RANGKUMAN

Top-Down Fabrication Nanostructures

Pokok bahasan yang akan dibahas adalah tentang metode top-down. pada
dasarnya dalam metode penilitian nanoteknologi terdapat 3 langkah pokok.
Pertama, pengendapan lapisan/film tipis pada subtrat. kedua, mendapatkan ukuran
yang diinginkan melalui photolithography. Ketiga, Transfer pola yang bisa
menggunakan proses lift- off ataupun etsa selektif film. Jika dibandingkan dengan
cara fabrikasi/pembuatan kimia umum dan metode pengolahan lainnya, teknik
fabrikasi/pembuatan dengan cara top-down untuk menciptakan nanostruktur ini
pada dasarnya berasal dari teknik yang diaplikasikan pada fabrikasi/pembuatan
microstruktur pada semiconductor industri. Pada chapter ini akan membahas
metode top-down nanofabrication, terutama lebih difokuskan pada metode
lithography, optical, electron-beam, X-ray, dan ion beam lithography. dulu, teknik
top-down fabrication ini dianggap efektif untuk nanostruktur dan telah
disempurnakan dengan metode botom-up yang ditemukan pada dekade akhir ini.
Lithography itu apa?
Lithography ini juga disebut photoegraving, ditemukan tahun 1798 di
jerman oleh alois senefelder. Jadi lithography merupakan proses definikasi pada
bentuk permukaan dari lapisan semiconductor. Banyak teknik dari lithography
yang sudah dikembangkan akhir 50 tahun ini dengan menggunakan sistem
varietas lensa dan sumber radiasi pencahayaan yang memiliki photon, X-ray,
electron, ions, dan atom netral.
Photolithography itu apa?
Photolithography itu merupakan lithography pada umumnya namun
menggunakan sumber radiasi dengan panjang gelombang pada cahaya tampak.
Photolithography sangat banyak digunakan dalam teknik microelectronic
fabrication di seluruh dunia, beberapa diantaranya adalah dalam produksi ICs atau
Integrated Circuits. Kemudian optical lithography adalah proses yang digunakan
pada microfabrication yang dengan selectif membuang beberapa bagian dari
film/lembaran tipis. Hal ini juga melibatkan pada penggunaan dari teknik optical
untuk dapat memproduksi gambar pada skala yang lebih kecil, jadi dengan

memanfaatkan cahaya untuk mentransfer pola geometrik dari photomask ke bahan

kimia yang sensitif terhadap cahaya di substrat.
Contact Printing
Pada mode kontak untuk photolithography, resist-coated silicon berlapis
dibawa mendekat agar terjadi kontak fisik dengan glass photomask. Untuk ini,
Lapisan-lapisan tadi diletakkan pada vakum dan seluruh perakitan dinaikan
sampai kontak lapisan-lapisan tadi dan mask berkontak satu sama lain. Kemudia
photoresist terkena sinar UV sementara lapisan-lapisan dalam posisi yang
berkontak dengan mask, dan ini memungkinkan pola masker untuk ditransfer ke
photoresist dengan akurasi hampir 100%, serta menyediakan resolusi yang
tertinggi (misalnya, 1 mm fitur di 0,5 mm dari positif menolak).
Proximity Printing
Metode paparan Proximity ini mirip dengan Contact Printing, dan
menyebabkan dapat menampilkan

celah sekitar 10-25 mm lebar antara

topeng(mask) dan lapisan(wafer) selama tahap paparan. Kesenjangan ini

meminimalkan (tapi tidak dapat menghilangkan) kerusakan topeng. Meskipun
resolusi sekitar 2-4 mm mungkin dengan jaraknya pencetakan, meningkatkan
kesenjangan akan mengurangi resolusi dengan memperluas wilayah penumbra
yang disebabkan oleh difraksi. Kesulitan utama yang terkait dengan Proximity
Printing ini adalah termasuk kontrol ruang yang kecil dan sangat konstan antara
masker dan wafer, yang dapat dicapai hanya dengan menggunakan (lapisan)wafer
sangat datar dan masker.
Projection Printing
Teknik Proyeksi memiliki kemampuan resolusi yang lebih rendah
dibandingkan Printing berbasis bayangan (shadow printing). Tetapi berbeda
dengan shadow printing, pada projection printing element lensanya digunakan
untuk fokus pada gambar mask yang berada pada subtratnya wafer(lapisan), yang
juga dipisahkan beberapa centimeter dari mas sehingga kerusakan pada mask
seluruhnya dapat dihindari.
Resolution Enhancement Techniques (RETs)
Merupakan teknik untuk memperbaiki/meningkatkan resolusi. Sudah
sangat banya jenis RET ini di dunia beberapa tahun terakhir dan juga banyak

laporan yang menunjukkan ini pada konferensi lithography dunia. Kemudian,

kebanyakan dari beberapa teknik tersebut telah aplikasikan pada wafer(lapisan)
manufaktur. RETs dapat berinteraksi dengan banyak cara dan juga memiliki
banyak factor untuk mendesign dan menyulingkan lithography nya.
Berikut merupakan salah satu kategori dari RET yang saat ini digunakan dan di
teliti adalah Phase-shift Mask Lithography. Digunakan untuk optical lithography
yang di kembangkan oleh levenson dan para pekerjanya di IBM saat 1980an.
Selain itu memiliki keuntungan untuk meningkatkan DoF dan garis lintang
pencahayaan dan memiliki kerugian juga yaitu memerlukan biaya mask, inspeksi
dan reparasi yang tinggi.
Optical Proximity Correction (OPC)
Jadi dalam photolithography terdapat teknik untuk meningkatkannya,
untuk mengatasi seperti frekuensi jumlah gambar yang error disebabkan oleh
difraksi atau effek dari proses yang berlangsung. Kebutuhan akan OPC kini
digunakan sebagai pembuatan alat-alat semiconductor. Sedangkan tujuan
utamanya untuk membatasi cahaya yang masuk agarhasilna lebih bagus, lebih
jelas dan lebih detail pada pola(pattern) di photomask yang digunakan
untukmenggores lapisan semiconductor yang pasisif, dan kesulitannya terletak
pada saat menciptakan bangunan berbatu dari transistor dan element lain. Dua
aplikasi yang paling umum untuk OPC adalah lebar garis perbedaan antara fitur di
daerah kepadatan yang berbeda (misalnya, pusat dibandingkan tepi sebuah array,
atau bersarang dibandingkan garis terisolasi), dan garis akhir shortening
(misalnya, gerbang tumpang tindih pada oksida lapangan).
Electron Beam Lithography
Merupakan pengembangan dari scanning sebuah pengiriman sinyal
electron yang memiliki pola sepanjang permukaan yang ditutupi dengan
hambatan. Jadi EBL pertama kali dikembangkan pada 1960an dan berdasarkan
prinsip dari scanning electron microscopy(SEM). Karena resolusinya sangat
bagus dan tinggi, fleksibilitasnya juga, EBL sangat disarankan untuk teknik
pembuatan pola-pola ekstrim yang dibutuhkan oleh industri-industri electronic
modern saat ini.
X-ray Lithography

X-ray dengan gelombang diantara 0.04 sampai 0.05 diterapkan untuk

sumber radiasi alternative lain dengan potensial untuk replikasi pola resolusi yang
tinggi menjadi material resist polymer. X-ray litography pertama kali ditunjukkan
untuk menghasilkan pola resolusi tinggi, menggunakan X-ray dengan Proximity
Printing, oleh Spears dan Smith. Meskipun X-ray Lithography menggunakan
prosedur yang sama seperti Lithography optik dan EBL, sumber X-ray diterapkan
daripada menggunakan sinar UV atau berkas elektron. Akan terlihat bahwa X-ray
Lithography merupakan Lithography generasi berikutnya yang dikembangkan
untuk industri semikonduktor, sebagai teknologi baru dapat digunakan dalam
kapasitas yang sama dengan Lithography optik, tetapi dengan hasil yang lebih
baik.
Focused Ion Beam (FIB) Lithography
Selama beberapa dekade terakhir, berbagai teknik nanofabrication
menggunakan foton, elektron, dan ion telah diteliti, dan hari ini difokuskan ionbeam (FIB) teknologi ini merupakan salah satu teknik yang paling menjanjikan
untuk nanofabrication, karena fleksibilitas dan kesederhanaan yang besar . Sejak
diperkenalkannya teknologi FIB untuk industri semikonduktor pada awal 1980an, berbagai aplikasi telah dikembangkan untuk kedua penghapusan (penggilingan
ion langsung, FIB etsa kimia) dan deposisi (implantasi ion, FIB deposisi kimia)
dari sejumlah konduktor dan isolator bahan, dengan sub-mikron presisi. Teknik
FIB juga telah dengan cepat berkembang menjadi alat yang sangat menarik untuk
Lithography, etsa, deposisi, dan doping. Karena pencocokan ion dan atom massa,
efisiensi transfer energi dari sinar ion untuk menolak secara signifikan lebih besar
dibandingkan dengan berkas elektron. Ditambah dengan fakta bahwa sistem ion
berfokus biasanya beroperasi pada potensi tinggi (hingga 150 kV), biaya
sensitivitas efektif per satuan luas balok ion adalah dua sampai tiga kali lipat lebih
tinggi daripada berkas elektron, ion-beam lithography memiliki panjang telah
diakui sebagai menawarkan resolusi lebih baik, dan juga telah menjanjikan untuk
microfabrication resolusi tinggi. Bila dibandingkan dengan EBL, FIB Lithography
memiliki keuntungan dari tinggi menolak sensitivitas pencahayaan.