BAB VI TRANSISTOR

Kompetensi dasar :
Setelah mempelajari bab ini mahasiswa diharapkan dapat memahami dengan benar
mengenai karakteristil dan prinsip kerja transistor Bipolar maupun FET , pembiasan dan
daerah kerja transistor ,transistor sebagat penguat maupun transistor sebagai saklar dan
sekaligus dapat mendesain rangkaian penguat sinyal, saklar transistor baik untuk
transistor Bipolar maupun Transistor Efek Medan (FET) dengan tepat.
Indikator
Setelah mempelajari bab ini mahasiswa dapat memahami dengan benar mengenai :
- Transistor Bipolar dan Transistor Efek Medan (FET)
- Karakteristik dan primsip kerja transistor BJT maupun FET
- Pembiasan maupun daerah kerja transistor
- Transistor sebagai saklar
6.1. TRANSISTOR DUA KUTUB ( Bipolar Junction Transistor / BJT )
Penemuan transistor telah membuat sebuah revolusi pada industri elektronik. Sejak
dibuat pertama pada 1948 oleh pemenang hadiah Nobel Bardeen, Brittain dan Shockley,
ribuan transistor telah diproduksi untuk perdagangan dunia dan pada hakekatnya dapat
ditemukan di setiap jenis peralatan elektronik yang berfungsi sebagai penguat dan atau
sakelar.
Istilah transistor diambil dari kata transfer resistor, karena alat semi-konduktor dengan
tiga terminal ini menunjukkan perubahan pada resistansi terminal dalam kondisi tegangan
tertentu.
Beberapa tipe transistor telah dikembangkan. Yang paling umum digunakan mungkin
bipolar junction transistor (BJT) dan dinamakan demikian karena transistor ini memiliki
dua pertemuan PN. Dalam bentuknya yang paling sederhana, BJT dapat dianggap sebagai
dua dioda pertemuan yang terhubung saling membelakangi seperti Gambar dibawah

99

Pertemuan PN 1

Pertemuan PN 2

Gambar 6.1. Transistor dua kutub (BJT)

Tiga terminal BJT diberi nama:

Kolektor

Emitor

Kolektor

Basis
dan

Emitor

Basis

Gambar 6.2. Tiga daerah transistor

Konstruksi Dasar
Seperti dioda, BJT terbuat dari sepotong silikon (atau germanium) yang telah
dikotori untuk membentuk tiga wilayah berbeda dari bahan tipe P dan N. Wilayah pusat
(basis) dibuat sangat tipis (0.05mm) dibanding dengan dua wilayah lainnya. Kolektor
dikotori sedikit, emitor sangat kotor dan basis memiliki tingkat pengotoran yang paling
rendah lihat gambar berikut.
E
Sangat kotor

K
Dikotori ringan

dikotori sangat ringan

Gambar 6.3. Susunan BJT

100

6.2. JENIS TRANSISTOR

Fungsi emitor adalah untuk menghasilkan pembawa muatan mayoritas untuk aliran
arus. Jika emitor terbuat dari bahan tipe-N, elektron akan menjadi pembawa mayoritas.
Jika emitor terbuat dari bahan tipe P, lubang akan menjadi pembawa mayoritas.
Pembawa mayoritas harus bergerak melintasi wilayah basis untuk mencapai kolektor.
Basis mengendalikan jumlah yang melewatinya.
Himpitan pertemuan PN-junction dapat terdiri dari bahan tipe-P ditengah-tengah dua
bahan tipe-N atau, bahan tipe-N ditengah-tengah dua bahan tipe-P.
K
E
B

BJT tersebut dinamakan tipe NPN (Gambar a) dan tipe PNP (Gambar b). walaupun kedua
K

dioda memiliki tipe yang sama dengan masing-masing BJT, ketika dioda dihubungkan
seperti yang terlihat pada gambar, dioda tidak akan berfungsi sebagai transistor.
B

Kedua rangkaian dioda yang sama tersebut bermanfaat ketika menentukan polaritas yang
benar dan pada saat menguji transistor tersebut dengan ohmmeter standar.
Gambar 6.4. Transistor PNP dan NPN
Gambar a
Tipe NPN

Gambar b
Tipe PNP

101

Kedua tipe tersebut sangat mirip cara kerjanya, perbedaannya, dalam tipe NPN, pembawa
arus mayoritas adalah negatif (elektron) dan untuk tipe PNP, pembawa arus mayoritas
adalah positif (lubang).
Kedua tipe transistor banyak diproduksi tetapi NPN lebih mudah dibuat dan mungkin
lebih umum dari pada tipe PNP. BJT digunakan dalam aplikasi penguatan dan
pensakelaran.
6.3. PEMBIASAN TRANSISTOR
Bias yang benar
Apapun tipe BJT, untuk pengoperasian yang benar, BJT harus dihubungkan dengan
pencatu sehingga:
Pertemuan basis dengan emitor terbias maju
Pertemuan basis dengan kolektor terbias mundur.
Cara kerja dasar
Seperti halnya dioda pertemuan PN, antarmuka bahan P dan N dalam transistor
menghasilkan wilayah kosong (lihat gambar daerah pengosongan ). Lebar wilayah ini
tergantung pada tingkat pengotoran terhadap kedua tipe bahannya.
Wilayah kosong

K
B

Gambar 6.5. Wilayah kosong ( daerah pengosongan )

Pertemuan emitor basis dibias maju sehingga pembawa mayoritas dilepaskan dari
emitor dan bergerak menuju wilayah basis. Karena basis ini sangat tipis dan dikotori

102

Vcb
Vcb
Vbe

Vbe

sangat sedikit, hampir semua gerakan pembawa yang disuntikkan bergerak (menyebar)
melewati basis dan dipercepat menuju kolektor. Gambar a dan gambar b menggambarkan
dua tipe bias transistor.
Gambar 6.6.Aliran
Biaslubang
transistor tipe N-P-N
Aliran Elektron

Gambar 6.7. Bias transistor tipe P-N-P

Ie

103

Pencatu Daya
DC

Cara kerja kedua tipe (NPN dan PNP) adalah serupa, kecuali bahwa semua polaritas
tegangannya terbalik. Perbedaan lain antara keduanya adalah:
Tipe PNP, pembawa mayoritas adalah lubang (hole)
Tipe NPN, pembawa mayoritas adalah elektron (elektron bebas)
Kolektor

Dalam kedua kasus tersebut, pembawa mayoritas berasal dari emitor dan disuntikkan ke
dalam basis.
Mari kita amati apa yang terjadi ketika potensial tertentu diberikan pada ketiga
terminal ini.

Basis

Resistansi antara kolektor

dengan emitor sangat tinggi

Emitor

Gambar 6.8. Pembiasan pada tiga daerah Transistor

Pada hubungan seperti yang terlihat dalam gambar diatas, reisitansi antara kolektor dan
emitor sangat tinggi, sehingga arus yang sangat kecil akan mengalir melalui lampu. Tiap
arus, yang mengalir disebut arus bocor dan ini disebabkan oleh pembawa minoritas.
Transistor dibias maju
Jika terminal basis disambung dengan kolektor, pertemuan emitor basis menjadi terbias
maju dan transistor mulai menghantar (lihat gambar dibawah). Resistansi antara emitor
dan kolektor jatuh dengan tajam menyebabkan arus cukup untuk menyalakan lampu.

104

Lampu MENYA
Pencatu Daya
DC

Pertemuan emitor basis

menjadi terpanjar maju

Kolektor

Gambar 6.9. Transistor dibias maju

Jika basis diberi bias yang benar, transistor HIDUP dan berfungsi seperti sakelar .

Basis

Emitor

Gambar 6.10. Basis diberi bias dengan benar

Sakelar transistor dapat beroperasi dalam jutaan siklus per detik dan tidak memiliki
bagian yang bergerak. Hal ini membuatnya lebih unggul dari pada elemen sakelar listrik
ataupun elektromagnetik
Transistor dibias mundur
Ketika basis dihubungkan dengan emitor, pertemuan emitor basis terbias terbalik dan
lampu akan MATI karena resistansi yang sangat tinggi yang timbul antara emitor dan
kolektor. Dalam keadaan ini, transistor disebut dibias mundur . Marilah kita lihat gambar
105

Pencatu Daya
DC

dibawah ini, akan tampak transistor yang dibias mundur.

Sama dengan ini

Gambarb 6.11. Transistor dibias mundur

Lampu MATI

Sekarang kita lihat, basis dibias nol (transistor dibias mundur), maka ketika dihubungkan
seperti gambar dibawah ini, transistor MATI (OFF)

Gambar 6.12. Rangkaian yang MEMATIKAN (MENG OFF KAN) transistor

Sekarang kita lakukan suatu percobaan dengan menggunakan potensiometer geser
seperti pada gambar dibawah ini :

106

Jika Basis dihubungkan dengan penggeser dari potensiometer, maka potensial pada
emitor dan kolektor dapat dikendalikan (Gambar 38). Hal ini menyebabkan keterangan
lampu bervariasi dari MATI sepenuhnya sampai MENYALA sepenuhnya.

Gambar 6.13. Rangkaian dengan potensiometer

Ketika penggeser berada paling dekat dengan kolektor, lampu menyala paling terang. Jika
penggeser digerakkan menuju emitor, lampu akan meredup. Potensiometer dalam
rangkaian ini digunakan untuk mengubah arus basis. Dengan demikian akan mengubah
arus antara emitor dan kolektor. Jadi dengan kata lain, kita dapat mengendalikan arus
antara emitor dan kolektor dengan cara merubah-rubah besarnya arus basis..
Perbandingan arus kolektor dengan arus basis disebut beta DC yang besarnya konstan.
Sebagai contoh, apabila kita memilih sebuah transistor dengan beta DC sebesar 10,
artinya arus kolektor selalu 10 kali arus basisnya sehingga disebut sebagai penguat.
Jika arus basis yang masuk didapatkan dari mikropon , dan sebuah pemulih suara
disambung dengan rangkaian kolektor, sinyal yang dihasilkan oleh mikropon akan
dikuatkan dalam pemulih suara. Ini menggambarkan bagaimana BJT dapat digunakan
sebagai sebuah penguat audio , seperti pada gambar dibawah ini .

107

Output
(Pengeras suara)

Gambar 6.14. Rangkaian Penguat Audio

Rangkaian yang menunjukkan bagaimana BJT dapat digunakan
sebagai sebuah penguat audio
Karakteristik transistor yang umum adalah :
-

adalah factor penguat transistor disebut juga H FE, , untuk BJT diproduksi

dengan harga sampai 100.

-

dikendalikan oleh Ib ( arus pengendali / pengontrol )

I E IC I B

IC / I B
-

Pada transistor Bipolar (BJT) berlaku :

+
-

Konfigurasi yang dilakukan adalah common basis dan common emitor.

Input

6.4. FIELD EFFECT TRANSISTOR ( F E T )

FET dibagi beberapa type yaitu :
-

(Mikropon)

JFET ( Junction Field Effect Transistor )

108

MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor FET )

MESFET ( Metal Semiconductor FET )

HFET ( Heterostructure FET) dan MODFET ( Modulation Doped FET )

Gambar 6.15. Simbol dari Field Effect Transistor ( F E T )

6.4.1 Junction F E T :
JFET kanal N ( N channel ): mempunyai tiga terminal yaitu Drain , Source dan Gate

109

Gambar 6.16. Junction FET

Untuk : VGS = 0 ; VDS (+)

Gambar 6.17. Karaktaristik JFET kanal N

IDSS adalah arus Drain Source maksimum (saturasi ), yaitu pada :
110

VGS = 0 dan VDS lebih besar dari VP

Dimana VP adalah tegangan Pinch-off

Untuk VGS

111

Nilai VGS yang menghasilkan ID = 0 adalah VGS = VP , dimana harga VP negatip

untuk JFET kanal N.

Gambar 6.18. JFET kanal P ( P channal)

V
I D I DSS 1 GS

V p

KARAKTERISTIK TRANSFER :

Karakterisik ini tidak dipengaruhi o;eh rangkaian.

112

Gambar 6.19. Karakteriatik Tranfer JFET

Contoh : gambarkan kurva Karakteristik JFET dengan IDSS = 12 mA dan VP = - 6 Volt

V
I D I DSS 1 GS

V p

Dengan rumus

Dengan memasukan harga VGS mulai dari 0 Volt sampai -6 volt, seperti :
VGS = 0 V

ID = 12 mA

VGS = -6 V

ID = 0 mA

VGS = =3 V

ID = 3 mA dan seterusnya ,

Maka akan didapat kurva karakteristik dari JFET tersebut seperti terlihat pada gambar
berikut :

113

Gambar 6.20. Kurva Karakteristik JFET kanal P

Contoh kedua adalah , gambarkan kurva karakteristik JFET kanal P dengan IDSS = 4 mA
dan VP = 3 Volt
Jawab : dengan cara yang sama seperti diatas didapat :

114

6.4.2. MOSFET type Depletion

Gambar 6.21. Simbol MOSFET type Depletion (deplesi/pengosongan)

Gambar 6.22. Pembiasan MOSFET type Depletion

Dengan menggunakan rumus karakteristik transfer,yaitu

V
I D I DSS 1 GS

V p

115

Maka akan kita dapatkan karakteristik dariMOSFET tersebut.

Gambar 6.23. Karakteristik MOSFET type Depletion

6.4.3. MOSFET type Enhancement

Gambar 6.24. Simbol MOSFET type Enhancement (peningkatan)

116

Pada MOSFET type enhancement (peningkatan) berlaku :

k

I D ( on)

GS ( on)

VT

I D k (VGS VT ) 2
Dimana ,

Gambar 6.25. Karakteristik MOSFET type enhancement kanal P ( P channel)

Cobalah , gambarkan kurva dari MOSFET type enhancement kanal N ( N-channel) yang :
ID (ON) = 10 mA
VGS (ON) = 8 Volt
VT = 2 Volt

117

6.5. RANGKUMAN
1. Daftar tipe transistor ditunjukkan dalam tabel berikut.
Transistor
BJT

Arti dan Kegunaan

Bipolar Junction Transistor ( Transistor Pertemuan Dua Kutub kegunaan umum pensakelaran dan penguatan)

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor (Transistor Dua Kutub Pintu

Terisolasi)

FET

Field Effect Transistor ( Transistor Efek Medan - amplifier impedansi

tinggi)

VFET

Vertical channel Field Effect Transistor (Transistor Efek Medan

saluran Vertikal - Aplikasi Daya Tinggi)

MOSFET

Metal Oxiside Field Effect Transistor (Transistor Efek Medan

Oksidasi Logam)

2. Transistor Bipolar (BJT)

Semi-konduktor adalah bahan yang memiliki empat elektron pada kulit valensinya.
Dua bahan semi-konduktor yang paling umum digunakan adalah Silikon dan
Germanium.
Ketika atom bahan semi-konduktor yang berdekatan membagi elektron valensi, atom
tersebut membentuk susunan geometrik melalui ikatan kovalen.
Untuk meningkatkan konduktivitas bahan

semi-konduktor, sejumlah kecil atom

ditambahkan melalui proses yang disebut pengotoran. Atom pengotoran ini disebut
donor.
Jika bahan donor memiliki lima elektron valensi, semi-konduktor yang dikotori akan
memiliki akses elektron dan menjadi semi-konduktor tipe-N.

118

Jika bahan donor memiliki tiga elektron valensi, semi-konduktor yang dikotori akan
memiliki akses lubang dan menjadi semi-konduktor tipe-P.
Pertemuan PN terbentuk ketika sepotong bahan semi-konduktor murni dikotori tiap
ujungnya dengan masing-masing tipe atom donor.
Perpindahan muatan melewati pertemuan PN menyebabkan terjadinya wilayah
kosong. Wilayah ini tidak memiliki pembawa muatan tetapi membentuk potential
barrierf. Tingkat potensial barrier ini menunjukkan apakah semi-konduktor tersebut
terbuat dari silikon atau germanium.
Transistor pertemuan dua kutub (BJT) memiliki dua pertemuan PN dan tiga terminal
yaitu basis, kolektor dan emitor.
Untuk pengujian, BJT dapat dilihat sebagai dua dioda pertemuan PN yang
dihubungkan saling membelakangi.
Apabila resistansi antara emitor dan kolektor BJT tiba-tiba jatuh ketika arus mengalir
pada rangkaian basis, transistor tersebut terbias maju dan HIDUP.
Bias terbalik pada sebuah BJT akan menyebabkan BJT MATI dan menghalangi arus
mengalir antara emitor dan kolektor .
BJT dapat digunakan untuk menguatkan sinyal kecil yang dikenakan di antara basis
dan emitornya untuk menghasilkan sinyal yang jauh lebih besar di antara kolektor dan
emitor.
3. Field Effect Transistor ( F E T )
Field Effect Transistor ( F E T ) adalah piranti tiga terminal seperti halnya transistor BJT.
Perbedaan utama dari kedua transistor ini adalah bahwa BJT adalah piranti yang
dikontrol oleh arus, sedangkan FET adalah piranti yang dikontrol tegangan.

119

I
(kontro
I BC
l arus)
B
J
T

I
+
FD
V -E
(ko
ntrG T
olS
teg
Gambar 6.26. Perbandingan
ang BJT dan FET
an)

Satu carrier :
elektron (n-channel)
atau holes (p-channel)

Field Effect Transistor ( F E T ) terdiri dari :

-

JFET (Junction FET)

MOSFET (Metal Oxide Semikonduktor FET)

6.6. SOAL SOAL LATIHAN

1. Apakah pengertian dari Transistor Bipolar dan Transistor Unipolar
2. Jelaskan mengapa BJT disebut sebagai kontrol arus, sedangkan FET sebagai control
tegangan.
3. Gambarkan kurva karakteristik JFET dengan IDSS = 12 mA, dan VP = -4 Volt
4. Gambarkan konfigurasi common Emitor dari transistor bipolar NPN dan PNP

120

5. Apakah yang dimaksud dengan karakteristik garis beban DC pada BJT.

121