jikabentukgelombangarusdanteganganasli
Meskipunswitchbipolartelahpopulerdan
adalahsaya
cocokuntukbanyakaplikasiswitching,yangpalingmampu
tua(T)danVtua(T)masingmasing,skalasaatinidan
bentukgelombangteganganSaya
(T)danVbaru
(T)adalah:
perangkatswitchingfrekuensitinggiyangtransistorefekmedan
baru
(FET). SebuahmodelsederhanacocokuntukFETberalih
Vbaru
(t ) = Vtua(t)
(1)
perangkatditunjukkanpadaGambar.7.Modelinimencakup
onperlawanan,outputkapasitansilinear,dansederhana
= Saya
Saya
(
t
)
(
t
)
(2)
baru
tua
jaringanuntukinputdayapendekatan.Meskipuntidak
eksplisitditampilkan,harusdipahamibahwainput
Teknikskalakeduaadalahskalaimpedansi.
Pertimbangkanamplifieryangsolusinyadikenaluntukdiberikankekuasaanadalahfungsidarifrekuensioperasiyangdiinginkan.
jaringanbebandanteganganbiasdc.Misalkandiinginkanuntuk SampaiteganganrusaknyaV bkswitch,offnegara
konduktansiswitchdiasumsikannol.Sementaraini
mengetahuibentukgelombanguntukpenguatyangberoperasipadasaatyangsama
Modeltidakbisadiharapkanuntukmemprediksikinerjadengan
teganganbias,tetapidenganjaringanbebanmenyajikan
impedansiZ baru
(K)padasetiapnomorharmonikk,samadengan akurasibesar,halinibergunauntukperbandinganantara
Z (K) untukbeberapabilanganreal,dimanaZ
bersaingstrategituningmenangkapurutanpertama
tua(K)adalah
tua
efeknonidealswitchFET.
impedansidisajikanolehjaringanasli.Halinimudah
diverifikasibahwaberikutskalaarusdantegangan,
Saya
(T)danV baru
(T)masingmasing,memberikanyangbenar FaktorlainyangpentingadalahskalabilitasswitchFET.
baru
Denganmemvariasikanlebargerbangefektif,propertiperangkatdi
bentukgelombangasalkansaya
tua(T)danVtua(T)adalahbentukgelombang
teknologitertentudapatdimodifikasiagarsesuaidengan
penguatasli:
kebutuhandesainer.Sebagaiukuranperangkatmeningkat,on
Vbaru
(t) =Vtua(t)
(3)
resistensimenurun,meningkatkeluarankapasitansi,dan
dayainputyangdiperlukanuntukmendorongtransistorkedalam
()
Saya
(t) = 1 Saya
(4)
beralihmodusmeningkat.DalamFET,parameterinibervariasi
baru
tua(t )
linearatauberbandingterbalikdenganukuranperangkat.Misalnya,jika
Denganmemanfaatkanduateknikskalaini,awal
padaperlawanan,kapasitansikeluaran,daninputdayauntuk
solusidapatdiubahuntukmemilikidiinginkan
perangkattertentuyang
R,di C,dan
skalaindependendarigelombangtegangandanarus.
diluar Pmasingmasing,maka
di
Karenabentukgelombangdarikelompoktersebutdaritransformasi
parameteruntukperangkatskalaolehfaktoradalah:
amplifieryangidentikdalambentuk,dankarenatopologi
()
Rdi = 1 Rdi
(5)
sirkuitdimanfaatkanolehamplifiermungkinidentik,yang
amplifierdalamkelompokyangdianggapmemanfaatkan
=C
(6)
strategitalayangsamaataukelasoperasi.Jadiketika
Cdiluar
diluar
membandingkanmetodeuntuktuningharmonik,itutersiratbahwa
perbandinganantaraamplifierterbaikdarimasingmasing
Pdi =Pdi
(7)
talakelompok.
Penguranganonresistensibermanfaatuntukkinerja,
namunpeningkatanoutputkapasitansidandayainput
B.SederhanaFETBeralihModel
tidakdiinginkan.Olehkarenaitu,harusdiharapkanbahwaada
Sebuahmodelsederhanauntuknonidealistisswitchjuga
diperlukan.TidaksepertidiamplifierberoperasidikelasA,B, ukuranperangkatFEToptimaluntukteknologitertentudan
Strategituning.
Olehkarenaitu,perbandinganantara
C,atauF,amplifieryangkuatswitchingtidakmemiliki
larasyangberbedaharusmengasumsikankombinasiterbaikdari
kebutuhanmendasarbagitumpangtindihantarategangan
danbentukgelombangsaatini.Olehkarenaitu,jikasaklaritu faktorskalagelombangdanukuranperangkat.
ideal,efisiensisetiaptalayangmungkinakan
100%,renderperbandinganefisiensiantaralaras
gunanya.
Beralihnonidealistis,bagaimanapun,degradasi
kinerjadibawahmaksimumteoritisinidalam
carayangtergantungpadasifatsifat
harmoniktuning.
https://translate.googleusercontent.com/translate_f

C.AsumsidanKeterbatasan
Asumsitertentudanketerbatasandesainmembantumenyederhanakan
analisis.Pertama,efekdarinonidealitiespada
bentukbentukgelombangswitchingakandiasumsikan
kecil,sehinggahilangnyakonduksi,P
,Dapatdihitung
cond
4/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

Halaman6

menggunakannilaiRMS,saya
,Darigelombangsaklarsaat
RMS
untukkasussaklaryangideal:

1+1
2 2

Saya
2R
(8)
Pcond
RMS
di
DenganinidandenganasumsikondisiyangZVSberalih
terpenuhisehinggatidakadakerugiandebitterjadi,siasia
efisiensidapatdihitungmenjadi:

2
Pdiluar
= PDC Pcond 1 Saya
RMSRdi
PDC
PDC
VDCSaya
DC

Saya 2 V pk 2 R
RMS
di P
2 diluar
Saya V
DC
DC V pk

(12)

HalinidapatdiperluasmenjadiserangkaianTaylor:
1 K K 2
K

(13)

dimana:

(9)

Saya 2 V pk 2 Rdi
K RMS
P
(14)
dimanaP
adalahoutputdaya,V
adalahtegangandcdrain,
Saya V
V pk2 diluar
diluar
DC
DC
DC
danaku
DCadalaharusdctiriskan.Menggunakanefisiensisaluranini
pendekatan,kekuatantambahanefisiensi(PAE)adalah:
HalinimudahdiverifikasibahwaistilahpertamaK,rasio
antaraRMSdandcberaliharus,adalahkonstandibawah
P P
P
Saya2R
baikbiasdanimpedansiscaling,dandengandemikiansematamata
PAE diluardi 1 di 1 RMS di
(10)
PDC
Pdiluar VDCSaya
ditentukanolehstrategituning.Demikianpula,jikaV
DC
pkadalah
teganganpuncakdisaklar,istilahyangkeduajuga
Keterbatasandesainkepaladiasumsikanadalahbahwapuncak Fungsihanyadaristrategituning.Istilahterakhiradalah
tegangantidakbolehmelebihiteganganbreakdownuntuk
hanyadayakeluaran,kendaladesain.Daunini
teknologiperangkat,danbahwakapasitansiberalihkeluaran
hanyajabatanketiga.Karenaefisiensi(13)meningkat
tidakbolehmelebihisaklarparalelkapasitansiC
denganmeningkatnyateganganpuncak,efisiensimaksimum
S.
Keduaketerbatasanmenegakkanbiasdcmaksimumdan
dicapaidenganmenetapkanteganganinisetinggimungkin,
Ukuranperangkat,masingmasingtergantungpadasifatsifattuning
mengakibatkanpenurunanyangsesuaidiRMSsaatini
strategi.
dayaoutputyangsama.Karenaketerbatasanteganganpuncak
adalahtergantungsematamatapadatransistor,ketigadioptimalkan
D.BentukgelombangAngkaofMerit
Istilahadalahfungsihanyadariteknologitransistor.Ini
optimumterjadiketikateganganpuncakadalahsamadengan
Menggunakanhasilbagiansebelumnya,sekarangmungkin
perangkatbreakdownV
untukmemperkirakanberalihkinerjaamplifierdaridasar
bk:
bentukgelombangdaristrategituning.Bagianiniberkembang
Saya 2 V pk 2 Rdi
perkiraanefisiensidalambeberapakendaladesain.
K RMS
P
(15)
2 diluar
Saya
DC VDC Vbk
1)MaksimumTiriskanEfisiensi,UkuranPerangkatTetap
Untuktujuanperbandinganantaralaras,hingga
istilahurutanpertama(13)dapatdigunakandenganasumsi
Kadangkadang,ukuranperangkatmungkindibatasiolehekonomi
bahwaefisiensimendekatisatu.Sejakordetinggi
atauketerbatasanteknologiuntukjauhdibawahteoritis
istilahmemilikikoefisiennegatif,perbandinganmemanfaatkanini
kinerjaoptimalukurantertentusifatsifat
teknologi.Halinidapatterjadipadafrekuensiyangrelatifrendahpenyederhanaanakanmeremehkanperbedaanbenardalam
kinerjaefisiensilarasyangdibandingkan:
dimanaoptimalkinerjaakanmembutuhkan
Ukuranperangkatyangsangatbesarataurelatifbaru
2 V
2 R
teknologidimanaperangkatbesartidaktersediaatau
pk
1 Saya
RMS
di P
(16)
diluar
2
Saya
V
mahal.Dengandemikian,adalahkeinginanuntuk
DC
DC Vbk
memprediksikinerjamaksimumdaristrategituninguntuk
Ungkapaninimenunjukkanbahwastrategitaladiinginkan
diberikanoutputdayaP diluar
,Mengingatbahwaukuranperangkatini
kecildantetap.IniakandiasumsikanbahwaukuranperangkatiniakanmemilikiRMSrendahuntukrasiodcsaatinidanpuncakrendah
untukrasiotegangandc.Demikianpula,perangkatFETdiinginkan
cukupkecilbahwakapasitansioutputakanlebihkecil
akanrendahpadaresistansirelatifterhadappersegiyang
dariC S.
teganganrusaknya.
Syaratsyarat(9)dapatdisusunkembaliuntukmenghasilkan:
E.TiriskanMaksimumEfisiensi,UkuranPerangkatOptimal
2 R
2 V
pk
Kasuslainyangpentingadalahefisiensisaluranmaksimum
1 Saya
RMS
di (V Saya)
(11)
2 DC DC
Saya
untukteknologitransistordiberikandimanaperangkatyangoptimal
DC VDC V pk
Ukurandapatbebasdipilih.Halinimungkinterjadidalamkasuskasus
Istilahterakhirdalamungkapaniniadalahkekuatandc
dimanabiayaperangkatdaerahtambahankecil,dan
gainperangkatbesar,yangmemungkinkankekuatandrivemenjadi
P .Denganini,(11)adalah
dikonsumsi,yangsamadengan
diluar
diabaikan.Menggunakanteknikyangsamasepertisebelumnya,(9)adalah
disederhanakanke:
ulangsebagai:
6

Halaman7

2
)()
1 Saya
CS
RMS VDCSaya
DC (
(17)
0 C
C V 2 RdiCdiluar
Saya
DC
diluar
0 S DC

memilikiRkecildiCdiluar
produkrelatifterhadapswitching
periode

F.MaksimumPAE,UkuranPerangkatOptimal
Sepertisebelumnya,tujuannyaadalahuntukmemisahkanefek KasusterakhiryangharusdipertimbangkanadalahPAEmaksimumuntuk
gelombangdanteknologitransistor.Istilahpertamamemiliki diberikanteknologitransistordimanadesainerbebasuntuk
telahditemukansudahdanmerupakanfungsihanyadari
memilihperangkatberukuranoptimal.Halinimiripdengan
Strategituning.Istilahkedua,jugaditemukan
https://translate.googleusercontent.com/translate_f

5/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

laindibawahkeduateknikskala
1,Tergantunghanya
padatuning.Istilahketigaadalahfungsihanyadari
teknologitransistor,yanglaindibawahperubahan
ukurantransistor. Istilahselanjutnyamenunjukkanlinear
degradasikinerjayangoptimalatasfrekuensi.

kasussebelumnya,kecualibahwakeuntunganyangcukuprendahuntukmenjadi
pertimbangan.

Dauniniistilahakhir,mewakiliproporsi
kapasitansisaklarparalelC
S dibuatolehswitch
OutputsendirikapasitansiC
.Karenaukurantransistor
diluar
ditentukanolehdesainer,istilahinimerupakangelar
kebebasanuntukdioptimalkan,dengankendalayangCdiluar
tidakbisalebihbesardariC
S.Jelaspilihanterbaikadalahuntuk
memilihC
seluasmungkin,sehinggaperangkatyangoptimal
diluar
Ukuranmemilikimembuatkapasitansitransistoroutputatas
keseluruhanC
S:
2
1 Saya

RMS VDCSaya
DC (R C )()
(18)
di diluar
0
Saya
DC 0CSVDC2
Untukmenerangiartiagakmisterius
jabatankedua,pertimbangkanVyang
Saya
DC
DCkirakira
outputdayadan1/(
0CS)Adalahsaklarparalel
kapasitorimpedansibesarnyadidasar
frekuensi,ZC:
2
Pdiluar(
)()
1 Saya

RMS
RdiCdiluar
(19)
0
Saya
DC VDC2 / ZC

Sebenarnyaadaduakasusyangmungkindalamskenarioini.
Pertama,karenahilangnyasaluranberbandingterbalikdengan
ukurantransistorsedangkandayainputyangdiperlukanadalah
sebandingdenganukuranini,akanadaPAEoptimal
titikdengantotalkerugianminimum.Sebuahpenguatberoperasipada
minimuminidapatdikatakansebagaigainterbatas,karenasebuah
peningkatanukurantransistortidakdisarankankarena
mengakibatkanpenurunankeuntungan.Minimuminimungkintidak
dicapai,namun,karenaadakemungkinanbahwaoutput
kapasitansiperangkatdenganukurangainterbatasmungkinmelebihi
tuningyangberalihparalelkapasitansiC S.Dibawahini
Kondisikapasitansiterbatas,ukuranterbaikakanmenjadi
terbesarmungkindiberikankendalakapasitansi,yaitu
dimanaC diluar
=CS.
Pertamakasusgainterbatasakandiperiksa.Mulaidari
(10),transistorskalaaturan(5)(7)diperkenalkan:
PAE 1

2R
Pdi Saya
1
1 RMS di
Pdiluar
VDCSaya
DC

(21)

MengoptimalkanlebihuntukmaksimumhasilPAEdi:
PAE 1

2
2
Saya
RMSRdi Pdi
VDCSaya
DCPdiluar

(22)

(
)
ZC 1 0CS
(20)
Menggunakanpendekatanyangdayakeluaran
Tampildengancaraini,istilahdapatdilihatsebagairasioantara kirakiradayadc,inimenjadi:
dayakeluarandandayareaktifdalamkapasitansi
2
CS.Istilahmengukurkemampuantuninguntukmemanfaatkan
Pdi
RMS V pk
outputyangbesarkapasitansi(karenaitudayareaktifyangtinggi) PAE 1 Saya
(23)
Saya
tanpamemerlukanoutputdayayangsangatbesar.Alebihkecil
DC VDC V pk2 / Rdi
Nilaiuntukistilahinimemungkinkanukuranperangkatyanglebihbesaruntuksetiapdiberikan
outputdaya,mengurangionresistensidan
Duahalpertamaungkapaninitelah
hilangnyakonduksi.
ditemuisebelumnyadanfungsihanyatuning
strategi.Istilahketigaberisiderajatkebebasan,yaitu
Dari(19)dapatdisimpulkanbahwaitudiinginkanuntukmemilikiteganganpuncakgelombang.Sepertisebelumnya,yangterbaik
larasdenganRMSrendahuntukrasiodcdisaat
kinerjadicapaidenganmemilihnilaiinisetinggi
bentukgelombang,danyangmentolerirsaklarparalelbesar
mungkin,dengankasusmembatasimenjadirinciannya
kapasitansirelatifterhadapdayaoutputuntukdcdiberikan
teganganteknologi.MengaturV
pk =V bk menerjemahkan
tegangan.Demikianpula,teknologitransistoryangbaikharus fungsihanyadariteknologitransistorketiga,
laindibawahskalaukurantransistor:
Saya V
1Pemeriksaanhatihatijugamengungkapkanistilahiniuntuklaindibawahperubahan
PAE 1 RMS pk
frekuensioperasijuga,karenastrategituningdidefinisikandalamhal
Saya
DC VDC
0CSadalahkonstanuntuk
impedansidisajikanpadaharmonik,dandengandemikian
Tuningyangsamapadafrekuensiyangberbeda.

Pdi
Vbk2 / Rdi

2
(24)

Halaman8

Jikakerugiankecil,inidapatdiperkirakansebagai:
Saya V
PAE 1 2 RMS pk
Saya
DC VDC

Pdi
2
Vbk / Rdi

(25)

amplifierberukuranakanmengurangihanyaberbandingterbalikdengan
frekuensikarenaukuranperangkatyangoptimaldalamhaliniadalah
mengurangifrekuensimeningkat.

Mereviewhasil(29),kesimpulanberikut
tercapai.Asbefore,tuningswithlowRMStodcratioon
Darihasilini,jelasbahwalarasdenganRMSrendahuntuk
thecurrentwaveformresultinhighercapacitancelimited
dcrasiopadagelombangsaatinidanpuncakrendahuntukrasiodc
drainefficiency.Alowpeaktodcratioonthevoltage
padagelombangteganganyangdiinginkan.
waveformimprovesthegain.Havingalargetoleranceto
outputcapacitance(ielowF C)allowsforhigherdrain
Kasuskapasitansiterbatassangatmiripdengankasus
efficiency,butatthecostofreducedgainduetothe
Efisiensisaluranmaksimumdieksplorasidalambagiansebelumnya.
associatedincreaseintransistorsize.
Secarakhusus,ukurantransistorakansama,sehingga
efisiensisaluranidentik.Dengandemikian,untukmenghitung
IV.C LASS
E/FA MPLIFIERS
PAE,hanyaperluuntukmenghitungdayainput
kasusdimanaC diluar
=C S danV pk=V bk.KeberadaannyadiPertama
Withcomparisonmethodsinhandtodecidebetween
bahwarasioC diluar
P di adalahkonstanselamaperubahan
candidatetunings,thediscussionturnstowardfinding
ukurantransistor,dayainputdapatdinyatakansebagai:
thesecandidates.Untilnow,onlytwostrongswitching
harmonictuningstrategiessuitableforusewithlarge
C
C
outputcapacitancehavebeenintroduced,classEandthe
Pdi = diluar
Pdi = S Pdi
(26)
Cdiluar Cdiluar
evenharmonicresonantclassEvariant[26].Itwould
notbeunreasonabletosuspectthatothertuningshaving
MemasukkaninikeekspresiPAE,menghasilkan:
superiorcharacteristicsmayexist.Fromthestandpointof
theFSaya
andFV waveformconditions,theclassFwaveforms
PdiCS
=

PAE 1
(27)
aremuchbetterthanclassE,buthavethedrawbacksof
Pdiluar
Cdiluar
beingunrealizableinthecaseofstrongswitching.Sebuah
https://translate.googleusercontent.com/translate_f

6/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

Menataulang,mengingatbahwaV pk=Vbk,Hasil:
2 1
2/ Z
Pdi
VDC
C Vpk
PAE= 1

2
Pdiluar VDC 0
Cdiluar
Vbk

obviousfirstlineofinquirymightattempttoachievethe
benefitsofclassF(orinverseF)tuningbyconstructinga
hybridtuningtakingoncharacteristicsofbothEandF.
ThenewclassE/Famplifierfamily,asitsnamesuggests,
isamethodofachievingahybridtuningbetweenclassE
andclassF 1,classF 1 beinganaturalchoicethanfora
ZVSamplifierhybridsincetheidealwaveformsofthis
classareZVSunlikeclassFwhichpresentsvoltage
waveformdiscontinuitiesattheswitchingeventsinthe
ideal(allharmonicstuned)case.

(28)

Menggabungkaninidengan(19)hasil:

Pdi
FV2 1
Cdiluar
Vbk2 FC 0
(29)
[ (
]
)
2F (R C )
1 FSaya
C di diluar
0
dimanafaktorfaktorgelombangtelahdirepresentasikansebagai:Althoughonemightsuggestmanydifferentideasfor
composingsuchahybrid,themethodproposedhereisa
FV V pk/ VDC
frequencydomainhybrid,choosingateachovertoneto
(30)
1orclassEmethod.Di
tuneeitheraccordingtotheclassF
otherwords,someselectionofevenharmonicsmaybe
Saya / Saya
FSaya
(31)
RMS DC
opencircuited,someselectionofoddharmonicsmaybe
shortcircuited,andtheremainingharmonicsarepresented
Pdiluar
withafixedcapacitance.AsintheclassEcase,the
FC
(32)
fundamentalfrequencyloadresistanceR L daninduktif
VDC2 / ZC
reactanceX L areadjustedinordertoachieveZVS
DaricatatanjugaadalahgainpenguatGdalamhalini:
switchingconditions.Thisleavesonedegreeoffreedom
thatmightbeusedtosettheslopeofthevoltageduringthe
C V 2 F
switchturnontozero,allowingforclassEswitching
pk
C
G = 0 diluar
(33)
2.IfthenumberofclassF 1tunedharmonicsis
syaratsyarat
Pdi
FV2
finite,theamplifierisberealizableusingthecircuitinFig.
Meskipunpertamamungkinmunculgainyangmeningkatdengan6,althoughthisisnotnecessarilythemostdesirable
implementasi.
frekuensi,harusdiingatbahwa
Pitusendirimerupakan
di
fungsifrekuensi.Jikaresistor/kapasitormodelsederhana
inputyangdigunakan,ketergantunganiniterbalikdengan
2ClassE/FtuningsarenotlimitedtoclassEswitchingconditions,and
persegifrekuensi.Jadigaindarioptimal
performanceadvantagesmaybefoundusingatuningwithnonzerovoltage
slopeatturnonduetoreducedpeakvoltageandlargercapacitancetolerance.
PAE = 1

Halaman9

Thistechniquemaybeusedtoproducemanydifferent
amplifiertuningsaccordingtowhichovertoneshavebeen
tunedasclassF1,andsoanamingschemeisrequiredto
differentiatebetweenthem.Thenamesusedhereinareof
theformClassE/Fn1,n2,n3,
,wherethenumericalsubscripts
indicatethenumbersoftheclassF 1 tunedharmonics.
Table1showstheimpedancespecificationsofseveral
representativeE/Famplifiers.
f0
XL

3f0

4f0

RL CS

CS

CS

CS

E/F3

CS XL

RL CS

pendek CS

CS

E/F2,3

X
CS L

RL openshort

CS

E/F2,4

CS XL

RL terbuka CS

terbuka CS

E/F3,4

CS XL

RL CS

F1

CS

RL

2f0

shortopen

(B)

(C)

(D)

(E)

(F)

5f0

CS

CS

openshortopenshort

Table1.SampleclassE/Fharmonictuningspecificationsin
frequencydomain.
A.WaveformsandTuningRequirements
Recently,ageneralanalyticmethodfordeterminingboth
theexactwaveformsandthefundamentalfrequencytuning
R L danXL toachieveZVSconditionsforanycircuitof
theformshowninFig.6hasbeendeveloped[27].
Althoughthedetailsofthistechniquearebeyondthescope
ofthispaper,theresultssummarizedinthefollowing
sectionmaybefoundusingthismethod.
SomesampleE/FwaveformsaredepictedinFig.8.The
waveformscontainfeaturesbothofclassEandclassF1
https://translate.googleusercontent.com/translate_f

(a)

Gambar.8.
ClassE/Famplifierwaveforms:(a)ClassE/F 2.
(b)ClassE/F
,(d)ClassE/F
,(e)ClassE/F
.
3,(c)ClassE/F
2,3
2,4
2,3,4
(f)ClassE/F3,5
.Waveformsarenormalizedtodcvoltageand
saatini.Thetimeisnormalizedtotheswitchingperiod.
Ascanbeseenfromthesamplewaveforms,thevoltage
peakrelativetothedcvoltageisgenerallylowerthanin
classE,andthecurrentwaveformtendstoresemblea
squarewave,loweringtheRMStodcratio.Efekini
arequantifiedinTable2,whereinthewaveformfiguresof
meritforvariousE/Ftuningsareshown.

E
E/F2
E/F3
E/F2,3
E/F2,4
E/F

FV
3.56
3.67
3.14
3.13
3.43
3.08

FSaya
1,54
1.48
1.52
1,47
1.46
1.45

FC
3.14
1.13
3.14
2.31
0.97
1.18
7/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

amplifier.LikeclassE,thevoltagewaveformswitchesat
zerovoltageandzerovoltageslope,whilethecurrent
waveformhasadiscontinuityattheswitchturnoff,asis
requiredinaZVSamplifier[28].Thewaveformsfor
smallnumbersofharmonicstunedtendtoresembleclass
E,andasthenumberoftunedharmonicsisincreased,the
resemblancetoclassF1 meningkat.Loworderharmonics
havethemosteffect,andevenharmonicstendtoprimarily
affectthecurrentwaveform,whereasoddharmonicstend
tohavethemosteffectonthevoltagewaveform.

E/F2,3,4
3,5
E/F2,3,4,5
1
F

3.20
3.20
3.14

1.51
1.45
1.41

3.14
2.11
N/A

Table2.WaveformpropertiesforsampleclassE/Famplifiers.
Smallernumbersindicatebetterperformance.
Forthetuningsselected,onlyoneoftheamplifierslisted
performsworseinanycategorythanclassE.Generally
speaking,tuningthesecondharmonictendstoincreasethe
peakvoltage,reducetheRMScurrent,andgreatlyincrease
thetolerancetooutputcapacitance.Tuningthethird
harmonictendstoreducethepeakvoltage,haslittleeffect
ontheRMScurrent,andhasavaryingeffectonthe
capacitancetolerance.Tuningthefourthharmonichas
9

Halaman10

varyingeffectivenessdependingonwhichotherharmonics
V.P USH
/PUll CLASS
E/F DANE/FODD
AMPLIFIERS
havebeentuned.Thefifthharmonic,interestingly,usually
Oneproblemwhicharisesintheimplementationof
hasdetrimentaleffectsontheperformance,egE/F 2,3,4
classE/Famplifiersisthedifficultyoftuningtherelatively
showsbetterperformancethanE/F 2,3,4,5undermost
largenumbersofharmonicsinawaythatisboth
langkahlangkah.Thiswouldindicatethat,contrarytothecaseofreasonablysimpleandlowloss.Sinceeachadditional
classFandclassF 1 amplifiers,tuningofadditional
resonanceaddedtothecircuitintroducesloss,itis
harmonicsusingtheE/Fmethoddoesnotnecessarilyresult
desirabletoreducethestoredenergyintheresonators,ie
inbetterperformance.
maketheirloadedQslow.Unfortunately,thiscausesthe
effectofthetuningcircuittobebroadinthefrequency
2
2
2F
FV FSaya 2FVFSaya FSaya
FV2 FC
C
domainandtospilloverintoadjacentharmonicsaswell,
see(16) see(25) see(29) see(29)
usuallywithadverseeffects.Forinstance,ifaseriesLC
E
30.03
10.96
7.44
4,03
resonatorisusedinaclassE/F 3 tuningtotuneashort
E/F2
29.57
10.87
2.49
11.9
circuitatthe3 rd harmonic,thisresonatorwillpresenta
E/F3
22.76
9.54
7.24
3.14
capacitanceatthesecondharmonic,reducingits
E/F2,3
21.25
9.22
5.02
4.24
impedansi.Thiscausesthewaveformstodegradewith
E/F2,4
25.10
10,02
2.07
12.2
regardtoallthreewaveformfiguresofmerit,particularly
E/F2,3,4 20.08
8.96
2,50
8.00
withregardtoF C.Thedesigneristhusforcedtoeither
E/F3,5
22.39
9.67
7.18
3.26
utilizeaveryhighloadedQresonantcircuit meningkat
E/F2,3,4,5 21.68
9.31
4.47
4.85
thelossofthiscomponent ortointroduceadditional
F1
19.74
8.88
N/A
N/A
resonancesintothecircuit againincreasingtheloss.
Table3.LossfactorsforselectedE/Ftunings.Thefirstthree
columnsrepresentafactorinthedrainlossforthreedifferent Thereis,however,amoreelegantwaytoseparatethe
casesandthefourthcolumnrepresentsafactorinthedriveloss effectsoftheevenandoddharmonicfrequencies.Oleh
utilizingasymmetricpush/pullswitchingamplifiercircuit,
ofacapacitancelimitedamplifier.
thedifferingsymmetriesoftheevenandoddharmonicsin
theswitchingwaveformsmaybebeneficiallyemployed.
Efficiencyandgainfactorsderivedpreviouslyforvarious
E/FtuningsareshowninTable3.Thefirstcolumnshows
Consider,forinstancethecircuitdepictedinFig.9.The
thewaveformfactorforthesizelimiteddrainefficiency
circuitemploystwoswitches,eachwith50%dutycyclebut
(16).Ascanbeseen,severalE/FtuningssuchasE/F 2,3,4
operatedsuchthatwhenoneswitchisconductingtheother
reducethedrainlosstoaround67%thatofclassE.This
isopen.Duetothesymmetryofthecircuit,thewaveforms
improvementputsseveralclassE/Ftuningsintothesame
ofeachswitchareidenticalexceptforatimedelay
performancerangeasidealclassF 1 andwouldserveto
differenceofahalfcyclebetweenthem.
Connected
reducetheheatsinkingrequirementsbyonethird.Itu
betweentheswitchesisadifferentialTsectionload
secondcolumnshowsthewaveformfactorforthe
composedofadifferentialimpedanceZ
D Koneksi
gainlimitedPAEasineq.(25),andtellsasimilarstory,
betweenthetwodrains,andacommonmodeconductance
althoughtheimprovementsaremoremodest.
YC connectedbetweenthecenterofthedifferential
impedanceandground.
TheapplicationwhereE/Fpromisestohavethemost
usefulnessisthecapacitancelimiteddrainefficiencycase
asshownofthethirdcolumn.Ascanbeseen,theE/F
amplifierscanshowextremelygoodperformanceunder
theseconditions,insomecasesreducingtheexpecteddrain
losstolessthan30%thatofclassE.Thisisaccomplished
byincreasingthetransistorsize,asclassE/Ftuningsoften
showgreatlyincreasedtolerancetooutputcapacitance,as
indicatedbytheirverylowvaluesofF C.Initambahan
(B)
efficiencycomesatthepriceofgain,asshowninthe
fourthcolumn,butinmanycasestheintrinsicdevicegain
atthefrequencyofinterestishighbutlargeoutput
(a)
capacitancelimitsthedevicesizeinclassEamplifiers.
Evenifthedesignerdoesnotwishtomakefulluseofthe
availablegain/efficiencytradeoff,heisfreetochooseany
transistorsizehavinganoutputcapacitancesmallerthan
(C)
thecapacitanceCS withtheremainderbeingmadeupby
discretecapacitors.
Gambar.9.
Push/pullamplifierwithaTnetworkload:(a)circuit
topology,(b)tuningeffectatoddharmonics,(c)tuningeffectat
evenharmonics.
10
https://translate.googleusercontent.com/translate_f

8/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

Halaman11

Theeffectiveimpedanceseenfromeachdrainateach
harmonicmaybecalculated.
Duetothetimedelay
symmetryofthewaveforms,theoddharmonicvoltage
componentsofeachswitchmustbeequalinamplitudebut
oppositeinphase.Consequently,avirtualgrounddevelops
atthelineofsymmetryatthecenterofthedifferential
impedance,shortingacrossconductanceY
Csoeachswitch
seesanimpedanceof Z D 2 .Attheevenharmonics,
however,theharmonicvoltagecomponentsareequalin
amplitudeandphase.Thus,thelineofsymmetrybecomes
avirtualopencircuitsotheswitchesmustsharethe
conductanceY C,eachseeinganimpedanceof
Z D 2+ /2
YC.

Gambar.11.E/F
conceptualcircuitimplementation.Tambahan
x,odd
resonantcircuitsinparallelwitheachswitchresonatewiththe
switchcapacitanceatselectedevenharmonics.
UnliketheclassE/Famplifierswithfinitenumbersof
harmonicstuned,thewaveformsofE/Fx,odd
amplifiersare
derivedwithrelativeease.
IntheE/F x,oddamplifier
digambarkandalamGambar.11,thebandstopfilterlocatedbetweenthe
twoswitchesforcesthevoltagedifferential,
V
2 V1 menjadi
sinusoidwithafrequencyequaltothefundamental
frequencyf 0.Lettingtheamplitudeandphaseofthe
sinusoidbedenotedVDandrespectively:
v2 v1 = VDsin(+ )
(34)

Usingthisprinciple,anE/F
3 amplifiermightbe
constructedbyplacingthethirdharmonicshortcircuitasa
differentialload,shortingthethirdharmonicusinga
lowQresonatorwithoutadverselyaffectingthe
impedancesofanyevenharmonics.Similarstrategiesmay
beusedtoselectivelytunetheimpedancesofeven
harmonik.
Whilethistechniqueisitselfusefulfortheefficient
constructionoftheE/Famplifiersdiscussedintheprevious
section,italsoopensuptheveryinterestingpossibilityof
shortcircuitingalloddharmonicsbyplacingadifferential
shortcircuitbetweenthetwoswitches.Toavoidalso
shortcircuitingthefundamental,abandstopfiltersuchas
aparallelLCtankmaybeusedtoprovideadifferential
shortcircuitatallfrequenciesotherthanthefundamental.
Thistechniquewouldhavethepromisetoyieldan
E/F3,5,7,9,etc.
tuning,denotedhereafterasE/F
.
aneh

Sinceoneoftheswitchesisalwaysonandthereforehas
effectivelyzerovoltageacrossit,thedifferentialvoltage
maybeusedtocalculatethevoltagesV
1 danV2.Denganasumsi
theleftmostswitchisclosedfor0 < < :
0
0 < <
v1 =

+
< < 2
VDsin(
)
v2 =

VDsin( + ) 0 < <

< < 2
0

(35)

(36)

AssumingaZVStuningistobefound,thesevoltage
waveformsmustbecontinuousattheswitchingturnon
peristiwa.Ascanbeseen,theonlynontrivialsolutionisfor
tobezero,indicatingthattheproperlytunedvoltage
waveformishalfsinusoidal.Aseachswitchisconnected
tothedcsupplythroughaninductor,thedcvalueofeach
switchvoltagewaveformmustequalthedcsupplyvoltage
VDC
.Sincethepeaktoaverageratioofahalfsinusoidis,
thevoltagesare:

Gambar.10.E/F
anehcircuitimplementationusingapush/pull
amplifierandabandstopfilter.

v1 =
V

Thistechniquemightconceivablybeimprovedbyfurther
tuningseveralevenharmonics,generatinganE/F x,odd
amplifierwherexisasetoftunedevenharmonics.A
methodbywhichanumberofevenharmonicsmaybe
opencircuitedisshowninFig.11,whereintheE/F aneh
circuitofFig.10hasbeenaugmentedwithadditional
resonatorsinparallelwitheachswitch.Eachresonator
maybetreatedanalyticallyasabandpassfilterinseries
withacapacitanceCS.Thefilterconnectsthisnegative
capacitanceinparallelwiththeswitchparallelcapacitance
atthoseevenharmonicstobetuned,cancelingthis
capacitanceatthesefrequencies.

v2 =

0
0 < <
) < < 2

sin(
DC

< <
DCsin( ) 0
< < 2
0

(37)

(38)

NowthatthevoltagesacrossthecapacitancesC
S1danCS2.
eachwithcapacitanceC S,areknown,theircurrentsI CS1
3
danaku
CS2maybecalculated:
3Althoughthecasepresentedhereassumesalinearcapacitance,thecaseofa
nonlinearcapacitanceisalsoreadilysolved[18].
11

Halaman12

0
0 < <
=
saya
CS1 C V cos( ) < < 2
0 S DC
=
saya
CS2

C V cos( ) 0 < <

0 S DC
< < 2
0

(39)

(40)

Thefrequencydependencemayberemovedbyexpressing
thecurrentsintermsofthecapacitances'fundamental
frequencyimpedanceZ
C:
0

0 < <

https://translate.googleusercontent.com/translate_f

V
2k
V

Saya
DC+ ZDCcos() + ZDC k2 1sin() 0< <
=
C
C
k
T
saya

LOAD + VDC VDC 2k < < (49)

Saya
2
DC Z cos() Z k2 1sin()
C
C kT
Withtheloadcurrentandloadvoltageknown,their
fundamentalfrequencyFouriercomponentsV LOADdan
Saya
maybefound:
LOAD
VLOAD
( = 0) = jVDC
(50)

2
Saya( = ) = VDC VDC ()8k + j 4 Saya

(51)
9/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

saya
CS1 = ( VDC Z C) cos( ) < < 2
=
saya
CS2

(
)
VDC ZC cos( ) 0 < <
< < 2
0

(41)

LOAD 0
ZC ZCkT k2 12 DC
Computingthefundamentalfrequencydifferentialload
conductanceastheratioofthisvoltageandcurrentyields:

(42)

2
= 4Saya
DC j 1 1 1 () 8k
YLOAD
2V
2
2
Z
C
DC
kTk 2 1

TheevenharmonicresonatorcurrentsIT1danaku
T2mungkin
calculatedusingtheknownresonatorimpedance.Itu
Fourierdecompositionoftheswitchvoltagewaveforms
adalah:

2
)

v1 = VDC 1 sin(

cos(k )
2
K} k 2 1
k{ ,2
,4
,6

2
)
v2 = VDC 1+ sin(
cos(k )

2
k2 1
{
}
K
k ,2
,4
,6

Fromthisexpression,itisapparentthattherequiredload
forZVSoperationisaresistanceinparallelwithan
appropriatelysizedinductivesusceptence,thesizeofwhich
isdeterminedbytheharmonicstunedandtheswitch
parallelcapacitance.

(43)

Thisloadconductanceformulasuggestsadegreeof
freedominthetuning.Sincetheconductancehasno
dependenceonthecapacitorC S andthesusceptanceisa
functiononlyofthiscapacitance(andthetuning),the
amplifierwilloperateinZVSmodewithoutretuningfor
anyvalueoftheloadconductanceandwithoutthevoltages
ontheswitchorontheloadchanging.Arus
waveforms,however,dochange.Expressing(47)interms
oftheloadresistanceandthedcvoltageyields:

(44)

TheadmittanceY T(k)ofthetuningnetworkatthek th
harmonicis:
YT (k ) = jk Z C
(45)
Usingequations(39),(40),and(41),theresonatorcurrents
Saya
T1danaku
T2maybecalculated.Denotingthesetoftuned
evenharmonicnumbersasT:
2k
=
= VDC
saya
sin(k )
T1 saya
T2
ZC k 2 1
kT

2V V
DC DC cos() 4k sin(
k) 0< <
saya
2
S1= 2RL ZC
k Tk 1
< <2
0

(46)

Since,atalltimes,atleastoneswitchisnonconducting
andthechokesonlyconductdccurrentI DC
,allcurrents
exceptfortheconductingswitchareknown.Olehkarenaitu,
currentthroughtheconductingswitchmaybedetermined
byKirchhoff'scurrentlaw(KCL):
VDCcos(
) + VDC 4k sin(
2Saya
k) 0< <
saya
ZC kT k2 1
S1= DC ZC
< <2
0

(52)

(47)

(53)

Thisexpressionindicatesthatamplitudeofthesquare
wavecomponentisafunctiononlyoftheresistance,
increasingastheresistanceisdecreased.Theripple
component,consistingoftheresonatorandcapacitor
currents,isindependentoftheloadresistance,andis
completelydeterminedbythecapacitanceC S dan
harmonicstuned.ThiseffectisdepictedinFig.12,
showingclassE/Fanehamplifierwaveformswithvarying
loadresistance.

0
0< <
V
saya
) +VDC 4k sin(
) < <2 (48)
+
DC
cos(
k
S2= 2Saya
DC Z
ZC k T k2 1
C

Withtheswitchingwaveformsinhand,theremainingtask
istodeterminethefundamentalfrequencyloadimpedance.
TheloadcurrentiLOAD
isreadilycalculatedusingKCL:

12

Halaman13

capacitanceshavedifferentvaluesofFSaya
andFC,andthus
differentperformances.Itisthereforenecessarytoindicate
thesizeofcapacitancebeingusedintheamplifierwhen
specifyingthewaveforms.Hereinthewaveformswillbe
specifiedbytheirF C figureofmeritrelativetothatof
classE.Forinstance,a2EtuningwouldhaveanF
Csetengah
thatofclassE.Physically,thiscorrespondstotolerance
fortwicethecapacitanceofaclassEamplifieroperatingat
thesameoutputpowerfromthesamedcvoltage.
Gambar.12.E/F
waveformsforvariousvaluesofloadresistance
aneh
RLkeepingswitchparallelcapacitanceC
Skonstan.
Thisloadinvariancemaybeausefulinmanyapplications,
butevenforsystemsutilizingafixedloadthisproperty
maybeapplied.Bykeepingtheloadresistanceconstant
andvaryingCS anE/Fx,odd
tuningforagivenoutputpower
anddcvoltagemaybefoundforanyvalueofthe
capacitanceC S providedthatthesusceptanceofthe
fundamentalfrequencydifferentialloadisappropriately
tuned.Thecurrentwaveformagainchangesaccordingto
(53),inthiscasevaryingtheamplitudeoftheripple
componentasthevalueoftheswitchparallelcapacitance
isadjusted.Ifthecapacitanceiszero,thecurrentisa
squarewave4 andincreasingcapacitanceresultsinhigher
peakandRMScurrents.ThiseffectisshowninFig.13.

https://translate.googleusercontent.com/translate_f

(a)

(B)

(C)

(D)

10/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

(E)

Gambar.13.E/F
anehnormalizedswitchingwaveformsforvarious
valuesofswitchparallelcapacitance.
Thereareseveralconclusionstobedrawnfromthis.Pertama,
itisclearthattheRMScurrentincreasesasthe
capacitanceisincreased.Since,unlikeclassEwherein
choosingtoosmallofavalueforC S resultsinnegative
switchvoltagesespeciallyundesirableinFETdevices
withparasiticdrainbulkdiodestheE/F
x,oddsirkit
waveformsimproveasthecapacitanceisdecreased.Demikian
unliketheclassEcasewhereindiscretecapacitanceis
oftenaddedparalleltotheswitch,itwouldbefoolishtodo
sointheE/Fx,odd
kasus.
Thisisnottosaythatthecapacitancewillnecessarilybe
kecil.Althoughthecurrentwaveformsimprovewith
decreasedcapacitance,theonresistanceimproveswith
transistorsize.
Thetuningsfordifferentoutput

(F)

Gambar.14.ClassE/F
anehamplifiervoltage(black)andcurrent
(grey)waveforms:(a)classE/F
Esizedevice,(b)class
aneh
E/Faneh
2Esizedevice,(c)classE/F
Esizedevice,(d)
2,odd
classE/F2,odd
2Esizedevice,(e)classE/F
Esizedevice,
4,odd
(f)classE/F
2Esizedevice.Waveformsarenormalizedto
2,4,odd
dcvoltageandcurrent.
WaveformsforselectedE/Fx,oddamplifiersareshownin
Gambar.14.Foreachofthesetunings,thevoltagewaveformis
ahalfsinusoid.Thecurrentwaveformsdependonthe
evenharmonicstunedandtheswitchparallelcapacitance.
UsingthebasicE/Faneh
tuningresultsinanearlytrapezoidal
currentwaveform,andopencircuitingadditionaleven
harmonicshastheeffectofcausingthecurrentwaveform
tomorecloselyapproximateasquarewave,evenforvery
largevaluesoftheoutputcapacitance.Dengancaraini,
evenharmonictuningishelpfulforallowingevenlarger
transistorsizeswhilekeepingreasonableRMScurrents.

4ThezerocapacitancecaseisactuallythewellknowncurrentmodeclassD
inverter[6].Inasense,E/F
isanoutputcapacitancecorrectiontechnique
aneh
forcurrentmodeclassDcircuits.
13

Halaman14

E
E/Faneh
(E)
E/Faneh
(2E)
E/F2,odd
(E)
E/F2,odd
(2E)
E/F2,4,odd
(E)
E/F2,4,odd
(2E)
E/F2,4,odd
(3E)
E/F2,4,6
(2E)
E/F2,4,6
(3E)
E/F2,4,6
(4E)
F1

FV
3.56
3.14
3.14
3.14
3.14
3.14
3.14
3.14
3.14
3.14
3.14
3.14

FSaya
1,54
1.50
1.73
1,44
1.51
1.43
1,47
1,54
1.45
1.50
1.57
1.41

FC
3.14
3.14
1.57
3.14
1.57
3.14
1.57
1.05
1.57
1.05
0.79
N/A

Table4.WaveformfiguresofmeritforvariousE/F
tunings.
x,odd
WaveformfiguresofmeritforselectedE/Fx,odd
amplifier
arepresentedinTable4.Thevoltagewaveformisinall
casesequaltothatofclassF 1,andtheRMScurrentsin
manycasesarenearlyideal.Asinthecaseofthe
singleendedE/Famplifiers,thebiggestimprovementisin
thecapacitancetolerancefactorF
C whichmaybe
drasticallyreducedinmanycases.

E
E/Faneh
(E/2)
E/Faneh
(E)
E/Faneh
(2E)
E/F2,odd
(E)
E/F2,odd
(2E)
E/F2,4,odd
(E)
E/F2,4,odd
(2E)
E/F2,4,odd
(3E)
E/F2,4,6
(2E)
E/F2,4,6
(3E)
E/F2,4,6
(4E)
F1

2
FV2FSaya
30.03
20.36
22.21
29,61
20,43
22.50
20.14
21.36
23.38
20.89
22,33
24.34
19.74

2FVFSaya F 2F
Saya
C
10.96
7.44
12,96
9,02
9.42
7.07
10.88
4.71
6.50
9.04
9.48
3.58
8.98
6.41
9.24
3.40
9.67
2.48
9.14
3.32
9.45
2.37
9,87
1.94
8.88
N/A

FC FV2
0,248
0,637
0,318
0,159
0,318
0,159
0,318
0,159
0,106
0,159
0,106
0.080
N/A

Table5.EfficiencyandgainfactorsforvariousE/F
tunings.
x,odd
EfficiencyandgainfactorsforvariousE/F
tuningsare
x,odd
presentedinTable5.Thesetuningsmayexcelineach
performancecategory.Wheretransistorsizeislimitedby
cost,thelowFVandFSaya
valuesforsmallcapacitancetunings
allowE/F anehtoapproachtheperformanceofclassF 1
https://translate.googleusercontent.com/translate_f

constructedusingastraightforwardcircuitincorporating
thetransistoroutputcapacitanceasacircuitelement.
TheseE/Ftuningsallowstrongswitchingoperationasin
classE,butshowagreatertolerancefortransistoroutput
capacitanceandpresentwaveformsapproachingthemore
desirableclassF1.Thefamilyexhibitsatradeoffbetween
circuitcomplexityandperformance.Inadditiontosingle
endedapproachessimilartoclassE,push/pullE/F x,odd
approachestakingadvantageofcircuitsymmetriespromise
togreatlyimproveperformanceofclassEstyleamplifiers
withlittleaddedcircuitcomplexity.
ACKNOWLEDGMENT
TheauthorswouldliketothanktheJetPropulsion
Laboratory,theLeeCenterforAdvancedNetworking,the
NationalScienceFoundation,theArmyResearchOffice,
andXeroxCorporationfortheirsupport.Wewouldalso
liketothankK.PotterandJ.Davisfortheirinvaluable
adviceandassistanceaswellasB.Kim,M.Morgan,H.
Hashemi,H.WuandD.Hamforthehelpfuldiscussions.
REFERENCES
[1]GDEwing,HighEfficiencyRadioFrequencyPowerAmplifiers,
Ph.D.Thesis,OregonStateUniversity,Corvallis,OR,1964.
[2]NOSokalandADSokal,ClassE:ANewClassofHigh
EfficiencyTunedSingleEndedSwitchingPowerAmplifiers,IEEEJ.
SolidStateCircuits,vol.SC10,pp.168176,June1975.
[3]VJTyler,ANewHighEfficiencyHighPowerAmplifier,Marconi
Review,vol.21,no.130,pp.96109,Fall1958.
[4]KTsaiandPRGray,A1.9GHz,1WCMOSClassEPower
AmplifierforWirelessCommunications,IEEEJ.SolidState
Circuits,vol.34,no.7,pp.962970,July1999.
c,LinearityofXBandClassF
[5]MDWeiss,FHRaab,Z.Popovi
PowerAmplifiersinHighEfficiencyTransmitters,IEEETrans
MicrowaveTheoryTech.,vol.49,no.6,pp.11741179,June2001.
[6]MKKazimierczuk,D.Czarkowski,ResonantPowerConverters,
JohnWiley&Sons,NewYork,NY,1995.
[7]C.Fallesen,P.Asbeck,A1WCMOSpoweramplifierforGSM1800
with55%PAE,2001IEEEMTTSInt.MicrowaveSymp.Dig.,
Phoenix,AZ,pp.911914,May2001.
[8]GKWongandSILong,An800MHzHBTClassEAmplifier
with74%PAEat3.0VoltsforGMSK,IEEE1999GaAsICSymp.
Dig.,pp.299302,October1999.
[9]B.Ingruberetal.,RectangularlyDrivenClassAHarmonicControl
Amplifier,IEEETrans.MicrowaveTheoryTech.,vol.46,no.11,pp.
16671672,Nov.1988.
[10]CJWei,etal.,AnalysisandExperimentalWaveformStudyof
InverseClassFModeofMicrowavePowerFETs,2000IEEEMTTS
Int.MicrowaveSymp.Dig.,Boston,MA,pp.525528,June2000.
[11]A.Inoue,etal.,AnalysisofClassFandInverseClassFAmplifiers,
2000IEEEMTTSInt.MicrowaveSymp.Dig.,Boston,MA,pp.775
778,June2000.
[12]WSKoppandSDPritchett,HighEfficiencyPowerAmplification
forMicrowaveandMillimeterFrequencies,1989IEEEMTTSInt.
11/12

18/12/2014

KelasE/FKeluargaZVSSwitchingAmplifiers

utilizingacircuitwithonlyoneresonator.
Dalam
gainlimitedcase,thelowerpeakvoltageandthereduced
RMScurrentwillsimilarlyimproveperformance.Itu
capacitancelimitedcase,however,isagainthemost
promisingareaforperformanceenhancement,withdrain
losslessthan30%ofclassEinsomecases.

MicrowaveSymp.Dig.,LongBeach,CA,pp.857858,June1989.
[13]FHRaab,ClassFPowerAmplifierswithMaximallyFlat
Waveforms,IEEETrans.MicrowaveTheoryTech.,vol.45,no.11,
pp.20072012,Nov.1997.
[14]FHRaab,MaximumEfficiencyandOutputofClassFPower
Amplifiers,IEEETrans.MicrowaveTheoryTech.,vol.49,no.6,hlm.
11621166,June2001.
[15]K.Honjo,ASimpleCircuitSynthesisMethodforMicrowaveClassF
UltraHighEfficiency
Amplifier dengan
ReactanceCompensation
Circuits,SolidStateElectronics,vol.44,no.8,pp.14771482,Aug.
2000.

VI.C ONCLUSION
AnewfamilyofZVSharmonictunedswitchingamplifiers
hasbeenintroduced,eachmemberofwhichmaybe
14

Halaman15
[16]FHRaab,ClassE,ClassC,andClassFPowerAmplifiersBased
UponaFiniteNumberofHarmonics,IEEETrans.Microwave
TheoryTech.,vol.49,no.8,pp.14621468,Aug.2001.
[17]A.Mediano,P.Molina,FrequencyLimitationofaHighEfficiency
ClassETunedRFPowerAmplifierDuetoaShuntCapacitance,
IEEE1999MTTSInt.MicrowaveSymp.Dig.,Anaheim,CA,pp.
363366,June1999.
[18]SDKee,I.Aoki,D.Rutledge,7MHz,1.1kWDemonstrationofthe
NewE/F
SwitchingAmplifierClass,IEEE2001MTTSInt.
2,odd
MicrowaveSymp.Dig.,Phoenix,AZ,pp.15051508,May2001.
[19]F.Bohn,S.Kee,A.Hajimiri,DemonstrationofaHarmonicTuned
ClassE/F
DualBandPowerAmplifier,2002IEEEMTTSInt.
aneh
MicrowaveSymp.Digest,Seattle,WA,pp.16311634,June2002.
[20]I.Aoki,SDKee,D.Rutledge,A.Hajimiri,A2.4GHz,2.2W,2V
FullyIntegratedCMOSCircularGeometryActiveTransformerPower
Amplifier,IEEE2001CustomIntegratedCircuitsConf.Dig.,San
Diego,CA,pp.5760.
[21]I.Aoki,SDKee,DBRutledge,andA.Hajimiri,"Distributed
ActiveTransformer:ANewPowerCombiningandImpedance
TransformationTechnique",IEEETrans.MicrowaveTheoryTech.,
vol.50,no.1,pp.316331,Jan.2001.
[22]I.Aoki,SDKee,DBRutledge,andA.Hajimiri,"FullyIntegrated
CMOSPowerAmplifierDesignUsingDistributedActiveTransformer
Architecture",IEEEJ.SolidStateCircuits,vol.37,no.3,pp.371
383,March2001.
[23]FHRaab,IdealizedOperationoftheClassETunedPower
Amplifier,IEEETrans.CircuitsSys.,vol.SC13,pp.239247,Apr.
1978.
[24]H.Koizumi,T.Suetsugo,M.Fujii,andK.Ikeda,ClassDE
HighEfficiencyTunedPowerAmplifier,IEEETrans.CircuitsSys.I,
vol.43,no.1,pp.5160,Jan.1996.
[25]FHRaab,ClassE,ClassC,andClassFPowerAmplifiersBased
UponaFiniteNumberofHarmonics,IEEETransMicrowaveTheory
Tech.,vol.49,no.8,Aug2001,pp.14621468.
[26]M.Iwadare,S.Mori,andK.Ikeda,EvenHarmonicResonantClassE
TunedPowerAmplifierwithoutRFChoke,Electronicsand
CommunicationsinJapan,Part1.vol.79,no.1,1996.
[27]SDKee,TheClassE/FFamilyofHarmonicTunedSwitching
PowerAmplifiers,Ph.D.Thesis,CaliforniaInstituteofTechnology,
Pasadena,CA,2002.
[28]MKKazimierczuk,GeneralizationofConditionsfor100Percent
EfficiencyandNonzeroOutputPowerinPowerAmplifiersand
FrequencyMultipliers,IEEETrans.CircuitsSys.,volCAS33,no.8,
pp.805807,Aug1986.

15

https://translate.googleusercontent.com/translate_f

12/12