MAKALAH

SEMI KONDUKTOR
Di susun Untuk Memenuhi Salah Satu Tugas Mata Kuliah Komputer I
Dosen pengampu:
Winda Setya, M.Sc.

Disusun Oleh :
FIKRI NURHAYATI
NIM 1152070025

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA JURUSAN PENDIDIKAN MIPA

FAKULTAS TARBIYAH DAN KEGURUAN
UNIVERSITAS ISLAM NEGERI SUNAN GUNUNG DJATIBANDUNG
2016/2017

KATA PENGANTAR

Puji syukur kehadirat Allah SWT atas rahmat dan karunia-Nya penulis dapat
menyelesaikan makalah ini dengan cara dikemas dan disajikan dengan format dan bahasa
sederhana namun penuh manfaat, makalah ini berjudul SEMI KONDUKTOR untuk
memenuhi tugas mata kuliah Komputer I.
Dalam penyusunan makalah ini, penulis menyadari akan keterbatasan kemampuan
dalam menyusun makalah ini. Penulis sadar bahwa makalah ini masih banyak kekurangan
dan jauh dari kesempurnaan baik dalam materi maupun cara penyajian penulisannya. Penulis
mengharapkan kritik dan saran yang membangun untuk pengembangan dan kesempurnaan
laporan ini. Semoga informasi yang terdapat dalam laporan ini bermanfaat bagi kita semua.
Amin.
Bandung, September 2016

Penulis,

DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR................................................................................................... ii
DAFTAR ISI............................................................................................................. iii
BAB I...................................................................................................................... 1
PENDAHULUAN....................................................................................................... 1
A.

LATAR BELAKANG......................................................................................... 1

B.

TUJUAN......................................................................................................... 1

BAB II..................................................................................................................... 2
PEMBAHASAN......................................................................................................... 2
A.

ORBIT ORBIT ELEKTRON..............................................................................2

1.

Atom Boron.................................................................................................. 2

2.

Konduktor.................................................................................................... 3

3.

Semikonduktor.............................................................................................. 4
SEMIKONDUKTOR.......................................................................................... 4

B.
1.

Pengertian Dasar............................................................................................ 4

2.

Semi Konduktor Intrinsik dan Ekstrinsik...............................................................7

3.

Karakteristik Arus dan Tegangan Dioda Semikonduktor..........................................16

BAB III.................................................................................................................. 17
PENUTUP.............................................................................................................. 17
KESIMPULAN..................................................................................................... 17
DAFTAR TABEL DAN GAMBAR................................................................................. iv
DAFTAR PUSTAKA................................................................................................... v

BAB I

PENDAHULUAN

A. LATAR BELAKANG
Mengingat bahwa semi konduktor sudah umum digunakan pada bahan komposisi
elektronika dan pengunaannya yang luas seperti pada IC, Transistor,

Dioda, LED dan

sebagainya. Sehingga pada saat ini dibutuhkan tentang pengetahuan komposisi bahan dan
akibat dari komponen saat teraliri arus listrik dan tegangan. Para pembaca diharapkan dapat
mengerti tentang bahan penyusun semi konduktor sehingga tidak asing lagi tentang
percampuran bahan atau doping.
B. TUJUAN
Setelah

membaca

makalah

ini

pembaca

diharapkan

dapat

mengerti

tentang

pengelompokan bahan, pengertian semi konduktor dan penggunannya, bahan jenis

pengkomposisi semi konduktor (bahan jenis P dan bahan jenis N). Mengetahui penerapan
semi konduktor pada komponen semi konduktor yang berguna dan telah banyak dipakai
rangkaian elektronika dan elektro dalam industri maupun rumah tangga.

BAB II

PEMBAHASAN

A. ORBIT ORBIT ELEKTRON

Sekitar tahun 600 SM, orang-orang Yunani menemukan bahwa amber yang digosok
mempunyai satu jenis muatan listrik dan gelas yang digosok mempunyai muatan listrik dari
jenis yang lain. Dalam 1750 Franklin menyebut jenis yang pertama muatan yang positif dan
jenis yang kedua muatan yang negatif. Dalam 189, Thomson menemukan elektro dan telah
membuktikan, bahwa muatan negatif. Penemuan ini diikuti dengan penemuan proton,
(bermuatan positif) dan neutron (tidak bermuatan). Dengan demikian sekarang kita
mengetahui,bahwa bahan tersusun dari atom-atom denagn inti dipusat dan elektron yang
mengelilinginya. Oleh karena itu inti mengandung proton dan neutron maka muatannya
positif. Apabila sebuah atom bermuatan netral, Banyaknya elektron yang mengelilingi inti
sama dengan banyaknya proton dalam inti.
1. Atom Boron
Gayagaya dalam atom membatasi gerakgerak elektron dalam satu daerah dalam
dimensi tiga yang disebut kulitkulit. Gambar dibawah atom Boron yang dipersederhana ini
akan memberikan informasi yang sama dan lebih mudah untuk digambar. Perhatikan kelima
proton yang ada didalam inti, kedua elektron didalam lintasan yang kecil dan ketiga elektron
yang berada didalam lintasan yang besar. Apabila digambar dalam dua dimensi sebuah kulit
nampak sebagi sebuah lintasan yang melingkar. Selanjutnya kulit yang pertama kita sebut
sebagai orbit yang pertama dan kulit yang kedua sebagai lintasan yang kedua sebagai lintasan
yang kedua dan seterusnya.

gambar 1 atom boron

2

2. Konduktor
Perak (disingkat Ag) mempunyai konduktivitas yang paling tinggi diantara logamlogam. Tembaga (Cu) mempunyai konduktivitas tertinggi nomor dua, selanjutnya emas (Au)
mempunyai konduktivitas nomor tertinggi ketiga. Yang menyebabkan konduktivitas yang
tinggi apabila kita memandang struktur atomnya atomnya yang diperlihatkan pada Gb.II. Inti
atom mengandung 29 proton.
Apabila atom tembaga secara listrik netral, dua elektron yang berada dalam dua orbt
pertama, 8 ada dalam orbit yang kedua, 18 ada dalam orbit yang ketiga dan satu yang ada
dikeempat. Inti yang positif menarik elektron-elektron yang terdekat daengan gaya yang
paling besar. Gaya tarikan ini berkurang untuk orbit yang lebih besar. Memang satu elektron
yang berada dalam satu orbit yang paling yang luar adalah demikian jauh dari inti, sehingga
tidak merasakan gaya tarikan tersebut. Oleh gaya tarikan tersebut demikian lemah, maka
elektron yang sering kali disebut elektron bebas. Dalam sepotong kawat tembaga, elektron
bebas dapat dengan mudah berpindah dari satu atom ke atom yang didekatnya. Oleh karena
itu maka sedikit saja tegangan diberikan melintas sepotong kawat tembaga sudah dapat
menghasilkan arus besar.
Inti dan elektron-elektron dalam tidak penting bagi kita. Perhatian kita dalam sebagian
dari buku ini pada lintasan yang palig luar, yang juga disebut lintasan valensi. Lintasan ini
menentukan bagaimana

sebuah atom bergabung dalam atom lainnya, bagaimana

konduktivitas bahan ini dan sebagainya. Untuk menekan pentingnya lintasan valensi.
Konduktror-konduktor yang terbaik (perak, tembaga dan emas) mempunyai tembaga inti
seperti Gb.II. Gagasan pokoknya adalah satu elektron dalam lintasan yang besar yang
mengelilingi inti. Oleh karena itu gaya tarikan inti lemah, elektron valensi yang terasing (dari
elektron-elektron dalam) ini dapat dengan mudah berpindah bebas dari satu atom ke atom
berikutnya.

gambar 2 Atom tembaga

3

3. Semikonduktor
Germanium (Ge) dan Silikon (Si) adalah contoh-contoh semikonduktor, yaitu
bahanbahan yang tidak merupakan konduktor maupun isolator. Elektron-elektron yang
mengelilingi tersebar dalam berbagai lintasan mengikuti pola:

2, 8, 18. . . . . 2n2

Di mana n adalah nomor lintasan. Bilangan-bilangan tersebut merupakan jumlah

elektron paling banyak yang ada dapat berada dalam orbit ke- n. Dalam kata lain, dalam
lintasan yang pertama maksimal terdapat dua elekron, dalam yang kedua delapan elektron
dalam ketiga 18 elektron dan seterusnya. Dalam Ge, empat elektron tang terakhir berada
dalam lintasan yang paling luar atau lintasan valensi Apabila elektron valensinya delapan,
bahan tersebut bersifat isolator. Oleh karena itu banyaknya lintasan dalam elektron valensi
merupakan petunjuk konduktivitas listrik. Konduktorkonduktor mempunyai satu elektron
valensi, semikonduktor mempunya empat elektron valensi dan isolator mempunyai delapan
elektron valensi.

B. SEMIKONDUKTOR
1. Pengertian Dasar
Sesuai dengan namanya, semi konduktor (setengah penghantar) mempunyai daya
hantar yang besarnya antara harga daya hantar konduktor dan daya hantar isolator. Sifat
tersebut dipengaruhi oleh susunan pita konduksi dan pita valensi bahan. Pengetahuan
mengenai hal tersebut perlu bagi setiap orang yang memilih profesi dibidang elektronika
yang penggunannya tidak terbatas pada arus lemah saja. Adapun macam- macam dan
penggunaan bahan semi konduktor antara lain seperti tabel dibawah ini:

Tabel 1

Nama Semi Konduktor

Penggunaannya

Barium Titinate (Ba Ti)

Thermistor (PTC)

Bismut Telurida (Bi2 Te3)

Konvermasi thermoelektrik

Caldium Sulfida (Cds)

Sel foto konduktif

Gallium Arsenida (Ga As)

Dioda, transistor, laser, LED

Indium Antimonida (In Sb)

Magneto resistor, plezo resitor

Indium Arsenida (In As)

Plezo resistor

Silikon (Si)

Diode, transistor, IC

Macam-macam Semi konduktor dan Penggunaannya

Suatu hal yang penting untuk memahami semi konduktor adalah proses konduksi
elektronik. Konduksi elektronik bahan dipengaruhi oleh jarak pita konduksi dan pita valensi
bahan. Pada konduktor, kedua pita tersebut saling menumpuk. Pada isolator jarak keduanya
cukup jauh. Sedangkan pada semi konduktor jarak keduannya tidak terlalu jauh dan tidak
terlalu dekat danini memungkinkan tumpang tindih jika dipengaruhi, misalnya panas, medan
magnet dan tegangan yang cukup tinggi. Jarak kedua pita tersebut adalah celah energi, seperti
gambar dibawah ini:

gambar 3. Celah energi pada bahan

Dari Gb.III terlihat bahwa celah energi pada isolator intan adalah 6 eV dan intan
merupakan bahan isolator dengan resistivitas yang tinggi. Jarak antara pita valensi dan pita
konduksi juah sehingga walaupun elektron-elektron bebas pada pita konduksi sudah
tereksistansi (terlepas dari orbitnya), elektron-elektron valensi tidak akan meloncat ke pita
konduksi. Bahan konduktor celah energinya sempit sehingga kalau ada kalau ada elektron
lepas dari orbitnya maka pada pita valensi akan segera mengisinya. Sedangkan bahan semi
konduktor mempunyai celah energi yang lebih sempit dari pada isolator yaitu 0, 12 hingga 5,
3 eV. Misalnya, Si sebagai salah satu bahan semi konduktor mempunyai celah energy 1,1 eV.
Oleh karena itu untuk menjadikan bahan semikonduktor agar dapat menghantarkan listrik
dipelukan energi yang tidak terlalu besar.
2. Semi Konduktor Intrinsik dan Ekstrinsik.
Dalam teknik elektronika banyak dipakai semi konduktor dari germanium (Ge) dan
Silikon (Si). Germanium maupun Silikon murni adalah bahan pelican dan merupakan
isolator. Pada semi konduktor intrinsik, timbulnya konduksi pada bahan-bahan tersebut
disebabkan oleh proses intrinsik (misal karena energi termal) dari bahan dan tanpa adanya
pengaruh bahan tambahan.
Cara lain untuk mengubah Ge dan Si terbuat dari bahan semi konduktor adalah
dengan mengotori bahan- bahan tersebut, misalnya dengan bahan Arsenikum (As) atau Boron
(B). Bahan pengotor dari luar dari luar tersebut disuntikan pada bahan Ge dan Si. Proses
penyuntikan bahan bahan tersebut disebut dengan proses doping. Penambahan bahan
tersebut pada semi konduktor murni dimaksudkan untuk meningkatkan konduktivitasnya.
Dari hasil pengotoran atau doping itu diperoleh bahan semi konduktor jenis P dan
jenis N. Bahan semi konduktor yang mendapat tambahan As akan menjadi semi konduktor
jenis N dan yang mendapatkan tambahan jenis B akan menjadi semi konduktor jenis P.

a. Semi Konduktor Intrinsik.

Sebagai contoh; Si mempunyai celah energi 1eV ini adalah perkiraan beda energi
antara 2 inti ion yang terdekat dengan jarak 10A (10-10 m). Maka dari itu, diperlukan
9

medan 1 V /10-10 m untuk memggeraknan elektron diatas bagian pita valensi ke bagian
bawah pita konduksi. Namun gradien sebesar itu kurang praktis.
Kemungkinan lain untuk keadaan transisi yaitu tumpang tindih kedua pita dapat
diperoleh dengan pemanasan. Pada suhu kamar ada juga beberapa elektron yang melintasai
celah energi dan hal ini menyebabkan terjadinya semi konduksi.
Pada semi konduktor intrinsik, konduksi tersebut oleh disebabkan oleh proses
intrinsik dari bahan adanya pengaruh tambahan. Kristal- kristal Si dan Ge murni adalah semi
konduktor instrinsik. Elektron-elektron yang dikeluarkan dari bagian teratas bagian pita
valensi ke bagian pita thermal adalhan penyebab konduksi. Banyaknya elektron yang terkuat
untuk bergerak celah energi dapat dihitung dengan distribusi kemungkinan Fermi-Dirac
sebagai berikut:
P (E) = 1 / (1 + e) (E EF)/ KT

Dimana :
Ef adalah tingkat Fermi
K

adalah konstanta Boltzman sebesar 8, 64 .10-5

E- EF adalah sama dengan Eg/ 2

Eg adalah besaran energi thermal KT pada suhu kamar (0, 026 e V)
Karena nilai 1 pada penyebut dapat diabaikan, maka persamaan 11- 1 diatas dapat ditulis:

P (E) = e (-Eg/ 2KT)

Pada suhu 00 C semua pita elektron berada di pita valensi. Pada daerah ini
kemungkinan adanya elektron adanya didaerah 0 > E > EF adalah 100 % atau P() = 1;
semua keadaan terdapat elektron. Untuk E > EF, P (E) = 0 kemungkinan elektron di daerah E
> EF adlah 0 %, semua keadaan diatas EF adalah kosong kalau energy elektron E sama
besarnya dengan kemungkinan P (E). Karena perpindahan elektron- elektron dari pita valensi,
maka pada pita valensi terjadi lubang di setiap tempat yang ditinggalkan elektron
10

tersebut.Suatu semi konduktor intrinsik mempunyai pita lubang yang sama dengan pita
valensi dsan elektron pada pita konduksi. Pada pemakaian, elektron yang lari ke pita valensi,
misalnya karena panas dapt dipercepat menggunakan keadaan kosong yang memungkinkan
pada pita konduksi. Pada waktu yang Sama lubang- lubang pada pita valensi juga bergerak
tetapi berlawanan arah dengan gerakan elektron. Konduktivitas dari semi konduktor intrinsik
tergantung konsentrasi muatan pembawa tersebut yaitu ne dan NH.

b. Semi konduktor Ektrinsik

Pada semi konduktor ekstrinsik, konduksi dapat dilakukan setelah adanya
penyuntikan bahan penambahan atau pengotoran dari luar. Proses penyuntikan bahan tersebut
disebut dengan doping. Penambahan bahan tersebut kepada semi konduktor murni akan
meningkatkan konduktivitas semi konduktor. Suatu bahan yang didoping dengan elemen
kolom 5 pada susunan berkala seperti P, As atau Sb.
Pada Gb. IV ditunjukkan kristal Si yang di doping dengan P. Pada gambar tersebut, 4
dari 5 elektron kelima dari atom P tidak mempunyai dengan atom semula dan dapat
diasumsikan berputar mengelilngi inti hydrogen. Namun demikian, mempunyai sebuah
perbedaan yang penting.

gambar 4 Silikon yang

di

doping

dengan

Posphor

Elektron dari phosphor adalah bergerak pada Medan listrik dari Kristal silikon dan
bukan pada ruang bebas seperti halnya pada atom H. Hal ini membawa akibat konstanta
11

dielektrik dari Kristal dari perhitungan orbital dan radius orbit elektron menjadi sangat besar
kira kira 80 A0 dibandingkan 0, 5 A0 dari orbit hydrogen. Ini dapat diartikan bahwa elektron
ke- 5 tersebut bebas dari tingkat energinya berdekatan dengan pita konduksi lebih cepat
terlaksan dari pada pita eksistansi

Dari pita valensi kristal Si.Atom P dinamakan

mendonorkan elektronnya pada semi konduktor. Tingkat energy dari elektron ke- 5
dinamakan tingkat donor. Semi konduktor yang didonorkan dari elemen-elemen pada nomor
kolom 4 (mendonorkan muatan negatif) disebut semi konduktor tipe n.

1) Bahan- bahan Jenis- P dan Jenis- N

Kristal Ge murni terdiri dar 5 atom di mana tiap atomnya mempunyai 4 elektron bebas.
Kalau 1 atom Ge diganti dengan 1 atom lain yang mempunyai 3 elektron bebas maka kristal
germanium menjadi kekurangan 1 elektron (mempunyai hole) itu menjadi bahan jenis-P.
Atom yang dipasang tadi (yang menimbulkan hole) disebut atom akseptor (sanggup
menarik elektron). Sebagai atom akseptor adalah bahan atom boron, aluminium, gallium,
indium. Letak atom akseptor pada celah energi lebih dekat pada pita valensi.
Kalau atom yang menggantikan 1 atom Germanium tadi atom yang mempunyai 5
elektron bebas maka kristal Germanium mempunyai kelebihan 1 elektron. Atom yang
menggantikan tadi disebut atom donor. Contoh atom donor adalah phosphor, arsen, dan
antinomy. Letak atom donor pada celah energi lebih dekat dengan pita konduksi. Germainum
yang kelebihan 1 elektron tersebut disebut bahan jenis N.
Bahan P banyak mengandung hole sedangkan elektron bebasnya sedikit hole
merupakan mayoritas dan elektron merupakan minoritas. Bahan jenis ini berlaku pada
akseptor (lebih banyak menarik elektron). Bahan jenis N banyak mengandung elektron bebas
sehingga elektron bebas merupakan mayoritas dan hole sebagai minoritas. Oleh karena itu
bahan jenis-N sanggup member banyak elektron bebas dan berlaku sebagai donor.
Pada bahan semi kondukor yang bertindak sebagai pembawa muatan adalah hole dan
elektron bebas. Pada bahan jenis P pembawa muatan adalah hole, sedang pembawa muatan
pada bahan jenis N adalah elektron bebas.
a) Persambungan P N

12

Pada suhu ruang, suatu semi konduktor tipe P mempunyai pembawa muatan dengan
sebagian terbesar berupa lubang-lubang yang dihasilkan dengan pemasukan tak-murnian,dan
sebagian kecil berupa elektron-elektron bebas yang dihasilkan oleh energy terminal.Di pihak
lain,dalam semikonduktor tipe n,sebagian terbesar dari pembawa muatan adalah
elektronelektron bebas dan hanya mengandung lubang-lubang yang berjumlah kecil.Jika
dipakai secara terpisah,baik semikonduktor tipe n maupun semikonduktor tipe p,masingmasing tidak lebih berguna dari sebuah penghambat (resistor) karbon.Tetapi,dengan
memasukkan tak-murnian ke dalam suatu kristal sedemikian rupa hingga stengahnya bertipe
n dan sisanya bertipe p,maka hasilnya berupa suatu penghantar satu arah.Pembahasan berikut
ini akan menjelaskan mengapa demekian halnya.
Kita tinjau suatu atom yang netral.Atom ini mempunyai elektron dan proton yang sama
jumlahnya.Misalkan bahwa ialah satu elektronnya disingkirkan.Sebagai akibatnya,atom
tersebut mempunyai satu muatan positif dan disebut ion positif.Sebaliknya,jika suatu atom
netral diberi satu elektron tambahan,atom akan bermuatan negative dan dikenal sebagai ion
negatif.

gambar 5 Pembawa-pembawa mayoritas dan ion-ion.(a) lubang-lubang dan ion-ion

negative.(b) Elektron-elektron bebas dan ion-ion positif.

Gb.VIII menunjukkan suatu semikonduktor tipe p. Masing-masing tanda plus

merupakan lambang dari suatu lubang,sedangkan masing-masing tanda minus yang dilingkari
itu merupakan representasi suatu atom akseptor yang mengandung lubang-lubang
tersebut.Secara bersama lubang dan atom akseptor merupakan satuan yang netral.Namun bila
suatu lubang menghilang karena terjadi rekombinasi dengan suatu elektron,maka atom
akseptor bersangkutan akan mengandung muatan negative yang berlebihan dan menjadi ion
negative.Dalam keadaan yang ditunjukkan oleh Gambar 2.1a,bahan tipe p tersebut bersifat
netral karena jumlah tanda plus sama dengan jumlah tanda minus.
13

Begitu pula dalam Gb.VIII telah ditunjukkan semikonduktor tipe n.Disini tanda minus
melambangkan elektron bebas,sedangkan tanda plus yang dilingkari itu melambangkan
elektron bebas,sedangkan tanda plus yang dilingkari itu melambangkan atom donor yang
mengandung elektron bebas dalam orbitnya.Setiap elektron bebas bersama dengan atom
donor bersangkutan merupakan satuan yang netral.Jika salah satu elektron tersebut
meninggalkan orbitnya dari sekeliling atom donor dan pindah kepada orbit atom lain,maka
atom donor itu menjadi ion positif. Berbeda dari elektron-elektron bebas, ion-ion positif ini
tidak dapat bergerak leluasa karena terikat dalam struktur kristalnya.Dalam Gb XII, bahan
tipe n itu bersifat netral karena mengandung tanda minus dan tanda plus yang berjumlah sama
Pokok-pokok untuk diingat:
i. Pada saat persambungan pn terbentuk, elektron-elektron bebas mulai berdifusi
menyeberangi persambungan dan kemudian terjatuh ke dalam lubang-lubang.
ii. Rekombinasi elektron-elektron bebas dengan lubang-lubang disekitar
persambungan menimbulkan daerah ion-ion negative dan positif yang disebut
lapisan pengosongan.
iii. Karena terjadi potensial barier,difusi elektron-elektron bebas akan berhenti
akhirnya
iv. Pada suhu ruang, diode silicon mempunyai potensial barier kurang lebih sebesar
0, 7 V (sekitar 0, 3 V untuk diode Ge).
b) Prategangan Maju
Suatu kristal pn dapat bekerja sebagai diode karena arus didalamya hanya dapat mengalir
dalam satu arah dan tidak sebaliknya.Untuk memahami mengapa demikian halnya, kita tinjau
Gambar 2-3a.Perhatikan bahwa terminal negative dari baterai dihubungkan dengan sisi n dari
kristal.Karena itu elektron-elektron bebas pada sisi n dari kristal.Karena itu elektron-elektron
bebas pada sisi n ditolak ke a rah persambungan.Hubungan semacam ini disebut rangkaian
prategangan maju (forward bias).
Arus Maju yang Besar
Prategangan maju menyebabkan elektron-elektron bebas di sebelah n bergerak
menuju ke persambungan.Kejadian ini akan meninggalkan ion-ion positif di sebelah kanan
kristal.Ion-ion positif ini kemudian akan menarik elektron-elektron bebas dari baterai,yang
selanjutnya mengalir dari terminal negative baterai kesebelah kanan kristal melalui kawat
14

rangkaian.Karena terminal positif dari baterai dihubungkan dengan sisi p, lubang-lubang dari
daerah p ditolak kea rah persambungan.Bilamana lubang-lubang ini bergerak kekanan,di
ujung kiri kristal akan tertinggal ion-ion negative. Elektron-elektron valensi selanjutnya akan
mengalir dari ion-ion negative ini ke dalam kawat yang dihubungkan dengan terminal positif
dari baterai.Sewaktu elektron-elektron valensi ini meninggalkan tempatnya, lubang-lubang
baru akan terbentuk pada ujung kiri kristal.
Kristal,elektron-elektron bebas dan lubang-lubang senantiasa bergerak menuju ke
persambungan.Bersamaan dengan gerak itu,elektron-elektron bebas yang baru akan
memasuki ujung kanan kristal dan lubang-lubang baru akan diciptakan pada ujung
kirinya.Dengan demikian,sebelah n kristal selalu penuh dengan elektron-elektron bebas
sedangkan

sebelah

penuh

dengan

lubang-lubang.Elektron-elektron

bebas

yang

menyeberangi persambungan dan bergabung kembali dengan lubang-lubang yang tiba

dipersambungan. Sebagai hasilnya, arus yang kontinu akan berlangsung didalam kristal
tersebut. Jika baterai dan dioda bersangkutan dihubungkan secara seri dengan suatu ammeter
(pengukur arus), maka alat ini akan menunjukan adanya aliran arus dalam rangkaian.

Tingkatan-tingkatan Energi
Pengertian tentang gejala yang dibahas sebelumnya dapat diperbaiki secara lanjut jika
gejala tersebut dapat dijelaskan dengan cara-cara lain.Tungkat energi elektron-elektron bebas
pada diode akan dipertinggi dengan pemberian tegangan luar. Bila tegangan diberikan itu
mencapai harga sekitar 0,7 V maka elektron pada sisi n dari persambungan akan memperoleh
energi cukup besar untuk memasuki sisi p. Setelah masuk dalam daerah p, elektron
bebasmenjadi pembawa minoritas yang mempunyai umur khas dalam pengukuran
nanosekon. Karena itu, elektron bebas tersebut dengan cepat akan bergabung dengan lubang
disekitarnya (lintasan A). Kemudian, elektron ini akan bergerak melalui lubang-lubang
sebagai elektron valensi, sampai tiba di ujung kiri kristal.
Ada kalanya suatu bebas bargabung dengan suatu lubang sebelum menyeberangi
persambungan. Hal ini dapat terjadi sebagai berikut. Lepas dari tempat terjadinya
rekombinasi, hasilnya adalah sama. Hasil tersebut berupa aliran tunak (steady) dari elektronelektron bebas menuju ke persambungan dan bergabung dengan lubang. Elektron-elektron
yang terperangkap itu (sekarang berubah menjadi elektron valensi) bergerak ke kiri dalam
15

bentuk aliran tunak melelui lubang-lubang dalam daerah p. Dengan demikian terjadilah arus
kontinu melalui diode yang bersangkutan.
c) Pra tegangan balik
Apa yang terjadi bila polaritas tegangan itu dibalik arahnya. Dalam hal ini,
elektronelektron bebas dan lubang-lubang akan bergerak menjauhi persambungan. Pola
hubungan itu disebut rangkaian prategangan balik (reverse bias). Dengan pra tegangan balik,
diode tidak lagi bekerja sebagai suatu penghantar.
Arus Balik yang Kecil
Karena terminal positif dihubungkan dengan sisi n dan sisi p dihubungkan dengan
terminal negatifnya, maka elektron-elektron bebas dan lubang-lubang untuk sementara waktu
akan mengalir menjauhi persambungan. Hal ini akan memperlebar lapisan pengosongan
sampai potensialnya menyamai tegangan terpasang. Dalam keadaan ini pembawa-pembawa
mayoritas akan berhenti mengalir dan dalam beberapa nanosekon saja arus akan menurun
samapi sekitar harga nol. Penyebabnya tegangan dalam kasus in berfungsi memperbesar
pontensial barier dan dengan demikian menghalang proses aliran dengan poses rekombinasi
pembawa mayoritas pada persambungan. Karena itu ammeter DC yang dihubungkan secara
seri dengan baterai dan diode akan menunjukan arus yang kurang lebih sama dengan nol.
Tingkatan-tingkatan Energi
Tegangan yang terpasang dari luar menurunkan pembawa tingkat-tingkat energi
elektron bebas di sebelah n dari persambungan. Hal ini sebab tingkat-tingkat energi elektron
bebas di sebelah n dari persambungan. Ini adalah sebab mengapa pita energi n menjadi turun
jauh di bawah pita energi p. Dalam keadaan in elektron-elektron bebas tidak dapat
menyeberangi persambungan karena orbit-orbitnya terlampau kecil untuk menyamai orbitorbit yang lebuh besar pada sisi p.
Pembawa- pembawa Minoritas
Pada suhu nol mutlak, hanya elektron-eletron bebas yang terdapat dalam bahan dan
hanya lubang yang terdapat dalam n dan hanya lubang yang terdapat dalam bahan tipe p.
Karena itu prategangan maju akan menghasilkan arus searah. Jadi, diode merupakan
penghantar dalam arah maju dan merupakan isolator dalam arah sebaliknya. Diatas suhu
mutlak, energi termal akan menghasilkan beberapa elektron bebas di sisi p dan beberapa
16

lubang sisi n. Jika dioda diberi tegangan balik, maka pembawa-pembawa minoritas akan
mengalir menuju ke persambungan dioda dan bergabung kembali ke situ. Setiap kali terjadi
rekombinasi dipersambungan antara sepasang elektron bebas dan lubang yang dihasilkan
secara thermal itu, maka seketika itu juga elektron bebas akan meninggalkan terminal negatif
baterai dan memasuki ujung kiri kristal. Bersamaan dengan itu, elektron valensi akan
meninggalkan ujung kanan kristal dan memasuki terminal positf baterai. Mengingat
pembawa-pembawa minoritas akan dihasilkan oleh energi termal secara terus menerus, aliran
yang dijelaskan diatas akan berlangsung secara kontinu pula. Jika suatu ammeter DC yang
sangat peka dihubungkan secara seri dengan dioda dan baterai, maka alat tersebut akan
menunjukan adanya arus DC yang sangat kecil dalam rangkaian luar itu.
Kebocoran Permukaan
Selain arus pembawa minortas yang baru dijelaskan itu, pada permukaan kristal dapat
terjadi arus balik yang kecil. Seba atom-atom pada permukaan kristal mempunyai ikatan
kovalen yang terputus, maka kulit kristal itu penuh dengan lubanglubang dan meruapakn
saluran yang brhambatan tinggi bagi arus yang bersangkutan. Arus kebocoran permukaan ini
tidak bergantung pada suhu tetapi bergantung pada tegangan. Makin besar tegangan balik
yang diberikan, makin besar pula kebocoran permukaan itu.
Arus Balik
Arus balik total adalah jumlah dari arus pembawa minoritas dan arus kebocora
permukaan. Pada suhu ruang, arus balik yang terjadi sangat kecil dibandingkan dengan arus
maju. Sebagai contoh dioda 1N914 (dioda silicon yang sering terdapat dipasaran) mempunyai
arus balik sekitar 25 nA, pada pra tegangan balik sebesar 20 V. Kecuali untuk
penerapanpenerapan yang sangat menuntut kecermatan-kecermatan, arus balik dari suatu
dioda silikon biasanya diabaikan saja karena terlalu kecil pengaruhnya. Perbandingan Silikon
terhadap Germanium Kita tinjau kembali gambaran tentang celah terlarang antara celah
valensi dan pita konduksi. Dari waktu ke waktu, suatu elektron valrnsi akan pindah le dalam
pita konduksi dengan bantuan energi themal. Peristiwa ini akan menciptakan suatu elektron
bebas dari suatu lubang yang akan memperbesar aus pembawa minoritas. Celah terlarang dari
silikon lebih besar daripada celah terlarang germanium. Dengan kata lain germaiun lebih
peka dari pada silikon terhadap kenaikan suhu. Ini adalah sebab mengapa dioda silikon
mempunyai arus balik yang lebih kecil dari pada dioda germanium dan ini pula sebabnya
silikon dan bukan germanium yang telah menjadi menjari standart industri.
17

3. Karakteristik Arus dan Tegangan Dioda Semikonduktor

Kalau anoda (bahan jenis p) dari diode dihubungkan dengan kutub positif baterai,
sedangkan katodanya (bahan n) dihubungkan dengan kutub negative baterai maka arus listrik
mengalir lewat dioda; arus dari kutub (+) baterai lewta anoda, lewat katoda dan kembali ke
kutub negatif baterai. Sebaliknya jika anoda dihubumgkan dengan kutub negatif baterai dan
katoda dihubungkan dengan kutub positif baterai maka tidak akan ada arus yang mengalir.
Sebuah dioda mempunyai karakteristik yang menyatakan hubungan antara arus dan
tegangannya. Karakteristiek perlu diketahui sehungga dioda dapat dipergunakan sesuai
dengan kebutuhannya. Ada 2 macam karakteristik dioda, yaitu karakteristik catu maju dan
terbalik. Berikut alat-alat atau komponen yang menggunakan bahan semi konduktor:
a. Dioda Zener (Zener Dioda) Dioda zener adalah diode yang bekerja pada daerah zener
(dapat melakukan arus yang berubah pada suatu tegangan tertentu). Gunanya untuk
membuat suatu tegangan pada suatu rangkaian tetap stabil.
b. Dioda Cahaya (Light Emitting Dioda / LED) Dioda cahaya adalah salah satu jenis
dioda yang apabila diberi tegangan maju akan menimbulkan cahaya pada sambungan
pn-nya.
c. Dioda Foto Dioda foto adalah suatu diode tergantung yang tahanan terbaliknya
berubah-ubah tergantung kuat cahaya yang ada padanya (dioda foto diberi terbalik).
d. Transistor (Junction Transistor) Adalah beberapa jenis transistor, tapi yang dipakai
sebagai dasar adalah transistor yang terbuat dari lapisan-lapisan NPN dan PNP.
Kenyataannya bahan-bahan transistor tidak dapt dilukiskan simetris, artinya pada
transistor PNP bahan P yang dan yang ada di kanan tidak dapat saling dipertukarkan.
Demikian juga bahan N pada transistor NPN; karena masing-masing ujung mempunyai nama,
arah arus dan sambungan sudah tertentu.

BAB III
PENUTUP

18

KESIMPULAN
Semi konduktor (setengah penghantar) mempunyai daya hantar yang besarnya antara
harga daya hantar konduktor dan daya hantar isolator. Semi konduktor terbagi menjadi dua
yaitu semi konduktor intrinsik dan ekstrinsik.
Dalam teknik elektronika banyak dipakai semi konduktor dari germanium (Ge) dan
Silikon (Si). Germanium maupun Silikon murni adalah bahan pelican dan merupakan
isolator. Cara lain untuk mengubah Ge dan Si terbuat dari bahan semi konduktor adalah
dengan mengotori bahan- bahan tersebut, misalnya dengan bahan Arsenikum (As) atau Boron
(B). Bahan pengotor dari luar dari luar tersebut disuntikan pada bahan Ge dan Si.

19

DAFTAR TABEL DAN GAMBAR

Tabel 1 Macam-macam Semi konduktor dan Penggunaannya..................................................5

gambar 1 atom boron.................................................................................................................2

gambar 2 Atom tembaga............................................................................................................3
gambar 3. Celah energi pada bahan...........................................................................................6
gambar 4 Silikon yang di doping dengan Posphor.....................................................................9
gambar 5 Pembawa-pembawa mayoritas dan ion-ion.(a) lubang-lubang dan ion-ion negative.
(b) Elektron-elektron bebas dan ion-ion positif.......................................................................11

DAFTAR PUSTAKA
Darsono, dan Suhadi. 1977. Ilmu Bahan Listrik I. Jakarta: Proyek Pengadaan
Buku Pendidikan Menegah Teknologi.
Muhaimin. 1991. Bahan-bahan Listrik untuk Politeknik. Jakarta: Andi Offset.
Sumanto, Drs. 1996. Pengetahuan Bahan untuk Mesin dan Listrik. Jakarta:
Andi Offset. Barmawi Malvino, Tjia. 1985. Aproksimasi Rangkaian Semi
Konduktor (Pengantar Transistor Rangkaian Terpadu). Jakarta: Erlangga.