Jurnal Elektum Vol. 14 No.

1 ISSN : 1979-5564
DOI: https://doi.org/10.24853/elektum.14.1.52-58 e-ISSN : 2550-0678
STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N
Fadliondi
Universitas Muhammadiyah Jakarta
e-mail: fadliondi@yahoo.com

Abstrak
Operasi divais semikonduktor bisa diprediksi secara teliti dengan memakai perhitungan. Rumus-rumus
perhitungan yang digunakan relatif sederhana. Solusinya bisa didapatkan dengan menggunakan persamaan
Poisson atau model transportasi difusi drif. Untuk mengerti mekanisme dari operasi divais, simulasi
perhitungan merupakan cara yang paling cepat. Sementara, struktur dasar dari divais semikonduktor adalah
sambungan p-n. Oleh karena itu, tujuan dari tulisan ini adalah untuk menganalisa secara kuantitatif apakah
yang terjadi di dalam sambungan p-n ketika parameter-parameter seperti suhu, konsentrasi doping dan
tegangan bias diubah-ubah. Efek dari parameter-parameter tersebut telah dihitung. Hasilnya menunjukkan
bahwa potensial elektrostatis, medan listrik dan lebar deplesi paling dipengaruhi oleh konsentrasi doping dan
tegangan bias.
Katakunci : hubungan p-n, p-n junction, semikonduktor, donor, akseptor

adalah tidak bergantung terhadap waktu.  adalah

1 Pendahuluan potensial elektrostatis dan merupakan fungsi x. 
Hubungan p-n sangat penting pada bidang adalah fungsi distribusi muatan[5].
elektronika dan elektro. Hubungan p-n merupakan
struktur dasar dari divais semikonduktor. Karakter 𝑑2𝜓 𝜌
2
=− (1)
rektifikasi dihasilkan oleh perbedaan besar antara 𝑑𝑥 𝜀
arus maju dan arus balik [1]. Penemuan transistor
merupakan titik awal dari bidang elektronika saat Ada beberapa cara untuk menyelesaiakn
ini. Hubungan p-n merupakan daerah kontinyu persamaan Poisson. Transformasi Laplace adalah
dimana daerah dengan pengotor jenis p dan jenis n salah satunya. Transformasi Laplace untuk fungsi
bertemu satu sama lain. Deplesi terjadi pada derivatif kedua diberikan oleh persamaan 2.
antarmuka hubungan karena ada perbedaan 𝑑2𝑦
kerapatan [2]. Karena ada perubahan kerapatan yang ℒ[ ] = 𝑠 2 𝑌 − 𝑠𝑦(0) − 𝑦 ′ (0) (2)
𝑑𝑥 2
sangat cepat, pembwa tidak dapat lagi berdifusi dan
kondisi kenetralan muatan tidak bisa dipertahankan. Pertama, medal listrik dan distribusi muatan di
Jika kondisi seperti ini terjadi, potensial pada daerah dalam semikonduktor tipe n diturunkan. Konsentrasi
p-n bisa dikontrol dengan mudah dengan donor Nd menjadi bermuatan positif di dekat
memberikan tegangan. Semikonduktor sangat hubungan. Jadi persamaan Poisson ada persamaan 1
sensitif terhadap temperature. [3]. Untuk merancang menjadi persamaan 3.
dioda dan transistor, sangat penting untuk
mengetahui distribusi dari potensial elektrostatis, 𝑑 2 𝜓1 𝑞𝑁𝑑
medan listrik dan kerapatan muatan ruang di dalam =− (3)
𝑑𝑥 2 𝜀
divais. Ada juga literatur yang menjelaskan hubugan
p-n pada semikonduktor organik. [4]. Sangat penting Lalu, transformasi Laplace diterapkan pada
untuk mengerti pengaruh parameter seperti suhu, persamaan 3.
konsentrasi doping dan tegangan terhadap lebar
𝑑 2 𝜓1 𝑞𝑁𝑑 1
deplesi, distribusi potensial elektrostatis, medan ℒ[ ] = 𝑠 2 𝛷1 − 𝑠𝜓1 (0) − 𝜓1 ′ (0) = − ∙ (4)
listrik dan kerapatan muatan ruang. 𝑑𝑥 2 𝜀 𝑠

2 Penurunan persamaan Sekarang, 1 didapatkan dalam fungsi s.

Titik awal untuk menganalisa hubungan p-n 𝑞𝑁𝑑 2 𝜓1 (0) 𝜓1 ′ (0)
adalah persamaan Poisson. Persamaan Poisson 𝛷1 = − ∙ + + (5)
2𝜀 𝑠 3 𝑠 𝑠2
diberikan oleh persamaan 1. Persamaan poisson
adalah persamaan diferensial yang menjelaskan Untuk mencari (x), transformasi Laplace
tentang medan potensial yang diberikan oleh balik digunakan.
distribusi kerapatan muatan. Persamaan Poisson

52
Jurnal Elektum Vol. 14 No. 1 ISSN : 1979-5564
DOI: https://doi.org/10.24853/elektum.14.1.52-58 e-ISSN : 2550-0678
dan
𝜓1 (𝑥) = ℒ −1 [𝛷1 ]
𝑞𝑁𝑑 (𝑥 − 𝑥𝑛 )
𝑞𝑁𝑑 −1 2 1 𝐸1 (𝑥) = −𝜓1 ′ (𝑥) = (16)
=− ℒ [ 3 ] + 𝜓1 (0)ℒ −1 [ ] 𝜀
2𝜀 𝑠 𝑠
1 Dengan cara yang sama, potensial elektrostatis
+ 𝜓1 ′ (0)ℒ −1 [ 2 ] (6)
(x) dan medan listrik E2(x) bisa dicari untuk
𝑠
daerah deplesi −𝑥𝑝 ≤ 𝑥 ≤ 0. Sementara, -xp adalah
Sementara dengan menggunakan matematika sisi daerah deplesi pada daerah p dan Na adalah
teknik dari [6], konsentrasi akseptor.
(𝑛 − 1)!
ℒ −1 [ ] = 𝑥 𝑛−1 (7) 𝑞𝑁𝑎 (𝑥 2 + 2𝑥𝑝 𝑥 + 𝑥𝑝 2 )
𝑠𝑛 𝜓2 (𝑥) = (17)
2𝜀
Dengan menerapkan persamaan (7) ke dan
persamaan Eq. (6), (x) didapatkan di mana (0)
ada’0) merupakan tetapan yang harus dicari. 𝑞𝑁𝑎 (𝑥 + 𝑥𝑝 )
𝐸2 (𝑥) = −𝜓2 ′ (𝑥) = − (18)
𝜀
2
𝑞𝑁𝑑 𝑥
𝜓1 (𝑥) = − + 𝜓1 ′ (0)𝑥 + 𝜓1 (0) (8) Karena, potensial elektrostatis dan medan
2𝜀
listrik harus kontinyu pada hubungan (pada x = 0),
Karena medan listrik E1(x) merupakan minus from Eq. (15) to Eq. (18), persamaan (19) dan
dari turunan fungsi potensial elektrostatis, persamaan (20) bisa dicari dengan menggunakan
persamaan 10 didapatkan. persamaan (15) sampai (18).
𝑞𝑁𝑑 𝑥 𝑞𝑁𝑑 𝑥𝑛 2 𝑞𝑁𝑎 𝑥𝑝 2
𝐸1 (𝑥) = −𝜓1 ′ (𝑥) = − 𝜓1 ′ (0) (10) − + 𝑣𝑏𝑖 = (19)
𝜀 2𝜀 2𝜀
Untuk mencari tetapan ’0), medan listrik dan
pada xn diasumsikan 0 dimana xn adalah sisi daerah
deplesi pada bagian n. 𝑁𝑑 𝑥𝑛 = 𝑁𝑎 𝑥𝑝 (20)

𝑞𝑁𝑑 𝑥𝑛 Dari persamaan (19) dan persamaan (20),

𝐸1 (𝑥𝑛 ) = − 𝜓1 ′ (0) = 0 (11)
𝜀 lebar daerah deplesi pada daerah jenis p (xp) dan
lebar daerah deplesi pada daerah jenis n (xn) bisa
Lalu, ’0) bisa didapatkan. didapatkan sebagi berikut.
𝑞𝑁𝑑 𝑥𝑛
𝜓1 ′ (0) = (12) 1 2𝜀𝑉𝑏𝑖 𝑁𝑎 𝑁𝑑
𝜀 𝑥𝑛 = √ (21)
𝑁𝑑 𝑞(𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 )
Untuk mencari (0), potensial elektrostatis
pada xn di asumsikan sebagai vbi dimana vbi disebut dan
tegangan built-in atau tegangan deplesi.
𝑞𝑁𝑑 𝑥𝑛 2 𝑞𝑁𝑑 𝑥𝑛 1 2𝜀𝑉𝑏𝑖 𝑁𝑎 𝑁𝐷
𝜓1 (𝑥𝑛 ) = − + 𝑥𝑛 + 𝜓1 (0) = 𝑣𝑏𝑖 (13) 𝑥𝑝 = √ (22)
2𝜀 𝜀 𝑁𝑎 𝑞(𝑁𝑎 + 𝑁𝐷 )

Lalu, 0) bisa didapatkan. Oleh karena itu, total lebar aerah deplesi, W
2 diberikan oleh persamaan 23.
𝑞𝑁𝑑 𝑥𝑛
𝜓1 (0) = 𝑣𝑏𝑖 − (14)
2𝜀
2𝜀𝑉𝑏𝑖 𝑁𝑎 + 𝑁𝑑
𝑊=√ ( ) (23)
Akhirnya, potensial elektrostatis (x) dan 𝑞 𝑁𝑎 𝑁𝑑
medan listrik E1(x) bisa dicari untuk daerah deplesi
0 ≤ 𝑥 ≤ 𝑥𝑛 . Sementara,
𝑞𝑁𝑑 (𝑥 2 − 2𝑥𝑛 𝑥 + 𝑥𝑛 2 ) 𝑘𝑇 𝑁𝑎 𝑁𝑑
𝜓1 (𝑥) = − + 𝑣𝑏𝑖 (15) 𝑉𝑏𝑖 = 𝑙𝑛 2 (24)
2𝜀 𝑞 𝑛𝑖

53
Jurnal Elektum Vol. 14 No. 1
DOI: https://doi.org/10.24853/elektum.14.1.52-58
ni adalah konsentrasi pembawa instrinsik di
dalam semikonduktor dan merupakan fungsi yang
sangat dipengaruhi oleh suhu.
𝐸𝑔
𝑛𝑖 = √𝑁𝑐 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 (− ) (25)
2𝑘𝑇
NC dan NV masing-masing adalah kerapatan
keadaan pada bagian bawah pita konduksi dan
bagian atas pita valensi. Eg adalah lebar pita
terlarang pada semikonduktor.
3 Hasil dan Pembahasan
Untuk mengetahui pengaruh parameter seperti
suhu, konsentrasi doping, tegangan di dalam
hubungan p-n, ketergantungan potensial
elektrostatis, medan listrik dan lebar daerah deplesi
terhadap parameter-parameter ini dihitung dengan
Microsoft Excel. Gbr 1 menunjukkan distribusi
potensial elektrostatis ketika suhu, konsentrasi
doping dan tegangan panjar mundur diubah.
Persamaan yang digunakan untuk Gbr 1 adalah
persamaan (15) dan (17). Ketika suhu ditingkatkan
dari 273 K ke 373 K, lebar deplesi berkurang dari
54
ISSN : 1979-5564
e-ISSN : 2550-0678
1.3 m ke 1.1 m. Potensial elektrostatis pada sisi
daerah deplesi di daerah n berkurang dari 0.66 V ke
0.47 V. Jika suhu meningkat, lebar deplesi dan
potensial penghalang akan berkurang lagi dan divais
bisa menjadi rusak akibat arus bocor [7]. Ketika
konsentrasi donor ditetapkan pada 1x1015 cm-3 dan
konsentrasi akseptor dinaikkan dari 4x1014 cm-3 ke
4x1015 cm-3, lebar lapisan depesi pada sisi p
berkurang dari 1.16 m ke 0.2 m dan pada sisi n
meningkat dari 0.47 m ke 0.82 m. potensial
elektrostatis pada sisi daerah deplesi pada sisi n
meningkat dari 0.59 V ke 0.64 V. Ketika konsentrasi
akseptor dan donor ditingkatkan dari 4x1014 cm-3 ke
4x1015 cm-3, lebar deplesi di dalam daerah p dan n
meningkat dari 0.95 m ke 0.33 m. Potensial
elektrotatis pada sisi daerah deplesi di dalam daerah
n meningkat dari 0.56 V ke 0.68 V. Ketika tegangan
panjar maju ditingkatkan dari 0 V ke 5 V, potensial
elektrostatis pada sisi daerah deplesi di dalam daerah
n meningkat dari 0.61 V ke 5.61 V.
Jurnal Elektum Vol. 14 No. 1 ISSN : 1979-5564
DOI: https://doi.org/10.24853/elektum.14.1.52-58 e-ISSN : 2550-0678

273 K Na=4x10^14
293 K 8x10^14
313 K 1x10^15
333 K 2x10^15
0,7 353 K 0,7 4x10^15
373 K
0,6 0,6

0,5 0,5
Potensial [V]

Potensial [V]
(a) (b)
0,4 0,4

0,3 0,3
15 -3
0,2 N = 1x10 cm 0,2
a
15 -3 15 -3
0,1 N = 1x10 cm 0,1 N = 1x10 cm
d d

0 0
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5 -1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5
x [m] x [m]

4x10^14 Vr = 0 V
8x10^14 1V
1x10^15 2V
4x10^15 3V
0,8 8x10^15 6 4V
5V
0,7
5
0,6
4
Potensial [V]

Potensial [V]

0,5 (c)

0,4 Na, Nd 3
0,3
2
0,2 (d)
N ,N
a d 1
0,1
0 0
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5 -3 -2 -1 0 1 2 3
x [m] x [m]

Gbr 1 Distribusi potensial elektrostatis dengan mengubah (a) suhu, (b) konsentrasi, (c) konsentrasi donor dan
akseptor (d) tegangan panjar mundur.

Gbr 2 menunjukkan distribusi medan listrik di
dalam hubungan p-n ketika suhu, konsentrasi doping
dan tegangan panjar mundur diubah. Persamaan
yang digunakan untuk Gbr 2 adalah persamaan (16)
dan (18). Ketika suhu ditingkatkan dari 273 K ke
373 K, besar medan listrik pada hubungan (pada x =
0) berkurang dari 10.1 kV/cm ke 8.5 kV/cm. Ketika
konsentrasi akseptor ditingkatkan dari 4x1014 cm-3
ke 4x1015 cm-3, besar medan listrik pada hubungan
(pada x = 0) meningkat dari 7.2 kV/cm ke 12.6
kV/cm. Ketika konsentrasi akseptor dan donor
ditingkatkan dari 4x1014 cm-3 ke 4x1015 cm-3, besar
medan listrik pada hubungan (pada x = 0) meningkat
dari 5.9 kV/cm ke 20.5 kV/cm. Ketika tegangan
panjar mundur ditingkatkan dari 0 V ke 5 V, besar
medan listrik pada hubungan (pada x = 0) meningkat
dari 9.7 kV/cm ke 29.4 kV/cm. Silikon memiliki
medan listrik break down sebesar 500 kV/cm dan
jika medan listrik lebih besar dari harga tersebut,
efek tunel akan terjadi [8].

55
Jurnal Elektum Vol. 14 No. 1 ISSN : 1979-5564
DOI: https://doi.org/10.24853/elektum.14.1.52-58 e-ISSN : 2550-0678

273 K Na=4x10^14
293 K Na = 1x1015 cm-3 8x10^14
313 K 1x10^15
333 K Nd = 1x1015 cm-3 2x10^15
3 353 K 3 4x10^15
r = 11,7
373 K
0
0
Medan listrik [kV/cm]

Medan listrik [kV/cm]

-3
-3
-6
-6
-9
(a) (b)
-9
-12
N = 1x1015 cm-3
d
-12 -15
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5 -1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5
x [m] x [m]

4x10^14 Vr=0 V
8x10^14 1V
1x10^15 2V
4x10^15 3V
5 8x10^15 10 4V
5V
0 5
Medan listrik [kV/cm]

Medan listrik [kV/cm]

0
-5
-5
-10
-10
-15
-15
-20
(c) -20 (d)
-25 -25
-30 -30
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5 -3 -2 -1 0 1 2 3
x [m] x [m]

Gbr 2 Distribusi medan listrik dengan mengubah (a) suhu, (b) konsentrasi, (c) konsentrasi donor dan
akseptor (d) tegangan panjar mundur.

Gbr 3 menunjukkan distribusi kerapatan n), tetapi lebar deplesi berkurang. Ketika konsentrasi
muatan ruang di dalam hubungan p-n ketika suhu, akseptor ditingkatkan dari 4x1014 cm-3 ke 4x1015
konsentrasi doping dan tegangan panjar mundur cm-3, kerapatan muatan ruang berubah dari -6.4x10-5
diubah. Ketika suhu meningkat dari 273 K ke 373 K, C/cm3 ke -6.4x10-4 C/cm3.
kerapatan muatan ruang tidak mengalami perubahan
dari -1.6x10-4 C/cm3 di sisi p (1.6x10-4 C/cm3 di sisi

56
Jurnal Elektum Vol. 14 No. 1 ISSN : 1979-5564
DOI: https://doi.org/10.24853/elektum.14.1.52-58 e-ISSN : 2550-0678

273 K Na=4x10^14
293 K 8x10^14
313 K 1x10^15
333 K 2x10^15
353 K 4x10^15
-4 373 K -4
2 10 2 10

0
Rapat muatan [C/cm3]

Rapat muatan [C/cm3]

-4
1 10
-4
-2 10
0
-4
-4 10
-4
-1 10 (a) -4 (b)
-6 10
Nd=1x1015 [cm-3]
-4 -4
-2 10 -8 10
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5 -1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5
x [m] x [m]

4x10^14 Vr = 0 V
8x10^14 1V
1x10^15 2V
4x10^15 3V
8x10^15 4V
-3 -4 5V
2 10 2 10
Rapat muatan [C/cm3]

Rapat muatan [C/cm 3]

-3 -4
1 10 1 10

0 0

-3 -4
-1 10 (c) -1 10 (d)

-3 -4
-2 10 -2 10
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5 -3 -2 -1 0 1 2 3
x [m] x [m]

Gbr 3 Kerapatan muatan ruang dengan mengubah (a) suhu, (b) konsentrasi, (c) konsentrasi donor dan
akseptor (d) tegangan panjar mundur.

4 Kesimpulan elektrostatis dan medan listrik juga bertambah.

Bisa disimpulkan bahwa potensial
elektrostatis, medan listrik, lebar deplesi, paling
dipengaruhi oleh konsentrasi doping dan tegangan
yang diberikan. Ketika konsentrasi doping
ditingkatkan, lebar lapisan deplesi berkurang, besar
potensial elektrostatis dan medan listrik meningkat.
Ketika besar tegangan panjar mundur ditingkatkan,
lebar lapisan deplesi bertambah, besar potensial
Bagaimanapun juga, ada sedikit perubahan pada
potensial elektrostatis ketika suhu berubah. Ketika
suhu bertambah, lebar lapisan deplesi, besar
potensial elektostatis dan medan listrik berkurang .
Daftar Pustaka
Seung Chang Lee et al., Journal of Applied Physics
114 (2013) p.064502.

57
Jurnal Elektum Vol. 14 No. 1 ISSN : 1979-5564
DOI: https://doi.org/10.24853/elektum.14.1.52-58 e-ISSN : 2550-0678
Koki Shiota et al., International Conference On
Nano-Electronic Technology Devices And
Materials, Selangor, Malaysia, 2015, vol. 1733.
C. R. Crowell et al., Appl. Phys. Lett. , 9(1966)
p.242.
Yohei Yamashina, Journal of Applied Physic 117
(2015).
Donald E. Neamen, Semiconductor Physics and
Devices Basic Principles, N.Y., 2003, p.243.
Erwin Kreyszig, Advanced Engineering
Mathematics, Wiley, New Jersey, 2006, p.265.
R. Hall, International Journal of Electronics 22
(1967) p. 513-519.
Sze, S. M., Semiconductor Devices Physics and
technology, John Wiley and Sons, N.Y., 2002,
p.120.

58