Jurnal Matematika dan Sains

Vol. 9 No. 3, September 2004, hal 263-268

Penumbuhan Film Tipis Ti1-xCoxO2 Dengan Metode MOCVD

Horasdia Saragih1,3), Mersi Kurniati2), Akhiruddin Maddu2), Pepen Arifin3)

dan Moehamad Barmawi3)
1)
Jurusan Fisika, Universitas Pattimura, Ambon, Indonesia
2)
Jurusan Fisika, Institut Pertanian Bogor, Bogor, Indonesia
3)
Laboratorium Fisika Material Elektronik, Institut Teknologi Bandung, Bandung, Indonesia
e-mail : horas@dosen.fisika.net

Diterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasikan September 2004

Abstrak
Film tipis Ti1-xCoxO2 telah berhasil ditumbuhkan di atas subtrat silikon (Si) dengan menggunakan metode
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Film tipis Ti1-xCoxO2 dengan harga x = 0 tumbuh dengan
orientasi tunggal yang membentuk bidang kristal (213) anatase pada temperatur deposisi 450oC dengan laju aliran
gas Ar dan oksigen masing-masing 100 sccm dan 60 sccm. Film tipis yang tumbuh tersusun dari butiran-butiran
yang berbentuk kolumnar dengan ukuran rata-rata dalam orde nanometer. Kehadiran atom Co pada film tipis Ti1-
xCoxO2 mempengaruhi struktur kristal film serta mempertinggi laju penumbuhan butiran. Konsentrasi kandungan
atom Co yang semakin besar menghasilkan ukuran butiran yang semakin besar pula. Akan tetapi, secara
keseluruhan, ukuran butiran relatif homogen sehingga morfologi permukaan setiap film relatif sangat halus.
Penumbuhan Ti1-xCoxO2 pada temperature 450oC dengan laju aliran gas Ar = 70 sccm, sebagai gas pembawa
prekursor Co, menghasilkan struktur kristal seperti struktur kristal semula dimana saat prekursor Co belum
dialirkan ke ruang penumbuhan, yaitu dengan membentuk bidang kristal (213) anatase dengan suatu bidang
tambahan (301) anatase yang tidak dominan. Film tipis yang ditumbuhkan memiliki tebal rata-rata sekitar 0,9 µm.
Film memiliki ketebalan yang homogen di atas subtrat seluas 3x3 cm2.
Kata kunci : Feromagnetik semikonduktor, Ti1-xCoxO2 , MOCVD.
Abstract
The Ti1-xCoxO2 thin films have been successfully deposited on Silicon (Si) substrates by metalorganic chemical
vapor deposition (MOCVD). The Ti1-xCoxO2 thin films with x = 0 is grown at deposition temperature of 450oC with
argon and oxygen flow rate of 100 sccm and 60 sccm, respectively. The deposited film has a single orientation of
(213)-anatase. The films consist of nanometer size of columnar grains. The growth rate was increased with
increasing Co content and therefore the grains become larger. Generally, the crystal structure of films was affected
by Co atom concentrations, however at temperature deposition of 450oC and argon flow rate of 70 sccm, the film
has the initial structure of (213)-anatase and co-exist with (301)-anatase which is not dominant. The film thickness
is about of 0,9 µm for an area of 3x3 cm2.
Keywords :
Untuk menerapkan material feromagnetik
1. Pendahuluan
semikonduktor oksida sebagai komponen divais
Penelitian terhadap material feromagnetik spintronik, yang diwujudkan dalam bentuk film tipis,
semikonduktor akhir-akhir ini mendapat banyak berbagai teknik penumbuhan harus dilibatkan dan
perhatian. Hal ini didorong oleh potensi aplikasinya dipelajari. Dicari suatu metode penumbuhan yang
yang sangat luas1). Feromagnetik semikonduktor terbaik dan yang dapat menghasilkan karakteristik
digunakan sebagai komponen penyusun dalam film yang terbaik pula. Sejak Matsumoto,6)
pembuatan devais spin-electronik (spintronik)2). menemukan sifat feromagnetisme pada temperatur
Bahan semikonduktor III-V yang didoping dengan ruang dari material film tipis TiO2 yang didoping
elemen magnetik Mn seperti Ga1-xMnxAs telah dengan elemen magnetik Co, Ti1-xCoxO2, yang
berhasil dibuat dengan temperatur operasi 110K3). ditumbuhkan di atas subtrat Si dengan metode laser
Usaha untuk memperbaiki kinerja material ini terus ablasi, penelitian terhadap material ini sangat intensif
dilakukan. Akhir-akhir ini peningkatan temperatur dilakukan. Berbagai teknik penumbuhan digunakan,
operasi menjadi fokus perhatian. Oleh karenanya seperti metode molecular beam epitaxy (MBE)7) dan
pencarian terhadap jenis material feromagnetik metode pulsed laser deposition (PLD)8)
semikonduktor baru terus dilakukan4). Untuk tujuan Beberapa issu penting menyertai jalannya
tersebut semikonduktor oksida, yang berperan penelitian pada bidang ini, misalnya: bagaimana
sebagai material induk, menjadi pilihan yang mengontrol konsentrasi dopan (elemen magnetik)
diharapkan, dan salah satu di antaranya adalah TiO25). lebih mudah dan akurat, bagaimana memperbaiki
263
264
sifat feromagnetisme material dan bagaimana
mengklarifikasi sifat feromagnetisme itu sendiri8).
Metode penumbuhan metal organic
chemical vapor deposition (MOCVD) adalah salah
satu metode penumbuhan yang memiliki beberapa
keunggulan dalam bidang teknologi pembuatan film
tipis9). Pengontrolan terhadap aliran bahan yang
diuapkan, sebagai bahan prekursor yang selanjutnya
akan tumbuh membentuk film tipis, dapat dilakukan
dengan mudah dan akurat sehingga stoikiometri film
dengan baik dapat dikendalikan. Film yang terbentuk
memiliki homogenitas yang tinggi. Temperatur
penumbuhan yang digunakan relatif rendah dan dapat
menumbuhkan film dengan ukuran yang luas dengan
tingkat homogenitas yang tinggi10).
Untuk menjawab issue seperti yang
disebutkan di atas, telah dilakukan penelitian
terhadap proses penumbuhan film tipis Ti1-xCoxO2
dengan menggunakan metode MOCVD. Film tipis
ditumbuhkan di atas subtrat Si. Dalam tulisan ini
akan dilaporkan proses penumbuhan film tipis Ti1-
xCoxO2 dengan metode MOCVD dan karakteristik
film yang dihasilkan.
2. Eksperimen
Film tipis Ti1-xCoxO2 ditumbuhkan di atas
subtrat Si(100) tipe-p dengan menggunakan suatu
sistem reaktor MOCVD. Sebelum digunakan, subtrat
Si(100) tipe-p dicuci dengan menggunakan aseton
selama 5 menit, kemudian dengan methanol selama 5
menit dan diakhiri dengan 10% HF dicampur dengan
air (de-ionized water) selama 2 menit. Selanjutnya
disemprot dengan gas N2 dengan tingkat kemurnian
99,999%. Subtrat kemudian ditempel dengan suatu
pasta perak yang konduktif terhadap panas di
permukaan plat pemanas di dalam ruang
penumbuhan.
Prekursor metalorganik yang digunakan
adalah titanium (IV) isopropoxide [Ti{OCH(CH3)2}4]
99,99% yang adalah cair pada temperatur ruang
dengan titik leleh 20oC (Sigma Aldrich Chemical Co.,
Inc.) dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-
heptanedionato) cobalt (III), 99%, Co(TMHD)3
(Strem Chemical, Inc.) serta gas oksigen sebagai
sumber O. Co(TMHD)3 adalah berbentuk serbuk.
Bahan ini dilarutkan kedalam pelarut tetrahydrofuran
(THF, C4H8O) dengan konsentrasi 0,2 mol per liter.
Hasil larutan, dan juga bahan cair Ti{OCH(CH3)2}4,
kemudian dimasukkan kedalam masing-masing
bubbler yang telah terhubung dengan suatu sistem
perpipaan ke ruang penumbuhan. Untuk menguapkan
masing-masing bahan, bubbler kemudian dipanaskan
dengan suatu plat pemanas sesuai dengan titik uap
bahan. Uap masing-masing bahan dialirkan ke ruang
penumbuhan dengan menggunakan gas argon (Ar)
sebagai gas pembawa. Tekanan uap di dalam bubbler
dikendalikan melalui suatu katub pengendali.
JMS Vol. 9 No. 3, September 2004
Bersamaan dengan proses pemanasan bubbler, ruang
penumbuhan divakumkan sampai ke tekanan 1x10-2
Torr dan subtrat yang terletak di dalamnya
dipanaskan. Pada saat penumbuhan dilakukan, gas O2
dialirkan ke dalam ruang penumbuhan.
Film tipis Ti1-xCoxO2 yang tumbuh
selanjutnya dikarakterisasi. Untuk mengetahui
persentasi masing-masing atom penyusun film
dilakukan uji komposisi dengan menggunakan
metode energy dispersive spectroscopy (EDS) (Jeol
JSM 6360LA). Ketebalan, morfologi permukaan dan
mode penumbuhan film dianalisa dari hasil potret
scanning electron microscope (SEM) (Jeol JSM
6360LA). Serta struktur kristal film ditentukan dari
hasil uji X-ray diffraction (XRD) dengan
menggunakan radiasi Cu Kα (λ=1,54056Å) (Philips
PW3710).
Film tipis Ti1-xCoxO2 , dengan harga x = 0,
ditumbuhkan di atas subtrat Si(100) selama 120
menit. Berbagai parameter penumbuhan digunakan,
seperti variasi temperatur subtrat, variasi aliran gas
Ar ke bubbler Ti{OCH(CH3)2}4 , variasi laju aliran
gas O2 dan variasi tekanan total penumbuhan.
Parameter penumbuhan optimal didapatkan sebagai
berikut: temperatur bubbler (Tb(Ti)) 50oC, temperatur
subtrat (Ts) 450oC, tekanan bubbler (Pb(Ti)) 260 Torr,
laju aliran gas Ar(Ti) 100 sccm, laju aliran gas O2 60
sccm dan tekanan total penumbuhan (PTot) 2 Torr.
Mengacu pada parameter optimal di atas,
selanjutnya dilakukan penumbuhan untuk
menghasilkan film tipis yang lain dengan
menggunakan prekursor tambahan Co(TMHD).
Untuk mengubah nilai x pada stoikiometri Ti1-
xCoxO2, laju aliran gas pembawa (Ar) yang dialirkan
ke bubbler prekursor Co(TMHD) divariasikan
besarnya yaitu (a) 30 sccm, (b) 50 sccm dan (c) 70
sccm dengan tekanan uap Pb(Co) yang sama, yaitu 5
lb/inc2 dan temperatur bubbler Tb(Co) dijaga pada
nilai 100oC.
3. Hasil dan Diskusi
Film tipis TiO2 hasil penumbuhan dengan
menggunakan parameter seperti yang diterangkan di
atas diuji stoikiometrinya dengan EDS. Dari hasil
yang didapatkan, menunjukkan bahwa perbandingan
persentase atom penyusun film adalah Ti:O = 1:2
dengan tebal sekitar 0,9 µm. Morfologi permukaan
film yang dihasilkan ditunjukkan pada gambar 1.
Terlihat bahwa bentuk permukaan butiran penyusun
film hampir rata-rata memanjang di atas permukaan
subtrat. Koalisi antar butiran sangat baik. Ukuran
butiran berada pada orde nanometer. Ukuran butiran
telah mendekati homogen, dan penumbuhan butiran
yang abnormal tidak terjadi. Kondisi ini
menghasilkan film yang permukaannya sangat halus
(smooth). Disamping itu, ketebalan film telah merata
pada lebar sekitar 3x3 cm2.
JMS Vol. 9 No. 3, September 2004
Gambar 1. Potret SEM permukaan film tipis
TiO2/Si(100): Tb(Ti) = 50oC, Ts =
450oC, Pb(Ti) = 260 Torr, laju aliran gas
Ar(Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O2 =
60 sccm.
Gambar 2. Pola XRD film tipis TiO2/Si(100) yang
permukaannya diperlihatkan pada
gambar 1.
Hasil pola XRD film tipis TiO2/Si(100)
ditunjukkan pada gambar 2. Puncak difraksi terjadi
pada sudut 2θ=62,52o. Mengacu dari referensi,
puncak intensitas difraksi pada sudut ini dihasilkan
oleh bidang difraksi (213) anatase. Puncak difraksi
yang terjadi adalah tunggal yang menunjukkan
bahwa butiran-butiran penyusun film mayoritas
memiliki domain struktur kristal homogen dengan
bidang tunggal (213) anatase. Pembentukan bidang
ini memiliki peluang yang terbesar untuk kondisi
penumbuhan yang digunakan yang berkaitan dengan
tekanan total penumbuhan dan besarnya temperatur
265
265
subtrat yang diberikan. Penggunaan tekanan total
yang lebih rendah dan yang lebih tinggi
menghasilkan puncak pase anatase yang beragam
(polycrystalline) dan penggunaan temperatur
penumbuhan yang lebih tinggi dan yang lebih rendah
dari 450oC masing-masing menghasilkan pase
anatase disertai pase rutile dan mendekati amorphous.
Gambar 3 memperlihatkan pola XRD film
TiO2/Si(100) yang ditumbuhkan pada temperatur
550oC.
Gambar 3. Pola XRD film tipis TiO2/Si(100): Tb(Ti)
= 50oC, Ts = 550oC, Pb(Ti) = 260 Torr, laju aliran gas
Ar(Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O2 = 60 sccm.
Dari keseluruhan film tipis TiO2 yang
dihasilkan tidak satupun yang tumbuh dalam arah
sumbu-c. Hal ini disebabkan oleh besarnya ketidak-
sesuaian parameter kisi antara TiO2 dengan Si(100)
yang mencapai 30%. Namun, dari hasil yang
ditunjukkan pada gambar 2, butiran penyusun film
tumbuh dengan membentuk bidang tunggal, yaitu
(213) anatase. Hal ini sangat diharapkan karena film
memiliki homogenitas struktur kristal yang baik.
Ukuran butiran yang relatif sangat kecil,
seperti yang ditunjukkan pada gambar 1,
menyebabkan intensitas difraksi bidang (213) sangat
lemah dibandingkan terhadap difraksi oleh bidang
(400) subtrat Si yang terjadi pada sudut 2θ=69,89o.
Atom-atom yang terdapat pada batas antar butir
(grain boundary) yang tersusun relatif lebih acak,
menghasilkan latar belakang intensitas difraksi tidak
nol.
Film tipis TiO2 yang disertai hadirnya
elemen Co, Ti1-xCoxO2 , selanjutnya dikarakterisasi.
Komposisi persen atom penyusunnya diuji dengan
EDS. Didapatkan variasi nilai x pada film untuk
setiap besar aliran gas Ar yang mengalir ke dalam
bubbler Co(TMHD). Nilai x masing-masing adalah
(a) 0,02, (b) 0,09 dan (c) 0,13. Hubungan antara nilai
x dengan besarnya laju aliran gas Ar ditunjukkan
pada gambar 4. Terlihat adanya hubungan positif
antara menaiknya laju aliran gas Ar dengan
penambahan fraksi atom Co di dalam film.
266
Gambar 4. Hubungan laju aliran gas Ar yang
mengalir ke bubbler Co(TMHD)
terhadap perubahan nilai x pada
stoikiometri Ti1-xCoxO2
Pada gambar 5 diperlihatkan morfologi
permukaan film tipis Ti1-xCoxO2. Bentuk butiran yang
terdeposisi menyerupai suatu bentuk kubah dan
distribusi ukurannya relatif hampir sama untuk
masing-masing film. Pembentukan butiran yang
permukaannya menyerupai kubah ini disebabkan oleh
adanya perbedaan panjang parameter kisi antara film
dan subtrat yang pada gilirannya menghasilkan
tegangan pada bidang antar-muka (interface) film-
subtrat yang menyebabkan terjadinya dinamika pada
energi permukaan (surface energy) dan energi batas
butir (grain boundary energy) pada saat
penumbuhan. Diameter rata-rata permukaan butiran
berada pada orde nanometer, namun besar ukurannya
berbeda untuk setiap film. Dari hasil yang
ditunjukkan pada gambar 5 terlihat bahwa ukuran
diameter permukaan butiran dipengaruhi oleh jumlah
faksi atom Co yang terkandung di dalamnya. Ada 3
kemungkinan yang menyebabkan hal ini terjadi,
yaitu: pertama, atom Co akan mengganti atom Ti
dalam stoikiometri Ti1-xCoxO2 dan menghasilkan
perubahan panjang parameter kisi sehingga
menyebabkan berubahnya volume sel satuan; kedua,
kehadiran atom Co, apakah menggantikan posisi Ti
atau masuk secara liar (interstitial), memperbesar
kekuatan ikatan kohesi dari atom-atom yang telah
terdeposisi dengan atom-atom prekursor yang
menghujani permukaan butiran sehingga
mempertinggi laju penumbuhan butiran. Ketiga,
sebagaimana dilaporkan oleh Matsumoto6), atom Co
dapat juga membentuk kluster-kluster Co yang
JMS Vol. 9 No. 3, September 2004
ukurannya mencapai 150 nm untuk x >0,08. Jumlah
dan ukuran kluster akan semakin banyak dan besar
pada saat x bertambah. Dari gambar 5a, b dan c
terlihat bahwa kehadiran faksi atom Co yang lebih
besar menyebabkan ukuran diameter permukaan
butiran menjadi lebih besar.
Gambar 5. Potret SEM permukaan film tipis Ti1-
o
xCoxO2/Si(100): Tb(Ti) = 50 C, Tb(Co) =
o o
100 C, Ts = 450 C, Pb(Ti) = 260 Torr,
Pb(Co) = 260 Torr, laju aliran gas O2 = 60
sccm, laju aliran gas Ar(Ti) = 100 sccm
dan laju aliran gas Ar(Co) : (a) 30 sccm,
(b) 50 sccm dan (c) 70 sccm.
Film Ti1-xCoxO2 tersusun dalam bentuk
butiran, sebagaimana ditunjukkan pada gambar 5a, b
dan c. Hal ini menyatakan bahwa kekuatan ikatan
antar atom-atom penyusun film tidaklah merata. Pada
film terbentuk jalur (grooving) batas antar butiran
yang ikatan atomnya relatif lebih lemah dibanding
ikatan antar atom di dalam butiran. Terjadinya
pembentukan penumbuhan film dalam bentuk butiran
disebabkan oleh terbatasnya daerah difusi
permukaan dari atom-atom atau molekul-molekul
prekursor yang menghujani permukaan subtrat dan
permukaan butiran pada saat penumbuhan. Arah
penumbuhan butiran, setelah berkoalisi antar
sesamanya, sejajar dengan arah normal permukaan
subtrat sehingga di akhir penumbuhan, butiran-
butiran memiliki bentuk kolom-kolom. Hal ini
terlihat dari potret penampang lintang film
sebagaimana ditunjukkan pada gambar 6. Juga jelas
terlihat bahwa ada pola pemisahan antar butiran yang
khas pada penampang. Pemisahan ini terjadi pada
jalur-jalur yang ikatan antar atomnya lebih lemah
yang terdapat pada batas antar butiran.
JMS Vol. 9 No. 3, September 2004 267

Gambar 6. Potret SEM penampang film tipis Ti1-xCoxO2/Si(100): Tb(Ti) = 50oC, Tb(Co) = 100oC, Ts = 450oC, Pb(Ti) =
260 Torr, Pb(Co) = 260 Torr, laju aliran gas O2 = 60 sccm, laju aliran gas Ar(Ti) = 100 sccm dan laju aliran
gas Ar(Co) : (a) 30 sccm, (b) 50 sccm dan (c) 70 sccm.

Bentuk butiran yang sedikit berbeda
ditemukan pada gambar 6c, butiran lebih menyerupai
kerucut yang terbalik. Pola kerucut ini menyatakan
bahwa telah terjadi dinamika pada batas antar butir
pada film tipis Ti1-xCoxO2 selama proses
penumbuhan. Batas butiran di beberapa tempat
bergerak mengembang yang menyebabkan diameter
permukaan butiran menjadi lebih besar seiring
dengan waktu penumbuhan. Kondisi ini
menyebabkan terjadinya kompetisi antar butiran
untuk memperbesar diameter permukaannya yang
pada gilirannya mengorbankan penumbuhan butiran-
butiran yang ada di sekitarnya. Peristiwa ini
disebabkan oleh adanya pembentukan kluster
prekursor sebelum mencapai permukaan film atau
subtrat6). Dalam hal ini, dengan naiknya laju aliran
gas Ar yang membawa uap precursor Co(TMHD) ke
ruang deposisi memberikan kontribusi pembentukan
kluster prekursor yang lebih banyak.
Kehadiran fraksi atom Co pada film tipis
Ti1-xCoxO2 memberikan perubahan pada struktur
kristal (gambar 7). Pembentukan bidang-bidang
kristal baru terjadi pada butiran, seperti bidang
anatase (112), (211) dan (301). Kehadiran bidang
anatase (301) ditemukan pada ketiga jenis film. Hal
ini menyatakan bahwa bidang anatase (301) memiliki
kestabilan yang tinggi pada film. Untuk besar aliran
gas Ar = 70 sccm, kehadiran bidang anatase (213)
kembali terbentuk dan dominan sebagaimana
terbentuk pada kondisi awal saat sebelum melibatkan
material Co(TMHD) (gambar 2). Kandungan atom
Co sebanyak x = 0,13 dapat mengembalikan struktur
kristal butiran ke struktur semula dengan suatu
tambahan bidang anatase (301) yang tidak dominan
(gambar 7c). Hasil ini memberikan informasi yang
sangat berharga terhadap pengaruh konsentrasi
kandungan Co dalam hubungannya dengan
perubahan struktur kristal film. Intensitas difraksi
latar belakang yang ditunjukkan oleh gambar 7c
menunjukkan secara tidak langsung bahwa hubungan
antar butiran menjadi lebih baik, hal ini dapat
dikonfirmasi dari morfolgi permukaan yang
ditunjukkan pada gambar 5c dimana koalisi antar
butiran penyusun film telah dengan baik terbentuk.
Hubungan antar butiran menjadi lebih kuat
sebagaimana dikonfirmasi oleh jalur potong
penampang film yang ditunjukkan pada gambar 6c.

267
 268 JMS Vol. 9 No. 3, September 2004

4. Kesimpulan
Film tipis TiO2 dan Ti1-xCoxO2 telah berhasil
dengan baik ditumbuhkan di atas subtrat Si(100)
dengan menggunakan metode MOCVD. Parameter
penumbuhan yang optimal adalah: temperatur
bubbler (Tb(Ti)) 50oC, temperatur subtrat (Ts) 450oC,
tekanan bubbler (Pb(Ti)) 260 Torr, laju aliran gas O2
60 sccm dan tekanan total penumbuhan (PTot) 3x10-2
Torr. Pola penumbuhan butiran penyusun film adalah
kolumnar dengan rata-rata jari-jarinya dalam orde
nanometer. Kehadiran atom Co sebagai fraksi atom
penyusun butiran menaikkan laju penumbuhan,
mengubah struktur kristal dan memperbaiki
hubungan antar butiran. Tebal film yang terdeposisi
rata-rata mencapai 0,9 µm dengan waktu deposisi 120
menit. Film tipis yang terdeposisi memiliki morfologi
dan ketebalan yang sangat homogen untuk ukuran
subtrat 3x3 cm2.
Daftar Pustaka
1. Dietl, T., & Ohno, H., MRS Bulletin, 28, 714,
(2003).
2. Chambers, S.A., & Yoo, Y.K., MRS Bulletin, 28,
706, (2003).
3. Pearton, S.J., Abernathy, C.R., Norton, D.P.,
Hebard, A.F., Park, Y.D., Boatner, L.A. &
Budai, J.D., Mater. Sci. Eng., R40, 137, (2003).
4. Pearton, S.J., Abernathy, C.R., Overberg, M.E.,
Thaler, G.T., Norton, D.P., Theodoropoulou, N.,
Hebard, A.F., Park, Y.D., Ren, F., Kim, J., &
Boatner, L.A., J. Appl. Phys. Lett., 93, 1, (2003).
5. Hong, N.H., Sakai, J., Prellier, W., & Hassini,
A., Appl. Phys. Lett., 79, 3129, (2003).
6. Matsumoto, Y., Murakami, M., Shono, T.,
Hasegawa, T., Fukumura, T., Kawasaki, N.,
Ahmet, P., Chikyow, T., Koshihara, S., &
Koinuma, H., Science 291, 854, (2001).
7. Chember, S.A., Thevuthasan, S., Farrow, R.F.,
Marks, R.F., Thiele, J.U., Folks, L., Samant,
M.G., Kellock, A.J., Ruzycki, N., Ederer, D.L.,
& Diebond, U., Appl. Phys. Lett., 79, 3467,
(2001).
8. Hong, N.H., Sakai, J., Prellier, W., & Hassini,
A., Appl. Phys. Lett., 83, 3129, (2003).
9. Jones, A.C., &’Brien, P. O, CVD of Compound
Semiconductors : Precursors Synthesis,
Gambar 7. Pola XRD film tipis Ti1-xCoxO2/Si(100):
Tb(Ti) = 50oC, Tb(Co) = 100oC, Ts = 450oC, Development and Applications, VCH
Pb(Ti) = 260 Torr, Pb(Co) = 260 Torr, laju Verlagsgesellschaft mbH, Germany, 1997.
10. Lu, Z., Truman, J.K., Johansson, M.E., Zhang,
aliran gas O2 = 60 sccm, laju aliran gas
Ar(Ti) = 100 sccm dan laju aliran gas Ar(Co) : D., Shih, C.F., & Liang, G.C., Appl. Phys. Lett.
(a) 30 sccm, (b) 50 sccm dan (c) 70 sccm. 67, 712 (1995).