Tugas Kelompok

ELEKTRONIKA DAYA

(UJT, MOSFET, DAN IGBTs)

OLEH :

Itha Israwati 082504003

Wisna saputri Alfira Ws 082504005

Muh. Fadly Ishak 082504006

Sitti Musdalifah. D. 082504007

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK

\UNIVERSITAS NEGERI MAKASSAR

2010
 KATA PENGANTAR

Pertama penulis sampaikan rasa syukur kehadirat Allah Swt atas izinNya
sehingga Makalah Komponen-komponen Semikonduktor ini dapat rampung, dengan
berbagai hambatan, dalam proses penyempurnaan ini. Sekalipun masih dalam wujud
apa adanya.

Makalah Komponen-komponen Semikonduktor ini disusun sebagai bahan

diskusi kelompok pada mata kuliah Elektronika Daya. Sangat diketahui bahwa isi
dari makalah ini masih sangat jauh dari kesempurnaan, oleh karena itu masukan dari
pembaca, baik dari mahasiswa, asisten maupun dari para dosen sangat penulis
harapkan untuk kesempurnaan makalah ini.

Selanjutnya ucapan terima kasih penulis sampaikan kepada para Mahasiswa

yang turun membantu dan Tentunya Dosen Pembimbing yang memberikan
pengarahan dalam membantu menyelesaikan makalah ini.

Makassar, 10 Maret 2010

Penulis

Kelompok III
 DAFTAR ISI

Halaman sampul............................................................................................ i

Kata Pengantar.............................................................................................. ii

Daftra Isi....................................................................................................... iii

Bab I Pendahuluan....................................................................................... 1

Bab II Pembahasan........................................................................................ 2

A. UJT (Uni Junction Transistor)......................................................2

B. MOSFET (Metal Oxid semikonduktor Field Effect Transistor)...
C. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor).................................

Bab III Penutup.............................................................................................

Kesimpulan..................................................................................

Daftar Pustaka
 BAB I

PENDAHULUAN

Komponen-komponen semikonduktor merupakan elemen dasar dari

komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated
circuit). Komponen-komponen semikonduktor untuk saklar elektronik yang
merupakan komponen-komponen elektronika daya diantaranya adalah Dioda,
SCR, Transistor, MOSFET, GTO, IGBT, TRIAC, BJT dan sebagainya.
Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan
konduktor murni. Bahan- bahan logam seperti tembaga, besi, timah disebut
sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang
sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas.

Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29

ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). Sebanyak 28 elektron menempati
orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut nucleus. Dibutuhkan
energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini.
Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29, berada pada orbit paling
luar.

Dalam bab 2 akan dibahas Komponen-komponen Elektronika seperti

UJT, MOSFET, dan IGBTs.
 BAB II

PEMBAHASAN

A. UJT (Uni Junction Transistor)

Uni Junktion Transistor (UJT) atau transistor pertemuan tunggal adalah

transistor yang mempunyai satu kaki emitor dan dua basis. Kegunaan transistor ini
adalah terutama untuk switch elektronis. Ada Dua jenis UJT ialah UJT Kanal N dan
UJT Kanal P.

Gambar a. UJT

UJT singkatan dari Unijunction transistor, jenis ini umumnya sangat

jarang digunakan terutama untuk transistor yang bekerja sebagai penguat.
Jenis ini menyerupai jenis transistor lainnya, hanya pada transistor jenis ini
mempunyai lambang yang agak berlainan. Biasanya jenis ini terdiri dari jenis
PN ujt. Pada ujt mempunyai tiga kaki juga, hanya namanya Emitter dengan
dua buah Basis, yaitu:

 Elektroda Basis Satu (Base One Electrode).

 Elektroda Basis Dua (Base Two Elektrode).
 Gambar b. UJT Gambar c. Simbol UJT

UJT mempunyai tiga saluran, sebuah emitor (E) dan dua basis (B1 dan
B2). Basis dibentuk oleh batang silikon tipe-n yang terkotori ringan. Dua
sambungan ohmik B1 dan B2 ditambahkan pada kedua ujung batang silikon.
Resistansi diantara B1 dan B2 ketika emitor dalam keadaan rangkaian terbuka
dinamakan resistensi antarbasis (interbase resistance).

Prinsip Kerja UJT.

UJT dipanjar dengan tegangan positif diantara kedua basis. Ini

menyebabkan penurunan tegangan disepanjang peranti. Ketika tegangan
emitor dinaikkan kira-kira 0,7V diatas tegangan difusi P (emitor), arus mulai
mengalir dari emitor ke daerah basis. Karena daerah basis dikotori sangat
ringan, arus tambahan (sebenarnya muatan pada daerah basis) menyebabkan
modulasi konduktifitas yang mengurangi resistansi basis diantara pertemuan
emitor dan saluran B2. Pengurangan resistansi berarti pertemuan emitor lebih
dipanjar maju, dan bahkan ketika lebih banyak arus diinjeksikam. Secara
keseluruhan, efeknya adalah resistansi negatif pada saluran emitor. Inilah
alasan mengapa UJT sangat berguna, terutama untuk sirkuit osilator
sederhana.
Karakyeristik UJT.

Pada saat VBB = 0 volt dan emitor diberi tegangan positif terhadap B1,
UJT memiliki karakteristik sama dengan diode. Bila tegangan emitter VE = 0
volt dan terminal B2B1 diberi tegangan psitif, maka pada terminal emitter-
basis1 akan dibias mundur sehungga pada emitter akan mengalir arus bocor
yang kecil. Untuk mereduksi arus bocor ini sampai nol, diperlukan tegangan
emitter VE yang lebih besar, yaitu sebesar V1, yakni :

𝑅𝐵1
𝑉1 = 𝑉
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝐵2𝐵1

Pada saat tegangan emitter lebih besar dari V1 akan mengalir arus
maju emitter dengan nilai kecil sampai tegangan emitter sama dengan
tegangan V1 ditambah dengan jatuh tegangan pada diode Vd. Pada kondisi
tegangan ini, tegangan emitter sama dengan tegangan puncak Vp. Dengan
memberika tegangan emitter yang lebih besar dari Vp, akan menyebabkan
kenaikan arus emitter yang besar diikuti dengan jatuh tegangan emitter-basis1.

Seperti pada gambar dibawah.

VE

VP1

VBB1

VBB0
 IE

B. MOSFET (Metal Oxid semikonduktor Field Effect Transistor)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) adalah suatu jenis FET
yang mempunyai satu Drain, satu Source dan satu atau dua Gate. MOSFET
mempunyai input impedance yang sangat tinggi. Mengingat harga yang cukup
tinggi, maka MOSFET hanya digunakan pada bagian bagian yang benarbenar
memerlukannya. Penggunaannya misalnya sebagai RF amplifier pada receiver
untuk memperoleh amplifikasi yang tinggi dengan desah yang rendah.

Dalam pengemasan dan perakitan dengan menggunakan MOSFET

perlu diperhatiakan bahwa komponen ini tidak tahan terhadap elektrostatik,
mengemasnya menggunakan kertas timah, pematriannya menggunakan jenis
solder yang khusus untuk pematrian MOSFET.

Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya

garis untuk saluran dengan kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap
ujung dan membelok kembali sejajar dengan kanal. Garis lain diambil sejajar
dari kanal untuk gerbang. Kadang-kadang tiga segmen garis digunakan untuk
kanal peranti moda pengayaan dan garis lurus untuk moda pemiskinan.

Sambungan badan jika ditampilkan digambar tersambung ke bagian

tengan kanal dengan panah yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panah
selalu menunjuk dari P ke N, sehingga NMOS (kanal-N dalam sumur-P atau
substrat-P) memiliki panah yang menunjuk kedalam (dari badan ke kanal).
Jika badan terhubung ke sumber (seperti yang umumnya dilakukan) terkadang
saluran badan dibelokkan untuk bertemu dengan sumber dan meninggalkan
transistor. Jika badan tidak ditampilkan (seperti yang sering terjadi pada
desain IC desain karena umumnya badan bersama) simbol inversi kadang-
kadang digunakan untuk menunjukkan PMOS, sebuah panah pada sumber
dapat digunakan dengan cara yang sama seperti transistor dwikutub (keluar
untuk NMOS, masuk untuk PMOS).

kanal-P

kanal-N

Untuk simbol yang memperlihatkan saluran badan, di sini

dihubungkan internal ke sumber. Ini adalah konfigurasi umum, namun tidak
berarti hanya satu-satunya konfigurasi. Pada dasarnya, MOSFET adalah
peranti empat saluran, dan di sirkuit terpadu banyak MOSFET yang berbagi
sambungan badan, tidak harus terhubung dengan saluran sumber semua
transistor.

Karakteristik Mosfet.

Disebut juga sebagai daerah linear (atau daerah Ohmik) yaitu ketika
VGS > Vth dan VDS < ( VGS - Vth ).

Transistor dihidupkan dan sebuah kanal dibentuk yang memungkinkan arus

untuk mengalir diantara sumber dan cerat. MOSFET beroperasi seperti sebuah
resistor, dikendalikan oleh tegangan gerbang relatif terhadap baik tegangan
sumber dan cerat. Arus dari cerat ke sumber ditentukan oleh:

dimana μn adalah pergerakan efektif pembawa muatan, W adalah lebar

gerbana, L adalah panjang gerbang dan Cox adalah kapasitansi oksida gerbang
tiap unit luas. Transisi dari daerah eksponensial praambang ke daerah trioda
tidak setajam seperti yang diperlihatkan perhitungan.
C. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate

bipolar transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan
sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai
komponen saklar untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an. IGBT
memiliki impedansi input yang tinggi seperti MOSFET dan rugi konduksi
yang rendah seperti BJT, tetapi strukturnya memilki resistansi drain ke source
RDS yang dapat dikontrol, seperti BJT.

Simbol IGBTs

Gambar. Penampang Umum Transistor IGBTs.

Karakteristik IGBTs.

Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti yang

menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di
atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang
menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Saluran
gerbang dari IGBT, sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan
penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET.

Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET, sedang

terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT.
Dengan demikian, arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus
basis dari BJT. Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET, maka
terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di
pihak lain, arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar
untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh. Dengan gabungan sifat kedua
unsur tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah
saklar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di
pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang
dikendalikannya.

Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat

tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya
terdiri dari rangkaian logika. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian
pengendali dan penggerak dari IGBT.

Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi

dibandingkan peranti BJT, meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang
setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang
menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT. Dengan kata lain, pada
saat keadaan menghantar, nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil,
menyerupai Ron pada BJT.

Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya pada saat
keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan
sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan Ampere, tanpa
terjadi kerugian daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada
perangkat Inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive).

Rangkaian ekivaelen IGBT dibuat dari empat alternative lapisan

PNPN adan akan terkancing seperti thyristor yang memberikan kondisi
penting

(𝛼𝑛𝑝𝑛 + 𝛼𝑃𝑁𝑃 ) > 1 . IGBT memiliki tiga terminal, yaitu gate,

kolektor, dan emitor yang identik dengan gate, drain, dan source untuk
mosfet. Berikut adalah rangkaian ekivalen IGBTs.
 BAB III

PENUTUP

Kesimpulan

Dari apa yang telah dibahas pada bab sebelumnya, penulis dapat
simpulkan bahwa komponen-komponen semikonduktor merupakan elemen
dasar dari komponen elektronika seperti UJT, MOSFET, IGBTs, DIODA dan
lain sebagainya. UJT merupakan komponen sambungan tunggal P-N, dimana
pada tipe N terdapat dua terminal yaitu terminal B2 dan B1. MOSFET
adalahsuatu kelas transistor efek medan yang popular. Sedangkan IGBTs
merupakan kombinasi kelebihan BJT dan MOSFET serta memiliki impedansi
input yang sangan tinggi. Potongan melintang silicon IGBT identik dengan
MOSFET.
 DAFTAR PUSTAKA

 Syamsurijal, Drs. 2007. Elektronika Daya. Makassar

 http://www.electroniclab.com/index.php?option=com_content&view=article
&id=13:prinsip-dasar-semikonduktor&catid=6:elkadasar&Itemid=7
 http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor
 http://id.wikipedia.org/wiki/MOSFET
 http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_pertemuan_tunggal
 http://www.ilmuku.com/mod/wiki/view.php?id=1834&page=UJT