10 TRANSISTOR
− iE = I o [exp(− v BE / VT ) − 1] (10.1)
iC = β iB (10.2)
kasus tertentu).
Harga β juga sangat bervariasi dari satu transistor ke transistor lain walaupun
untuk tipe yang sama. Untuk transistor tipe 2N3055 (biasanya digunakan untuk arus
besar), hFE untuk arus 4 amper dapat berharga dari 20 – 70. Harga hFE mengalami
β
β
Dengan vCB berharga positif dan emitor hubung terbuka, iE = 0 volt dan bagian basis-
kolektor pada dasarnya berpanjar mundur. ( vCB berharga negatif akan membuat
sambungan kolektor-basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga negatif).
Untuk iE = 0, iC ≅ I CBO (lihat gambar 10.2-c), karakteristik kolektor mirip dengan
karakteristik diode gambar 10.2-a pada kuadran tiga. Untuk iE = −5 mA, arus kolektor
meningkat sebesar − α i E ≅ +5 mA (lihat persamaan 3.2) dan menampakkan bentuk
kurva. Karena faktor α selalu lebih kecil dari satu ( = β / β + 1 ), maka secara praktis
konfigurasi basis-bersama tidak baik sebagai penguat arus.
_ ` a b !
c d
X Y Z
c d
[ \ ]
e f
/ 0 1
y z { | } ~
N O
M g
P Q R S u v w x
< < ? L L x
J I K 2 3 4 5 3 6
T U V
E ?
G H I H 7 8 9 :
β
¢ £ ¤
β
I CBO
= (1 + β ) I CBO = I CEO (10.5)
1−α
Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam bentuk
arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah
iC = β iB + I CEO (10.6)
Æ «
Ï Ð Ñ Ò
¬ ® ¯
© ª
Ì Í Î
ü ý ÿ
Ô Õ Ö ×
Ø Ù Ú Û
É Ê Ë
ü ý þ
§ ¨
¼ ½ ¾
ã ä å
ø ù ú á â ã
¦
»
¿ À Á Â Ã Ä Å å ã ö ó
¾ ½ ¼ ó ô õ
Ý Þ ß à
Æ Ç
Ø Ù
æ ç è é ê ë ê ì í î ë ï ð í ï ì é ñ ò î ì í ñ ë
° ± ² ³ ± ´ ± µ ¶ · ´ ¸ ¹ ¶ ¸ µ º ± ¹ ¸ ¹
menghasilkan perubahan yang lebih besar pada β , dan efek dari vCE pada konfigurasi
ini akan lebih nampak dibandingkan pada konfigurasi basis-bersama (lihat juga gambar
10.2-c).
Dengan uraian di atas dapat dibuat catatan penting untuk konfigurasi emitor-
bersama. Arus kolektor iC merupakan fungsi iB dan vCE , sehingga untuk
menggambarkan karakteristik hubungan ketiganya dapat dilakukan dengan
menggambar kurva seperti terlihat pada gambar 10.4-c. Ini merupakaan tipikal
“karakteristik keluaran” dari transistor daya rendah dengan ciri dasar sebagai berikut:
i) Jika vCE > 1 V, iC sangat tergantung pada iB .
ii) Dengan menaikkan vCE , iC akan mengalami sedikit kenaikan, karena daerah
basis relatif tipis.
iii) Untuk vCE < 1 V, arus kolektor untuk suatu harga arus basis jatuh ke harga
Arus kolektor hampir sama dengan arus emitor (untuk vCE > 1 volt), sehingga
berlaku hubungan eksponensial
iC ≈ iE = I o exp(v BE / VT ) (10.7)
Dengan demikian kita memberikan indikasi masukan tegangan v BE (dari pada arus
masukan iB ) yang diperlukan oleh setiap kurva karakteristik jika kita mengetahui v BE .
Untuk suatu transistor dapat berharga sebagai berikut:
iB 10 8 6 4 2 µA
sama antar kurva), namun perubahan iC terhadap v BE jauh dari kondisi linier (tentu saja
mempunyai hubungan eksponensial).
Gambar 10.6 memberikan karakteristik hubungan iC , iB dan vCE untuk
transistor yang lain lagi, yang memberikan gambaran efek dari pemberian tegangan
yang tinggi. Gambar 10.7 memberikan detail dari kurva pada gambar 10.5 untuk
tegangan yang rendah.
pada gambar di bawah. Perkirakan besarnya iC , iE dan vCE . Perhatikan bahwa pada
penggambaran rangkaian elektronika, sumber tegangan (baterai) biasanya dihilangkan,
diasumsikan bahwa terminal +10V (dalam kasus soal ini) dihubungkan dengan tanah.
Ω
+
µ
Jawab
Pada transistor ini
α 0,99 0,99
β= = = = 99
1 − α 1 − 0,99 0,01
Seperti telah diharapkan untuk transistor silikon, I CEO merupakan bagian yang sangat
i E = − (i B + iC ) = −(0,02 + 1,98)10 −3 = −2 mA
iC = β i B
ini berarti
v BE = harga arus sesaat total (AC + DC)
V BE = tegangan panjar (DC)
v be = harga sesaat ac (= f(t))
v BE = V BE + Vbe sin ω t