Jurnal Matematika dan Sains

Vol. 10 No. 1, Maret 2005, hal 21-25

Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co
yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
Horasdia Saragih1,2), Pepen Arifin1) dan Mohamad Barmawi1)
1)
Laboratorium Fisika Material Elektronik, Institut Teknologi Bandung, Bandung, Indonesia
2)
Jurusan Fisika, Universitas Pattimura, Ambon, Indonesia
Diterima Januari 2004, disetujui untuk dipublikasikan Pebruari 2005
Abstrak
Film tipis TiO2:Co telah ditumbuhkan di atas subtrat Si(100) dengan metode MOCVD. Kandungan atom Co di
dalam film divariasikan dari 0,73% sampai 12,19%. Efek magnetisasi spontan dan karakteristik transpot listrik film
diukur. Dari data pengukuran resistivitas Hall sebagai fungsi medan magnetik luar H, diamati adanya efek
magnetisasi spontan. Terjadi suatu pertambahan resistivitas Hall yang tajam pada H < 1500 Oe pada semua film.
Pertambahan resistivitas Hall yang paling tajam ditunjukkan oleh film dengan kandungan Co yang lebih tinggi.
Resistivitas Hall bertambah dengan bertambahnya kandungan Co. Data hasil pengukuran resistivitas sebagai
fungsi temperatur menunjukkan bahwa film bersifat semikonduktif. Ada suatu pertambahan resistivitas minimum
pada film dengan bertambahnya kandungan Co di dalamnya.
Kata kunci : MOCVD, resistivitas Hall, TiO2:Co.
Abstract
TiO2:Co thin films were grown on Si(100) substrate by MOCVD method. The Co content in the film was varied in
the range of 0.73% to 12.19%. The spontaneous magnetization effect and the electrical transport of films were
measured by means of a Hall effect measurement. The Hall resistivity as a function of the magnetic field data show
that the spontaneous magnetization effect occurs in films at the field lower than 1500 Oe. The Hall resistivity
increases with the increase of Co concentration. The measurement of resistivity as function of temperature shows
that the films have semiconductive properties. The minimum resistivity increases with increasing Co.
Keyword : Hall resistivity, MOCVD, TiO2:Co.
1. Pendahuluan penumbuhannya. Film tipis TiO2:Co yang
Persoalan utama dalam pengembangan ditumbuhkan dengan metode pulsed laser deposition
divais spin-elektronik (spintronik) adalah (PLD) pada tekanan parsial oksigen yang tinggi (PO2
meningkatkan efisiensi injeksi arus spin dari bahan > 10-6 Torr) tidak menunjukkan efek Hall anomali.
magnetik ke dalam bahan semikonduktor pada divais Sementara penumbuhan pada tekanan parsial oksigen
persambungan dari kedua bahan tersebut pada yang lebih rendah menghasilkan kekosongan oksigen
temperatur ruang 1-2). Efisiensi injeksi optimum yang tinggi yang menyebabkan penambahan
dicapai apabila konduktivitas bahan magnetik sama resistivitas6). Penumbuhan dengan metode molecular
nilainya dengan konduktivitas bahan semikonduktor. beam epitaxy (MBE) menghasilkan kluster-kluster
Jadi, suatu cara yang mungkin adalah dengan logam Co yang berukuran beberapa puluh nanometer
menggunakan bahan semikonduktor magnetik yang menghasilkan pulau-pulau berkonduktivitas
sebagai sumber arus spin 3). tinggi7). Film tipis dengan kualitas baik masih belum
Semikonduktor magnetik dapat diperoleh dihasilkan. Oleh karena itu pencarian metode dan
dengan mendadah bahan semikonduktor dengan kondisi penumbuhan optimum menjadi pusat
suatu elemen magnetik4). Elemen magnetik perhatian.
disubstitusi ke dalam matrik kisi semikonduktor. Di dalam makalah ini, proses penumbuhan
Sejauh ini yang paling intensif diinvestigasi adalah film tipis TiO2:Co dengan metode metalorganic
film tipis GaAs yang didadah dengan elemen chemical vapor deposition (MOCVD) vertikal,
magnetik Mn (Ga1-xMnxAs)5). Sifat ferromagnetik diterangkan. Kondisi penumbuhan, karakteristik
dimiliki sampai pada temperatur maksimum (Tc) transpot listrik dan efek magetisasi spontan pada
110oK. Nilai Tc ini masih jauh dari harapan praktis. pengukuran Hall filmnya dibicarakan.
Pencarian material baru terus dilakukan, dan
2. Eksperimen
akhir-akhir ini film tipis semikonduktor-oksida TiO2
yang didadah dengan elemen Co (TiO2:Co), Film tipis TiO2:Co ditumbuhkan di atas
ditemukan memperlihatkan sifat ferromagnetisme subtrat Si(100) dengan menggunakan reaktor
pada temperatur ruang4). Penemuan ini memberikan MOCVD vertikal. Prekursor metalorganik yang
kemajuan yang sangat signifikan. Dan digunakan adalah titanium (IV) isopropoxide
penginvestigasian terhadap sifat fisisnya yang lain [Ti{OCH(CH3)2}4] 99,99% dalam bentuk cair (Sigma
menjadi tugas berikutnya. Aldrich Chemical Co., Inc.) dan serbuk tris (2,2,6,6-
Sifat fisis film tipis TiO2:Co sangat tetramethyl-3, 5-heptanedionato) cobalt (III), 99%,
dipengaruhi oleh metode dan kondisi Co(TMHD)3 (Strem Chemical, Inc.) serta gas oksigen

21
22 JMS Vol. 10 No. 1, Maret 2005

sebagai sumber O. Serbuk Co(TMHD)3 dilarutkan
kedalam pelarut tetrahydrofuran (THF, C4H8O)
dengan konsentrasi 0,2 mol per liter. Hasil larutan,
dan bahan cair Ti{OCH(CH3)2}4 dimasukkan
kedalam masing-masing bubbler yang terhubung
dengan suatu sistem perpipaan ke ruang
penumbuhan. Bubbler dipanaskan untuk
menghasilkan uap bahan. Uap masing-masing bahan
dialirkan ke ruang penumbuhan dengan gas argon
(Ar) sebagai pembawa. Tekanan uap di dalam
bubbler dikendalikan dengan suatu katub pengendali.
Tekanan awal ruang penumbuhan adalah 1x10-2 Torr.
Gas O2 dialirkan ke dalam ruang penumbuhan saat
penumbuhan film dilakukan.
Pengujian energy dispersive spectroscopy
(EDS) (Jeol JSM 6360LA) dilakukan untuk
mengetahui komposisi persentasi atom penyusun
film. Struktur kristal film ditentukan dari hasil pola
X-ray diffraction (XRD) dengan menggunakan
radiasi Cu Kα (λ=1,54056Å) (Philips PW3710).
Ketebalan dan morfologi permukaan film dianalisa
dari hasil potret scanning electron microscope (SEM)
(Jeol JSM 6360LA). Sifat magnetik film diuji dengan
suatu sistem vibrating sample magnetometer (VSM)
(Oxford). Dan karakteristik transpot listrik film
ditentukan dari hasil pengukuran Hall dengan metode
empat titik van der Paw.
3. Hasil dan diskusi
Sebagai material induk, film tipis TiO2
terlebih dahulu ditumbuhkan. Parameter optimal
penumbuhan adalah: temperatur bubbler (Tb(Ti)) 50oC,
temperatur subtrat (Ts) 450oC, tekanan bubbler
(Pb(Ti)) 260 Torr, laju aliran gas Ar(Ti) 100 sccm, laju
aliran gas O2 60 sccm dan tekanan total penumbuhan
(PTot) 2 Torr. Lama penumbuhan 120 menit. Film
tipis yang tumbuh memiliki morfologi permukaan
dan pola penampang lintang seperti ditunjukkan pada
Gambar 1.
subtrat pada awal penumbuhan relatif homogen dan
rapat sehingga menghasilkan permukaan film yang
relatif rata. Kehadiran atom pengotor di dalam film
dengan baik dapat dihindari. Hal tersebut ditunjukkan
secara tidak langsung oleh bentuk butiran yang
kolumnar dari permukaan subtrat hingga ke
permukaan film. Di samping itu, penumbuhan butiran
abnormal tidak terjadi.
Pola XRD film tipis yang dihasilkan
ditunjukkan pada Gambar 2. Puncak difraksi terjadi
pada sudut 61,5o dan tunggal. Artinya, butiran
penyusun film tumbuh dengan membentuk bidang
tunggal anatase-213 (A213) yang sejajar dengan
permukaan subtrat. Hasil ini sesuai dengan potret
SEM penampang lintang film yang ditunjukkan pada
Gambar 1(b) dimana bentuk butiran penyusun film
secara umum sama.
Gambar 2. Pola XRD film tipis TiO2 yang tumbuh
di atas subtrat Si(100)
Penggunaan tekanan total penumbuhan yang
lebih rendah dan yang lebih tinggi dari 2 Torr,
menghasilkan puncak pase anatase yang beragam
(polycrystalline) dan penggunaan temperatur
penumbuhan yang lebih tinggi dan yang lebih rendah
dari 450oC masing-masing menghasilkan pase
anatase disertai pase rutile dan mendekati amorphous.
Gambar 3 memperlihatkan pola XRD film tipis TiO2
di atas subtrat Si(100) yang ditumbuhkan pada
temperatur 550oC.

Gambar 1. Potret SEM permukaan (a) dan

penampang lintang (b) film tipis TiO2/Si(100): Tb(Ti)
= 50oC, Ts = 450oC, Pb(Ti) = 260 Torr, laju aliran gas
Ar(Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O2 = 60 sccm
Film tumbuh dengan ketebalan sekitar 0,8
µm. Butiran penyusun film tumbuh berbentuk
kolumnar yang relatif homogen dan sangat kompak
(Gambar 1b). Hubungan antar butir sangat kuat
sebagaimana ditunjukkan oleh pola batas butir yang Gambar 3. Pola XRD film tipis TiO2/Si(100): Tb(Ti)
jelas. Sebaran titik-titik nukleasi di permukaan = 50oC, Ts = 550oC, Pb(Ti) = 260 Torr, laju aliran gas
Ar(Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O2 = 60 sccm.
JMS Vol. 10 No. 1, Maret 2004 23

Film tipis TiO2:Co ditumbuhkan dengan atom Co, apakah menggantikan posisi Ti atau masuk
menggunakan parameter optimal penumbuhan seperti secara liar (interstitial), memperbesar kekuatan
yang diterangkan di atas dengan suatu prekursor ikatan kohesi dari atom-atom yang telah terdeposisi
tambahan Co(TMHD). Atom Co disubstitusi secara dengan atom-atom prekursor yang menghujani
fraksial ke dalam matrik kisi material induk TiO2. permukaan butiran sehingga mempertinggi laju
Laju aliran gas Ar yang dilewatkan ke dalam bubbler penumbuhan butiran. Ketiga, sebagaimana
Co(TMHD), yang berperan membawa uap dilaporkan pada referensi 4, atom Co dapat juga
Co(TMHD) ke ruang penumbuhan, divariasikan, membentuk kluster-kluster Co yang ukurannya
yaitu: (a) 20 sccm, (b) 30 sccm, (c) 40 sccm, (d) 50 mencapai 150 nm untuk konsentrasi Co di atas 8%.
sccm, (e) 60 sccm, (f) 70 sccm dan (g) 90 sccm Jumlah dan ukuran kluster akan semakin banyak dan
dengan tekanan uap Pb(Co) yang sama, yaitu 260 Torr besar pada saat konsentrasi Co bertambah. Film tipis,
dan temperatur bubbler Tb(Co) 100oC. Dari hasil uji dengan berbagai kandungan Co ini, diukur efek Hall
EDS, komposisi persen atom Co yang terkandung di dan karakteristik transpot listriknya.
dalam masing-masing film yang dihasilkan adalah (a)
0,73% ; (b) 2,00% ; (c) 4,10% ; (d) 9,00% ; (e)
11,35% ; (f) 12,01% dan (g) 12,19%. Terjadi suatu
perubahan pada pola XRD. Bidang anatase-213 tidak
muncul, digantikan oleh bidang-bidang anatase-112,
anatase-211 dan anatase-301. Hal ini terjadi pada
film yang mengandung Co sampai pada konsentrasi
9%. Namun bidang anatase-213 kembali hadir
dengan suatu bidang tambahan anatase-301 yang
tidak dominan pada film yang memiliki konsentrasi
Co 11,35% (Gambar 4). Sementara morfologi
permukaan film berubah menjadi semakin kasar
dengan bertambahnya konsentrasi Co di dalamnya
(Gambar 5). Ada 3 kemungkinan yang menyebabkan
hal ini terjadi, yaitu: pertama, atom Co akan
mengganti atom Ti dan menghasilkan perubahan Gambar 4. Pola XRD film tipis TiO2:Co dengan
panjang parameter kisi sehingga menyebabkan kandungan Co 11,35%.
berubahnya volume sel satuan; kedua, kehadiran

Gambar 5. Potret SEM permukaan film tipis TiO2:Co dengan kandungan Co : (a) 2,00%, (b) 9,00% dan (c)
12,19%.
Karena atom Co adalah material magnetik ρ Hall = Ro µ o H + R A µ o M S 1)
(feromagnetik), maka kehadiran Co di dalam matrik
kisi TiO2 membuat bahan semikonduktor ini bersifat di mana ρHall adalah resistivitas Hall, Ro adalah
magnetik. Pada material semikonduktor magnetik, koefisien Hall biasa (ordinary Hall coefficient) , RA
seperti TiO2:Co, momen magnetik atom yang adalah koefisien Hall anomali (anomaly all
terdapat di dalam material, memberikan pengaruh coefficient) atau koefisien Hall spontan akibat
(komponen tambahan) pada persamaan Hall karena terjadinya magnetisasi spontan dan µo adalah
terjadinya magnetisasi spontan (Ms). Jadi, persamaan permeabilitas ruang hampa. Suku kedua persamaan 1
8)
Hall-nya, selengkapnya ditulis menjadi : (resistivitas Hall spontan) secara konvensional
24 JMS Vol. 10 No. 1, Maret 2005

menunjukkan suatu proses hamburan asimetri yang Respon transpot listrik film sebagai fungsi
melibatkan suatu interaksi spin-orbit antara elektron temperatur juga diinvestigasi. Dari hasil pengukuran,
konduksi dan momen magnetik atom di dalam resistivitas film menunjukkan karakteristik
material. Pada medan magnetik rendah, dimana semikonduktif (Gambar 8), dimana resistivitas film
saturasi magnetik belum tercapai, perilaku ρHall bertambah dengan berkurangnya temperatur. Terjadi
didominasi oleh MS yang bergantung pada medan suatu pertambahan yang tajam pada resistivitas
luar H. Sementara, pada saat material telah dibawah temperatur 120oC. Resistivitas minimum
termagnetisasi seluruhnya (keadaan saturasi), setiap film berbeda, berawal pada temperatur sekitar
kebergantungan ρHall terhadap H adalah linier dan 130oC. Demikian halnya dengan kemiringan grafik di
diakibatkan oleh efek Hall biasa (suku pertama bawah temperatur 130oC.
persamaan 1).
Hasil pengukuran resistivitas Hall film tipis
TiO2:Co, yang ditumbuhkan seperti yang diterangkan
di atas dan yang diukur pada temperatur ruang,
sebagai fungsi H ditunjukkan pada Gambar 6.
Tampak bahwa terjadi suatu perubahan pada nilai
resistivitas Hall untuk berbagai kandungan atom Co
di dalam film. Perilaku resistivitas Hall sebagai
fungsi kuat medan H secara kasar terlihat terbagi dua.
Pertama, resistivitas Hall pada H kecil (<1500 Oe)
dan kedua, resistivitas Hall pada H besar (>1500 Oe).
Pertambahan resistivitas Hall sangat tajam pada saat
medan luar H lebih kecil dari 1500 Oe dan terjadi
pada semua film dengan kandungan Co yang Gambar 7. Kurva histeresis magnetisasi film tipis
berbeda-beda. Penambahan kandungan atom Co TiO2:Co dengan persentasi kandungan Co = 9,00%.
menambah pula besarnya resistivitas Hall.
Penambahan resistivitas Hall yang tajam pada H kecil
menunjukkan adanya kontribusi efek magnetisasi
spontan (Ms) yang terjadi pada momen magnetik
atom Co yang terkandung di dalam material. Momen
magnetik atom Co menghasilkan gaya Lorentz pada
muatan pembawa yang kekuatannya berbanding lurus
dengan laju magnetisasi. Film dengan kandungan Co
yang lebih besar memiliki pertambahan resistivitas
Hall yang lebih tajam. Penambahan yang tajam pada
resistivitas Hall tidak terjadi pada saat H telah
melebihi 1500 Oe. Secara tidak langsung hal ini
menginformasikan bahwa proses magnetisasi spontan
atom-atom Co yang terdapat di dalam film telah Gambar 8. Resistivitas film tipis TiO2:Co sebagai
mencapai keadaan saturasi. Hal ini sesuai dengan fungsi temperatur.
hasil pengukuran magnetisasi salah satu film sebagai
fungsi medan luar H seperti ditunjukkan pada Sebagaimana ditunjukkan oleh Gambar 8
Gambar 7. Magnetisasi mulai bersaturasi pada bahwa, penambahan konsentrasi atom Co ke dalam
H=1500 Oe. film mempertinggi nilai resistivitas minimum.
Perubahan perilaku resistivitas minimum ini tentu
erat kaitannya dengan perubahan kondisi yang
terbangun di dalam material akibat perubahan
konsentrasi atom Co. Kehadiran atom Co dapat
berperan sebagai pengganti ion Ti4+ melalui suatu
proses substitusi. Proses subtitusi Co menghasilkan
ion Co2+, sehingga terjadi suatu pengosongan ion O2-
pada kisi kristal yang menghasilkan penambahan
konsentrasi muatan pembawa8). Pengosongan O akan
membangkitkan sebaran tegangan (strain) pada kisi
kristal film. Kehadiran atom Co dapat juga bersifat
Gambar 6. Resistivitas Hall film tipis TiO2:Co liar (interstitial) sehingga juga menghasilkan cacad
sebagai fungsi kuat medan magnetik (H). Persentasi pada kristal. Kedua kondisi ini memperbesar
kandungan atom Co untuk masing-masing film resistivitas. Di lain pihak, atom Co dapat
adalah: (a) 0,73%; (b) 2,00%; (c) 4,10%; (d) 9,00%; memperbaiki struktur kristal TiO2-δ sehingga dapat
dan (e) 11,35%. menurunkan resistivitas film8).
JMS Vol. 10 No. 1, Maret 2004
Dari data yang didapatkan, penambahan
kandungan Co dari 2% ke 9% terlihat memperbesar
resistivitas minimum, namun tidak signifikan. Tapi,
penambahan Co sebesar 11,35% memberikan
penambahan yang berarti. Hasil ini menunjukkan
bahwa kehadiran atom Co pada kristal TiO2
meningkatkan nilai resistivitas minimum.
Sebagaimana disebutkan di atas, hal ini diperkirakan
disebabkan oleh adanya sebaran tegangan dan atau
cacat kristal yang jumlahnya semakin besar dengan
bertambahnya kandungan Co.
4. Kesimpulan
Telah ditumbuhkan dengan baik film tipis
TiO2:Co di atas subtrat Si(100) dengan metode
MOCVD. Konsentrasi persen atom Co divariasikan.
Dari hasil pengukuran resistivitas Hall sebagai fungsi
kuat medan luar H, efek magnetisasi spontan
teramati. Efek magnetisasi spontan ini dominan pada
H rendah (<1500 Oe). Penambahan konsentrasi
kandungan Co, meningkatkan resistivitas Hall.
Pengukuran resistivitas sebagai fungsi temperatur,
menunjukkan bahwa film bersifat semikonduktif.
Penambahan kandungan Co ke dalam film
menghasilkan peningkatan resistivitas minimum.
Peningkatan resistivitas ini diperkirakan disebabkan
oleh hadirnya sebaran tegangan pada kisi kristal
akibat pengosongan O sebagai konsekuensi dari
hadirnya ion Co2+ yang menggantikan ion Ti4+ dalam
proses subtitusi dan atau hadirnya cacat kristal yang
muncul karena posisi Co yang liar di dalam film.
Daftar pustaka
1. Dietl ,T., & Ohno, H., “Ferromagnetic III-V
and II-VI semiconductors”, MRS Bulletin, 28,
714 (2003).
25
2. Flederling, R., Keim, M., Reuscher, G., Ossau
W., Schmidt, G., Waag, A., & Molenkamp,
L.W., “Injection and detection of a spin-
polarized current in a light-emitting diode”,
Nature 402, 788 (1999).
3. Chambers, S.A., & Yoo, Y.K., “New materials
for spintronics”, MRS Bulletin, 28, 706 (2003).
4. Matsumoto, Y., Murakami, M., Shono, T.,
Hasegawa, T., Fukumura, T., Kawasaki, M.,
Ahmet, P., Chikyow, T., Koshihara, S., &
Koinuma, H., “Room-temperature ferro
magnetism in transparent transition metal-doped
titanium dioxide”, Science 291, 854 (2001).
5. Ohno, Y.,. Young, D.K, Beschoten, B.,
Matsukura, F., Ohno, H., & Awschalom, D.D.,
“Electrical spin injection in a ferromagnetic
semiconductor heterostructure”, Nature 402,
790 (1999).
6. Hong, N.H., Sakai, J., Prellier, W., & Hassini,
A., “Co distribution in ferromagnetic rutile Co-
doped TiO2 thin films grown by laser ablation on
silicon substrates”, Appl. Phys. Lett. 83, 3129
(2003).
7. Yang, J.S., Kim, D.H., Bu, S.D., Noh, T.W.,
Phark, S.H., Khim, Z.G., Lyo, I.W. & Oh, S.J.,
“Surface structures of a Co-doped anatase
TiO2(001) film investigated by scanning
tunneling microscopy”, Appl. Phys. Lett. 82,
3080 (2003).
8. Higgins, J.S., Shinde, S.R., Ogale, S.B.,
Venkatesan, T., & Greene, R.L., “Hall effect in
cobalt-doped TiO2-d,” Phys. Rev. B 69, 073201-1
(2004).