MODUL 2 KARAKTERISTIK BJT

Andri Broari Simanjuntak (14S15003)

Tanggal Percobaan: 13/03/2017
EL22203-Praktikum Elektronika 1
Laboratorium Dasar Teknik Elektro Institute Teknologi Del
Abstrak
Praktikum kali ini akan menunjukkan karakteristik transistor Hubungan matematis antara besarnya arus kolektor (IC),
BJT dan teknik bias dengan rangkaian diskrit dan sumber arus basis (IB), arus emitter (IE):
arus konstan. Dengan mengubah-ubah kondisi rangkaian,
seperti resistansi yang akan mengakibatkan perubahan KURVA KARAKTERISTIK IC-VBE
tegangan, maka praktikan dapat memproyeksikan data-data Karena:
tersebut pada kurva yang dapat menghasilkan beberapa Maka kurva yang terbentuk:
kesimpulan
Kata kunci: BJT, karakteristik, transistor.

PENDAHULUAN
Tujuan praktikum kali ini adalah untuk
memahami karakteristik transistor BJT, teknik bias Gambar 3: Kurva karakteristik IC-VBE
dengan rangkaian diskrit dan teknis bias dengan
sumber arus konstan. Percobaan dilakukan
dengan rangkaian yang telah ditentukan Transkonduksi dan transistor merupakan
menggunakan kit praktikum. kemurungan kurca.
KURVA KARAKTERISTIK IC-VCE
STUDI PUSTAKA
Titik kerja transistor dibagi 3: daerah aktif,
TRANSISTOR BJT saturasi, dan cut-off. Kondisinya sebagai berikut:
Ada dua jenis transistor: bipolar dan unipolar. Mode IC VCE VBE VCB Bias B-C Bias B-E
Pada praktikum ini akan digunakan transistor Kerja
bipolar. Simbol hubungan antara arus dan
Aktif 0 Reverse Forward
tegangan dalam transistor ditunjukkan sebagai
berikut.
Saturasi Max Forward Forward

Cut-Off 0 0

Kurva karaktaresitiknya ditunjukkan seperti

Gambar 1: Transistor BJT NPN
berikut:

Gambar 2: Transistor BJT PNP

Gambar 4: Kurva karakteristik IC-VCE

METODOLOGI Susun rangkaian Plot grafik linear.
Pilih dua titik IB-
seperti pada Tentukan
Alat dan Komponen gambar 6.
VCE berbeda.

DC power supply
Kit Percobaan Karakteristik & Rangkaian
Bias Lakukan seperti Susun rangkaian
sebelumnya. seperti gambar 7.
Sumber arus konstan
Multimeter 4 buah
Bagan 3: Percobaan 3
Osiloskop
Generator sinyal
Karakteristik Input Transtistor IB-VBE

Susun rangkaian seperti

gambar 5. Potensio RB2
Ubah-ubah RB2
pada posisi minimum. VCC
= 10.

Gambar 6: Pembiasan dengan arus konstan

Catat setiap nilai IB dan IC

Bagan 1: Percobaan 1

Gambar 7: Pembiasan diskrit

Pengaruh Bias pada Kerja Transistor

Atur VCE dan IC agar

Susun rangkaian transistor berkerja
seperti gambar 8. pada daerah aktif,
saturasi dan cut-off.

Gambar 5: Percobaan 1
Karakteristik Output Transistor IC-VCE
Sambungkan VIN ke
Susun rangkaian
seperti pada
Dari arus IB = 0, Catat IC. Ulangi generator sinyal f = 1
gambar 6.
ubah-ubah VCE. untuk IB yang lain. kHz VPP= 50mV. VOUT
ke osiloskop.

Bagan 4: Percobaan 4
Susun rangkaian
Lakukan seperti seperti gambar 7.
sebelumnya. VCC = 10.

Bagan 2: Percobaan 2

Early Effect

Gambar 8: Percobaan 4
HASIL DAN ANALISIS Ic
Karakteristik Input Transistor IB-VBE VCE
IB= IB = IB = 150 IB =300
VB (v) VC (v) 0 25A A A
0 0 0,1 0,1 A 0,1
1 1,8
0,1 0 25,56 36,81 46,6
0,8 0 0,3 0 47,3 99,2 177
0,5 0 52,9 100,6 195,1
0,4 0
1 0 54,9 103,7 206,2
Tabel 1: Hasil Percobaan 1
2 0 57 111,2 217,8
5 0 60,5 126,7
IB (mA) Tabel 2: Hasil percobaan 2 dengan sumber arus konstan

500 Daerah
Daerah Aktif
IB = 0
400 Saturasi
IB = 25 A
300
IB = 150 A
IB (mA) 200
IB = 300 A
100 IB = 1.2 mA
Daerah Cut-Off IB = 1.6
VBE 0,2 0,5 0,58 0,66
0 0.1 0.3 0.5 1 2 5
(V)

Gambar 9: Grafik Percobaan 1 Gambar 10: Kurva Karakteristik IC-VCE

Grafik agak kaku karena dibuat dengan MS-Excel.

Kurva hubungan IB-VBE eksponensial. Ini
disebabkan hubungan antara IB-IC yang linear
sehingga apabila IC berubah secara
ekponensial terhadap VBE, maka IB juga berubah
secara ekponensial terhadap VBE.
Apabila percobaan terus dilakukan dengan
tegangan yang lebih besar, maka arus IB akan naik
jauh lebih besar lagi.
Karakteristik Output Transistor IC-VCE
A. Pembiasan dengan arus konstan
Mempertimbangkan titik breakdown
transistor, pada VCE = 5 V tidak semua
kondisi IB dicoba. Ini disebabkan apabila daya
berlebih melalui transistor, transistor akan
rusak.
Pada percobaan yang ini, ada beberapa kali
penggantian multimeter dan satu kali penggantian
transistor. Penggantian multimeter tidak terlalu
mempengaruhi data, tetapi penggantian transistor
mungkin mempengaruhi. Transistor diganti dari
2n2222 ke KSP2222A. Keduanya sama-sama
transistor BJT NPN, tetapi memiliki nilai
breakdown berbeda, dan sedikit perbedaan pada
titik kerja.
Dari grafik bisa dilihat ketiga daerah kerja
transistor: daerah aktif, daerah saturasi, dan
daerah aktif. Saat IB mendekati 0, arus tidak akan
mengalir dari IC, seberapapun besarnya VCE. Pada
bagian ini, transistor berada pada kondisi cut-off;
tidak ada arus yang lewat.
Daerah saturasi adalah daerah dimana hubungan
antara IC dengan VCE mendekati linear. Daerah
saturasi dan cut-off digunakan transistor yang
dimanfaatkan sebagai switch.
Daerah aktif adalah daerah yang penguatan I C
mendekati linear terhadap IB, tetapi nyaris tidak
dipengaruhi VCE. Pada bagian ini, transistor bisa
digunakan sebagai amplifier.
Ini sesuai dengan konsep transistor yang bisa
digunakan sebagai switch atau amplifier
tergantung rangkaian yang dibuat.
B. Pembiasan Diskrit Dari grafik, perpotongan antara kedua garis
berada pada VCE = 7 V. Seharusnya,
IC perpotongan berada pada VCE yang lebih
VCE kecil dari 0. Ini karena gradien garis
IB= IB = IB = IB
keduanya seharusnya tidak terlalu jauh pada
0 25A 150 =3
A 001,7 daerah aktif. Kesalahan bisa terjadi pada saat
0 0 1,72 1,73 pengukuran.
4
0,1 0 28,8 57,6 A46, B. Pembiasan Diskrit
0,3 0 33 85,7 A6
VCE IC
0,5 0 37,6 88
1 0 38,6 89,1 IB = 0.05 IB = 0.1
2 0 39,3 93,8
7,77 12.8 31.8
5 0 43
1,45 32.3
Tabel 3: Hasil percobaan 2 dengan pembiasan diskrit 0,47 14.8
Daerah Tabel 5: Percobaan 3 dengan pembiasan diskrit
500
Daerah
AktifIB = 0
400 Saturasi
IB = 25 A
300
IB = 150 A
200 IB = 300 A
100 IB = 1.2 mA
IB = 1.6
Daerah Cut-Off
0 0.1 0.3 0.5 1 2 5
Gambar 13: Percobaan 3 dengan pembiasan diskrit
Gambar 11: Kurva karakteristik IC-VCE
Karena masalah yang sama dengan
Data tidak bisa didapatkan secara lengkap karena percobaan 2B, data yang didapat tidak
potensiometer pada kit memiliki batas. menggunakan titik VCE yang sama.
Potensiometer mencapai maksimum. VCE
maksimum yang bisa didapat berubah-ubah setiap Early voltage yang didapat adalah sekitar
karena untuk merubah IB juga menggunakan 165 V.
potensiometer. Seharusnya, bentuk grafik yang terjadi
Dari data yang ada, bisa dilihat bahwa daerah seperti berikut[3].
kerja yang didapat hampir sama. Perbedaannya
ada pada besar arus IC yang masuk transistor. Ini
disebabkan arus IC yang masuk merupakan hasil
dari pembagian arus dengan IB.
Early Effect
A. Pembiasan dengan sumber arus konstan
VCE IC
Gambar 14: Grafik early effect yang seharusnya
IB = 0.05 IB = 0.1
Pengaruh Bias pada Kerja Transistor
5 14,63 35
10 161,9 164,9 Karena waktu tidak cukup, percobaan 5 dilakukan
Tabel 4: Percobaan 3 dengan sumber arus konstan dengan simulasi pada EWB.

VIN dan VOUT

Daerah Cut-Off
IB = 0,2 mA
IC = 0,1 mA
VCE = 0,47
Gambar 12: Grafik percobaan 4 dengan sumber arus V VBE = 0
konstan
V
Daerah Aktif
IB = 0,4 mA
IC = 126,7 mA

VCE = 7,7 V
VBE = 0 V

Tabel 6: Tabel grafik VIN (merah) dan VOUT (kuning).

Pada daerah cut-off, output frekuensinya sama

dengan input dan tegangannya sangat kecil
(mendekati 0. Skala garis kuning 50uV/div dan
merah 20V/div). Selain itu, pada daerah cut-off,
saat tegangan input negatif, arus tidak mengalir.
Pada daerah saturasi, seberapapun besarnya input,
tegangan output yang dihasilkan tetap sama
(Skala garis kuning 50mV/div dan merah
20V/div). Pada kondisi ini, tegangan pada output
cukup terlihat.
Pada daerah aktif, seberapapun besarnya
tegangan input, tegangan outputnya akan tetap
sama dengan VCE.

KESIMPULAN
Hubungan antara IB-VBE eksponensial,
sama dengan hubungan IC-VBE karena IB-
IC linear.
Ada 3 daerah kerja transistor: daerah aktif,
saturasi, dan cut-off.
Pada daerah aktif, terjadi penguatan arus.
Pada daerah saturasi, hubungan I C-VCE
mendekati linear.
Pada daerah cur-off, hampir tidak ada
arus yang mengalir pada IC.

DAFTAR PUSTAKA
Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith, Microelectronic
Circuits, ed 5, Hal. 236-261, Oxford University
Press, USA, 2004.
Mervin T. Hutabarat, Modul Praktikum Elektronika,
Hal. 15-26, Penerbit ITB, Bandung, 2012
http://en.wikipedia.org/wiki/Early_effect, 21
Februari 2012, 16:07.
 Lampiran
Percobaan 1 : Karakteristik Input Transistor IC- dinaikkan/diturunkan.
VBE
Pada Ch-1

Pada saat frekuensi generator sinyal Pada Ch-2

dinaikkan/diturunkan.

Pada saat arus IB diubah-ubah.

Percobaan 2 : Karakteristik Input Transistor Ic- a. Saat arus 25
Vce

Pada saat frekuensi generator sinyal

 d. Saat arus 100

b. Saat arus 50

e. Saat arus 150

c. Saat arus 75
f. Saat arus 200 Catatan: saat besar arus melewati 300 tidak ada
perubahan yang signifikan pada kurva yang
dihasilkan.

Percobaan 3 : Early Effect

a. Saat arus 25

b. Saat arus 50

g. Saat arus 300

c. Saat arus 75
d. Saat arus 100 f. Saat arus 200

g. Saat arus 300

e. Saat arus 150

Pengaruh Bias pada Kerja Transistor