Dioda adalah komponen elktronik yang dapat melewatkan arus listrik untuk bergerak dalam satu arah dari polaritas (+) ke polaritas (-) atau ke lainnya. Type paling umum dioda dalam desain rangkaian elektronik adalah dioda semikonduktor. Dioda Semikonduktor disimbolkan dalam skema diagram seperti Gambar di bawah ini. Komponen "dioda" Istilah lazim disediakan untuk perangkat sinyal kecil 1 A( Diode Germanium). Istilah Penyearah digunakan untuk perangkat daya dengan kapasitas > 1 Ampere (Diode Silikon).
Ketika ditempatkan rangkaian sederhana baterai-diode dan lampu, diode beguna untuk mengalirkan ataukah memutus aliran arus listrik pada beban lampu, tergantung dari polaritas sumber tegangan baterai yang dipakai.
Gambar 2. (a) Aliran arus listrik (aliran elektron) yang diijinkan mengalir, hubungan ini disebut forward biased. (b) Aliran arus listrik yang tidak diijinkan lewat, hubungan ini disebut reverse biased
Ketika polaritas sumber tegangan (baterai) seperti gambar 2 (a) diatas, elektron dibiarkan mengalir melalui dioda, dioda dikatakan bias maju (forward biased). Sebaliknya, bila polaritas baterai dibalik saat ini, dioda dikatakan bias balik (reverse-biased). Dioda mungkin dianggap sebagai seperti switch: "tertutup" ketika bias maju dan "terbuka" ketika reverse-bias. Perbedaan nyata antara bias maju dan biasbalik adalah polaritas sumber tegangan pada tegangan anode dan katode seperti pada gambar dibawah ini
Pengukuran tegangan pada rangkaian diode (a). Forward biased (b). Reverse biased
Perbedaan paling substansi adalah tegangan Anodekatode dari diode sebesar 0,7 volt dalam kondisi diode menghantar (conduct) dalam hubungan forward biased.
Pada bias maju-drop tegangan ditunjukkan pada anode-katode dioda adalah karena aksi daerah penipisan yang dibentuk oleh PN junction di bawah pengaruh tegangan supply baterai yang diberikan< 0,7 (diode silikon), sebuah daerah deplesi tipis akan melebar/membesar di sekitar wilayah dari PN junction akan mencegah aliran arus listrik pada diode (Id). Daerah deplesi yang tersedia ini bertindak sebagai isolator (penyekat)
istilah ini kT / q menggambarkan tegangan yang dihasilkan di dalam PN junction karena pengaruh suhu disebut tegangan termal, atau Vt dari junction. Pada suhu kamar besarnya sekitar 26 milivolt. Dengan asumsi "nonideality" koefisien 1, kita dapat menyederhanakan persamaan dioda dan kembali menulis seperti:
Didapatkan persamaan :
Pengukuran besarnya tegangan drop (Vak) pada diode silikon dengan diode check meter
Pengukuran tegangan forward (Vak) pada diode tanpa diode check meter: a). Skema rangkaian (b). Diagram gambar
Ohmmeter dilengkapi uji tegangan rendah (< 0.7 V) yang memungkinkan tidak terlihat sedang mengukur resistor paralel dengan diode.
Ohmmeter dilengkapi dengan tegangan uji rendah, terlalu rendah untuk mengkondisikan diode bias maju, dalam hal ini tidak terlihat pada pengukuran diode
Puncak setengah lilitan sekunder melewatkan siklus setengah positif input, akan memberikan siklus setengah input pada beban