KELOMPOK :3
ANGGOTA KELOMPOK : 1. ISTIVAN NUR PERMADI
2. NABILLA SELGHEA
3. NUR FADHILLAH SANI
KELAS : T. Telekomunikasi 3D
MATA KULIAH : LAB. ELKA ANALOG
II.DASAR TEORI
Transistor merupakan komponen dasar untuk sistem penguat. Untuk bekerja sebagai penguat,
transistor harus berada dalam kondisi aktif. Kondisi aktif dihasilkan dengan memberikan bias
pada transistor. Bias dapat dilakukan dengan memberikan arus yang konstan pada basis atau
pada kolektor. Untuk kemudahan, dalam praktikum ini akan digunakan sumber arus konstan
untuk “memaksa” arus kolektor agar transistor berada pada kondisi aktif. Jika pada kondisi aktif
transistor diberikan sinyal (input) yang kecil, maka akan dihasilkan sinyal keluaran (output) yang
lebih besar. Hasil bagi antara sinyal output dengan sinyal input inilah yang disebut faktor
penguatan, yang sering diberi notasi A atau C.
Ada 3 macam konfigurasi dari rangkaian penguat transistor yaitu : Common-Emitter (CE),
Common-Base (CB), dan Common-Collector (CC). Namun yang akan dibahas kali ini adalah
konfigurasi Common Base.
Dalam praktikum ini yang dipergunakan adalah jenis npn. Arus basis I dibuat kecil dengan
B
membuat lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi oleh karena rekombinasi antara lubang
dan elektron bebas yang ada di basis. Rekombinasi ini akan menyebabkan banyak atom donor
yang kehilangan elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan
mengalir ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah arus basis itu.
Tampak bahwa arus kolektor : I = I - I Arus basis ini sebanding dengan arus emitor, yaitu
C E B.
I = αI . Parameter α disebut penguat arus untuk basis ditanahkan, oleh karena pada rangkaian di
C E
atas basis dihubungkan dengan tanah. Parameter α mempunyai nilai hampir sama dengan satu,
yaitu :
α = 0,990 - 0,998
Lengkung ciri masukan transistor dengan hubungan basis ditanahkan sama dengan
lengkungan ciri Statik dioda dalam keadaan panjar maju oleh karena sambungan emitor-basis
diberi panjar maju, gambar berikut:
Ciri keluaran statik menyatakan bagaimana arus kolektor i berubah dengan V untuk
C CB
berbagai nilai arus statik dari emitor I . Lengkung ciri statik transistor dengan hubungan basis
E
ditanahkan ditunjukkan pada gambar di bawah ini untuk transistor jenis npn.
III.ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN
1. DC power supply 2 buah
2. Transistor 1kΩ 2 buah
3. Transistor NPN BC 107 1 buah
4. Multimeter 3 buah
5. Kabel-kabel penghubung
B. Karakteristik Output
5. Menghubungkan rangkaian seperti pada gambar 2.
6. Mengatur V sehingga V = 0V. kemadian atur pula V = 0V. lalu mengukur I
CC CB EE E
I.
C
V.GAMBAR RANGKAIAN
Gambar 1. Rangkaian Karakteristik input
Gambar 1. Rangkaian Karakteristik output
V EE
V = 0V
CB V = 2V
CB V = 4V
CB V = 6V
CB
(V)
I E VEB I E V EB I E VEB I E V EB
V = 0V
CB V = 2V
CB V = 4V
CB V = 6V
CB
I E CI I E I
C I E I
C I E CI
(mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA)
0 0 0 0 0 0 0 0
1 0.6 1 1.3 1 1.35 1 1.3
2 0.65 2 2.05 2 2.05 2 2.05
3 0.6 3 3.5 3 3.5 3 3.5
4 0.65 4 4 4 4 4 4
Tabel 2. Karakteristik Output
VII.PERHITUNGAN
R =V /I
in EB E
*V = 0 Volt
CB * V = 2 Volt
CB * V = 4 Volt
CB
*V = 6 Volt
CB *V = 8 Volt
CB
- 0/0 = ~ - 0/0 = ~
- 0.7/1.35 = 0.51 - 0.6/1.35 = 0.44
- 0.6/3.5 = 0.17 - 0.6/3.5 = 0.17
- 0.75/5.25 = 0.14 - 0.6/5.3 = 0.11
- 0.7/7.5 = 0.093 - 0.7/7.5 = 0.09
Rout = V /I CB E
*V = 0 Volt
CB * V = 2 Volt
CB * V = 4 Volt
CB
*V = 6 Volt
CB *V = 8 Volt
CB
- 6/0 = ~ - 8/0 = ~
- 6/1 = 6 - 8/1 = 8
- 6/2 = 3 - 8/2 = 4
- 6/3 = 2 - 8/3 = 2.6
- 6/4 = 1.5 - 8/4 = 2
H = I /I → I = I ; Maka H = I /I
FE C B B E FE C E
*V = 0 Volt
CB * V = 2 Volt
CB Saat V = 4V, 6V dan 8V datanya
CB
VIII.ANALISA
Karakteristik i-v BJT dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita
tentang diode dan pengoperasian transistor.
Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju, maka karakteristik masukan
rangkaian ini (gambar b) mirip dengan karakteristik diode (gambar a). Terlihat bahwa efek dari
tegangan kolektor-basis CB v cukup kecil. Dengan CB v berharga positif dan emitor hubung
terbuka, = 0 E i volt dan bagian basis-kolektor pada dasarnya berpanjar mundur. ( CB v berharga
negatif akan membuat sambungan kolektor-basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga
negatif).
Untuk E C CBO i = 0, i ≅ I (lihat gambar c), karakteristik kolektor mirip dengan karakteristik diode
gambar 10.2-a pada kuadran tiga. Untuk = −5 E i mA, arus kolektor meningkat sebesar − ≅ +5
E α i Ma dan menampakkan bentuk kurva. Karena faktor α selalu lebih kecil dari satu ( = β / β
+1), maka secara praktis konfigurasi basis-bersama tidak baik sebagai penguat arus.
Pada karakteristik input digambarkan hanya satu buah garis kurva karena perbedaan antara
variasi harga V hanya sedikit sekali pada tiap nilai V , sehingga dapat diambil satu garis kurva
EB CB
saja
IX.DAFTAR PUSTAKA
http://www.en.wikipedia.org/commonbase
http://www.trensains.com/transistorcircuit.htm
dan berbagai sumber lain
LAMPIRAN
AN VIII
KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON BASIS
KELOMPOK :3
ANGGOTA KELOMPOK : 1. ISTIVAN NUR PERMADI
2. NABILLA SELGHEA
3. NUR FADHILLAH SANI
KELAS : T. Telekomunikasi 3D
MATA KULIAH : LAB. ELKA ANALOG
XI.DASAR TEORI
Transistor merupakan komponen dasar untuk sistem penguat. Untuk bekerja sebagai penguat,
transistor harus berada dalam kondisi aktif. Kondisi aktif dihasilkan dengan memberikan bias
pada transistor. Bias dapat dilakukan dengan memberikan arus yang konstan pada basis atau
pada kolektor. Untuk kemudahan, dalam praktikum ini akan digunakan sumber arus konstan
untuk “memaksa” arus kolektor agar transistor berada pada kondisi aktif. Jika pada kondisi aktif
transistor diberikan sinyal (input) yang kecil, maka akan dihasilkan sinyal keluaran (output) yang
lebih besar. Hasil bagi antara sinyal output dengan sinyal input inilah yang disebut faktor
penguatan, yang sering diberi notasi A atau C.
Ada 3 macam konfigurasi dari rangkaian penguat transistor yaitu : Common-Emitter (CE),
Common-Base (CB), dan Common-Collector (CC). Namun yang akan dibahas kali ini adalah
konfigurasi Common Base.
Dalam praktikum ini yang dipergunakan adalah jenis npn. Arus basis I dibuat kecil dengan
B
membuat lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi oleh karena rekombinasi antara lubang
dan elektron bebas yang ada di basis. Rekombinasi ini akan menyebabkan banyak atom donor
yang kehilangan elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan
mengalir ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah arus basis itu.
Tampak bahwa arus kolektor : I = I - I Arus basis ini sebanding dengan arus emitor, yaitu
C E B.
I = αI . Parameter α disebut penguat arus untuk basis ditanahkan, oleh karena pada rangkaian di
C E
atas basis dihubungkan dengan tanah. Parameter α mempunyai nilai hampir sama dengan satu,
yaitu :
α = 0,990 - 0,998
Lengkung ciri masukan transistor dengan hubungan basis ditanahkan sama dengan
lengkungan ciri Statik dioda dalam keadaan panjar maju oleh karena sambungan emitor-basis
diberi panjar maju, gambar berikut:
Ciri keluaran statik menyatakan bagaimana arus kolektor i berubah dengan V untuk
C CB
berbagai nilai arus statik dari emitor I . Lengkung ciri statik transistor dengan hubungan basis
E
ditanahkan ditunjukkan pada gambar di bawah ini untuk transistor jenis npn.
XII.ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN
6. DC power supply 2 buah
7. Transistor 1kΩ 2 buah
8. Transistor NPN BC 107 1 buah
9. Multimeter 3 buah
10. Kabel-kabel penghubung
D. Karakteristik Output
13. Menghubungkan rangkaian seperti pada gambar 2.
14. Mengatur V sehingga V = 0V. kemadian atur pula V = 0V. lalu mengukur I
CC CB EE E
I.
C
XIV.GAMBAR RANGKAIAN
Gambar 1. Rangkaian Karakteristik input
V EE
V = 0V
CB V = 2V
CB V = 4V
CB V = 6V
CB
(V)
I E V EB I E V EB I E VEB I E V EB
V = 0V CB V = 2V
CB V = 4V
CB V = 6V
CB
I E CI I E IC I E CI I E CI
(mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA)
0 0 0 0 0 0 0 0
1 0.6 1 1.3 1 1.35 1 1.3
2 0.65 2 2.05 2 2.05 2 2.05
3 0.6 3 3.5 3 3.5 3 3.5
4 0.65 4 4 4 4 4 4
Tabel 2. Karakteristik Output
XVI.PERHITUNGAN
R =V /I
in EB E
*V = 0 Volt
CB * V = 2 Volt
CB * V = 4 Volt
CB
*V = 6 Volt
CB *V = 8 Volt
CB
- 0/0 = ~ - 0/0 = ~
- 0.7/1.35 = 0.51 - 0.6/1.35 = 0.44
- 0.6/3.5 = 0.17 - 0.6/3.5 = 0.17
- 0.75/5.25 = 0.14 - 0.6/5.3 = 0.11
- 0.7/7.5 = 0.093 - 0.7/7.5 = 0.09
Rout = V /I CB E
*V = 0 Volt
CB * V = 2 Volt
CB * V = 4 Volt
CB
*V = 6 Volt
CB *V = 8 Volt
CB
- 6/0 = ~ - 8/0 = ~
- 6/1 = 6 - 8/1 = 8
- 6/2 = 3 - 8/2 = 4
- 6/3 = 2 - 8/3 = 2.6
- 6/4 = 1.5 - 8/4 = 2
H = I /I → I = I ; Maka H = I /I
FE C B B E FE C E
*V = 0 Volt
CB * V = 2 Volt
CB Saat V = 4V, 6V dan 8V datanya
CB
XVII.ANALISA
Karakteristik i-v BJT dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita
tentang diode dan pengoperasian transistor.
Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju, maka karakteristik masukan
rangkaian ini (gambar b) mirip dengan karakteristik diode (gambar a). Terlihat bahwa efek dari
tegangan kolektor-basis CB v cukup kecil. Dengan CB v berharga positif dan emitor hubung
terbuka, = 0 E i volt dan bagian basis-kolektor pada dasarnya berpanjar mundur. ( CB v berharga
negatif akan membuat sambungan kolektor-basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga
negatif).
Untuk E C CBO i = 0, i ≅ I (lihat gambar c), karakteristik kolektor mirip dengan karakteristik diode
gambar 10.2-a pada kuadran tiga. Untuk = −5 E i mA, arus kolektor meningkat sebesar − ≅ +5
E α i Ma dan menampakkan bentuk kurva. Karena faktor α selalu lebih kecil dari satu ( = β / β
+1), maka secara praktis konfigurasi basis-bersama tidak baik sebagai penguat arus.
saja
XVIII.DAFTAR PUSTAKA
http://www.en.wikipedia.org/commonbase
http://www.trensains.com/transistorcircuit.htm
dan berbagai sumber lain
LAMPIRAN